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ELETRNICA DE POTNCIA
NDICE
INTRODUO .........................................................................................................................................4
UM REOSTATO COMO DISPOSITIVO DE CONTROLE................................................................5
UMA CHAVE COMO DISPOSITIVO DE CONTROLE ....................................................................5
CHAVES SEMICONDUTORES DE POTNCIA ...............................................................................6
APLICAES.......................................................................................................................................6
CLASSIFICAO ................................................................................................................................7
PARMETROS PRINCIPAIS DE UM SEMICONDUTOR USADO.....................................................9
COMO CHAVE.........................................................................................................................................9
A CHAVE IDEAL E A CHAVE REAL ...............................................................................................9
CLASSIFICAO DOS DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA.........................11
CARACTERSTICAS ESTTICAS DE SEMICONDUTORES DE POTNCIA............................11
DIODOS ..............................................................................................................................................15
DIODOS DE USO GERAL.................................................................................................................15
DIODOS RPIDOS ............................................................................................................................16
DIODOS ULTRA-RPIDOS..............................................................................................................16
DIODOS SCHOTTKY ........................................................................................................................16
CIRCUITO EQUIVALENTE..............................................................................................................17
APLICAO DO DIODO ..................................................................................................................18
EXERCCIOS RESOLVIDOS ............................................................................................................18
RESUMO.........................................................................................................................................24
TRANSISTOR BIPOLAR...................................................................................................................25
TENSES E CORRENTES NOS TRANSISTORES NPN E PNP ................................................26
CONFIGURAES BSICAS ......................................................................................................28
POLARIZAO DE TRANSISTORES.........................................................................................30
PONTO DE OPERAO (QUIESCENTE) ...................................................................................30
CLASSIFICAO DOS TRANSISTORES...................................................................................33
CARACTERSTICAS TCNICAS.................................................................................................34
EXERCCIOS RESOLVIDOS ........................................................................................................34
RESUMO.........................................................................................................................................37
TIRISTORES.......................................................................................................................................38
SIMBOLOGIA E PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO ..............................................................39
REGIES DE OPERAO............................................................................................................41
CARACTERSTICA TENSO - CORRENTE ..............................................................................44
MTODOS DE CONTROLE DE POTNCIA ENTREGUE CARGA .....................................44
Disparo por CC - Carga CA.............................................................................................................45
Disparo CA - Carga CA - Retificador Controlado Meia Onda.......................................................46
EXERCCIOS RESOLVIDOS ............................................................................................................48
RESUMO.........................................................................................................................................54
MOSFETS (METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FET) TIPO DEPLEO.............................58
MOSFET TIPO CRESCIMENTO...................................................................................................59
EXERCCIOS RESOLVIDOS ........................................................................................................61
GTO .....................................................................................................................................................68
IGBT ....................................................................................................................................................70
COMPARAO ENTRE CHAVES CONTROLADAS ....................................................................73
CARACTERSTICAS DOS DISPOSITIVOS ................................................................................73
COMBINAO TPICA DE SEMICONDUTORES.....................................................................73
INTRODUO
Eletrnica de Potncia trata do processamento de energia. Sendo a eficincia uma das
caractersticas importante nesse processamento. A diferena entre a energia que entra no sistema e a
que sai geralmente transformada em calor. Mesmo que, o custo da energia desperdiada gere
preocupao, a remoo dessa energia cria transtornos tanto durante o projeto quanto na sua utilizao.
Atualmente conversores estticos utilizados para transformar a energia eltrica de uma forma para
outra, apresentam eficincia entre 85% e 99% dependendo da aplicao da faixa de potncia. Essa
eficincia elevada obtida utilizando semicondutores de potncia, que apresentam uma queda de
tenso prxima de zero quando em conduo, e uma corrente praticamente nula quando em bloqueado.
Essa converso normalmente de AC para DC por conta do sistema eltrico ser AC e grande
parte do controle ser feito em DC. Porm, a converso DC para AC tambm vivel. Os parmetros
controlados so tenso, corrente e frequncia.
A transferncia de potncia eltrica de uma fonte para uma carga pode ser controlada pela
variao da tenso de alimentao (transformador varivel) ou pela insero de um regulador (reostato,
reator varivel ou uma chave). As principais caractersticas dos dispositivos semicondutores, as quais
so responsveis pela sua grande gama de aplicao e crescente interesse, so descritas a seguir
Pelo exemplo acima, fica claro que quanto maior o valor de R1 menor a eficincia da
transferncia de potncia da fonte.
UMA CHAVE COMO DISPOSITIVO DE CONTROLE
Na figura a seguir, uma chave usada para o controle da carga. Quando a chave est ligada, um
mximo de potncia transferido para a carga. A perda de potncia na chave nula, uma vez que no
h tenso sobre ela. Quando a chave est desligada, no existe potncia entregue carga. Da mesma
maneira, nesse caso no h perda de potncia na chave, uma vez que no passa nenhuma corrente por
ela. A eficincia de 100%, porque a chave no consome energia em qualquer um dos dois casos.
O problema existente nesse mtodo que, ao contrrio do reostato, a chave no pode ser
colocada em posies intermedirias, de modo que proporcione variao de potncia. No entanto,
podemos criar o mesmo efeito abrindo e fechando a chave periodicamente. Os transistores e os SCRs
usados como chaves podem abrir e fechar de maneira automtica centenas de vezes por segundo. Se
precisarmos de mais potncia, a chave eletrnica deve ficar ligada por perodos maiores e desligadas
durante a menor parte do tempo. Do contrrio, basta deixar a chave desligada por mais tempo.
Exemplo: Uma fonte DC esta fornecendo energia para uma carga resistiva de 10W atravs de
uma chave. Determine a potncia fornecida carga, a perda de potncia na chave e a potncia total
fornecida pela fonte se a chave estiver:
a) fechada
b) aberta
c) fechada 50% do tempo
d) aberta 50% do tempo
APLICAES
Fontes CC chaveadas e sistemas de energia ininterrupta
Fontes para computadores e equipamentos de telecomunicaes.
Conservao da energia
Operao de lmpadas fluorescentes em alta freqncia.
Acionamento de bombas e compressores com velocidade controlada.
Controle de processos e automao industrial
Acionamento com velocidade controlada em controle de processos.
Transporte
Carros eltricos.
Aplicaes em eletrotcnica
Equipamentos para soldagem, eletrlise e aquecimento indutivo.
Aplicaes relacionadas ao suprimento
Transmisso de potncia em alta tenso CC.
Sistemas de gerao solares e elicos.
CLASSIFICAO
Processadores
Sada para a carga:
CC
Amplitude constante.
Amplitude varivel.
CA
Freqncia constante e amplitude varivel.
Freqncia e amplitude variveis.
Conversores
O maior desafio no projeto de semicondutores de potncia obter altas tenses de bloqueio com
baixas quedas diretas quanto em conduo. Outro desafio que aqueles dispositivos semicondutores
que apresentam altas tenses de bloqueio com baixas quedas diretas resultam tempos de comutao
significativos. A tenso mxima de bloqueio de uma juno p-n e a sua regio de depleo so uma
funo do grau de dopagem. Para obter altas tenses de bloqueio necessrio reduzir a dopagem, e
assim aumentar a resistividade. Por outro lado, essa regio de alta resistividade contribui
significativamente para resistncia de conduo do diapositivo. Assim dispositivos de alta tenso
apresentam maiores resistncias de conduo do que dispositivos de baixa tenso. Em dispositivos de
portadores majoritrios, por exemplo, os MOSFETS e os diodos Schottky, esse efeito responsvel
pela dependncia da queda direta ou sua resistncia de conduo com a tenso mxima de bloqueio.
Por outro lado, e dispositivos de portadores minoritrios, diodo de difuso, BJT , IGBT, SCR,GTO e
MCT outro fenmeno chamado de modulao de condutividade ocorre. Quando um dispositivo de
portadores minoritrios encontra-se em conduo portadores minoritrios so injetados na regio de
baixa dopagem atravs da juno que est diretamente polarizada. A elevada concentrao de
portadores minoritrios na regio de alta resistividade reduz a resistncia aparente da juno p-n
durante a conduo. Devido a esse fenmeno os dispositivos de portadores minoritrios apresentam
uma menor resistncia se comprado com os dispositivos de portadores majoritrios.
Deve ser salientado, que a vantagem dos dispositivos de portadores minoritrios de reduzir a
resistncia de conduo traz junto a desvantagem de aumentar os tempos de comutao. O estado de
conduo de qualquer semicondutor controlado pela presena ou ausncia de algumas cargas dentro
do dispositivo, e os tempos de entrada em conduo e bloqueio so uma funo do tempo necessrio
para colocar ou remover essas cargas. A quantidade total de cargas que controlam o estado de
conduo de dispositivos de portadores minoritrios muito maior que as cargas necessrias para
controlar um dispositivo equivalente de portadores majoritrios.
Apresas dos mecanismos de insero e remoo das cargas de controle dos diferentes
dispositivos, (BJT, IGBT, MOSFET, DIODO, etc.) serem diferentes, verdade que, devido maior
quantidade de carga dos dispositivos de portadores minoritrios, esses apresentam tempos de
comutao significativamente maiores que os dispositivos de portadores majoritrios. Com uma
conseqncia dispositivos de portadores majoritrios so usualmente utilizados em aplicaes de
baixas tenses e alta freqncia, dispositivos de portadores minoritrios em altas tenses e alta
potncia. A figura abaixo descreve as diferentes semicondutores e as suas aplicaes tpicas.
DIODOS
O diodo um semicondutor no controlvel, pois o seu estado, conduzido ou bloqueado determinado
pela tenso ou pela corrente do circuito onde ele esta conectado, e no por qualquer ao que possamos
tomar. Apresenta as seguintes caractersticas:
um dispositivo no-controlado (comuta somente espontaneamente);
Conduz quando diretamente polarizado (Vak>0) e bloqueia quando i<0;
Possui uma queda de tenso intrnseca quando em conduo (VF ~ 1V);
No so facilmente operados em paralelo, devido aos seus coeficientes trmicos de conduo serem
negativos. Ou seja, quanto maior temperatura menor a queda direta.
Pode conduzir reversamente durante um tempo trr, que especificado pelo fabricante.
Idealmente, um dodo ir conduzir corrente no sentido definido pela seta no smbolo e age como
circuito aberto para qualquer tentativa de estabelecer corrente no sentido oposto.
Simbologia do diodo
Estados de (a) conduo polarizao direta e (b) no-conduo polarizao reversa do diodo
ideal determinados pela polarizao aplicada
DIODOS DE USO GERAL
Estes diodos so os mais comuns no mercado, e tambm so conhecidos com line-frequency
diodes ou standard recovery diodes. So os diodos que foram desenvolvidos para operar em
freqncias muito baixas, geralmente menor que 1kHz.. Possuem baixa queda em conduo, desta
forma estes diodos esto aptos para operar at vrios kV de tenso e kA de corrente. Como o tempo de
recuperao desses dispositivos elevado (dezenas ou centenas de micro-segundos), estes dispositivos
no so indicados para operarem em altas freqncias.
DIODOS RPIDOS
Diodos rpidos possuem tempos de recuperao trr da ordem de, no mximo, poucos micro-
segundos, enquanto nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos. O retorno da
corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato de, neste momento, o diodo j
estar desligado, uma fonte importante de sobretenses produzidas por indutncias parasitas
associadas aos componentes por onde circula tal corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram
desenvolvidos os diodos soft-recovery, nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os
picos de tenso gerados.
Os diodos rpidos so dispositivos projetados para o uso em aplicaes envolvendo alta
freqncia, onde um pequeno tempo de recuperao necessrio. Em elevados nveis de potncia, os
diodos rpidos possuem trr de poucos microssegundos ou at ns, alm disso, esta classe de diodo
possui baixa queda em conduo direta.
DIODOS ULTRA-RPIDOS
uma famlia melhorada dos diodos rpidos. So semelhantes aos diodos rpidos em termos de
queda em conduo, porm possuem menor tempo de recuperao. Como recuperao ocorre de forma
suave, possvel reduzir ou mesmo eliminar o uso de snubbers na maioria das aplicaes. Sendo um
dispositivo de portadores minoritrios, sua queda em conduo pequena, de tal forma que pode ser
aplicado em altas tenses de bloqueio. muito empregado em fontes chaveadas de alta freqncia de
alta eficincia, nos quais se incluem aqueles que operaram com comutao ZVS e ZCS.
Para ilustrar, mostramos os diferentes comportamentos dos diodos durante as comutaes:
DIODOS SCHOTTKY
So dispositivos basicamente de portadores majoritrios, usados quando necessria uma queda
de conduo direta pequena em circuitos com baixa tenso de sada. Possuem baixos tempos de
recuperao, podendo operar em altas freqncias.
Estes diodos possuem uma queda de tenso em conduo muito baixa, tipicamente de 0,3V.
Entretanto, a mxima tenso suportvel por estes diodos de cerca de 100V, sendo difcil de serem
encontrados diodos Schottky para tenses reversas maiores que 45V. Alm disso, as correntes de fuga
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16
Eletrnica de Potncia
reversas so altas se comparveis aos diodos por juno P-N. Note que, diferentemente dos diodos
convencionais (mostrado em uma figura anterior), assim que a corrente se inverte a tenso comea a
crescer, o que indica que esse dispositivo no possui portadores minoritrios.
A aplicao deste dos diodos do tipo Schottky ocorre principalmente em fontes de baixa tenso,
nas quais as quedas sobre os retificadores so significativas. As duas caractersticas do diodo Schottky
que fazem ele ser um ganhador no mercado se comparado com retificadores de juno PN em
aplicaes de fontes chaveadas a sua queda direta baixa e ausncia de recuperao reversa devido a
portadores minoritrios. A ausncia de portadores minoritrios significa uma reduo significativa das
perdas de comutao. Talvez no menos importante, o as oscilaes de tenso quando do bloqueio
que so menores se comparadas com aquelas dos diodos de juno PN, fazendo com que os circuitos
Snubbers sejam menores e menos dissipativos ou mesmo desnecessrios. A queda de tenso menor dos
diodos Schottky, se comparadas com as dos diodos de Juno PN, resulta em um maior rendimento e
menores dissipadores.
CIRCUITO EQUIVALENTE
Para a maioria das aplicaes, a resistncia rav suficientemente pequena para ser desprezada
em comparao aos outros elementos do circuito.
APLICAO DO DIODO
Em geral, um diodo esta ligado se a corrente estabelecida pelas fontes tal que sua direo
esta no mesmo sentido que a seta do smbolo do diodo e VD > 0,7V para o silcio VD > 0,3V para o
germnico.
Para cada configurao, substitua mentalmente os diodos por elementos resistivos e note a
direo resultante da corrente como sendo resultado das tenses aplicadas. Se a direo resultante esta
no mesmo sentido que a seta do smbolo do diodo, a conduo ser estabelecida atravs do diodo, e o
dispositivo esta no estado ligado. Em seguida, caso ele esteja conduzindo, substitua-o por seu modelo
equivalente. Quando a corrente torna-se negativa o diodo bloqueia-se, comportando-se como circuito
aberto.
EXERCCIOS RESOLVIDOS
Exemplo1: Determinar I, V1, V2 e V0 para a configurao abaixo. As fontes so desenhadas, e o
sentdio da corrente indicado. O diodo esta conduzindo, e a notao utilizada includa para indicar
este estado.
Notao
Exemplo 3 Seja o circuito da Figura 0.10, determine os etapas de operao, bem como as
principais formas de ondas do circuito. Considere que os parmetros da Tabela I
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Eletrnica de Potncia
V
R
VB
U
O circuito apresenta duas etapas de operao que so definidas a partir do estado do diodo, conduzindo
e bloqueado.
Etapa 1 . Durao q1 <wt< q2: Em wt=q1 a tenso sobre o diodo, vak, tornasse positiva levando o
diodo entrar em conduo. As principais equaes que descrevem o comportamento do circuito nessa
etapa so:
vak = 0 V
iD =(v-vB )/ R
vR = v
O ngulo q1 pode ser obtido a partir do instante que a tenso sobre o diodo torna-se zero
Por outro lado ngulos q2 pode ser obtido do instante que a corrente sobre o diodo passa por
zero, ou seja:
Etapa 2 . Durao q2 <wt< 2 p+q1. : Em wt =q2 a corrente no diodo , iD, torna-se negativa, devido a v torna-
se menor que vB, levando o diodo entrar em bloqueio. As principais equaes que descrevem o
comportamento do circuito nessa etapa so:
vak = v-vB
iD =0
vR = vB
Tenso da fonte
350
[V]
175
-175
-350
0 5 10 15 20 25 30 [ms] 35
(f ile Circuito_com_diodo_01.pl4; x-v ar t) v :V
Tenso no diodo
50
[V]
-50
-150
-250
-350
-450
0 5 10 15 20 25 30 [ms] 35
(f ile Circuito_com_diodo_01.pl4; x-v ar t) v :V -VR
Tenso Vr+Vb (vermelho) e Tenso no resistor (verde)
400
[V]
300
200
100
-100
0 5 10 15 20 25 30 [ms] 35
(f ile Circuito_com_diodo_01.pl4; x-v ar t) v :VR v :VB -VR
factors: 1 1 -1
offsets: 0,00E+00 0,00E+000,00E+00
Exemplo 2: Seja o circuito da Figura abaixo, determine os etapas de operao, bem como as principais
formas de ondas do circuito.
V
R
v =V sin(wt)
Vamos assumir inicialmente quer o circuito apresente um comportamento peridico e que a corrente no
indutor em t = 0 seja nula. Logo o circuito apresenta duas etapas de operao dependendo do estado de
conduo do diodo.
Etapa 1 . Durao 0 <wt< q1: Em wt = 0 a tenso sobre o diodo, vak, torna-se positiva levando o diodo
entrar em conduo. O circuito equivalente dessa etapa da mostrado na Figura (a) a seguir. As equaes que
descrevem o comportamento do circuito nessa etapa so:
O final dessa etapa ocorre em wt= q1 quando a corrente torna-se zero. Logo q1 pode ser obtido da soluo
da seguinte equao para q1
Pode der observado que na medida que a carga torna-se mais indutiva a0 a durao da etapa 1 estendem-
se no semi-ciclo negativo da rede, por outro lado quando a carga torna-se mais resistiva a a durao da
primeira etapa aproxima-se do final do semi-ciclo positivo da rede.
Etapa 1 . Durao q1 <wt< 2pi: Nesta etapa o diodo encontra-se bloqueado, a corrente no circuito zero. A
seguir so mostrados resultados de simulao para ilustrar o comportamento do circuito
35.0
17.5
0.0
-17.5
-35.0
0 5 10 15 20 25 30 [ms] 35
(f ile circuito_com_diodo_02.pl4; x-v ar t) v :V c:VL -
factors: 1 0,1 1
offsets: 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
50
25
-25
-50
0.10 7.08 14.06 21.04 28.02 [ms] 35.00
(f ile circuito_com_diodo_02.pl4; x-v ar t) v :VR c:VL -
factors: 1 0,1 1
offsets: 0,00E+00 0,00E+000,00E+00
20
-8
-22
-36
-50
0.10 7.08 14.06 21.04 28.02 [ms] 35.00
(f ile circuito_com_diodo_02.pl4; x-v ar t) v :V -VR c:V -VR
factors: 1 0,1 1
offsets: 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
RESUMO
t
A corrente no diodo reverte por um tempo de recuperao reversa rr . Em muitos circuitos, a
corrente de recuperao reversa no afeta a caracterstica do conversor e o diodo pode ser considerado
ideal.
Tipos de diodos
Schottky
Baixa queda de tenso (0,3V) e baixa tenso reversa de bloqueio (100V).
De rpida recuperao
Pequeno
t rr (poucos ms na faixa de centenas de volts e centenas de ampres).
De freqncia da rede
TRANSISTOR BIPOLAR
O princpio do transistor poder controlar a corrente. constitudo por duas junes PN
(juno base-emissor e juno base-colector) de material semicondutor (silcio ou germnio) e por trs
terminais designados por Emissor (E), Base (B) e Colector (C)
A seta do smbolo define o sentido de conduo da corrente. Para que o transstor bipolar
conduza necessrio que seja aplicada na Base uma corrente mnima (VBE 0,7 Volt), caso contrrio
no haver passagem de corrente entre o Emissor e o Colector.
Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transstor conduz e pode amplificar a corrente
que passa do emissor para o colector.
IC Corrente de colector
IB Corrente de base
IE Corrente de emissor
Rc
Considerando o sentido convencional da corrente e
aplicando a lei dos ns obtemos a seguinte relao
Rb das correntes num transstor bipolar
IC
IB
IE = I C + I B
IE
Caracterstica Idealizada
Smbolo
Caracterstica i x v
CONFIGURAES BSICAS
Os transistores podem ser utilizados em trs configuraes bsicas: Base Comum (BC), Emissor
comum (EC), e Coletor comum (CC). O termo comum significa que o terminal comum a entrada e a
sada do circuito.
Configurao BC
Ganho de corrente menor que 1
Ganho de potncia intermedirio
Impedncia de entrada baixa
Impedncia de sada alta
No ocorre inverso de fase
Configurao CC
Ganho de tenso menor que 1
Ganho de corrente elevado;
Ganho de potncia intermedirio
Impedncia de entrada alta
Impedncia de sada baixa
No ocorre a inverso de fase.
Configurao EC
Ganho de tenso elevado
Ganho de corrente elevado
Ganho de potncia elevado
Impedncia de entrada baixa
Impedncia de sada alta
Ocorre a inverso de fase.
Observa-se que possvel controlar a corrente de base, variando-se a tenso entre a base e o
emissor. Para cada constante de corrente de entrada IB, variando-se a tenso de sada VCE, obtm-se
uma corrente de sada IC, cujo grfico tem o seguinte aspecto.
Atravs desta curva, podemos definir trs estados do transistor, o CORTE, a SATURAO e a
DATIVA
CORTE: IC = 0
SATURAO: VCE = 0
ACTIVA: Regio entre o corte e a saturao.
Para a configurao EC a relao entre a corrente de sada e a corrente de entrada determina o
ganho de corrente denominado de b ou hFE (forward current transfer ratio).
POLARIZAO DE TRANSISTORES
Para o transstor bipolar poder ser utilizado com interruptor, como amplificador ou como
oscilador tem que estar devidamente polarizado atravs de uma fonte DC.
Para o transstor estar correctamente polarizado a juno PN base emissor deve ser polarizada
directamente e a juno base colector deve ser polarizada inversamente.
Regra prtica:
O Emissor polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui.
A Base polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que a constitui.
O Colector polarizado com polaridade contrria do semicondutor que o constitui.
P N P N P N
+ - - - + +
_ +
Rc
Rc
Rb Resistncia de polarizao de base
Rb Rb
Rc Resistncia de colector ou resistncia de carga
+ _
A reta de carga o lugar geomtrico de todos os pontos de operao possveis para uma
determinada polarizao. Podemos defini-la a partir de dois pontos conhecidos.
Desta forma, quando operando na regio ativa ou regio de amplificao o transistor opera
como amplificador, isto , existe linearidade entre as suas correntes valendo a seguinte relao
IC = b.IB, isto , a corrente de coletor diretamente proporcional corrente de base, se IB dobrar de
valor IC tambm dobra. A constante de proporcionalidade b (beta) um dos parmetros do transistor
muitas vezes encontrado nos manuais como hFE, sendo que o seu valor no o mesmo para um
determinado tipo de transistor podendo variar numa razo de 1:5 para um mesmo tipo de transistor.
Para cortar um transistor basta fazer VBE 0 para transistor de S ou VBE -0,4V para
transistor de Ge (caso orientao em contrrio neste livro usaremos sempre transistor de S ). A figura a
seguir mostra um transistor polarizado no corte e o modelo equivalente simplificado (chave aberta).
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Eletrnica de Potncia
Para saturar um transistor a corrente de base deve ser maior ou pelo menos igual um
determinado valor especificado pelas curvas caractersticas de coletor. A figura abaixo mostra um
transistor saturado e o circuito equivalente (chave fechada).
Para compreenderemos melhor como um transistor passa do corte para a saturao ou vice-
versa, consideremos a configurao emissor comum e as curvas caractersticas de coletor mostradas na
figura a seguir.
aumento adicional em IB no provocar aumento em IC, dizemos que o transistor saturou.. A saturao
, portanto caracterizada por IC b.IB, onde
IC =VCC/RC a corrente de coletor na saturao (estamos admitindo que VCE = 0). Para
saturar deve ser observada a condio B IC/b=VCC/b.RC. Como j foi dito, na prtica, o valor de b
pode variar muito de transistor para transistor, de um mnimo (bmin) at um mximo (bMx), para
garantir a saturao do transistor devemos usar o bmin.
CARACTERSTICAS TCNICAS
EXERCCIOS RESOLVIDOS
Exemplo 1: Dada a curva caracterstica do dispositivo, determinar VCC, RB e RC para a configurao
indicada
Exemplo 3: calcular R4 e R3 no circuito para que o transistor sature com IC = 10mA. Considerar
transistor de Si com bmin = 100 , VBesat = 0,7V e VCesat = 0.
Para saturar IB ICsat / bmin = 10mA /100 = 0,1mA adotando IB = 0,2mA e como
R4 = (VBB - VBE)/IB = (5 0,7)/0,2mA = 21,5K adotamos o valor comercial imediatamente abaixo
(aumenta mais ainda a garantia se saturao ) no caso R4 = 18K.
Exemplo 2: Dimensionar R2 para o transistor acionar o rel . Dados: Rel 12V/40mA bmin =100
VBesat= 0,7V.
Soluo: ICsat = 40mA para saturar o transistor IB ICsat/ bmin = 40mA/100 = 0,4mA.
Por outro lado R2 (12 0,7)/0,4 = 11,3V/0,4mA = 28,25K e para dar uma garantia adicional
adotamos R2 = 15K.
Obs: a finalidade do diodo em paralelo com a bobina do diodo eliminar a fcem gerada na bobina
quando o transistor corta.
RESUMO
Configurao Darlington
Caractersticas
Tempo de chaveamento tpico na faixa de poucas centenas de ns
Correntes de centenas de ampres, tenses de bloqueio de at 1,4kV
Coeficiente de temperatura da resistncia de conduo negativo
TIRISTORES
O tiristor conhecido tambm como SCR ( silicon-controlled rectifier ) um retificador de silcio
que funciona essencialmente como um interruptor esttico unidireccional, isto , abre ou fecha um
circuito atravs da aplicao de uma pequena tenso num dos seus terminais, no possuindo por isso
qualquer contato mecnico, o que tem como vantagem um grande aumento do seu tempo de vida til.
Utiliza-se fundamentalmente no controlo de potncia, quer em circuitos de corrente contnua quer de
corrente alternada.
Permite no s retificar uma corrente alternada mas tambm controlar a corrente que passa por
ele e pela carga ligada em srie com ele.
Como pode ser visto, o SCR assemelha-se a um diodo com um terminal de controle. Como um
dodo, s conduz corrente no sentido do nodo para o ctodo, mas apenas quando lhe aplicamos um
sinal de tenso no terminal chamado GATE. Na figura seguinte podemos ver um esquema que
representa o seu circuito equivalente.
O estudo dos tiristores deve comear pelo dispositivo que origina toda a familia, o diodo de
quatro camadas ou diodo Shockley ( no confundir com o diodo Schottky, diodo com duas camadas e
usado para altas freqncias). As figuras a seguir mostram a estrutura e curva caracterstica.
Com polarizao reversa o diodo se comporta como um diodo comum, apresentando altssima
resistncia. Se a tenso reversa exceder a tenso de breakdown (UBK) o diodo ser destrudo. Com
polarizao direta o diodo apresenta alta resistncia enquanto a tenso for menor do que um valor
chamado de tenso de breakover (UBO). Acima deste valor o dispositivo dispara passando a conduzir,
somente voltando a cortar quando a tenso (corrente) de anodo cair abaixo de um valor chamado de
tenso (corrente) de manuteno, UH (IH).
Qualquer mecanismo que provoque um aumento interno de corrente pode disparar a estrutura de
4 camadas, dentre eles temos:
Aumento de temperatura
Incidencia de radiao luminosa (LASCR)
Taxa de variao de tenso (dv/dt)
Injeo de corrente
O tiristor pode mudar de estado de conduo com aplicao de um pulso de corrente na porta
(gate) quando a tenso vak for positiva. Uma vez em conduo, ele continua em conduo mesmo que
corrente de gate seja removida. Neste estado o tiristor comporta-se como um diodo. Somente quando a
corrente IA, que governada pelo circuito externo, torna-se negativa que o tiristor retorna ao estado
bloqueado.
O nodo dever estar positivo em relao ao ctodo. Se no enviarmos qualquer sinal de GATE
ao SCR, este permanecer bloqueado pois nenhum dos transistores estar em conduo. Enviando um
curto impulso de tenso entre a GATE e o CTODO o transistor T1 receber na sua base uma corrente
que ser amplificada vezes no coletor. Esta corrente de coletor colocar o transistor T2 em conduo.
Por sua vez a conduo de T2 (corrente no coletor, IC2) far com que exista corrente na base de T1
mantendo-o em conduo.
REGIES DE OPERAO
Um SCR basicamente um diodo de 4 camadas unilateral no qual foi colocado um terceiro
eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do diodo por injeo de corrente.
Bloqueio Reverso: O anodo negativo em relao ao catodo, nessas condies o SCR se comporta
exatamente como um diodo comum. Se a tenso reversa aumentar alm da da tenso de breakdown
(UBK ), o SCR ser destrudo pelo efeito avalanche.
Bloqueio Direto: O anodo positivo em relao ao catodo, mas a tenso no suficiente para disparar
o SCR. Para disparar o SCR com o gate aberto (IG = 0 ) necessrio que a tenso de anodo atinja um
valor chamado de tenso de breakover (UBO ). Se UA for menor do que UBO o SCR continuar cortado.
Conduo (Disparo): Quando a tenso de anodo atingir o valor UBO, o SCR dispara, isto , a corrente
de anodo passa bruscamente de zero para um valor determinado pela resistncia em srie com o SCR.
A tenso no SCR cai para um valor baixo (0,5V a 2V).
Aps disparar, o SCR passa da condio de alta resistncia para baixa resistncia. A tenso de
anodo cai para um valor baixo ( 0,5V a 1,5V ). O SCR s volta a cortar quando a tenso (corrente) cair
abaixo de um valor chamado de tenso (corrente) de manuteno, UH (IH) cujo valor depende do tipo
de SCR (Por exemplo o TIC106 tem IH@ 0,5mA enquanto o TIC116 tem IH @ 15mA.
Como vimos anteriormente, um diodo de 4 camadas pode ser representado por dois transistores
ligados com realimentao de um para o outro. Se adicionarmos um terceiro eletrodo, a porta,
poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de 4 camadas para valores de tenso
menores do que UBO. Na realidade quanto maior for a corrente injetada menor a tenso de anodo
Prof. Antonio Samuel Neto
42
Eletrnica de Potncia
necessria para disparar a estrutura de 4 camadas, da o nome de Diodo controlado para esse
dispositivo.
Se for injetado uma corrente na porta (gate), ser possvel disparar o SCR com tenses de anodo
bem menores do que UBO. Quanto maior a corrente de porta injetada, menor a tenso de anodo
necessria para disparar o SCR, dai o nome diodo controlado.
Aps o disparo o gate perde o controle o sobre o SCR, isto , aps o disparo o gate pode ser
aberto ou curto circuitado ao catodo que o SCR continua conduzindo. O SCR s volta ao corte quando
a corrente de anodo cair abaixo da corrente de manuteno.
A tenso mxima que pode ser aplicada entre anodo e catodo no sentido direto com IG = 0
como vimos chamada de UBO, mas muitas vezes designada de VDRM esta informao muitas
vezes vem codificada no corpo do SCR, por exemplo :
TIC 106 Y - 30V MCR 106-1 - 30V
Com o interruptor do circuito da gate aberto, verifica-se que, para baixas tenses nodo-ctodo,
designadas por VD, o SCR conduz apenas uma pequena corrente, ID, chamada corrente de fugas.
Continuando a aumentar o valor de VF, a corrente ID mantm-se praticamente constante,
conforme se v no grfico. S quando alcana um determinado valor de VD que o SCR entra em
conduo e observamos ento que circula uma corrente ID elevada, limitada apenas pela resistncia de
carga, RS. A tenso aos terminais do SCR cai para valores muito baixos. Ao valor da tenso que
colocou o SCR em conduo sem necessitar de impulso de gate chama-se TENSO DE RUPTURA
NO SENTIDO DIRECTO e designa-se por VBO
Podemos ainda observar que para um grande aumento de ID o valor de VD aumenta
ligeiramente, mantendo-se baixo (cerca de 1,4 V).
IH a mnima corrente necessria que deve circular no SCR para que este, estando em
conduo, no passe ao estado de bloqueio. IL a corrente mnima necessria que se estabelece no
circuito no instante que o SCR vai passar de bloqueado a condutor. Esta corrente normalmente
superior a IH.
Controlo de fase
Enquanto que no disparo sncrono os impulsos de corrente aplicados na porta coincidem com o
incio de todos ou de alguns dos semicclos positivos, no controlo de fase os impulsos da corrente de
disparo tm lugar dentro de cada semiciclo positivo da tenso de alimentao.
O ngulo a para o qual se inicia a conduo designa-se por ngulo de disparo, enquanto o ngulo q
durante o qual o tirstor se encontra conduo denomina-se de ngulo de conduo.
manter sinal no gate, pois se o sinal de gate for retirado, o SCR cortar quando a tenso de anodo
passar por zero. A figura (a) abaixo mostra um circuito com disparo CC e carga CA e a figura (b) a
forma de onda na carga quando a chave CH fechada num instante t1 e aberta em t2.
(a)
(b)
No circuito da figura (a) podemos observar que, ao fechar a chave o SCR s disparar se a
tenso de anodo for positiva. A partir desse instante toda a tenso da rede cair sobre a carga e a tenso
no SCR ser de aproximadamente 1V. Se a carga for resistiva podem ocorrer picos de corrente
excessivamente altos os quais podem destruir o SCR e/ou a carga. Para evitar isso que existem
circuitos que s disparam o SCR quando a tenso da rede for prxima de zero, chamados de ZVS (
Zero Voltage Switch ).
(a)
(b)
A tenso na carga tem um valor mdio (V DC) e um valor eficaz (V RMS) que podem ser
calculados usando o calculo diferencial e integral. Atravs do clculo diferencial e integral pode-se
demonstrar que a tenso mdia (contnua ) na carga calculada por :
Obs: A tenso mdia a tenso que ser medida por um voltmetro CC.
Por clculo integral tambm obtm-se a expresso que d a tem eficaz (VEF ou VRMS) na
carga:
Se qF = 180 VRMS = 0
Exerccio Resolvido
Considere que no circuito da figura (a) acima o ngulo de disparo 60 e que RL=100W. Calcular : a)
Tenso e corrente contnua na carga b) Potncia dissipada na carga
= . = 75V
PD = = = 56,25W
EXERCCIOS RESOLVIDOS
Exemplo 1 Determine os etapas de operao, bem como as principais formas de ondas do circuito.
2.625
1.750
0.875
0.000
-0.875
-1.750
-2.625
-3.500
0 5 10 15 20 25 30 [ms] 35
(file Circuito_com_SCR.pl4; x-var t) t: SCR1 t: SCR2 v:V
factors: 1 1 1 0,01
offsets: 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00 0,00E+00
Vamos assumir inicialmente quer o circuito apresente um comportamento peridico e que a
corrente no indutor em wt = a seja nula. Como possivelmente essa hiptese poder ser violada, vamos
chamar desse modo de operao de MODO 1. Logo o circuito, no Modo 1, apresenta duas etapas de
operao dependendo do estado de conduo dos tiristores.
Etapa 1 . Durao 0 <wt< a. Em wt = 0 a tenso sobre o tiristor T1, vak1, torna-se positiva. Entretanto
como no h pulso de corrente no gate o tiristor opera com um circuito aberto. O circuito equivalente
mostrado na Figura abaixo. Esta etapa finaliza em wt=a com a entrada em conduo de T1.
Etapa 2 . Durao a <wt< q1. Em wt = a a tenso sobre o tiristor T1, vak1, positiva e este recebe um
pulos de corrente no gate, entrando assim em conduo. O circuito equivalente mostrado na Figura
abaixo.
Note que se q'1 for maior que 180 a hiptese inicial que a corrente no indutor nula em wt
= a no mais vlida. Neste caso, o circuito passa a operar em um outro modo de operao, aqui
denominado de Modo 2 de operao.
Formas de onda do gradador. V=311 V, w=377 rad/s; R =10 W, L = 100mH. (a) Tenso da rede,
v/10, e corrente na carga (A). (b) Tenso na Carga / 10 , e corrente de carga. (c) Tenso sobre diodo
vak /10 e corrente no diodo. e d = 0,265
RESUMO
Disparo
O tiristor ligado por aplicao de corrente de gatilho positiva.
Conduo
Queda de tenso de 1 a 3V (depende da tenso de bloqueio).
Uma vez conduzindo, a corrente de gatilho pode ser removida.
Bloqueio
O tiristor no pode ser desligado pelo gatilho (conduz como um diodo).
Em polarizao reversa, apenas uma corrente desprezvel flui no tiristor.
Exemplo
Tiristor ideal
Quando a corrente no tiristor tenta reverter, ela se torna zero imediatamente.
Tiristor real
A corrente no tiristor reverte antes de se tornar zero.
Tempo t q : passagem por zero da corrente at a passagem por zero da tenso.
Tipos de tiristores
Tiristores para controle de fase.
Correntes de at 4kA, tenses de bloqueio de at 7kV.
Queda de tenso de 1,5V (dispositivo de 1kV) a 3V (dispositivo de 7kV).
Tiristores para inversor
Correntes de at 1,5kA, tenses de bloqueio de at 2,5kV.
Tempo t q de at 100ms (depende da tenso de bloqueio e da queda de tenso).
MOSFET
Power FETs ou Power MOSFETS so FETs especiais projetados para conduzir altas correntes
sob regime de altas tenses. Esses FETs so encontrados em muitas aplicaes modernas no controle
de motores, solenoides e outras cargas de alta potncia. A estrutura e o princpio de funcionamento do
mosfet de potncia a mesma dos MOSTFETs comuns exceto pela sua alta capacidade de controle.
Assim, as principais diferenas esto no tamanho da pastilha de material semicondutor de silcio e no
processo de fabricao.
A principal vantagem encontrada no emprego dos MOSFETs em muitas aplicaes est no fato
de que, quando conduzindo eles apresentam uma resistncia extremamente baixa entre o dreno e a
fonte (chamada Rds). Como o dispositivo praticamente no tm resistncia ao conduzir, a quantidade
de calor que ele dissipa mnima. Esse fato permite que ele controle correntes muito intensas
praticamente sem dissipar calor. MOSFETs de potncia comuns podem controlar correntes de dezenas
e at centenas de ampres dissipando um mnimo de calor. Na figura abaixo temos os smbolos
adotados para representar os dois principais tipos de MOSFETs de potncia assim como os aspectos.
isso temos uma juno, ou seja, um diodo, conectado reversamente entre dreno e source. Isso significa
que quando polarizado reversamente (dreno negativo em relao ao source) o MOSFET conduz.
Supondo o MOSFET canal N polarizado diretamente (dreno positivo em relao ao source), se
aplicarmos uma tenso negativa no gate em relao ao source, criado um campo eltrico no gate, que
repele os eltrons do canal, diminuindo sua condutividade, aumentando a resistncia dreno-source. Se
aumentarmos a tenso no gate, chega um ponto em que todo o canal foi extinto e o transistor deixa de
conduzir. Esta tenso chamada de Vp (tenso de pinch-off), da mesma forma que para um JFET.
Alis todo o comportamento descrito at aqui similar ao de um JFET, com a diferena de que, devido
ao xido (que um isolante) a resistncia da gate de um MOSFET ainda maior do que a de um JFET,
sendo sua corrente de gate perfeitamente desprezvel.
Entretanto, diferentemente de um JFET, j que no existe mais a juno do gate, tenses
positivas podem ser aplicadas ao gate em relao ao source. Se fizermos isso, eltrons sero atrados
para o canal, aumentando sua condutividade. Quanto maior a tenso aplicada ao gate, maior a
condutividade do canal e, portanto, menor a resistncia drenosource. A figura abaixo mostra as curvas
caractersticas de um MOSFET tipo depleo canal N. Repare que ela muito parecida com as de um
JFET, podendo, no entanto, trabalhar com Vgs positivo.
Primeiramente notamos que o canal agora no mais formado por um cristal N, mas sim por
um acumulo de eltrons dentro do prprio substrato P. Assim, se nenhuma tenso ou se uma tenso
negativa aplicada ao gate em relao ao source, no h a formao do canal e a resistncia dreno-
source muito grande, ou seja, o MOSFET no conduz.
Se aplicarmos agora uma tenso positiva no gate em relao ao source, eltrons so atrados
para a regio prxima ao gate, dando incio formao da canal. Entretanto, enquanto esta tenso no
for maior que um determinado valor, chamado de tenso de limiar (Vt, tenso de threshold), o canal
ainda no consegue ligar o cristal N do dreno ao cristal N do source e o MOSFET no conduz, isto , a
resistncia dreno-source muito alta. A partir deste valor, o canal j est formado e apenas aumenta a
medida que Vgs aumenta, diminuindo cada vez mais a resistncia dreno-source. Este comportamento
mostrado na figura a seguir.
Para que um MOSFET trabalhe como uma chave, basta aplicarmos uma tenso suficientemente
alta entre gate e source, quando desejarmos que ele conduza, e aplicarmos uma tenso nula para que ele
entre no corte. Entretanto, para apressar a descarga de sua capacitncia de gate e, portanto, acelerar seu
desligamento, normalmente aplicada uma tenso Vgs negativa para lev-lo a no conduo.
O nome crescimento vem do fato do canal sempre crescer a medida que polarizamos seu gate.
MOSFETS de potncia so geralmente do tipo crescimento e canal N, devido a sua maior velocidade.
Alis, a rapidez dos MOSFETs sua principal vantagem em relao aos outros componentes. As
principais desvantagens dos MOSFETS so sua resistncia quando em conduo, maior que a dos
transistores bipolares e dos tiristores, e a necessidade de um maior cuidado em seu manuseio, pois
facilmente a sua camada de xido pode se romper. Porm, j existem hoje famlias de dispositivos com
baixa resistncia de conduo e bem mais resistentes ao rompimento de seu xido.
EXERCCIOS RESOLVIDOS
Exemplo 3 determine as etapas de operao, bem como as principais formas de ondas do circuito,
assumindo que:
O objetivo desse exemplo determinar quais as restries que devem ser satisfeitas para o
circuito opere como as hipteses realizadas. razovel assumir que o circuito apresente uma
freqncia de operao constante devido a natureza da tenso de gate-source, vgs . Ainda, quando vgs
=10 V, o MOSFET conduz e o diodo bloqueado, uma vez que vin >0. O circuito equivalente o
mostrado abaixo, e esta etapa ser chamada de Etapa 1.
GTO
O smbolo e as caractersticas i v em regime permanente para o GTO so mostrados na figura
abaixo.
IGBT
O smbolo e as caractersticas i v para o IGBT so apresentadas a seguir:
MOSFET. E pode suportar grandes tenses reversas, como um tiristor. O IGBT tem alta impedncia de
gate, a qual requer apenas uma pequena quantidade de energia para chavear o dispositivo.
O preo pago por reduzir a tenso do IGBT o aumento dos tempos de comutao, especialmente os
tempos de desligamentos. Os IGBT tem um tempo de conduo e de bloqueio da ordem de 1 ms e esto
disponveis em mdulos to grande quanto 1700V 1200A. As tenses nominasi de projeto so 2 3
kV.
As principais caracterstica do IGBT so:
Disparo por sinal de tenso
Devido alta impedncia, requer pouca energia no circuito de disparo
Baixa queda de tenso sob conduo: 2V em um dispositivo de 1000V
Pode bloquear tenses negativas
t on e t off da ordem de 1ms
Correntes de 1200A, tenses de bloqueio de at 3kV
EXERCCIOS RESOLVIDOS
Exemplo 4 O circuito da Figura 0.34 um conversor CC-CC que se caracteriza por operar com
freqncia de comutao varivel. Este conversor apresenta como vantagem a comutao em entrada
em conduo e bloqueio do IGBT com corrente nula. Aqui este conversor ser utilizado para
exemplificar a soluo de circuitos comutados de segunda ordem. As seguintes hipteses so assumidas
para a anlise do circuito: