UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO

Facultad de Ingeniera en Sistemas, Electrnica e Industrial

Ingeniera Electrnica y Comunicaciones
CIRCUITOS ELECTRNICOS 1

Tema DIODOS

Ciclo Acadmico: Cuarto

Paralelo: A

Nombre: Christian Lescano

Docente: Ing. Santiago Altamirano

 CARACTERSTICAS GENERALES DE LOS DIODOS
Sin polarizacin aplicada (V =0 V)

En el momento en que los dos materiales se unen, los electrones y los huecos en la regin de
la unin se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la regin prxima a la
unin, como se muestra en la figura. Observe que las nicas partculas mostradas en esta
regin son los iones positivos y negativos que quedan una vez que los portadores libres han
sido absorbidos.

Condicin de polarizacin en inversa (VD<DV)

Si se aplica un potencial externo de V volts a travs de la unin p-n con la terminal positiva
conectada al material tipo n y la negativa conectada al material tipo p como se muestra en la
figura, el nmero de iones positivos revelados en la regin de empobrecimiento del material
tipo n se incrementar por la gran cantidad de electrones libres atrados por el potencial
positivo del voltaje aplicado. Por las mismas razones, el nmero de iones negativos no
revelados se incrementar en el material tipo p. El efecto neto, por consiguiente, es una mayor
apertura de la regin de empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado grande para
que los portadores mayoritarios la puedan superar, por lo que el flujo de portadores
mayoritarios se reduce efectivamente a cero, como se muestra en la figura 1.13a. Sin
embargo, el nmero de portadores minoritarios que entran a la regin de empobrecimiento
no cambia, y se producen vectores de flujo de portadores minoritarios de la misma magnitud
sin voltaje aplicado.
Condicin de polarizacin en directa (VD>0 V)

La condicin de polarizacin en directa o encendido se establece aplicando el potencial

positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n como se muestra en la figura.

La aplicacin de un potencial de polarizacin en directa VD presionar a los electrones en el

material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones
prximos al lmite y reducir el ancho de la regin de empobrecimiento como se muestra en la
figura. El flujo de portadores minoritarios de electrones resultante del material tipo p al
material tipo n (y de huecos del material tipo n al tipo p) no cambia de magnitud (puesto que
el nivel de conduccin es controlado principalmente por el nmero limitado de impurezas en
el material), aunque la reduccin del ancho de la regin de empobrecimiento produjo un
intenso flujo de portadores mayoritarios a travs de la unin. Un electrn del material tipo p
ahora ve una barrera reducida en la unin debido a la regin de empobrecimiento reducida y
a una fuerte atraccin del potencial positivo aplicado al material tipo p. En cuanto se
incrementa la magnitud de la polarizacin aplicada, el ancho de la regin de empobrecimiento
continuar reducindose hasta que un flujo de electrones pueda atravesar la unin, lo que
produce un crecimiento exponencial de la corriente como se muestra en la regin de
polarizacin en directa de las caractersticas.

Se puede demostrar por medio de la fsica de estado slido que las caractersticas generales de
un diodo semiconductor se pueden definir mediante la siguiente ecuacin, conocida como
ecuacin de Shockley, para las regiones de polarizacin en directa y en inversa:

= ( )
donde

Is es la corriente de saturacin en inversa

VD es el voltaje de polarizacin en directa aplicado a travs del diodo

n es un factor de idealidad, el cual es una funcin de las condiciones de operacin y

construccin fsica; vara entre 1 y 2 segn una amplia diversidad de factores. (se supondr n=
1 en todo este texto a menos que se indique de otra manera).
El voltaje VT en la ecuacin anterior se llama voltaje trmico y est determinado por

donde

k es la constante de Boltzmann =1.38 *1023 J/K

T es la temperatura absoluta en Kelvin =273 + la temperatura en C.

q es la magnitud de la carga del electrn =1.6 *1019 C.

Bibliografa
Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos./Boylestad, R. L., Nashelsky, L.,
Salas, R. N., & Ramrez, F. R. (2009)./10-13.