Estructura de los semiconductores.

Estructura del tomo.

Todos los materiales estn hechos de tomos, la estructura de los mismos contribuye
a las propiedades elctricas de un material, entre ellas la conductividad.

Un tomo puede ser representado como una especie de sistema planetario donde su
centro (o sol) est constituido por los protones que contienen cargas positivas y los
neutrones sin carga alguna, ste ncleo atrae a los electrones planetarios pero a la
vez pueden ser expulsados por una fuerza centrfuga creada por su movimiento
circular. Los electrones ms lejanos al ncleo se encuentran en la denominada banda
de valencia y por lo tanto sufren un menor poder de atraccin hacia el mismo por lo
cual puede salir de su ruta normal con cierta facilidad.

Al salir de la banda de valencia el electrn se mueve hacia la capa de conduccin

convirtindose en un electrn libre.

El electrn viaja a la banda de conduccin convirtindose en un electrn libre.

La facilidad con que esto suceda determina el nivel de resistividad al paso de la
corriente de un material. Los materiales pueden clasificarse, de acuerdo con su
resistividad, en conductores, semiconductores y aislantes.

Conductores.

Los conductores son materiales (generalmente metales), cuya estructura electrnica

(uno o dos electrones de valencia) les permite conducir la corriente elctrica a bajas
temperaturas o temperatura ambiente; su resistividad al paso de la corriente elctrica
es muy baja. De acuerdo con la teora de bandas, son aquellos materiales cuyas
bandas de valencia y de conduccin, se encuentran muy prximas entre si, al grado de
que, en algunos casos, estas bandas se encuentran sobrepuestas. Los electrones
libres son los que se han promovido a niveles energticos superiores (banda de
conduccin) lo que da lugar a su mayor movilidad y, eventualmente, da origen a las
corrientes elctricas.

Aislantes.

Los aislantes son materiales cuya estructura electrnica hace difcil la conduccin de
corriente elctrica y por tanto una elevada resistencia al paso de la electricidad como
en el caso de la lana, fibra de vidrio, yeso, caucho, porcelana, etc. En los aislantes,
por su parte, las dos bandas estn tan alejadas que la banda de conduccin es
inaccesible, motivo por el cual son incapaces de conducir la corriente:

Semiconductores.
En el caso de los semiconductores, las bandas de valencia y de conduccin no se
superponen, pero la diferencia energtica entre ambas es pequea, por lo que una
pequea aportacin energtica har que puedan promocionar electrones a la banda
de conduccin y, por tanto, conducir la corriente elctrica.

Bandas de valencia y conduccin en los tres tipos bsicos de materiales.

El germanio es un ejemplo de un material semiconductor. Este material tiene cuatro

electrones en su banda de valencia. Anteriormente el germanio era el nico material
disponible para la fabricacin de semiconductores; pero los dispositivos fabricados a
base de germanio presentan excesivas corrientes inversas que no se pueden
despreciar. Con el paso de los aos se descubri un semiconductor con mejores
caractersticas.

El silicio junto con el oxgeno es el ms abundante elemento en la tierra; pero tena

ciertos problemas en el proceso de refinamiento que dificultaban el uso de silicio en los
primeros aos. Una vez que estos problemas fueron resueltos el silicio se convirti en
una mejor solucin.

Cristales de silicio.

Cuando los tomos de silicio se combinan producen un slido que posee patrones
ordenados llamados cristales. Cada tomo se silicio comparte sus electrones de
valencia con cuatro silicios vecinos en un enlace denominado covalente. Los ocho
electrones de la capa exterior de los silicios en este tipo de enlace proporcionan un
nivel de estabilidad que resulta en una slida pieza de silicio. Cuando los elementos
dentro de la naturaleza no poseen 8 electrones en su capa de valencia tienen
tendencia a combinarse para completar un octeto de electrones en la capa ms
externa.

Electrones libres y huecos.

A temperatura ambiente la energa calorfica existente en el aire hace que el silicio
vibre. En un cristal de silicio, las vibraciones de tomos puede producir la salida de
electrones de la banda de valencia. Cuando esto pasa, los electrones liberados ganan
suficiente energa para trasladarse hasta la banda de conduccin generando un
electrn libre. Al salir el electrn de la banda de valencia crea una vacante en este
espacio llamado hueco. Este hueco se comporta igual que una carga positiva porque
la prdida de un electrn produce un in positivo. El hueco atraer y capturar un
electrn libre que se encuentre en los espacios vecinos. La existencia de huecos es
esencial en los semiconductores y precisamente, es lo que los posibilita para actuar
como conductores o aislantes segn se requiera.

A temperatura ambiente solo se producen unos cuantos huecos y electrones libres por
lo cual se requiere dopar el cristal de silicio.

Recombinacin y tiempo de vida.

En un cristal de silicio la energa trmica crea igual nmero de electrones libres y

huecos. Estos electrones libres se mueven en forma aleatoria a travs del cristal y
ocasionalmente ocuparn un hueco. De tal forma que la recombinacin es la unin de
un electrn libre y el hueco.
La cantidad de tiempo entre la creacin y la desaparicin de un electrn libre es
llamado tiempo de vida.

Semiconductor intrnseco.

Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es un

semiconductor intrnseco si cada tomo del cristal es un tomo de silicio. A
temperatura ambiente el silicio acta como un aislante porque solo se forman unos
cuantos electrones libres y huecos debido a la energa trmica.

Corrientes de electrones y huecos.

Cuando se aplica un voltaje en un material intrnseco de silicio, los electrones libres

que se han generado trmicamente en la banda de conduccin, en un inicio se
mueven de forma aleatoria entre la estructura de cristal, sin embargo se ven atrados
por el polo positivo de la fuente de voltaje lo que formar la denominada corriente de
electrones.

En la banda de valencia, donde se crean los huecos a partir de la generacin de

electrones libres, los electrones libres que permanecen en la banda de valencia se
pueden desplazar a la banda de valencia de su tomo vecino donde exista un hueco
generado con un pequeo cambio en su nivel de energa y generando un hueco en el
lugar que anteriormente ocupaba. Este movimiento de huecos de un lugar a otro es
denominada corriente de huecos.
Dopado (doping).

La conductividad del silicio y el germanio puede ser drsticamente incrementada por

medio de la adicin de impurezas controladas a un material semiconductor intrnseco a
lo cual se le denomina dopado. Este proceso incrementa el nmero de portadores
para la formacin de corrientes. Un material de silicio al que se le ha adicionado
impurezas se le denomina material intrnseco.

Semiconductor tipo N.

Para incrementar el nmero de electrones en la banda de conduccin en un material

de silicio intrnseco, impurezas de tomos pentavalentes son adicionadas. Estos
tomos tienen cinco electrones en su ltimo nivel energtico tales como el arsnico, el
bismuto, el fsforo y el antimonio.

Un tomo pentavalente forma un enlace covalente con los cuatro silicios vecinos.
Cuatro de los electrones de valencia del fsforo se unen al enlace covalente quedando
uno de ellos fuera del enlace. Este electrn extra se convierte en un electrn de
conduccin ya que no est unido a algn otro tomo. Debido a que este tomo
pentavalente puede entregar un electrn, se denomina tomo donador. Con lo cual
las caractersticas de conduccin del material son modificadas.

La mayora de los portadores son los electrones es por ello que se les denomina
portadores mayoritarios del material N. Aunque la mayora de portadores en este
tipo de material son los electrones, existen unos cuantos huecos que son creados
cuando un par de electrones y huecos se generan por energa trmica, por lo cual se
denominan a los huecos portadores minoritarios del material N.

Material tipo N
Material semiconductor tipo P.

Mediante el uso de impurezas de tipo trivalente de aluminio, galio y boro se puede

incrementar el nmero de huecos. Un material trivalente forma un enlace covalente
con sus tres silicios vecinos, como un cuarto electrones son requeridos, un hueco
resulta en los casos que una impureza trivalente es seleccionada. Debido a que un
tomo trivalente puede tomar un electrn este es referido como un tomo aceptor.

En este caso la mayora de portadores son los huecos, el silicio dopado con material
trivalente es denominado material tipo P. Los huecos pueden ser tomados como
cargas positivas debido a la ausencia de un electrn dentro del enlace. Los huecos
son los portadores mayoritarios en el material P. Algunos pocos electrones se
generan por efectos de la temperatura por los electrones son los portadores
minoritarios en el material P.

Material tipo P

El diodo.

Si a una pieza de silicio intrnseco se le dopa para formar una parte tipo N y otra parte
tipo P., se forma la unin PN que forma la frontera entre las dos regiones y es
entonces cuando se crea un diodo. La palabra diodo se forma de la contraccin de dos
dos electrodos donde di significa dos.

Debido a la repulsin de entre electrones, stos tendern a difundirse en todas

direcciones, mientras que algunos entrarn a la regin P donde se convertirn en
portadores minoritarios rodeados por huecos los cuales tendern a ocupar. Cuando
esto sucede el hueco desaparece y se forma un electrn de valencia.
La difusin a travs de la unin crea un par de iones. Cuando un electrn deja el lado
N, se lleva la carga negativa del tomo pentavalente por lo cual este tomo se
convierte en un in positivo. Despus este electrn cae en un hueco del lado P lo que
crea un in negativo en al tomo trivalente que lo captura.

Cada par de iones de iones positivos y negativos de la unin se denominan dipolos.

La creacin de un dipolo significa que un electrn libre y un hueco han quedado fuera
de circulacin. Como crece la cantidad dipolos constituidos, la regin cerca de la
unin est libre de portadores a esta zona libre de carga se le denomina zona de
deplexin o de agotamiento.

Barrera de potencial.

Cada dipolo crea un campo elctrico de tal modo que si un electrn libre quiere entrar
a la regin de deplexin, el campo elctrico formado por los dipolos lo empujan de
regreso a la regin N, lo que delimita la cantidad de electrones que pasan a travs de
la unin. El campo elctrico entre los iones es equivalente a un diferencial de potencial
denominado barrera de potencial que equivale a 0.7V para los diodos de silicio y 0.3V
para los diodos de germanio.

Polarizacin Directa.

En este tipo de polarizacin la terminal negativa de la fuente de voltaje es conectada a

la parte N del diodo y la terminal positiva de la fuente de voltaje es conectada a la
parte P del diodo.

La batera empuja a los huecos y a los electrones libres hacia la unin: Si el voltaje de
la batera es menor al de la barrera de potencial stos no tendrn la suficiente fuerza
para pasar al otro extremo a travs de la zona de deplexin, cuando la fuente de
voltaje rebasa ese valor los electrones libres tendrn la suficiente fuerza para pasar y
recombinarse con los huecos. Entonces los huecos en la regin P se mueven a la
izquierda mientras que los electrones se mueven de la parte N a la derecha, de esta
forma existe un continuo flujo de electrones y huecos crendose as la corriente en el
diodo.

Polarizacin inversa en el diodo.

Polarizacin inversa.

Si la fuente de voltaje se coloca en forma inversa, esto es, la terminal positiva de la

fuente se coloca en la parte N del diodo y la terminal negativa de la fuente se coloca
en la parte P del diodo se est polarizando el diodo en forma inversa.

La terminal negativa de la fuente atrae a los huecos y la terminal positiva atrae a los
electrones, por lo que stos fluyen fuera del rea de la unin por lo cual la zona de
deplexin se ensancha. El ancho de la zona de deplexin es tanta como el voltaje
inverso que se aplica.

Corriente de los portadores minoritarios.

Existe una pequea corriente durante la polarizacin inversa que se crea por la accin
de la energa trmica que continuamente crea electrones libres y huecos, muchos de
stos se recombinan pero algunos de ellos que se encuentran en la zona de deplexin
pasan al otro extremo.

La corriente inversa causada por la energa trmica es producida por los portadores
minoritarios por lo cual es llamada corriente de saturacin inversa IS. El nombre de
saturacin quiere decir que este tipo de corriente no se incrementar con el aumento
del voltaje inverso.

Voltaje de Ruptura.

Existe un lmite de voltaje que el diodo puede soportar en polarizacin inversa antes
de ser destruido. Si se contina aumentando este voltaje eventualmente se alcanzar
el voltaje de ruptura del diodo que en algunos diodos de propsito general puede ser
de 50V, 100V o 1000V. Una vez que se ha alcanzado el voltaje de ruptura, una gran
cantidad de portadores minoritarios aparece en la zona de deplexin y el diodo
comienza a conducir corriente a esto se denomina efecto de avalancha.

Smbolo del diodo.

Los diodos son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la electricidad
solo en un sentido. La flecha del smbolo del diodo muestra la direccin en la cual
puede fluir la corriente. Los diodos son la versin elctrica de la vlvula o tubo de
vaco y al principio los diodos fueron llamados realmente vlvulas.

Bibliografa.

Electronics-Tutorial. (2005). PN Junction Diode. Recuperado el 8 de Julio de 2016, de

http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_3.html

Floyd, T. L. (2002). Dispositivos Electrnicos. New Yersey: Prentice Hall.

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