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1. Introduo.................................................................................................................. 3
2. Objectivos.................................................................................................................. 4
2.1.Objectivo ................................................................................................................. 4
3. Transstor................................................................................................................... 5
5. Concluso ................................................................................................................ 29
3.1..Nveis de dopagem
O emissor fortemente dopado, por outro lado, da base fracamente dopada. O nvel de
dopagem do coletor intermedirio, entre a forte dopagem do emissor e a fraca dopagem
da base. O coletor fisicamente a regio mais larga das trs (Malvino & David, 2011)
3.4.Funcionamento
Consideraes:
E= Emissor
B = Base
C = Coletor
IE = Corrente de Emissor
IB = Corrente de Base
IC = Corrente de Coletor
VBE = Tenso Base-Emissor
VCB = Tenso Coletor-Base
VEB = Tenso Emissor-Base
VBC = Tenso Base-Coletor
VCE = Tenso Coletor-Emissor
VEC = Tenso Emissor-Coletor
3.7..Relaes entre corrente no transstor
A corrente do emissor igual a soma da corrente de base e do coletor = +
mas IB muito menor que IC e representa a parte do fluxo de eltrons atingir o coletor.
Para relacionarmos e pode-se introduzir um parmetro (ganho em corrente
continua).
=
Como menor que tem-se que alfa ser sempre menor que um (01). Podemos
tambm relacionar Ic como . Neste caso, temos o prametro (ganho em corrente
continua), que relaciona a corrente de sada IC, com a corrente de entrada
(Neto & Robson)
I
= = ou =
( 1+) ( 1+)
3.8.Configuraes bsicas
Existem trs configuraes bsicas utilizadas para conectar um transstor. Base comum
(BC), Coletor comum (CC) ou Emissor comum (EC). O lado comum ou o terra de cada
fonte de tenso est conectado ao um dos terminais do transistor. Por isso, o circuito
tratado por conexo em comum. o circuito tem duas malhas. A da esquerda malha da
base e a da direita a malha do coletor ou a da direita a malha da base e a da esquerda
a malha do emissor (Malvino & David, 2011).
3.9.Regio de operao
3.9.1. .Regio ativa
Tem regies diferentes onde as aes de um transstor mudam. Primeira, existe a regio
do meio, onde VEC est entre 1V e 40 V. Ela representa a operao normal do transstor.
Nessa regio, o dodo, emissor est diretamente polarizado e o dodo coletor est
reversamente polarizado. Alem disso, o coletor est capturando quase todos os eltrons
que o emissor est injetando na base. por isso, que a variao na tenso do coletor no
afeta a corrente do coletor.
3.10. MOSFET
O nome Transistor de Efeito de Campo, ou MOS-FET, vem da sua denominao em
ingls Metal Oxide Semicondutor Field-Effect Transistor, ou traduzindo, transistor de
efeito de campo de xido de metal semicondutor (Oliveira, 1999).
O MOSFET um transistor unipolar, dependendo somente de um tipo de carga, ou as
lacunas ou os electres, comumente usado como chave ou amplificador de sinais
eltricos em projectos.
O MOSFET possui normalmente trs terminais:
Porta;
Fonte e
Dreno.
Figura 5 Constituio do MOSFET.
B B
G G
S S
ID
VGS>0
Dss
Modo de intensificao
IDD
VGS<0
VGS (desligado)
Vp VDS
Figura 9 Curvas de dreno do MOSFET no modo de depleo
Conforme a figura acima, quando VDS=0, a corrente no dreno ser igual a IDD. Isso
demostra que o MOSFET no modo de depleo um dispositivo normalmente em
condio. Quando VGS negativa, a corrente no dreno ser reduzida e quando VGS
positiva, a corrente no dreno ser positiva (Malvino & Bates, 2011).
5.3.3.Princpio de funcionamento
Quando a porta positive em relao ao canal, os electres so atrados do substrato,
aumentando a condutividade do canal. Quando a porta negativa, os electres so
repelidos para fora do canal, diminuindo a condutividade deste. Se a por de porta
suficientemente negativa, o estreitamento do canal pode atingir o valor mximo anulando
a corrente de dreno (Oliveira, 1999).
Figura 10 a) MOSFET de canal N no modo de depleo com tenso VGS=0, b) a reduo
dos portadores livres no canal devido ao potencial negativo na porta
3.10.8. Simbologia
D D
B B
G G
S S
Figura 11 Transistor MOSFET de canal P e canal N de crescimento
(a) (b)
Controle por Tenso: a corrente entre o dreno e a fonte controlada pela tenso
aplicada na porta, em contraste com o transstor BJT, cuja corrente de coletor
controlada pela corrente de base.
Alta Impedncia de Entrada: para que seja possvel o controle de corrente do canal n
necessrio que se produza uma polarizao reversa das junes da porta,
provocando desta forma um aumento na regio de depleo destas junes e em
decorrncia disto um estreitamento do canal; com isto, tem-se baixas correntes de
porta, e consequentemente, alta impedncia.
Curvas Caractersticas: o comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas
curvas de dreno e de transcondutncia.
Outras Caractersticas: os transstores JFET apresentam menores ganhos em relao
aos transstores BJT e em decorrncia disto tm maior estabilidade trmica;
geometricamente, os JFET tm dimenses menores quando comparados com os
transstores BJT (Horowitz & Hill, 2015).
JFET do tipo P
Transstor JFET do tipo p tem o mesmo princpio com o JFET do tipo n, apenas os canais
utilizados um semicondutor do tipo p. Assim, a polaridade da tenso e corrente de
direo oposta, se comparado com o transstor JFET do tipo n, o smbolo do JFET do tipo
p o mesmo, apenas com diferentes setas direcionais.
Figura 18: JFET com tenses de polarizao normal e curva de drenagem ID versus VDS
Onde:
ID =corrente do dreno.
4. Amplificador operacional
um amplificador diferencial de ganho muito alto com impedncia de entrada muito alto
com impedncia de sada baixa.
O estgio de entrada de um amp -dif, seguido por mais estgios de ganho e um seguidor
de emissor push-pull classe B. Como amp- dif o primeiro estgio ele determina as
caractersticas de entrada de amp-op. Na maioria dos amplificador operacional a sada
com terminao simples, com fontes positivas e negativas, a sada com terminao
simples projetada para ter um valor quiescente zero. Dessa forma, uma tenso de entrada
zero resulta idealmente numa tenso de sada zero.
Nem todos os amplificadores so projetados como a figura a baixo. Por exemplo, alguns
no usam uma sada push pull classe B e outros podem ter sada com terminao dupla,
alm disso, os amplificadores operacional no so simples como sugere a figura abaixo.
O projeto interno de um amplificador operacional monoltico muito complexo, com
dezenas de transstores como espelhos de corrente, cargas ativas e outras inovaes que
no so possveis implementadas em projetos discretos. Para as nossas necessidades a
figura em baixo apresenta duas caractersticas importantes que se aplicam amplificador
operacional tpico: a entrada inversora no inversor e uma sada com terminao
simples.
4.2.Amplificador inversor
o circuito com amplificador operacional mais bsico. Ele usa realimentao negativa
para estabilizar o ganho de tenso total. O motivo da necessidade de estabilizar o ganho
de tenso total porque Avol demasiado grande instvel para ser usada sem forma de
realimentao.
4.4.Terra virtual
Quando conecta-se um pedao de fio entre um ponto do circuito no GND, a tenso no
ponto torna-se zero. Alm disso o fio proporciona um caminho para a corrente at GND
um terra mecnico (um fio entre um ponto GND) ponto de GND tanto para a tenso
quanto para corrente. Esse tipo de terra um artifcio bastante usando na anlise de um
amplificador inversor. Com um terra virtual, a anlise de um amplificador inversor e
circuitos relacionados torna-se incrivelmente fcil. O conceito de terra virtual baseado
no amplificador operacional ideal. Quando um amplificador operacional ideal, tem um
ganho de tenso em malha aberta infinito e uma resistncia de entrada infinita. Por isso
pode-se deduzir as seguintes propriedades ideias para o amplificador inversor da figura
abaixo a baixo
4.5.Amplificador no inversor
Amplificador no inversor um outro circuito bsico com amplificador-operacional. Ele
usa realimentao negativa para estabilizar o ganho de tenso total. Com esse tipo de
amplificador a realimentao negativa tambm aumenta a impedncia de entrada e
diminui impedncia de sada.
4.6.bsico
O circuito equivalente de um amplificador no- inversor.
Uma tenso de entrada Vin aciona a entrada no inversora. Essa tenso de entrada
realimentada na entrada atravs de um divisor de teno. Ateno R1 realimentao
aplicada na entrada inversora. Essa tenso de realimentao e quase iguala tenso de
v2.devido ao alto ganho de tenso em malha aberta, a diferencia entre V1 e V2 muito
pequena. Visto que a tenso de realimentao se o pe tenso de entrada, temos uma
realimentao negativa.
O circuito somador combina todos sinais de entrada amplificados em uma nica sada
por:
= 1()1 + 2()2
4.10. Seguidor de tenso
O seguidor de tenso equivale a um seguidor de emissor, excepto que funciona muito
melhor que o segundo.
A figura abaixo mostra o circuito equivalente para um seguidor de tenso. Embora mostre
simples, o circuito bem prximo do ideal porque a realimentao negativa mxima.
Como podemos ver, a resistncia de realimentao zero. Portanto toda a tenso de sada
realimentada na entrada inversora por causa do curto circuito virtual entre as entradas
do amplificador operacional, a teno de sada igual de entrada (Malvino & David,
2011):
=
O que significa que o ganho de tenso em malha fechada :
() = 1
Portanto, o seguidor de tenso um circuito seguidor perfeito porque produz uma tenso
de e sada exatamente igual tenso de entrada.
5. Concluso
Com o trmino do presente trabalho grupo pode concluir que os transstores so
dispositivos muito importante visto que tiveram uma contribuio muito grande para o
avano da electrnica. Os JFETs e MOSFETs so transstores de efeito de campo, o
nome d-se devido ao efeito de campo elctrico provocada pela tenso na camada de
depleo, os JFETs que deram origem aos circuitos integrados devido ao seu tamanho
uma vez que menor que os transstores bipolar. Quanto as vantagens do JFET em relao
aos BJTs os JFETs so reforador, com alta impedncia de entrada e da baixa
impedncia de sada. Essa a razo de o JFET ser uma escolha natural no estgio inicial
dos multmetros, osciloscpio e outros equipamentos similares em que necessrio uma
alta impedncia de entrada de 10M ou mais visto que a resistncia de entrada na porta
de um JFET deve ser acima de 100M. Os JFETs tm vrias aplicaes das quais podem
ser um ser usadas como amplificadores de pequeno sinal, sua tenso de sada tem uma
relao linear com tenso de entrada porque usada apenas uma pequena parte da curva
de transcondutncia. Os JFETs so sempre usados em amplificadores de RF.
Os MOSFETs no modo de depleo se igualam aos BJTs e JFETs na construo das curvas
caractersticas.
6. Referncias Bibliogrficas
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