JONCTION PN (DIODE)

Droite de charge et point de fonctionnement

Influence de la temprature sur la caractristique

Rsistance dynamique aux petits signaux autour du point de repos

Linarisation de la caractristique

Quelques applications de la diode :

Montage crteur

Redressement bi-alternances

Diode Zener : caractristiques

Application de la diode Zener : alimentation stabilise simple

Philippe ROUX 2004

DROITE DE CHARGE DUNE DIODE : POINT DE FONCTIONNEMENT

IA
250
RC
VCC + VAK
5V

Equation de la droite de charge de la diode : VAK = - RC IA + VCC

La droite de charge passe par les points :

IA = 20 mA pour VAK nul

IA = 16 mA pour VAK = 1V

Le point de fonctionement est lintersection de la caractristique de la diode avec la

droite de charge. Le point de fonctionnement est tel que :

VAKrepos = 0.66 V et IArepos = 17.4 mA

IA (ma)
25

Point de fonctionnement
20

IA repos 17.4 mA
16 mA
15

10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0 V AK
0.66 V VAK (V)
VAK repos

VAK IS courant inverse de saturation

Loi de la diode : IA I S (exp ( ) 1)
UT
kT
UT 2 5 m V 2 5C
q
RESISTANCE DYNAMIQUE AUTOUR DU POINT DE FONCTIONNEMENT

IA
250
+ RC
eg = 1 sin (t) eg
- VAK
+
VCC 5V

IA (ma)
25
24 mA
M2
20 20 mA

17.4 mA
16 mA
15

M1 12 mA
10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0 V AK
VAK (V)

0.66 V

Equation de la droite de charge de la diode : VAK (t) = - RC IA (t) + eg (t) +VCC

La position de la droite de charge est fonction du temps. Son coefficient directeur est
constant. Pour une tension VAK nulle, le point de la droite de charge situ sur laxe IA
volue entre 16 et 24 mA.

Dans la mesure o lon peut considrer la portion M1 M2 de la caractristique comme un

segment de droite (petites variations), la diode est parcourue par un courant continu IA de
17.4 mA auquel se superpose un courant sinusodal :

IA IA repos I Am sin ( t)

De mme, la tension continue de 0.66 V aux bornes de la diode, se superpose une

tension sinuodale :

VAK VA K repos VAm sin ( t)

On dfinit la rsistance dynamique rd de la diode selon :

dV UT
rd ( AK )P0
dI A IA repos
On en dduit alors : Vam sin (t) = rd IAm sin (t)
 INFLUENCE DE LA TEMPERATURE SUR LA
CARACTERISTIQUE DE LA DIODE

125 C 25 C -55 C
40

32
Prepos 125 C

IA (mA) 24
Prepos 25 C

Prepos -55 C
16

Droite de charge
8

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
VAk (V)

Loi de la diode et mise en vidence des paramtres dpendant de la

temprature :

V
IA = IS exp( AK ) 1
UT
Courant inverse de saturation :
E
IS = A T 3 exp( G )
kT

kT
UT =
q
Evolution de la tension VAK en fonction de la temprature :

VAK
= 2 . 5 mVC 1
T
LINEARISATION DE LA CARACTERISTIQUE DUNE DIODE

IA (ma)
25

20

RS
15

10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
0 V AK
VD VAK (V)

Diode bloque Diode passante

IA IA
A K A K

VAK VAK

A Circuit Ouvert K A K
VD RS
 MONTAGE ECRETEUR A DIODES

1 k

D1 R2
D2
ve (t) signal en R1
dents de scie vs (t)

E1 E2
30 V 20 V

ecreteur-Transient-0 Time (s)

(V) +0.0e+000 +500.0u +1.0m +1.5m +2.0m

+60.0

+40.0

D1 et D2 passantes ve (t)

+20.0

+0.0e+000
D1 passante
D2 bloque vs (t)
-20.0

-40.0 D1 et D2 bloques

-60.0
V(VE) V(VS)
 REDRESSEMENT BI-ALTERNANCES AVEC FILTRAGE

Secteur :
220 Veff
50 Hz ic
C R vs (t)

Transformateur

filtrage2-Linearized Transient-0 Time (s)

+0.00e+000 +10.00m +20.00m +30.00m +40.00m +50.00m

+10.00

+8.00

Diodes passantes :
+6.00 charge de C Diodes bloques :
dcharge de C dans R

+4.00

+2.00

+0.00e+000

Vs(t) sans Capacit *REAL(Courant IC)*

Vs(t) sans C
 ALIMENTATION DUN MONTAGE PAR UNE PILE 10 V 1A.h

I = 0.1 A
+ Circuit
E = 10 V
lectronique
1A.h

REMPLACEMENT DE LA PILE 10 V PAR UNE ALIMENTATION STABILISEE SIMPLE

Secteur R I = 0.1 A
220 Veff
IZ
C Circuit
DZ VZ lectronique

Redressement et filtrage

R I = 0.1 A
+
Egcc = 2 V eg IZrepos
- Circuit
DZ VZ lectronique
10V
E = 20 V

Diode Zener : VZ = 10 V IZrepos = 10mA RZ = 2

1) Analyse en mode continu : calcul de R

R I = 0.1 A

91
Circuit
IZ 10mA 10 V lectronique
E = 20 V DZ

2) Analyse en mode variable

R
+
eg 91
- RZ
Egcc = 2 V 4.3 mV Vc c
2