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Curso:
Fsica electrnica
Tema:
Dispositivos de unin P-N
Integrantes:
Los cristales de Silicio estn formados a nivel atmico por una malla cristalina
basada en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de
valencia del tomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe
mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que
deja un electrn cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrn
libre. Esto es lo que se conoce como pares electrn - hueco y su generacin se
debe a la temperatura (como una aplicacin, al caso, de las leyes de la
termodinmica) o a la luz (efecto fotoelctrico). En un semiconductor puro
(intrnseco) se cumple que, a temperatura constante, el nmero de huecos es
igual al de electrones libres.
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TIPO N: Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de
dopado aadiendo un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es
decir con 5 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder
aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso, negativos,
electrones libres). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus
electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este
tipo de agente dopante es tambin conocido como impurezas donantes ya que
cede uno de sus electrones al semiconductor.
Diodos conmutados:
Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de
trabajar con seales de tipo digital o <<lgico>> que presenten unos
tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o
parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin
inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la
carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente
(efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe
sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo.
Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR inferior a
400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja
potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.
Diodos de alta frecuencia:
Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito
que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 mega Hertz (1
milln de ciclos por segundo). Se caracterizan por presentar una baja
capacidad de difusin (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que
forman la unin P-N, cuando stas estn polarizadas en sentido directo.
Diodos especiales:
Dentro del grupo de diodos especiales estn comprendidos los diodos
varicap, diodos tnel y diodos Led Los primeros se construyen buscando
acentuar al mximo la propiedad que presente la unin P-N de comportarse
de una forma anloga a un condensador, cuando se la polariza
inversamente. La capacidad resultante es, adems, variable con la tensin
aplicada; lo cual permite disponer de una forma muy simple de
condensadores variables, controlados por una diferencia de potencial. Su
empleo est muy generalizado en etapas de sintona de receptores de
radio y TV.
https://es.wikipedia.org/wiki/Uni%C3%B3n_PN
http://www.uv.es/candid/docencia/Tema3(01-02).pdf
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/Diodos-
Semiconductores.php
BIBLIOGRAFIA