Problemas de doble potencial en lneas de transmisin con simetra limitada o nula.

Resumen:
Los trabajos anteriores en el desarrollo de mtodos de elementos finitos dobles aplicados
a la solucin de problemas cuasiestticos han concentrado la atencin en lneas de
transmisin cuya seccin transversal tiene simetras dobles bien definidas.
Muchos problemas reales de inters tienen un solo eje de simetra o ningn eje de
simetra en absoluto. Es el propsito del trabajo tratar con estos casos especiales con el
objetivo declarado de ampliar el mbito de aplicacin de mtodos duales para incluir
cualquier geometra cartesiana coaxial simplemente conectada. La provisin de lmites
superiores e inferiores ya hace que el enfoque de doble potencial sea extremadamente
potente y flexible. Se eligen ejemplos de inters prctico que incluyen barras metlicas
rectangulares acopladas en lnea coaxial cuadrada.
un lmite inferior al mismo deseado Parmetro a
gran escala.
1. Introduccin
El diseo de circuitos integrados de microondas que Detalles de la utilizacin de los potenciales
utilizan tecnologa planar depende en gran medida duales en el anlisis de lnea de transmisin
de la exactitud calculada de los parmetros a gran se encuentran en la literatura [2 - 5]. Es obvio
escala de los modos de propagacin de la estructura que el uso de tanto lmites superiores como
uniforme de la lnea de transmisin. inferiores en la solucin de problemas de campo
Entre las ms importantes de estas cantidades est conduce a ventajas significativas sobre el uso de
la impedancia caracterstica del modo de cualquiera de ellos enlazados por s mismo. En este
propagacin de orden ms bajo, que se supone es ltimo caso [6], uno se ve obligado a intentar
un modo TEM, por lo menos cerca del punto de resolver un problema particular por lo menos dos
corte. El clculo de la impedancia caracterstica, o, veces usando la subdivisin de la malla seguida de
de forma equivalente, la capacitancia o inductancia suposiciones relativas a la convergencia para
por unidad de longitud, ha sido objeto de gran extrapolar un resultado final.
esfuerzo de investigacin en los ltimos aos,
concentrndose en gran medida en el uso de
tcnicas numricas y computadoras digitales. Por otra parte, el uso de ambos lmites conduce
inmediatamente a un lmite absoluto en la magnitud
En este sentido, se debe prestar especial atencin a del error y el promedio conduce, en la prctica, a
la tcnica de elementos finitos inicialmente una mejora del orden de magnitud. Es crucial desde
utilizada en este contexto por Silvester [1] para el punto de vista de una programacin eficiente
resolver problemas potenciales. Al combinar una asegurar que ese enfoque de doble potencial sea
aproximacin variacional a las ecuaciones llevado a cabo por el ordenador de una manera
diferenciales gobernantes y condiciones de frontera idntica para ambos lmites. Este punto se trata en
asociadas con una formulacin de elementos finitos detalle en la discusin posterior sobre el
de la funcin potencial local, se estableci preprocesamiento.
fcilmente que los resultados numricos para la
impedancia caracterstica (por ejemplo) eran Como se ha explicado anteriormente, el uso de los
siempre lmites superiores. potenciales duales se basa en el intercambio de
propiedades y lmites del material magntico y
Los desarrollos posteriores han aprovechado el elctrico. Este intercambio es lo suficientemente
hecho de que una formulacin doble del problema, simple para efectuar cuando se consideran
que esencialmente intercambiaba las derivadas materiales, ya que una permitividad dielctrica se
direccionales, las propiedades y los lmites del convierte en permeabilidad magntica y
material magntico y elctrico, daba como viceversa. Tambin el intercambio de condiciones
resultado una forma variacional idntica cuya de contorno de la pared elctrica, es decir, un
evaluacin numrica estaba ahora garantizada como conductor perfecto, a la pared magntica y
viceversa es bastante simple. Siempre hay al menos
dos paredes elctricas en la estructura, de lo
contrario no existe ningn modo TEM, y la
presencia de dos paredes magnticas significa que
el problema dual es fcilmente formulado
Sin embargo, las paredes magnticas, ejes de
simetra normales a equipotenciales, no siempre
existen en el problema original y, por consiguiente,
cuestionan la formulacin del problema dual.
En este artculo se muestra que la situacin en la
que la estructura del problema original tiene un eje
de simetra o incluso ningn eje de simetra puede el potencial 1 , otra vez satisface la ecuacin de
ser manejada introduciendo capas lmite entre
conductores a travs de los cuales se obliga a
incrementar la funcin potencial gobernante.
Ambos problemas, pares como impares pueden ser
tratados de esta manera, y consecuentemente el
campo de aplicacin de la tcnica de elementos
finitos duales se extiende a una clase muy
importante de problema prctico.
Siguiendo una breve seccin sobre la formulacin
del enfoque de doble potencial, se discuten
desarrollos en la tcnica de los elementos finitos
que permiten la solucin de problemas de inters de
doble potencial en los que no se puede garantizar la
simetra.
Esta seccin trata sucesivamente con la capa lmite,
el preprocesamiento de los datos de entrada y las
condiciones a cumplir en los lmites. Sigue una
serie de ejemplos de creciente complejidad que
sacan a relucir todos los puntos discutidos en
secciones anteriores.
2. formulacin del problema
Dada una lnea de transmisin con conductores
metlicos (paredes elctricas) y lneas de simetra
(paredes magnticas), el potencial satisface la
ecuacin de Laplace dentro de la seccin
transversal limitada.
Mediante una formulacin estndar de un principio
de variacin de energa [3], pueden establecerse
tanto lmites superiores como inferiores a la
impedancia caracterstica. La capacitancia por
unidad de longitud, dada una diferencia de
potencial Vo entre conductores, es
Donde K es la permitividad dielctrica, es la
permeabilidad relativa y Cu es igual a la
capacitancia por unidad de longitud. Se demuestra
fcilmente que cualquier solucin de prueba a la
funcin potencial siempre da como resultado un
valor de capacitancia por unidad de longitud que es
demasiado alto.
Por esta razn, la capacidad aproximada por unidad
de longitud y funcin potencial resultante de
cualquier formulacin de elementos finitos se da
normalmente al subndice u para indicar que se
calcula un lmite superior al valor exacto.
El intercambio de paredes elctricas y magnticas
resulta en un problema de doble potencial en el que
Laplace y est relacionado con a travs de la
expresin
Donde e es el vector axial unitario.
Se obtiene una segunda expresin variacional [2]
para la capacitancia dual
Donde el subndice 1 se utiliza para indicar el lmite
inferior. De hecho, las dos capacitancias por unidad
de longitud pueden demostrarse que tienen un
producto constante
La capacidad dual que resulta en el lmite inferior
tambin se puede interpretar fsicamente como una
inductancia por unidad de longitud. En una lnea de
transmisin dual que lleva la corriente I , la
inductancia por unidad de longitud viene dada por
la expresin variacional
Donde (C L1 )1 = 2 (c es igual a la
velocidad de la luz).
Si uno interpreta la funcin de potencial dual como
relacionada con una capacitancia o inductancia dual
slo es de importancia cuando, como se ver ms
adelante, se est buscando una justificacin fsica
para la insercin de capas lmite para establecer el
campo.
Es bien sabido que una discretizacin de elementos
finitos del campo continuo conduce a una ecuacin
matricial de la forma
Donde es un vector columna de valores
potenciales desconocidos, A es una matriz simtrica
con bandas reales y b es un vector columna de
valores conocidos.
Asumiendo la diferencia de potencial 0 entre las
superficies delimitadoras, se puede demostrar la
capacitancia por unidad de longitud [7]
Mediante el uso de lmites superiores e inferiores,
la solucin de las ecuaciones matriciales resultantes
de una formulacin de elementos finitos de estas
expresiones conduce a estimaciones que son al
menos un orden de magnitud ms preciso de lo que
sera producido por cualquiera de ellas
2.1 Ortogonalidad de equipotenciales dobles
Los dos potenciales duales estn relacionados a
travs de la ecuacin. 2. Teniendo en cuenta que las
equipotenciales y las lneas de campo son
ortogonales, operamos en la ecuacin con 1 para
encontrar que
Como el campo local viene dado por el gradiente
del potencial, observamos que los campos dobles
son ortogonales bajo la condicin de que k es
constante por partes. Se deduce que las
equipotenciales para los dos problemas duales son
ortogonales y que el conjunto de equipotenciales
representa las lneas de campo para el problema
dual. As, el comportamiento de campo local, que
es una cantidad crucial en el diseo de lneas de
transmisin de microondas, se obtiene como un
producto del procedimiento para obtener el lmite
inferior. Esto obvia inmediatamente la necesidad
de cualquier diferenciacin numrica para producir
el comportamiento de campo y conduce
rpidamente a una redeterminacin de la divisin
de malla original para concentrar puntos donde el
campo es grande.
3. Matrices de elementos finitos y
preprocesamiento
Cuando se trata de lneas de transmisin uniformes,
est claro que existen al menos dos superficies
conductoras (interna y externa) en las que el
potencial asume un valor constante. En el caso de
estructuras multiconductoras, ms de dos
superficies estn en un potencial constante, pero,
por supuesto, slo dos pueden prescribirse
independientemente
Concentrndose para el presente en lneas de
transmisin de dos conductores, la cuestin de
establecer una formulacin doble para el problema
real resuelve encontrar superficies de doble
potencial que tienen propiedades elctricas y
magnticas intercambiadas de la estructura original.
En muchos casos el problema original posee
simetras que permiten una fcil identificacin de
las superficies potenciales duales.
Por ejemplo, la estructura coaxial mostrada en la
figura 1A tiene dos ejes de simetra, equivalentes a
magnticos
Fig. 1A Lnea coaxial rectangular con doble
simetra axial tratada como una geometra de
cuartos de seccin y su doble. Equipotenciales
fronterizos bien definidos
-------Paredes elctricas
-------Paredes magnticas
Paredes, lo que permite reducir el problema a una
cuarta parte de la seccin transversal en los lmites
de los cuales existen paredes elctricas bien
definidas (equipotenciales) y paredes magnticas.
El establecimiento del problema dual es muy
simple porque dos paredes magnticas separadas se
transforman fcilmente en superficies
equipotenciales duales como se muestra en la
figura.
Si el problema original slo poseyera un eje de
simetra, como se representa en la figura 1B, el
problema dual todava puede establecerse porque,

Fig. 1B Lnea coaxial rectangular con simetra
axial simple (conductor central con
desplazamiento vertical) tratada como una
geometra de media seccin y su doble.
Equipotenciales fronterizos bien definidos
En este caso al menos, el conductor central separa
el eje de simetra en dos segmentos en cada uno de
los cuales se puede definir un potencial nico. Debe
observarse que hay casos en los que existe el eje de
simetra pero no existe un conductor central para
segmentar el eje.
Fig. 1C Lnea coaxial rectangular sin simetra
axial (conductor central asimtrico tratado como
una geometra de seccin completa y su doble
equipotencial de lmites no definido para caja dual
En este caso, y el caso ms general mostrado en la
figura 1C donde no existe ningn eje de simetra,
no es posible a priori identificar lneas de potencial
constante. A menos que de alguna manera se pueda
inyectar una fuente de campo en el problema dual,
parecera que la nica solucin al problema es que
el potencial es cero en todas partes.
3.1 Definicin de la capa lmite
La analoga entre el problema y su dual es clara. En
ambos casos, se deriva una funcin potencial que
intenta minimizar una funcin funcional
variacional. En un caso, el problema fsico
implicado es el de determinar el campo de potencial
y la capacitancia por unidad de longitud de una
lnea de transmisin de dos conductores. En el caso
dual se puede considerar que el problema de campo
se relaciona con una capacitancia dual ficticia o una
inductancia por unidad de longitud. Este
reconocimiento nos lleva a la resolucin del
problema de la definicin de las superficies
potenciales.
Primero, nos damos cuenta de que en la estructura
dual podemos definir un potencial magntico que
satisface la ecuacin de Laplace y que las
equipotenciales dobles representan lneas de fuerza
elctrica debido a la ortogonalidad de los
potenciales. Aunque no sera una prctica normal
calcular la inductancia mediante la definicin del
potencial magntico , escribimos el campo
magntico H como
E integrando alrededor del conductor central, se
demuestra fcilmente que el potencial magntico
debe incrementarse por la corriente en el conductor
para cada revolucin completa.
Al igual que en el problema original, los
potenciales se definen en los conductores de tal
manera que la diferencia de potencial debe ser igual
a la tensin aplicada, la situacin dual exige que se
trace una capa lmite entre los dos conductores a
travs de los cuales el potencial magntico debe
aumentar Por la cantidad de la corriente cerrada. El
enrutamiento preciso de la capa lmite de un
conductor a otro no es importante.
3.2 Preprocesamiento de los datos de entrada
En un artculo anterior [5] se describi el mtodo de
implementacin de la tcnica de elementos finitos
utilizando un conjunto de puntos rectangulares, y se
presenta aqu un resumen para su completitud.
Esencialmente basta con describir a la computadora
las dimensiones generales del problema, la
topologa del problema actual y la naturaleza
precisa de cada punto. Tambin se debe incorporar
una idea de tamao y / o escala, que puede
realizarse punto por punto (bastante ineficiente), o
utilizando una cuadrcula irregular de puntos. Es
muy importante notar que, en primer lugar, la
estructura bsica de las matrices de elementos
finitos depende de la topologa, en cuyo caso el
punto est conectado y las dimensiones reales slo
determinan los valores distintos de cero de los
elementos de la matriz. Con esta simple idea en
mente, slo queda programar la computadora para
diferenciar entre diferentes tipos de puntos. Para
ello, se utiliza un cdigo digital para cada punto de
la seccin transversal cuya importancia para el
ordenador es la siguiente:
Este cdigo potencial se utiliza para definir una
matriz a la que ms adelante se hace referencia
como matriz P (matriz de puntos).
La computadora comienza ensamblando la
ecuacin matriz 6 de las matrices de base de
elementos finitos definidas sobre un tringulo.
Esto se realiza inicialmente como si todos los
puntos en la estructura fueran de potencial
desconocido, etiquetados con el nmero entero del
cdigo 9. Entonces se lleva a cabo una operacin de
clasificacin directa sobre la ecuacin matricial
resultante, Dependiendo de la etiqueta particular
asociada a cada punto (o fila y columna de la
matriz). Es evidente que si la etiqueta es + 1, -1 o
cero, la fila y la columna particulares de la ecuacin
matricial se eliminan y el lado derecho de la
ecuacin, vector columna b, incrementado por el
valor eliminado veces la etiqueta entera. Los puntos
etiquetados 9 se dejan intactos, al igual que los
puntos etiquetados 7 u 8 con la operacin aadida
en el ltimo caso de incrementar el vector A por +1
o -1, respectivamente. Se han utilizado otros
cdigos para indicar, por ejemplo, que todos los
puntos con esa etiqueta de cdigo particular asumen
el mismo potencial desconocido. Este caso se
presenta cuando los conductores estn presentes en
la seccin transversal pero sin potencial aplicado.
Otros casos de inters pueden ser manejados de
manera similar. El punto importante es que el uso
de etiquetas permite un enfoque muy flexible a los
problemas de la lnea de transmisin en general y
deja todos los tediosos problemas de construccin y
clasificacin de la matriz a la computadora.
Obsrvese tambin que el enfoque formal para la
descripcin del problema es idntico para los
lmites superior e inferior. La nica diferencia
radica en los nmeros enteros que etiquetan los
puntos, y varios ejemplos de cmo se hace esto se
dan en una seccin posterior.
3.3 Condiciones de frontera
Debe sealarse que al considerar las condiciones en
los lmites del problema, la condicin de contorno
natural [8] para las expresiones variacionales
utilizadas es, de hecho, una condicin de Neumann,
la derivada normal del potencial es
automticamente cero en el lmite a menos que Se
toman medidas para garantizar lo contrario. Esta
propiedad es extremadamente til porque significa
que todas las paredes circundantes se toman para
ser magntico a menos que se indique lo contrario.
Por consiguiente, todas las paredes de lmites
magnticos se denominan simplemente 9 (potencial
desconocido) y la condicin de lmite vlida se
satisfar automticamente. Las paredes elctricas
deben ser manipuladas de manera diferente
forzando el potencial apropiado al valor particular
conocido.
3.4 Dimensiones y propiedades fsicas
Puramente a partir de la topologa de un problema
particular, es posible instruir al ordenador para que
elabore la forma final de la ecuacin matricial
descriptiva, su orden global y ancho de banda, y
qu elementos son distintos de cero. Toda esta
informacin se puede deducir de la forma en que
los puntos estn conectados entre s. Los valores de
los elementos individuales en la matriz se
determinan a partir de las matrices de base de
elementos finitos y las propiedades del material.
Las matrices de base estn bien definidas [1] y se
calculan fcilmente una vez que se conoce la
posicin de los puntos. En nuestro enfoque esto se
hace mediante el uso de factores de escala a lo largo
de los dos ejes de la estructura. Aunque se produce
cierta ineficacia en la definicin, este enfoque
permite la concentracin de puntos en la ubicacin
de grandes campos y tambin permite un
posicionamiento y dimensionamiento arbitrarios de
la propia estructura. Las propiedades materiales de
la permitividad (K) o permeabilidad () se pueden
definir para cada tringulo o globalmente. En este
trabajo tratamos exclusivamente con medios cuya
permitividad puede variar; Se supone que es igual
a la unidad. Obsrvese que cuando se trata de
tringulos dentro de un conductor perfecto, los
casos de lmite superior e inferior se tratan dando
valores cero y valores muy grandes de
permitividad, respectivamente.

4. Presentacin de resultados
4.1 lnea coaxial cuadrada
Un problema en la tecnologa de la lnea de
transmisin con una solucin bien conocida se
refiere a la lnea coaxial cuadrada mostrada en
seccin transversal en la figura 2A con una
cuadrcula superpuesta de puntos que da una malla
8 por 8.
Fig. 2A Arreglo cuadrado de puntos (malla 8 por
8) con conductores interior y exterior que definen
una lnea de transmisin coaxial cuadrada o una
mitad de seccin de barras acopladas lateralmente
en lneas de banda que propagan el modo par.
Matriz de cdigo potencial (matriz P) dada para el
problema original (lmite superior) y su doble
(lmite inferior)
Hay que subrayar que, en esta etapa, la figura debe
ser interpretada en un sentido topolgico: lo
importante es (i) qu punto est conectado a qu
otro y (ii) cmo se describen los lmites entre
puntos. La Figura tambin proporciona la matriz de
descripcin de puntos (matriz P) para los lmites
superior e inferior, informando a la computadora de
la naturaleza precisa de cada punto. En todos los
casos se admite que la permitividad es la unidad,
excepto en el interior del conductor central donde
se pone a cero en el caso del lmite superior y del
infinito (nmero muy grande) en el caso del lmite
inferior. El cdigo para el lmite superior es auto-
explicativo. En el caso del lmite inferior, la capa
lmite (etiquetas 7 y 8) se muestra claramente. Su
posicin real es arbitraria siempre y cuando se
extienda desde el conductor interno al exterior. La
condicin de contorno natural (pared magntica) se
aplica automticamente. Mediante el uso de
factores de escala y propiedades del material, la
Figura puede representar bien una lnea coaxial
cuadrada con simetra doble, pero tambin puede
representar una lnea coaxial rectangular desplazada
que contiene una variedad de diferentes
dielctricos. Los contornos equipotenciales para los
dos lmites se muestran en la figura 2B para la lnea
coaxial cuadrada sin desplazamiento en el
conductor central. Es muy importante poder
analizar este tipo de estructura,
 por el eje central y el modo impar con un eje de
simetra.

Fig. 2B Superficies equipotenciales para el

problema descrito en la figura 2A y los contornos
de potencial dual ortogonales
CJe0 = 10.8444 CJe0 = 9.7614
Donde subndice significa lmite superior y 1
significa lmite inferior
C/e0 = 10.2341 [2] Mapeo conformal (exacto)
No porque la lnea coaxial particular con el
conductor interior desplazado es tan interesante,
sino debido a la necesidad, en general, de ser capaz
de calcular la sensibilidad de la capacitancia o
impedancia caracterstica a pequeos cambios de
dimensin o posicin. Es evidente que un
desplazamiento del conductor central elimina la
simetra y, como hemos visto, esta falta de simetra,
a su vez, obliga al uso de capas lmite en el
problema dual. Fig. 3A Arreglo cuadrado de puntos (malla 8 por
8) que representa una media seccin de barras
4.2 Transmisin de banda combinada acopladas lateralmente en lneas de banda que
propagan el modo impar. Matriz de cdigo
La estructura de la figura 2A puede considerarse potencial (matriz P) dada para el problema
como una mitad simtrica de una lnea de original (lmite superior) y su doble (lmite
transmisin de tira con dos conductores centrales inferior)
entre los cuales puede tener lugar el acoplamiento,
tambin denominado acoplamiento de pared lateral.
Los dos modos independientes de tal estructura son La estructura con simetra nica que da la
el modo par de la figura 2A con un plano conductor
propagacin de modo impar se muestra en la figura Fig. 3B Superficies equipotenciales para el modo
3A, junto con las correspondientes matrices P para impar en lnea de banda acoplada y lmites en
los lmites superior e inferior. Esta media seccin capacitancia
es un ejemplo de una estructura cuyo doble tiene
una pared equipotencial nica (la pared magntica) CJe0 = 8.9695 C1,/e0 = 8.1600
C/e0 (promedio) = 8.5648
representada en la matriz P por una sola capa de
cero puntos potenciales. Es evidente que una La solucin de modo par es idntica a la presentada
superficie potencial no es suficiente para definir un en la figura 2B.
problema potencial, y la condicin secundaria, que
el potencial debe ser discontinua alrededor del
4.3 Barras de acoplamiento amplio en un
conductor, se vuelve a imponer la capa lmite
conductor cuadrado
(puntos con los cdigos 7 y 8). No es importante si
la superficie de potencial individual se toma en
En el diseo de dispositivos de acoplamiento tales
unidad o potencial cero para los propsitos de
como hbridos de 3 dB se han utilizado
calcular la capacitancia. Los contornos de potencial
extensamente barras de acoplamiento amplio en
resultantes para este problema particular se
lnea de banda [9]. La topologa de esta estructura,
muestran en la figura 3B. Como se dijo
junto con su superposicin de grnulos de
anteriormente,
elementos finitos, se muestran en la figura 4A,
junto con la matriz completa de descripcin de
puntos para modos de propagacin pares e impares.
Fig. 4A Arreglo cuadrado de puntos (malla 12 por
12) que definen barras de acoplamiento amplio en
una lnea de transmisin coaxial sin eje de
simetra asumido. Matriz de cdigo potencial
(matriz P) dada para el problema original (lmite
superior) y su doble (lmite inferior)

No se ha aprovechado ninguna posible simetra que

pueda existir en la prctica para preservar la total
flexibilidad y potencia del enfoque. Como
consecuencia, las capas fronterizas en el caso de los
lmites inferiores de modo par e impar deben
definirse para producir la excitacin correcta. En el
caso del modo impar, las capas entre los dos
conductores centrales y el exterior tienen el mismo
signo algebraico. Para el modo par, el signo de una
de las dos capas debe invertirse para inducir las
condiciones de accionamiento correctas. La
condicin de modos impares tambin puede
satisfacerse teniendo una nica capa lmite entre los
dos conductores centrales. Como antes, la
ubicacin precisa de la capa no es importante.
Mediante la eleccin apropiada de factores de
escala, las posiciones y dimensiones de las barras
pueden fijarse arbitrariamente. Tambin es muy
sencillo escoger cualquier regin de la estructura
que posea una permitividad diferente de la unidad,
por ejemplo entre las dos barras, en cuyo caso la
estructura sera idntica a una lnea de transmisin
de sustrato suspendido de acoplamiento amplio.
Las grficas de contorno mostradas para esta
topologa en la figura 4B se refieren en realidad a
una lnea de banda de acoplamiento amplio con
malla uniforme y dimensiones tal como se dibujan.
El coeficiente de acoplamiento, K, calculado a
partir de los promedios para los dos modos, se
calcula como 14,2 dB,
Fig. 4B Superficies equipotenciales para barras de
acoplamiento ancho en lnea de banda y los
contornos de potencial dual ortogonales; Modos
pares e impares
Donde K se define en funcin de las impedancias
del modo pare e impare, Zoo y Zoe como
4.4 Barras acopladas en ranura en lnea de banda
Acoplamiento entre barras de acoplamiento amplio
a travs de una ranura de espesor finito se ha
utilizado recientemente en el diseo de interdigital
filtros de fase lineal [10, 11]. En este caso, usamos
la simetra de dos veces de la estructura para
producir resultados de capacitancia por unidad de
longitud y tramas de contorno ortogonales en un
cuarto de seccin de lnea. Estas grficas se
muestran en la Fig. 5, junto con el coeficiente de
acoplamiento calculado, que est muy de acuerdo
con el valor medido citado en la Referencia 6. Este
resultado se logra utilizando una malla de 10 por 10
puntos con los parmetros importantes de la
Formulacin de elementos finitos resumida en los
Cuadros la y 1b
Es posible deducir de estos tipos de resultados la
magnitud absoluta del error mximo incurrido en el
uso de potenciales duales. Esto se hace
simplemente reduciendo a la mitad la diferencia
entre los lmites superior e inferior, en el ejemplo
anterior alrededor del 5%. Se obtiene una ventaja
importante sobre el uso de cualquiera de ellos, ya
que el error es difcil de estimar y slo puede
reducirse mediante subdivisin de malla sucesiva.
Esto implica el uso de matrices mucho ms
grandes, tiempos de CPU ms largos y alguna
suposicin acerca de la forma en que la solucin
converge. El uso de elementos finitos dobles
elimina estas dificultades. Tambin es interesante
observar que el uso de elementos finitos dobles con
una inversin modesta en el tiempo de la CPU da
como resultado cifras muy precisas para el
coeficiente de acoplamiento. La razn de esto se
explica de la siguiente manera: aunque las
impedancias de modo par e impar estn sujetas a
los errores habituales, en este caso alrededor del
5%, el coeficiente de acoplamiento depende de la
primera diferencia entre estas dos impedancias.

Fig. 5 Dos barras rectangulares acopladas a

travs de una ranura de espesor finito. Superficies
equipotenciales sobre un cuarto de seccin (malla
10 por 10)

C0Je0 - 15.3877 C01/e0 - 14.1470

CJE0 - 15.0947 Cel/e0 = 13.7687

Donde el subndice 0 significa impar y e significa

incluso
Coeficiente de acoplamiento (promedio) = 38.8 dB
Coeficiente de acoplamiento medido [6] = 39 dB

La primera diferencia esencialmente cancela el

trmino de error principal en la expansin de
elementos finitos dejando un trmino de error de
orden superior que es bastante pequeo. Como
resultado, es posible predecir el acoplamiento de
manera muy precisa con dimensiones de matriz
relativamente pequeas, especialmente cuando el
acoplamiento es pequeo.
 5. Conclusiones produce de forma iterativa y depende de donde la
intensidad de campo es mayor.
Se han aplicado elementos finitos duales a una serie Se espera que los desarrollos adicionales en el rea
de problemas que preocupan al diseador de de mtodos de elementos finitos dobles aplicados a
circuitos de lneas de transmisin. Mediante una la solucin de problemas de lneas de transmisin
formulacin dual del principio variacional, los se concentren en gran medida en tcnicas de
lmites superiores e inferiores de los parmetros de preprocesamiento y en la implementacin en
inters a gran escala se han calculado en estructuras mquinas de escritorio pequeas.
en las que no es necesario satisfacer una hiptesis a
priori relativa a la simetra. El caso de lmite
inferior requiere un tratamiento especial debido a la
dificultad de definir las superficies equipotenciales.
La respuesta est en la insercin de capas lmite
entre conductores a travs de los cuales el potencial
se incrementa por un valor conocido.
En cualquier caso, las ventajas de utilizar mtodos
duales en lugar de un solo lmite superior, como es
usual, son claramente enormes, en que (i) los
lmites de error en el parmetro de gran escala de
inters estn firmemente definidos, el usuario est
seguro del mximo Magnitud absoluta del error, (ii)
se obtiene una mejora del orden de magnitud en la
precisin promediando los resultados de los dos
lmites, dando matrices ms pequeas y tiempos de
CPU ms cortos y (iii) las grficas equipotenciales
proporcionan automticamente contornos de
intensidad de campo y por lo tanto la capacidad
Adoptar mtodos adaptativos.
El enfoque dual de elementos finitos descrito en
este documento mantiene la mxima flexibilidad en
el sentido de que una estructura se define primero
en trminos generales, permitiendo que todas las
tediosas manipulaciones de matriz sean llevadas a
cabo por el ordenador. Slo despus de que el
contorno bruto del problema se ha dibujado es la
estructura fina determinada por el expediente
simple de una matriz de descripcin de puntos que
identifica para el ordenador la naturaleza de cada
punto en la seccin transversal. A partir de esto, el
ordenador puede resolver fcilmente la forma y el
detalle de la ecuacin matriz final cuya solucin
determina los parmetros de inters. Las entradas
numricas finales en las matrices que definen se
calculan sobre la base de factores de escala y
constantes de material. De la manera sencilla
descrita, se pueden definir lmites superiores y
lmites inferiores, modos pares e impares, regiones
o conductores dielctricos de una manera
particularmente sencilla.
La ortogonalidad de los campos duales conduce a
contornos potenciales que representan
equipotenciales y fuerza de campo elctrico,
respectivamente. Este es el primer paso para
implementar un esquema de malla adaptativa
automtica, en el que el refinamiento de la malla se