Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Los defectos presentes en las estructuras cristalina, da lugar a que en las mismas se propaguen
una serie de propiedades que sin la presencia de los mismos no sera posibles:
Conductividad electrnica
Color y luminiscencia
Resistencia mecnica
Conductividad inica
Reactividad Inica
Defectos
La gran mayora de los tomos en un cristal se encuentran de forma ordenada, pero existe un
pequeo nmero de estos que se encuentran fuera de su sitio. Esta peculiaridad es la que
domina la propiedad de los materiales.
Son varios los tipos de defectos, a continuacin, citaremos y hablaremos de cada uno de ellos:
Defectos Puntuales
Defectos Clusters
Defectos Wadsley
1. Defectos Puntuales
Son defectos que afectan a un punto de la red cristalino pueden ser de tipo:
+Vacante: Ocurre cuando un tomo presente en la red cristalina deja de estar en su posicin
normal dando lugar a la aparicin de un hueco.
+tomo Intersticial: Cuando se introduce en la red un tomo extra que es ajeno a la red
cristalina.
Aninicos: Son poco comunes ya que los aniones son ms grandes y por lo tantos ms
difcil de mover.
Catinicas: Los catinicos al contrario se producen con mayor facilidad debido a su
pequeo tamao.
Para saber si una estructura presenta defectos de Schottky o de Frenkel, solo hay que comparar
la densidad observada dada por una tcnica de difraccin de rayos X. Para defectos de tipo
Schottky debido a la aparicin de vacantes, el volumen de la red aumenta de modo que la
densidad de este disminuir. Por otro lado, la presencia de defectos de Frenkel, no observamos
diferencias en la densidad ya que la estructura los tomos solo cambian su posicin.
Notacin de Krger-Vink
Esta notacin es de las ms ampliamente utilizadas para describir los defectos cristalinos en
trminos de sitio de red, huecos intersticiales, vacantes, electrones, huecos, etc. En esta
notacin los subndices nos indican la posicin de la red que ocupa el catin sustituyente y el
superndice nos indica la carga del nuevo defecto. Los iones en su posicin natural poseen
carga neutra.
Para el ejemplo usaremos el dopaje de la estructura de MgO con Fe 2O3, la adicin de un metal
en el sitio de otro se expresa como Fe Mg colocando como superndice la carga que queda. Para
saber la carga solo habr que ver que pasa cuando un Fe 3+ se introduce en un sitio de Mg 2+ si se
forma una vacante con carga 2+ al aadir un tomo 3+, entrar con 2+ pero dejar sobrante
una carga +. De modo que la introduccin de Fe en la estructura de MgO se expresar como
*
FeMg , indicando con el punto esa carga positiva que nos sobra. Si en el caso contrario no nos
sobrara una carga se aadira una dado el nmero de cargas negativas necesaria para llenar la
vacante. Siempre que introducimos una especie en una estructura se forma una vacante V en
un sitio O que posee el mismo nmero de cargas positivas como superndice que la especie
metlica que la forma, en nuestro caso la vacante la forma el Mg. Finalmente se colocan las
especies que no intervienen, con su valor estequiomtrico y con carga neutra que se simboliza
en este caso con la letra x como superndice. Dicho esto, la reaccin quedara:
MgO *
Fe 2O3 2 Fe Mg + VO** + 3O Ox
Es importante saber hacer este tipo de reacciones ya que es el nico que nos interesa saber
cmo hacerlo, ya que para otros tipos de defectos puntuales las reacciones son siempre de la
misma forma:
Para estos dos tipos de defectos, existen unas relaciones matemticas que para determinar el
nmero de defectos: D. Frenkel
D. Schottky
Como podemos ver a medida que aumentamos la temperatura el valor de la exponencial al ser
negativo y la temperatura encontrarse en el denominador, los valores de la exponenciales
sern menos negativos dando lugar mayor valor para ns y nf. A Temperaturas menores al ser el
valor exponencial ms negativo en nmero de defectos ser mucho menor.
2. Defectos Clusters
3. Defectos Wadsley
En la imagen b se elimina una fila de O2- se produce un movimiento de cizalla que genera un
PCD o un plano cristalogrfico de desplazamiento, en el que los octaedros comparten aristas.
Cuando se ordenan los planos cristalogrficos de deslizamiento pueden dar lugar a fases
discretas. Dando lugar a octaedros compartiendo aristas a lo largo de una direccin que forma
un plano PCD. Una distribucin de este defecto de forma aleatoria se denomina defecto
Wadsley, este tipo de defectos da lugar a un largo continuo de composicin o de forma
ordenada dando lugar a nuevas fases estequiomtricas.
4. Defectos Substitucional
Aquellas estructuras que comparte la misma estructura pueden experimentar este tipo de
defectos dando lugar a la aparicin del concepto de solucin slida.
Solucin slida: ES una fase cristalina que tiene una composicin variable, al formarse una
solucin slida, est posee ambas propiedades de los materiales como pueden ser la
conductividad o el magnetismo. Existen carios tipos de soluciones:
Solucin slida substitucional de rango composicional completo: Los dos miembros
que componen la estructura son isoestructurales, adems han de tener la misma carga
y tamao similar.
Solucin slida substitucional de rango composicional limitado: No tiene porque ser
isoestructurales los dos miembros posee distintas cargas.
Ley de Vegard
Establece que los parmetros de celda deberan variar de forma lineal con la composicin. La
dicha asume que:
Se usa esta ley para determinar la composicin de la red haciendo uso de la DRX (difraccin de
rayos X)