ELETRNICA DIGITAL

Universidade Federal de Itajub

Memrias Semicondutoras

Prof. Fadul Ferrari Rodor

Memrias | Contexto

Circuitos armazenadores de dados utilizados em

sistemas digitais;

Armazenam programas e os dados utilizados por eles;

Podem armazenar dados de forma temporria ou por

prazo indeterminado;

Operam por diferentes mecanismos de registro

(capacitivo, eletrnico, magntico, ptico e outros).
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Memrias | Tipos de Memrias

No-volteis:
Volteis:
ROM, PROM,
EPROM,
RAM
EEPROM e
Flash

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Memrias | Estrutura
Endereo Contedo (Dados) Memria
000 01011010
001 11001010
010 10000010
... ...
111 00101001

Capacidade: 256 posies

Exemplo:
Posies de memria 256x8 X
X 8 bits
Tamanho da palavra de dados =
2048 bits (2 kbits)
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 Memrias | Representao

Dados de entrada

...

Barramento de
Barramento de
Endereo

Endereo
Controle

Controle
Memria Memria

... ...
Dados de sada Dados de entrada e sada

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Memrias | Operao de leitura de dados

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Memrias | Operao de escrita de
dados

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Memrias | Memrias ROM
ROM (Read-Only Memory) pode ser interpretada como
um circuito combinacional com n entradas e b sadas, as
entradas so os endereos e as sadas os dados.

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 Memrias | Memrias ROM
Utilizando-se decodificadores e diodos ou transistores conseguimos
arranjos mais prticos.

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Memrias | Memrias PROM
Inicialmente concebidas utilizando diodos;

Fusveis so rompidos pela seleo da linha de endereo

e dados, aplicando-se uma alta tenso nesse
barramento;

Evoluiu para estruturas utilizando transistores bipolares e

transistores de efeito de campo devido a capacidade de
corrente.

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Memrias | Memrias PROM

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Memrias | Memrias EPROM
Programvel como as PROMs, mas podem ser apagadas
(todos os estados levados a 1) por exposio a luz ultra-
violeta;

Utiliza a tecnologia conhecida como floating-gate MOS;

Programao feita aterrando-se a fonte e o substrato e

aplicando uma tenso ao gate e ao dreno.

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Memrias | Memrias EPROM

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Memrias | Memrias EEPROM
Estrutura semelhante a EPROM e o apagamento pode
ser conduzido em determinados blocos da memria;

Processo de escrita muito mais lento (milisegundos) do

que em memrias RAM (nanosegundos);

O processo de gravao semelhante ao das EPROMs,

o processo de apagamento realizado aplicando-se
tenso em sentido oposto ao de gravao.

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Memrias | Memrias Flash

Semelhante as EEPROMs, mas com altas velocidades de

gravao e leitura;

Suporta mais de 1 milho de ciclos de escrita/leitura;

Baixo custo e alta-densidade (semelhante as EPROMs).

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Memrias | Memrias RAM

Memrias de Leitura/Escrita

Volteis Armazenamento temporrio

Estticas Dinmicas

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Memrias | SRAM
Clula RAM esttica bsica

Operao:

Quando a entrada SEL_L ativa, a informao armazenada colocada na

sada OUT.

Quando SEL_L e WR_L so ativadas, o latch armazena o novo dado

proveniente da entrada IN.

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Memrias | SRAM

Arranjo alternativo com barramento

de dados bidirecional:

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Memrias | DRAM
O dado preservado sob a forma de carga em um capacitor.
Operao:
Escrita Quando a linha escrever estiver acionada M1 conduz e o
capacitor carrega com o valor lgico de E;
Leitura Quando Ler estiver acionado, M3 conduz, se C estiver
carregado com nvel alto M2 conduz e haver corrente ID.
Assim, caso haja corrente ID indica nvel lgico alto, caso contrrio, nvel
baixo.

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Memrias | Arranjos de Memrias
Associao Paralela ou Horizontal de Memrias:
Usado para aumentar o nmero de bits da memria.

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Memrias | Arranjos de Memrias
As memrias so colocadas em paralelo (mesma linha de
endereo).

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Memrias | Arranjos de Memrias
Associao Serial ou vertical de memrias:
Utilizada para aumentar o nmero de endereos de
memria.

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Memrias | Arranjos de Memrias
Associao Serial ou vertical de memrias:
Soluo utilizando um decodificador 1x2

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Memrias | Arranjos de Memrias
Utilizando um Demux 1x2:

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 Memrias | Decodificao de Endereo

Admita que a memria anterior (32x8) de 5 linhas de

endereo deva ser utilizada em um sistema com 8 linhas
de endereo.

Faixa de endereos do sistema Faixa de endereos da memria

Inicial 0000 0000 (00H) Inicial 0000 0000 (00H)
Final 1111 1111 (FFH) Final 0001 1111 (1FH)

Assim, a decodificao de endereo pode ser

implementada com uma porta lgica No-E.

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Memrias | Decodificao de Endereo

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 Memrias | Decodificao de Endereo

Admita agora que a mesma memria deva ser acessada a

partido do endereo A0H.

Faixa de endereos do sistema Faixa de endereos da memria

Inicial 0000 0000 (00H) Inicial 1010 0000 (A0H)
Final 1111 1111 (FFH) Final 1011 1111 (BFH)

O incio da decodificao desejada deve sempre iniciar

com todas as linhas da memria em 0, ou seja,
A7A6A5A4A3A2A1A0 = XXX0 0000.

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Memrias | Decodificao de Endereo

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Memrias | Decodificao de Endereo

Memrias de tamanhos diferentes:

Considere um banco de memrias com 112 posies a ser

acessado a partir do endereo 80H. Esse arranjo obtido com
uma memria 64x8, uma 32x8 e uma 16x8.
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
80H 1 0 0 0 0 0 0 0 Posio Inicial
Memria M0
BFH 1 0 1 1 1 1 1 1 Posio Final

C0H 1 1 0 0 0 0 0 0 Posio Inicial

Memria M1
DFH 1 1 0 1 1 1 1 1 Posio Final

E0H 1 1 1 0 0 0 0 0 Posio Inicial

Memria M2
EFH 1 1 1 0 1 1 1 1 Posio Final

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Memrias | Bibliografia

TOCCI, Ronald J.; WIDMER, Neal S.; MOSS, Gregory L.

Sistemas Digitais: princpios e aplicaes. Pearson
Prentice Hall, 10 ou 11 Edio, 2011, ISBN:
9788576059226.

WAKERLY, J. F.; Digital Design, Editora Pearson, 4

Edio, 2006, ISBN: 9780131733497.

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Memrias | Fim

Obrigado

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