1) Qu es la electrnica de potencia?, y su importancia.

La Electrnica de Potencia es la parte de la Electrnica que se encarga de

estudiar los dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos para el
procesamiento, control y conversin de la energa elctrica. Se enfoca
principalmente en la conversin y control de la energa elctrica para diferentes
aplicaciones tales como el control de alumbrado, procesos electroqumicos,
suministros de energa regulada de CD y CA, soldadoras elctricas, filtrado
activo, compensacin de VARs, control del movimiento de mquinas elctricas
y otras ms.

De esta manera, la electrnica de potencia permite adaptar y transformar la

energa elctrica para distintos fines tales como alimentar controladamente
otros equipos, transformar la energa elctrica de continua a alterna o
viceversa, y controlar la velocidad y el funcionamiento de mquinas elctricas,
etc. mediante el empleo de dispositivos electrnicos,
principalmente semiconductores.

Esto incluye tanto aplicaciones en sistemas de control, sistemas

de compensacin de factor de potencia y/o de armnicos como para suministro
elctrico a consumos industriales o incluso la interconexin de sistemas
elctricos de potencia de distinta frecuencia.
El principal objetivo de esta disciplina es el manejo y transformacin de
la energa de una forma eficiente, por lo que se evitan utilizar elementos
resistivos, potenciales generadores de prdidas por efecto Joule. Los
principales dispositivos utilizados por tanto son bobinas y condensadores, as
como semiconductores trabajando en modo corte/saturacin (on/off, encendido
y apagado). Un sistema de electrnica de potencia es la interfaz entre el
sistema de suministro y la carga del consumidor para satisfacer ciertos
requerimientos que imponen las cargas.
2) Dispositivos de potencia:

Diodos de potencia: A diferencia de los diodos de baja potencia estos se

caracterizan por ser capaces de soportar una alta intensidad con una
pequea cada de tensin en estado de conduccin y en sentido inverso,
deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con
una pequea intensidad de fugas.
Caractersticas:

Parmetros en bloqueo

Tensin inversa de trabajo (VRWM): Tensin inversa mxima que puede

ser soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de avalancha.

Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): Tensin inversa mxima que

puede ser soportada en picos de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo
indefinido.

Tensin inversa de pico nico (VRSM): Tensin inversa mxima que

puede ser soportada por una sola vez cada 10 min o ms, con duracin
de pico de 10ms.

Tensin de ruptura (VR): Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el

diodo puede destruirse o al menos degradar sus caractersticas
elctricas.

Parmetros en estado de conduccin

Intensidad media nominal (IFAV): Es el valor medio de la mxima

intensidad de impulsos senoidales de 180 que el diodo puede soportar
con la cpsula mantenida a determinada temperatura (110 C
normalmente).

Intensidad de pico repetitivo (IFRM): Mxima intensidad que puede ser

soportada cada 20 ms por tiempo indefinido, con duracin de pico de
1ms a determinada temperatura de la cpsula.

Intensidad de pico nico (IFSM): Es el mximo pico de intensidad

aplicable por una vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de
10ms.
Modelo esttico

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se

representan en la figura II. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para
lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que
necesitemos. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e
incluso pueden venir ya en las libreras del programa. a) Modelo Ideal b) Diodo
ideal en serie con fuente de tensin. c) Diodo ideal en serie con fuente de
tensin y con la resistencia del diodo en conduccin.

Aplicaciones

Fuentes conmutadas.

Convertidores.

Diodos de libre circulacin.

Cargadores de bateras.

Conmutacin a alta frecuencia (>20kHz).

Inversores.

UPS.

Accionamiento de motores CA.

 Rectificadores de Red.

Baja frecuencia (50Hz).

Rectificador controlado de silicio (SCR en ingls): es un componente

electrnico rectificador de estado slido de 3 terminales: nodo (A), ctodo (K)
y un electrodo de control denominado puerta (G, gate).

Caractersticas

Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta es la

encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo.
Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo
circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin
en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se
aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir.

Una vez arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el tiristor continuar

conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la
corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se des-
excita en cada alternancia o semiciclo.

Los parmetros son:

VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)
VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
IF: Mxima corriente directa permitida.
PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.
VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para
el cebado
IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR
dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado.
di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.
En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de conmutacin
y la corriente de compuerta. Cuando est polarizado en inversa se comporta
como un diodo comn (ver la corriente de fuga caracterstica que se muestra
en el grfico). En la regin de polarizacin en directo, se comporta tambin
como un diodo comn, siempre que ya haya sido activado (On). Ver los
puntos D y E. Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C),
el voltaje de nodo a ctodo es menor (VC).

Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. (ver el punto B y A, y el

voltaje anodo-ctodo VB y VA). Concluyendo, al disminuir la corriente de
compuerta IG, el voltaje nodo-ctodo tender a aumentar antes de
que conduzca (se ponga en On / est activo)

Aplicaciones: El SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas

estn las siguientes: Controles de relevador, Circuitos de retardo de tiempo,
Fuentes de alimentacin reguladas, Interruptores estticos, Controles de
motores, Recortadores, Inversores, Ciclo conversores, Cargadores de
bateras, Circuitos de proteccin, Controles de calefaccin, Controles de fase.

Transistores bipolares de juntura de potencia (BJT):

Un transistor bipolar de unin esta formado por dos uniones pn en

contraposicin. Fsicamente, el transistor esta constituido por tres regiones
semiconductoras -emisor, base y colector- siendo la regin de base muy
delgada (< 1m).

El modo normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa. En esta

zona, los sentidos de las corrientes y tensiones en los terminales del transistor
se muestran en la figura 1.1.a para un transistor NPN y en la figura 1.1.b a un
PNP. En ambos casos se verifica que:

y
La propiedad ms destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente
dependiente de corriente: dentro de ciertos mrgenes, la corriente en el
terminal de colector es controlada por la corriente en el terminal de base. La
mayora de funciones electrnicas se realizan con circuitos que emplean
transistores, sean bipolares o de efecto de campo, los cuales son los
dispositivos bsicos de la electrnica moderna.

MOSFET de potencia: As como podemos decir que el transistor bipolar se

controla por corriente, los MOSFET son transistores controlados por tensin.
Ello de debe al aislamiento (xido de Silicio) de la puerta respecto al resto del
dispositivo. Existen dos tipos bsicos de MOSFET, los de canal n y los de canal
p, si bien en Electrnica de Potencia los ms comunes son los primeros, por
presentar menores prdidas y mayor velocidad de conmutacin, debido a la
mayor movilidad de los electrones con relacin a los agujeros.

El terminal de puerta G (Gate) est aislado del semiconductor por xido de

silicio (SiO2). La unin PN define un diodo entre la Fuente S (Source) y el
Drenador D (Drain), el cual conduce cuando VDS < 0. El funcionamiento como
transistor ocurre cuando VDS > 0. Cuando una tensin VGS > 0 es aplicada, el
potencial positivo en la puerta repele los agujeros en la regin P, dejando una
carga negativa, pero sin portadores libres.

Cuando esta tensin alcanza un cierto valor umbral (VT), electrones libres
(generados principalmente por efecto trmico) presentes en la regin P son
atrados y forman un canal N dentro de la regin P, por el cual se hace posible
la circulacin de corriente entre D y S. Aumentando VGS, ms portadores son
atrados, ampliando el canal, reduciendo su resistencia (RDS), permitiendo el
aumento de ID. Este comportamiento caracteriza la llamada regin hmica.

Caractersticas estticas:

Gate-Source Breakdown Voltage, VGSS: Tensin de ruptura puerta-fuente.

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin que forman el sustrato (unido a la

fuente) y el drenador. Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a
qu pequea circulacin de corriente corresponde.

Gate-Source Cutoff Voltage, VGS: Tensin tope puerta-fuente.

La tensin mxima soportable entre puerta y fuente, suele alcanzar un valor tpico de
20V (positivos o negativos)

Saturation Drain Current, Idss: Corriente de saturacin dedrenaje.

Mximo valor que puede alcanzar la intensidad de corriente por el drenador.

Gate Reserve Current, IGSS: Corriente inversa en la puerta.

Valor de la intensidad de corriente negativa en la puerta del dispositivo.

Gate Operating Current, IG: Corriente de operacin en la puerta.

Corriente mnima que se debe aplicar en la puerta para que se logre el funcionamiento
del MOSFET.

Drain Cutoff Current, ID: Corriente tope de drenaje.

La corriente mxima que puede soportar el drenador sin que se estropee.

Drain-Source On-Voltage, VDS: Tensin de encendido o umbral drenaje-fuente.

Tensin mnima que se debe alcanzar entre drenador y fuente para lograr al
funcionamiento del MOSFET.

Drain-Source On-Resistance, RDS: Resistencia de encendido drenaje-fuente.

Es uno de los parmetros ms importante en un MOSFET. Cuanto menor sea, mejor es

el dispositivo. Para un dispositivo particular, crece con la temperatura y decrece con la
tensin de puerta, teniendo este decrecimiento tiene un lmite.

Gate-Source Forward Voltage, VGS: Tensin directa puerta-fuente.

Cada de tensin correspondiente en la puerta y el drenador.

Caractersticas dinmicas:

Con respecto a las caractersticas dinmicas, cabe destacar la velocidad de conmutacin,

ya explicada anteriormente.

Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos usados en electrnica
de potencia (tiristores, transistores bipolares, IGBT, etc.).

Los MOSFET de potencia son dispositivos de conduccin unipolar. En ellos, los niveles
de corriente conducida no estn asociados al aumento de la concentracin de portadores
minoritarios, que luego son difciles de eliminar para que el dispositivo deje de
conducir.

La limitacin en la rapidez est asociada a la carga de las capacidades parsitas del

dispositivo. Se pueden distinguir esencialmente tres:

Capacidad de lineal, CGS

Capacidad de transicin, CDS

Capacidad Miller, no lineal, CDG (muy importante)

La carga y la descarga de estas capacidades parsitas generan prdidas que condicionan

las mximas frecuencias de conmutacin de los MOSFET de potencia.

Adems, en general estas capacidades parsitas retrasan las variaciones de tensin,

ocasionando en muchos circuitos convivencia entre tensin y corriente, lo que implica
prdidas en el proceso de conmutacin.
Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT): Componente
electrnico diseado para controlar principalmente altas potencias, en su
diseo est compuesto por un transistor bipolar de unin BJT y transistor de
efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.

Caractersticas tcnicas

ICmax Limitada por efecto Latch-up.

VGEmax Limitada por el espesor del xido de silicio.

Se disea para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito

sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda
soportarla durante unos 5 a 10 us. y pueda actuar una proteccin
electrnica cortando desde puerta.

VCEmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy

baja, ser VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de
600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
 La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se
esperan valores mayores)

Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o

600 Amp.

En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y

un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Aplicaciones

El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de

potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta
tensin. Se usan en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones
en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada
da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso:
Automvil, Tren, Metro, Autobs, Avin, Barco, Ascensor, Electrodomstico,
Televisin, Domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls
UPS), etc.

Transistor de induccin esttica (SIT): Componente electrnico de recin

creacin el cual es usado en diferentes aplicaciones, es de alta potencia y
frecuencia. El mismo es muy similar a los JFET, excepto por su construccin
vertical y su compuerta enterrada.

Caractersticas

Bajo nivel de ruido

Baja distorsin

Alta capacidad de potencia en audio frecuencia.

 Los tiempos de activacin y desactivacin son muy pequeos,
tpicamente 0,25us.

La cada de tensin en estado activo es alta,tipicamente de 90volt para

un dispositivo de 180A y de 18Volt para uno de 18A.

Estos pueden llegar hasta 300A y 1200V.

Velocidad de conmutacin tan alta como 100kHz

Baja resistencia en serie de compuerta

Baja capacitancia compuerta fuente

Resistencia trmica pequea

Aplicaciones: Se los utiliza en amplificadores de potencia lineal en audio,

DHF, UHF y microondas. No se los utiliza como conmutador por la alta cada
de tensin en sus terminales.

Tiristores: El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que

trabajan en conmutacin, teniendo en comn una estructura de cuatro capas
semiconductoras en una secuencia P-N-P-N, la cual presenta un
funcionamiento biestable (dos estados estables). La conmutacin desde el
estado de bloqueo (OFF) al estado de conduccin (ON) se realiza
normalmente por una seal de control externa. La conmutacin desde el
estado ON al estado OFF se produce cuando la corriente por el tiristor es
ms pequea que un determinado valor, denominada corriente de
mantenimiento, (holding current), especfica para cada tiristor. Dentro de la
familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores unidireccionales)
y TRIACs (tiristores bidireccionales).

Los Tiristores pueden subdividirse en ocho tipos:

Tiristor de conmutacin forzada

Tiristor conmutado por linea

 Tiristor desactivado por compuerta (GTO)

Tiristor de conduccin inversa (RTC)

Tiristor de induccin esttico (SITH)

Tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT)

Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR)

Tiristor controlado por MOS (MCT)

Triac

Aplicaciones: Normalmente son usados en diseos donde hay corrientes o

voltajes muy grandes, tambin son comnmente usados para controlar
corriente alterna donde el cambio de polaridad de la corriente revierte en la
conexin o desconexin del dispositivo. Los tiristores pueden ser usados
tambin como elementos de control en controladores accionados por ngulos
de fase, esto es una modulacin por ancho de pulsos para limitar el voltaje en
corriente alterna. El tiristor tambin se puede usar en conjunto con un diodo
zener enganchado a su puerta, de forma que cuando el voltaje de energa de la
fuente supera el voltaje zener, el tiristor conduce, acortando el voltaje de
entrada proveniente de la fuente a tierra, fundiendo un fusible. Se suelen usar
para controlar la rectificacin en corriente alterna, es decir, para transformar
esta corriente alterna en corriente continua, siendo en este punto los tiristores
onduladores o inversores, para la realizacin de conmutaciones de baja
potencia en circuitos electrnicos.
Se usar la palabra convertidor como trmino genrico para referirnos a una sola etapa
de conversin
de potencia que podr realizar cualquiera de las funciones ya enumeradas. De modo
ms especfico, en la conversin de CA a CC y CC a CA, el trmino rectificador se refiere
a un convertidor cuando el flujo de potencia promedio es del lado de CA al lado de CC. El
trmino inversor se refiere al convertidor cuando el flujo de potencia promedio es del
lado de CC al lado CA. De hecho, el flujo de potencia promedio a travs del convertidor
puede ser reversible. En este caso, como se muestra en la figura 1-7, nos referimos a
este convertidor en trminos de sus modos de operacin de rectificador o inversor
Convertidores CA a CC..
 Convertidores de CC a CC.
Convertidor Buck reductor
El funcionamiento del conversor Buck es sencillo, consta de un inductor controlado por dos
dispositivos semiconductores los cuales alternan la conexin del inductor bien a la fuente
de alimentacin o bien a la carga.

Convertidor Boost elevador

El principio bsico del convertidor Boost consiste en dos estados distintos dependiendo del
estado del interruptor S.

Cuando el interruptor est cerrado (On-state) la bobina L almacena energa de la

fuente, a la vez la carga es alimentada por el condensador C.

Cuando el interruptor est abierto (Off-state) el nico camino para la corriente es a

travs del diodo D y circula por el condensador (hasta que se carga completamente) y
la carga.

Convertidor Buck-Boost
El principio bsico de funcionamiento del convertidor buckboost es muy sencillo (ver
figura 2):

durante el estado On, la fuente de entrada de voltaje est directamente conectada

al inductor (L). Por lo que se almacena la energa en L. En este paso, el condensador
proporciona corriente a la carga de salida;

durante el estado Off, el inductor est conectado a la carga de salida y el

condensador, por lo que la energa es transferida de L a C y R.
Comparado a los convertidores buck y boost , las caractersticas del convertidor buck
boost son principalmente:
 la polaridad del voltaje de salida es inverso al de entrada;

Convertidor uk
El convertidor uk es un tipo de convertidor DC-DC en el cual la magnitud de voltaje
en su salida puede ser inferior o superior a su voltaje de entrada.

Convertidor CC a CA.
Inversor onda cuadrada.

Convertidor CA a CA
Mtodos de activacin y desactivacin de los tiristores:

Formas de activar un tiristor:

*Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo
silicio, el nmero de pares electrnhueco aumentar pudindose activar el
tiristor.

*Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyeccin de

una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y
ctodo lo activar. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuir el
voltaje de bloqueo directo, revirtiendo en la activacin del dispositivo.

*Trmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del

nmero de pares electrnhueco, por lo que aumentarn las corrientes de fuga,
con lo cual al aumentar la diferencia entre nodo y ctodo, y gracias a la accin
regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse.
Este tipo de activacin podra comprender una fuga trmica, normalmente
cuando en un diseo se establece este mtodo como mtodo de activacin,
esta fuga tiende a evitarse.

*Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el nodo hacia el ctodo es mayor que
el voltaje de ruptura directo, se crear una corriente de fuga lo suficientemente
grande para que se inicie la activacin con retroalimentacin. Normalmente
este tipo de activacin puede daar el dispositivo, hasta el punto de la
destruccin del mismo.

*dv/dt: Si la velocidad en la elevacin del voltaje nodoctodo es lo

suficientemente alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente
para activar el tiristor. Este mtodo tambin puede daar el dispositivo.
Formas de desactivar un tiristor:

En algunos circuitos de tiristor, el voltaje de entrada es de cd, para desactivar al

tiristor, la corriente en sentido directo del tiristor se obliga a pasar por cero
utilizando un circuito adicional conocido como circuito de conmutacin. Esta
tcnica se conoce como conmutacin forzada y por le comn se aplica en los
convertidores de cd a cd (pulsadores) y en convertidores de cd a ca
(inversores). La conmutacin forzada de un tiristor se puede lograr de siete
maneras diferentes, que pueden clasificarse como:

Autoconmutacin
Conmutacin por impulso
Conmutacin por pulso resonante
Conmutacin complementaria
Conmutacin por pulso externo
Conmutacin del lado de la carga
Conmutacin del lado de la lnea

Esta clasificacin de las conmutaciones forzadas se basa en la disposicin de

los componentes del circuito de conmutacin y en la forma en que la corriente
de un tiristor se fuerza a cero. El circuito de conmutacin est formado por lo
general de un capacitar, un inductor y uno o ms tiristores y/o diodos.