Relatrio de Fsica 2 Experimento 4 Resistncias no lineares por efeito de temperatura 1

OBJETIVO

Mostrar o efeito da temperatura sobre um resistor metlico (lmpada incandescente) e em

um semicondutor (termistor-NTC). E atravs da curva caracterstica para cada um desses
interpretar a no linearidade das caractersticas.

INTRODUO

Esse documento restringe-se ao estudo e discusso dos processos da conduo eltrica

nos metais e semicondutores e a influencia da temperatura sobre os mesmos.
A conduo eltrica nos metais ocorre porque os eltrons da ultima camada de Valencia
dos tomos do metal, que esto na superfcie do metal, sofrem uma fraca atrao do ncleo
atmico do tomo, isso as permite transitar livremente sobre a superfcie do metal. O numero
de eltrons nessa condio irrelevante por ser aproximadamente constante e no sofrem
significante influencia da temperatura. Nessa situao se o metal est a uma determinada
temperatura, os eltrons livres esto sob um movimento trmico aleatrio, denominado de
movimento Browniano onde a velocidade mdia dos eltrons zero. Quando se submetem
esses eltrons a uma diferena de potencial, h uma transio livre desses eltrons na direo
imposta pela ddp, estabelecendo assim uma corrente, que depende essencialmente, do
numero de eltrons e da velocidade de deriva, e essa por sua vez definida como sendo a
velocidade mdia dos eltrons, que neste caso zero.
Se h a agitao trmica dos eltrons h como conseqncia o aumento do movimento
aleatrio o que dificulta a movimentao dos eltrons na direo da deriva imposta pela ddp.
Logo se a ddp fixa e temperatura aumenta a corrente diminui. Isso que dizer que para um
condutor metlico a resistncia eltrica uma funo crescente da temperatura.
Nos semicondutores os eltrons da ultima camada esto sob forte atrao do ncleo
(foras covalentes), assim no existe uma nuvem eletrnica livres para participar do processo
de conduo eltrica. Para que um semicondutor se torne um condutor necessrio romper
essa atrao que mantm os eltrons fixos, para que essa ruptura ocorra pode-se fornecer
calor ao semicondutor e isso libera cerca de 1em 10 5 eltrons. Sendo assim quando se
submete um semicondutor uma ddp fixa e eleva a sua temperatura, os eltrons so liberados
para conduzir e aumentar a corrente.
Agora surge uma questo: Se um resistor sofre uma variao de temperatura, de quanto
ele muda sua resistncia? Ou qual o coeficiente de temperatura do resistor?
Fazendo um estudo de R(T) ao redor de uma da temperatura arbitrria To, usando a
srie de Taylor e limitando a expresso apenas ao primeiro termo. Essa aproximao s
valida para valores prximos de To.

R(T) = R(To) + dR/dT (T-To) ; ou

R(T) = R(To) x 1 + x (T To) , onde = (1/R(To)) x dR/dTTo

sendo coeficiente de temperatura da resistncia do resistor.

Sendo o condutor um metal, positivo, pois R aumenta com o aumento da
temperatura. J para os semicondutores o inverso, quando a temperatura aumenta a
resistncia diminui.
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Curva caracterstica de um Elemento Resistivo hmico.

Esse comportamento eltrico pode ser representado pela equao: V = R x I, onde R

uma constante de resistncia, sendo assim o grfico dessa equao uma curva passando
pela origem que pertence aos 1 e 3 quadrantes.

Dipolos

Em geral todos elementos que possuam dois terminais so chamados

de dipolos, nesse caso temos que dipolos so: baterias,resistores e etc.
Nessa figura, temos a representao de um dipolo, por onde passa uma
corrente I. De um modo emprico convencionou-se que uma corrente
positiva quando : para uma dada diferena de potencial nos extremos do
dipolo orienta-se uma seta do lado negativo para o positivo, como por
exemplo na figura ao lado, onde Va>Vb.

V=VaVb, e assim considerado positivo como tambm a corrente (valor

numrico, quando est entrando pelo terminal positivo, como na figura ao
lado.
Obs:Se intervermos V interveremos tambm I. Sempre Ve I te mesmo
sinal.
Sendo o dipolo uma bateria, que fornece energia a um a resistor,
teremos a corrente saindo pelo terminal positivo, sendo conotada assim
como negativo o valor de I, como na figura abaixo.
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Conectando o resistor a bateria temos: V= I =I ;

V = R x I ; I = V/R, ento I = /R e I = - /R.

Dipolos Ativos e Passivos

Essa classificao feita da seguinte forma: Um dipolo ativo se fornece energia ao

resto do circuito onde est inserido e dito passivo quando recebe energia do resto do
circuito.Como no exemplo ao lado onde na figura da esquerda o dipolo (1) ativo e o dipolo (2)
passivo .

Dipolos no lineares

Par um elemento resistivo no linear, sua curva caracterstica no uma reta. Para cada
ponto da curva caracterstica existe uma resistncia esttica e um diferencial (ou dinmica).
Essa curva pode ser construda da seguinte forma : temos que inserir o elemento dentro de um
circuito onde possamos fazer variar a corrente I que o atravessa e medir a ddp para cada valor
de I. O circuito :

Nesse circuito a
ddp medida pelo voltmetro Vab = Va Vb e no Vab nos terminais do elemento a ser
estudado. Da: Vab = Ra.I + Vab e conhecendo-se Ra podemos calcular a correo para o
valor medido Vab Ra.I.

LISTA DE MATERIAL

Fonte de Tenso
Medidor multi-escala usado como voltmetro
Medidor multi-escala usado como ampermetro
Reostato
Termistor (NTC)
Lmpada comum
Placa de ligao
Chave liga - desliga
Fios
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PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL E DISCUSSO DOS RESULTADOS

Analisar os aspectos envolvidos durante todo o experimento e tomar concluses a

respeito do tema o objetivo desta seo, sendo que abordaremos questes que so de
grande interesse do tema e esclareceremos as mesmas para tornar o relatrio de mais fcil
entendimento.

1a Parte : Resistncia Interna Ra do Miliampermetro.

Primeiramente, para a realizao do experimento, foi preciso a montagem do circuito

composto dos materiais citados no item anterior. O esquema do circuito pode ser visto logo
abaixo:
d a

Vo + A V
a

Lmpada
k
c b

O objetivo nessa primeira parte experimental foi a obteno das diferentes Ra (resistncia
do ampermetro), correspondente a cada calibre. Para isso utilizamos as correntes 2,5 mA, 25
mA e 250 mA. Para o voltmetro foi fixado o fundo de escala de 0,5 V, assim no ampermetro foi
colocada a mxima deflexo e lida no voltmetro a ddp correspondente, sendo que a mxima
deflexo no ampermetro esteve sendo controlada pelo reostato. Aps todo procedimento
obtivemos a resistncia do ampermetro referente a cada calibre atravs da lei de Ohm ,
R=VxI obs: 1mA = 10 -3

Tambm atravs da equao abaixo, podemos calcular o valor do desvio de Ra para cada
corrente dado por:

Ra = Ra. V + Ra . I
V I
Ra = 1
V I
Ra = - V
I I2
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Ra = 1 . V + V . I
I I2

Os valores obtidos para Ra nas correntes de 2,5; 25 e 250 mA constam na tabela abaixo:

I (mA) I (mA) V V (volts) Ra ( ) Ra () Ra Ra

2,5 0,025 0,25 0,005 100,00 3,0 100 3,0
25 0,25 0,26 0,005 10,40 0,3 10,40 0,3
250 2,5 0,35 0,005 1,40 0,04 1,40 0,04

Ao mudarmos o fundo de escala do miliampermetro, a queda de tenso sobre ele

permaneceu quase a mesma, j que, variando o fundo de escala, houve a mudana no valor
da resistncia interna do ampermetro. Mas, devido s condies no ideais do circuito,
percebemos que os valores das Ra s no so mltiplos entre si, provocando pequenas
variaes na tenso. Logo, o correto seria termos os valores das Ra s mltiplos. Isto nos
garantiria os mesmos valores da ddp, o que comprovado pelo experimento 1, onde:

V = Ra x I I = Ia + Ip RaIa = RpIp

Ra // Rp = RaRp / Ra + Rp

Desenvolvendo estas expresses para cada calibre (2,5; 25; 250) mA e considerando o
circuito ideal, teremos a queda de tenso da mesma.

2a Parte: Caracterstica V(i) da lmpada

Nesta seo o circuito apresentado anteriormente sofre uma pequena modificao,

como pode ser visto na seqncia:

d a

A
Vo +
a

V
Lmpada
k
c b

Agora o nosso objetivo levantar dados para obter uma curva caracterstica de uma
lmpada de filamento. Adotamos o calibre do ampermetro de 250 mA e o voltmetro na escala
de maior sensibilidade (menor escala do medidor), compatvel com a medida, ou seja, 0,5 v. A
partir disso variamos a posio do reostato para que as leituras do ampermetro pudessem
variar aleatoriamente entre 0 e 250 mA, tomando 15 leituras de corrente, e obtivemos as
leituras correspondentes as ddps. Os dados se encontram na tabela abaixo:
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I (mA) I (mA) Vab (volts) V (volts) R () R ()

15 2,5 0,04 0,005 2,66 0,78
25 2,5 0,07 0,005 2,80 0,48
35 2,5 0,09 0,005 2,57 0,33
50 2,5 0,14 0,005 2,80 0,24
65 2,5 0,18 0,005 2,77 0,18
75 2,5 0,21 0,005 2,80 0,16
85 2,5 0,26 0,025 3,06 0,15
100 2,5 0,31 0,1 3,10 0,13
110 2,5 0,35 0,1 3,18 0,12
125 2,5 0,41 0,1 3,28 0,11
135 2,5 0,47 0,1 3,48 0,10
150 2,5 0,60 0,1 4,00 0,10
200 2,5 1,15 0,1 5,75 0,09
225 2,5 1,65 0,1 7,33 0,08
250 2,5 2,10 0,1 8,40 0,08

Porm, os valores das ddps encontrados no correspondem aos valores das tenses
nos elementos para cada corrente, pois a resistncia interna do ampermetro (Ra) no foi
considerada. Para isso, necessrio fazer a correo dos valores obtidos atravs das
frmulas:

V(elemento) = V(medido) Ra. I V(elemento) = R X I V(medido) = Vab V(elemento)= Vab

Ra (resistncia interna) para o calibre de 250 mA 1,40 (calculada anteriormente).

Os valores corrigidos esto na tabela abaixo:

I (mA) Vab (volts) R () Vab (volts) R ()

15 0,04 2,66 0,019 1,27
25 0,07 2,80 0,035 1,40
35 0,09 2,57 0,041 1,17
50 0,14 2,80 0,070 1,40
65 0,18 2,77 0,089 1,37
75 0,21 2,80 0,105 1,40
85 0,26 3,06 0,141 1,66
100 0,31 3,10 0,170 1,70
110 0,35 3,18 0,196 1,78
125 0,41 3,28 0,235 1,88
135 0,47 3,48 0,281 2,08
150 0,60 4,00 0,390 2,60
200 1,15 5,75 0,870 4,35
225 1,65 7,33 1,335 5,93
250 2,10 8,40 1,750 7,00
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Nessa parte do experimento, observamos que o aumento da corrente no circuito

utilizado provocou, por efeito joule, o aquecimento do resistor o qual por sua vez, tem a
resistncia decrescida devido ao aumento do fluxo de eltrons que se encontravam fortemente
ligados ao ncleo.
Observando o grfico 1 abaixo , verificamos que trata-se de uma curva caracterstica de
um material no hmico, pois pode ser observada a no linearidade da mesma. Em materiais
hmicos a resistncia do mesmo dada pelo coeficiente angular da funo linear V x I. Para o
caso em questo, a resistncia do material dada pela inclinao da reta tangente curva.

Grfico 1: Curva caracterstica da lmpada com dados corrigidos

A lmpada comeou a acender quando atravessava no circuito uma corrente de 205 mA.
O comportamento da lmpada foi o seguinte: inicialmente ao utilizarmos uma corrente de 250
mA a resistncia da lmpada estava alta, impedindo a passagem da corrente necessria para
acender a lmpada. Com a diminuio gradativa da corrente, o brilho da lmpada comeou a
aparecer at chegar ao mximo. Nesse momento a temperatura influenciada pela corrente
tornou-se bem menor que a inicial, havendo menos choques entre os eltrons (menor
resistncia) e passagem de maior quantidade de corrente.
A potncia mxima dissipada pela lmpada dada pela expresso : Pd mx = Vmx . Imx
Com os valores de V = 1,750 V e I = 250mA temos Pd = 0,44 W.
A partir do grfico de Vab x I da lmpada, traamos o grfico da resistncia esttica em
funo da corrente I (Re x I), usando os pontos da caracterstica.

Re = V/I

I (mA) Vab (volts) Re ()

20 0,025 1,25
30 0,037 1,23
40 0,061 1,53
45 0,070 1,56
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55 0,082 1,49
70 0,090 1,29
80 0,120 1,50
90 0,152 1,69
115 0,210 1,83
120 0,223 1,86
130 0,254 1,95
140 0,330 2,36
190 0,801 4,22
220 1,295 5,89
240 1,680 7,00

Com os dados acima, plotamos o Grfico 2, mostrado abaixo.

Grfico 2: Curva da resistncia esttica x corrente I

3a Parte: Caracterstica V(i) do termistor

Para a terceira parte do experimento, temos o mesmo circuito anteriormente

apresentado com a diferena que foi substitudo a lmpada pelo termistor. Tomamos 15 leituras
no miliampermetro e no voltmetro, sendo que ambos foram usados nas escalas de maior
sensibilidade sendo tomado cuidado para que o termistor no fosse danificado com correntes
maiores que 70 mA. Alm disso para que as leituras fossem tomadas foi preciso esperar que
os medidores estabilizassem os seus ponteiros. Os dados esto na tabela a seguir.

I (mA) I (mA) Vab (volts) V (volts) R () R ()

5 0,025 1,35 0,005 270,0 2,35
10 0,025 2,20 0,005 220,0 1,05
15 0,25 3,20 0,1 213,3 10,22
20 0,25 3,70 0,1 185,0 7,31
25 0,25 4,00 0,1 160,0 5,60
30 2,5 4,30 0,1 143,3 15,28
35 2,5 4,40 0,1 125,7 11,84
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40 2,5 4,60 0,1 115,0 9,69

45 2,5 4,70 0,1 104,4 8,02
50 2,5 5,00 0,1 100,0 7,00
55 2,5 5,10 0,1 92,7 6,03
60 2,5 5,30 0,1 88,3 5,35

Assim como no procedimento anterior, se fez necessria a correo dos valores de

tenso levando em conta a resistncia interna do ampermetro atravs da frmula:

V(elemento) = V(medido) Ra. I V(elemento) = R X I V(medido) = Vab V(elemento)= Vab

Ra (resistncia interna) para o calibre de 2,5 mA 100,00 , 25 mA 10,40 e 250 mA

1,40 , todos calculados anteriormente.

Os valores corrigidos esto na tabela abaixo:

I (mA) Vab (volts) R () Vab (volts) R ()

5 1,35 270,0 0,850 170,0
10 2,20 220,0 1,200 120,0
15 3,20 213,3 3,044 202,9
20 3,70 185,0 3,492 174,6
25 4,00 160,0 3,740 149,6
30 4,30 143,3 4,258 141,9
35 4,40 125,7 4,351 124,3
40 4,60 115,0 4,544 113,6
45 4,70 104,4 4,637 103,0
50 5,00 100,0 4,930 98,6
55 5,10 92,7 5,023 91,3
60 5,30 88,3 5,216 86,9

Com a anlise do Grfico 3 abaixo, observamos que com o aumento da temperatura em

decorrncia do aumento da corrente, a resistncia diminui
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Grfico 3: Curva caracterstica do termistor com dados corrigidos

A potencia dissipada calculada para o termistor : Pd mx = Vmx . Imx

Com os valores de V = 5,216 V e I = 70mA temos Pd = 0,36 W.

A partir do grfico de Vab x I do termistor, traamos o grfico da resistncia esttica em

funo da corrente I (Re x I), usando os pontos da caracterstica.

Re = V/I

I (mA) Vab (volts) Re ()

5 1,000 200,0
10 1,900 190,0
15 2,600 173,3
20 3,300 165,0
25 3,790 151,6
30 4,300 143,3
35 4,390 125,4
40 4,600 115,0
45 4,754 105,6
50 4,850 97,0
55 5,100 92,7
60 5,199 86,6

Com os dados acima, plotamos o Grfico 4, mostrado abaixo.

Grfico 4:
Curva da
resistncia
esttica x
corrente I

Extrapolando-se os grficos at I = 0 mA, encontramos para a lmpada uma resistncia

de aproximadamente zero e para o termistor uma resistncia de aproximadamente 210 .
Essas seriam as resistncias destes componentes se eles no sofressem influncia da
temperatura.
Relatrio de Fsica 2 Experimento 4 Resistncias no lineares por efeito de temperatura 11

Abaixo mostra os valores de correntes I - 10, 25 e 50 (mA) respectivamente - e os

valores de Re() e Rd() . Para clculo da resistncia dinmica Rd do termistor, que a
inclinao da tangente a curva no ponto, temos: R d = dV/dI.

Lmpada Termistor
I (mA) 10 25 50 10 25 50
Re() 0,012 0,031 0,065 190,0 151,6 97,0
Rd() 0,015 0,038 0,080 70,7 56,4 36,1

Para a lmpada previmos que Re seria menor que Rd j que a sua caracterstica como
condutor no se afeta tanto com a temperatura desde que haja um gradual acompanhamento
de variao da voltagem, porque o aumento gradual de temperatura provoca crescimento do
movimento aleatrio dos eltrons dificultando a deriva dos mesmos. Logo se a temperatura de
resistor condutor for aumentada, deve-se aumentar a ddp para que os eltrons sigam a deriva
global sem problemas, que perceptvel no seu grfico de R e x I, alem do que para passar uma
maior corrente pela lmpada bastava apenas aumentar a voltagem. Enquanto que o termistor
apresenta o oposto, a temperatura aumenta com a passagem da corrente o que permite maior
deriva de carga, implicando numa resistncia cada vez menor a medida que se aumenta a
temperatura e passa maior corrente. E para o termistor Rd menor que Re, em virtude desse fato.
Temos essa relao entre a variao da temperatura e a resistncia de um resistor:
= (1/R(To))xdR/dTTo, que dita coeficiente de temperatura de resistncia do resistor, que
aumenta com a temperatura, no caso do condutor ser um metal.Isso o que acontece com a
lmpada que pode ser comprovada a sua veracidade atravs do grfico V x I da lmpada, onde
medida que a temperatura aumenta a sua resistncia aumenta; quanto maior a corrente
maior o efeito Joule, que provoca o comportamento no linear da curva caracterstica da
lmpada. A resistncia est em funo da temperatura.
O termistor e a lmpada tm comportamentos diferentes no aspecto de comparao de
suas curvas de resistncia esttica devido diferena de carter em termos de condutibilidade,
devido as suas inerentes e diferentes caractersticas. O termistor constitudo de um disco de
semicondutor com dois contatos eltricos que permite ligar a um fio de conexo, e a
caracterstica de um semicondutor quando submetido a uma corrente variar a sua resistncia
devido variao de temperatura, visto isso ele possui um negativo. Esse tipo de resistor o
oposto de um resistor de metal que possui um positivo devido elevao da resistncia em
funo do aumento de temperatura e como j foi dito, isso fica mais visvel quando se
comparam as curvas de resistncias estticas dos dois.
Quando o termistor est sob o contato de um fornecedor de calor ocorre um
desprendimento de eltrons que antes estavam fortemente seguros sob ao de foras
covalentes (por causa do aumento de temperatura que propicia um aumento de energia
cintica) e j que o material sob corrente um semicondutor e no apresentava at ento
eltrons livres. Quando se fornece quantidade de energia necessria para romper ligaes
covalentes de alguns eltrons esses eltrons ficam livres para participar da conduo eltrica
sob uma ddp pr-estabelecida, aumentando a corrente eltrica e conseqentemente
diminuindo-se a resistncia. A resistncia no termistor uma funo decrescente da
temperatura.
Inversamente, se retirarmos calor do termistor (diminuirmos sua temperatura), estaremos
diminuindo a agitao trmica das molculas e conseqentemente fortalecendo suas ligaes
covalentes, dificultando ou at impedindo a passagem da corrente caso se resfrie o termistor o
suficiente para que a energia cintica de seus eltrons seja zero.
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4a Parte: Influncia da temperatura

Utilizando o circuito anterior e com o intuito de obter uma leitura no miliampermetro de

1,5 mA com o voltmetro nas escalas de maior sensibilidade, fomos ajustando a posio do
cursor do reostato cuidadosamente. Aps a obteno dessa leitura segurou-se com os dedos o
termistor e foi anotada a mudana ocorrida nos medidores. Posteriormente foi procedido da
mesma maneira s que para uma corrente de 50 mA. Os valores obtidos so os que seguem
abaixo:
Para I = 1,5 mA
ANTES DO CONTATO DEPOIS DO CONTATO
V 0,55 0,50
I (mA) 1,5 1,9

Para I = 50 mA
ANTES DO CONTATO DEPOIS DO CONTATO
V 3,9 4,1
I (mA) 50 45

Na primeira parte (para I = 1,5 mA ) tivemos uma diminuio da resistncia e aumento

da corrente.Isso ocorreu em decorrncia da quantidade de calor transferido da mo para o
termistor. O aumento da temperatura ocasiona mais mobilidade aos eltrons e maior
capacidade de transmisso de corrente,por conseqncia, diminuio da resistncia.
Na segunda parte (para I = 50 mA) tivemos um aumento da resistncia e diminuio da
corrente. Quando seguramos o termistor, este transferiu calor para a nossa mo. Em
decorrncia disso diminuiu a mobilidade entre os eltrons ocasionando diminuio da corrente
e aumento da resistncia.

CONCLUSO

A anlise de resistncias no lineares por efeito da temperatura foi feita, mostrando os

efeitos da temperatura sobre um resistor metlico e um semicondutor, com uso de parmetros
relevantes como a resistncia interna do ampermetro e levantamento de curvas caractersticas
nos metais condutores e semi condutores.
O incremento de temperatura no filamento da lmpada provocar um acrscimo na
resistncia de maneira proporcional.
A resistncia esttica em funo da temperatura aumenta a medida que a temperatura
aumenta, para o filamento da lmpada, e diminui a medida que a temperatura aumenta, para o
termistor.
Constatamos que o termistor possui alta sensibilidade, rigidez mecnica e volume
reduzido, porm so instveis em altas variaes. A lmpada, ao contrrio, tem boa
estabilidade, porm baixa sensibilidade. Isso nos leva a crer que as viabilidades tcnicas da
lmpada ou termistor depende muito das condies do sistema e da aplicao proposta, o que
vale salientar que o termistor tem alta aplicao nas indstrias de transformao devido
preciso requerida.