1

Transistores de Efeito de Campo (FETS)

Como no caso do TBJ, a tenso entre dois terminais do FET (field-effect transistor) controla a corrente que circula pelo
terceiro terminal. Correspondentemente o FET pode ser usado tanto como amplificador quanto como uma chave. O nome do
dispositivo origina-se de seu pricpio de operao. O controle baseado no campo eltrico estabelecido pela tenso aplicada no
terminal de controle. O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de
efeito de campo de semicondutor de xido metlico), , de longe, o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em
circuitos tanto digitais quanto analgicos.

Smbolo

Canal N (NMOS) Canal P (PMOS)

Funo Controlar a corrente eltrica que passa por ele.

ID funo de VGS

D ID

+
S
VGS
-

Construo
Porta (G)
Fonte (S) Dreno (D)
xido (SiO2)
Geralmente o terminal corpo (B)
ligado a fonte (S).
Regio de
n+ canal n+

Corpo (B)
2

Criao do canal
Considere a figura a seguir:

+ Canal n
VGS induzido
- (G)
(S) (D)

n+ n+

Regio de depleo (B)

A tenso VGS, em um primeiro momento, faz as lacunas livres da regio do substrato sob a porta serem
repelidas, deixando uma regio de depleo. A tenso positiva sob a porta atrai eltrons das regies n+ da fonte e do
dreno para a regio do canal. Quando eltrons suficientes estiverem sob a porta, o canal estar formado ligando a fonte
ao dreno. O valor mnimo de VGS para se formar o canal chamado de tenso de limiar (threshold) ou Vt.

Operao do transistor
A operao de um MOSFET pode ser dividida em trs diferentes regies, dependendo das tenses aplicadas sobre seus
terminais. Para o MOSFET canal n:

Regio de Corte: quando VGS < Vt, onde VGS a tenso entre a porta (gate) e a fonte (source). O transistor permanece
desligado, e no h conduo entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero
devido chave estar desligada, h uma fraca corrente invertida.

Regio de Triodo (ou regio linear): quando VGS > Vt e Vds < VGS - Vt onde Vds a tenso entre dreno e fonte. O
transstor ligado, e o canal que criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um
resistor, controlado pela tenso na porta. A corrente do dreno para a fonte :

1 W
[
I D = K 2(VGS Vt )VDS VDS
2
]
, onde K =
2
nCox
L

Regio de Saturao: quando VGS > Vt e Vds > VGS - Vt. O transstor fica ligado, e um canal que criado permite o
fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tenso de dreno maior do que a tenso na porta, uma parte do canal
desligado. A criao dessa regio chamada de pinch-off. A corrente de dreno agora relativamente independente da
tenso de dreno (numa primeira aproximao) e controlada somente pela tenso da porta de tal forma que:

2
I D = K (VGS Vt )

OBS: Para o transistor PMOS as equaes so idnticas, lembrando que Vt negativo e as inequaes so inversas.
3

Em circuitos digitais, os MOSFETs so usados somente em modos de corte e de triodo. O modo de saturao usado em
aplicaes de circuitos analgicos.

O transistor NMOS operando na saturao com o canal estrangulado.

ID
+ IG Canal n
VGS deformado
+
IS - (G)
VDS
(S) -
(D)

+
n+ Pinch off n
ID = IS

IG = 0
p

Regio de depleo (B)

O terminal da porta (G), por ser eletricamente isolado atravs do oxido, possui corrente nula.

A corrente do dreno igual a corrente da fonte.

Curvas Caractersticas
Caracterstica ID VDS parametrizada por VGS

ID
Regio de triodo

VGS = Vt + 5
20mA

18mA
Regio de saturao
16mA
VGS = Vt + 4

14mA

12mA
VGS = Vt + 3
10mA

VDS = VGS - Vt Regio de corte (VGS Vt)

8mA
VGS = Vt + 2
4mA

2mA
VGS = Vt + 1

2V 4V 6V 8V 10V VDS
4

Observao:

O grfico da caracterstica ID VDS mostra que a corrente do dreno possui uma leve dependncia
linear com VDS na regio de saturao. Essa dependncia pode ser considerada analiticamente pela
incorporao do fator (1+VDS) na equao de ID, onde = 1/VA, como se segue:

2
I D = K (VGS Vt ) (1 + VDS )

Onde um parmetro do MOSFET. VA uma tenso positiva semelhante a tenso Early

do TBJ, como mostra seguinte figura:

Caracterstica ID VGS

ID (mA)

4
3

2
Vt

1 2 3 4 5 6 7 8 9 VGS (V)
5

Polarizao

O termo polarizao significa a aplicao de tenses DC em um circuito para estabelecer valores fixos de
corrente e tenso. O Ponto de polarizao (ponto quiescente) deve ser localizado na regio ativa e dentro dos
valores mximos permitido.

Equaes importantes no projeto do circuito de polarizao.

I D = K (VGS Vt )
2
I D= I S IG = 0

Para a polarizao do MOSFET em uma sua regio de saturao, as seguintes condies devem ser
satisfeitas:

VGS > Vt VDS > VGS Vt

OBS: A equao da corrente de dreno pode fornecer dois valores de VGS. Desses valores, apenas um
atender as condies para a polarizao da regio de saturao, o outro valor no tem significado
fsico. Se os dois valores de VGS no atenderem as condies, significa que o transistor no est em sua
regio de saturao.

Circuitos de Polarizao

Exemplo 1:
5V

Projete o circuito de modo que o transistor opere com ID = 0,4 mA e

VD = +1V. O transistor NMOS tem Vt = 2V e K = 0,4 mA/V2.
RD Suponha que = 0.
ID
VD

IG
VDS

VGS

RS

-5V
6

Temos que:

VD = 5 RD I D

1 = 5 RD 0,4 103

RD = 10k

o que significa operao na regio de saturao, portanto:

2
I D = K (VGS Vt )

2
0,4 = 0,4(VGS 2)

Essa equao do segundo grau produz dois valores de VGS, 1V e 3V. O primeiro valor no tem significado fsico, pois
ele menor que Vt. Portanto VGS = 3V. Desse modo temos que:

VS VSS
RS =
ID

3 ( 5)
= = 5k
0,4 10 3

Exemplo 2:

VDD = +10V
Determine todas as tenses dos ns e as
correntes nas malhas. Suponha Vt = 1V e
6K K = 0,5 mA/V2. Suponha = 0.
100K IG1 C2

V0
C1 IG
VDS
Vi
VGS
IG2
ID
100K 6K

Para anlise DC, XC1 = XC2

Como a corrente na porta nula, podemos fazer o divisor de tenso RG1 e RG2:

100
VG = 10 = 5V
100 + 100

10
I G1 = I G 2 = = 0,05mA
100 + 100
7

Com essa tenso positiva na porta, o transistor NMOS est em conduo. Mas no podemos determinar se ele opera na
regio de triodo ou saturao. Podemos supor uma operao na regio de saturao e verificar a validade da suposio.

A tenso na fonte :

VGS = 5 6 I D

Portanto, ID dado por:

2
I D = K (VGS Vt )

2
I D = 0,5 10 3 (5 6 I D 1)

18 I D2 25 I D + 8 = 0

A equao de segundo grau produz dois valores para ID: 0,89 mA e 0,5 mA. O primeiro valor no tem significado
fsico pois produz uma tenso de fonte maior que a tenso de porta. Portanto:

I D = 0,5mA

VS = 0,5 6 = 3V

VGS = 5 3 = 2V

VD = 10 6 0,5 = 7V

Como VDS > VGS Vt, o transistor est realmente operando na saturao.

Exemplo 3:
VDD = +5V

RG1 IG1 C2

V0
C1 IG VG
VD
Vi
Projete o circuito de modo que o transistor
IG2
ID opere na saturao com ID = 0,5 mA e VD = 3V.
RG2 RD Suponha o transistor PMOS tendo Vt = -1V e K =
0,5 mA/V2. Suponha = 0.

Para anlise DC, XC1 = XC2

Podemos escrever:

2
I D = K (VGS Vt )

2
0,5 = 0,5[VGS ( 1)]
8

Como VGS deve ser negativo (VGS < Vt), a nica soluo que faz sentido fsico VGS = -2V. Como a tenso na fonte
5V, a tenso na porta deve ser 3V. Dessa forma, temos o divisor de tenso:

RG 2
3=5
RG 2 + RG1

3RG1 = 2 RG 2

Uma possvel soluo seria RG1 = 2 M e RG 2 = 3M .

O valor de RD pode ser encontrado por:

VD 3
RD = = = 6k
I D 0,5

A operao no modo de saturao ser mantida at o ponto em que VD exceder VG por |Vt|, que :

VD max = 3 + 1 = 4V

A mxima resistncia ser dada por:

4
RD= = 8k
0,5

Exemplo 4:

Projete o circuito para obter uma corrente ID = 80 A. Suponha o

transistor NMOS tendo Vt = 0,6V e K = 0,5 mA/V2. Suponha = 0.

Como VDG = 0, VD = VG o transistor est operando na saturao, dessa forma:

2
I D = K (VGS Vt )

ID
VGS = Vt +
K

0,08
VGS = 0,6 + = 1V
0,5

A tenso de dreno ser:

VD = VG = 1V

O valor de R ser:

VDD VD 3 1
R= = = 25k
ID 0,08
9

Exerccio:

Projete o circuito para polarizar o transistor com corrente de

dreno ID = 2 mA e VDS grande o suficiente para permitir uma
excurso mxima do sinal de 2 V no dreno. Suponha que o
transistor NMOS tenha Vt = 1,2 V e K = 1,6 mA/V2. Use 22
M como o maior resistor da malha de realimentao.
10

MOSFET - Modelo AC

Assim como o TBJ, o MOSFET tambm pode ser representado por um modelo para descrever, de maneira
simplificada, sua operao AC.

D D

G Elementos
de circuito
G
S
S

Modelo -hbrido

Modelo para altas freqncias

D

CGD
D
G
ID
+
vGS CGS gm vGS r0
-

S
S
11

Modelo para baixas freqncias (simplificado)

D
G
ID
+
vGS gm vGS = vGS/re r0
-

S
S

I D 2I D
gm = = 2 K (VGS Vt ) = 2 KI D =
VGS VGS Vt

1 VA 1
re = ro = VA =
gm ID

 Nova apresentao do modelo -hbrido (simplificado)

D
D G
ID
+
G
vGS vGS/re
r0

S -

S
S

iD D

GB iD
vGS/re D
G
vGS r0
r0
re

re
S S
iS
S
12

Modelo de pequenos sinais:

G
r0

re

 Anlise para pequenos sinais de circuitos com um transistor

Exemplo 5:
VCC

RD ID

vo
RG C2
IG=0

vi C1

Na Banda de interesse, XC1 e XC2 esto em curto e para anlise incremental (AC) toda fonte de tenso
constante est em curto com o terminal comum.
13

ix
vo

iG iD
RG Zo
iD2
ii ro RD
i=0
vi
Zi iD1
re

Parmetros importantes do circuitos

 Impedncia de entrada (Zi)

 Impedncia de sada (Z0)
 Ganho de tenso (Av)
 Ganho de corrente (Ai)

Determinao dos parmetros.

Impedncia de entrada (Zi)

Por inspeo da figura acima, temos:

v v v v
ii = i o = i 1 o
RG RG vi

onde vo /vi o ganho de tenso Av, dessa forma:

vi
ii = (1 Av )
RG

Portanto:

vi R
Zi = G
ii 1 Av
14

Impedncia de sada (Z0)

Novamente, por inspeo da figura acima, a impedncia de sada do circuito igual :

Z o = RG // RD // ro

 Note que para determinao de Z0 as tenses independentes, no caso somente vi, so colocadas em
curto com o terra.
 A corrente ix mostrada para evidenciar que esta seria a corrente que uma fonte de tenso (v0)
conectada a sada forneceria ao circuito com uma impedncia de sada Z0.

Ganho de tenso (Av)

Da figura temos:

vo vi vo vo vi
iD = iD1 + iD 2 + iG = + +
RD re ro RG

1 1 1 1 1
vo + + = vi
RD ro RG RG re

vo 1 1
= RG // ro // RD
vi RG re

vo 1 1
Av = = Z o
vi RG re

Ganho de corrente (Ai)

Definindo a corrente de sada como a corrente iD, temos:

vi v
ii = , io = iD = o
Zi RD

Dividindo as duas equaes temos:

io v Z
= o i
ii RD vi

io Z
Ai = = Av i
ii RD
15

Exerccio:

+15V
Determine (a) Zo, (b) Av, (c) Zi e Ai. Suponha que o
transistor NMOS tenha Vt = 1,5 V, K = 0,125 mA/V2
e VA = 50 V. Na Banda de interesse, XC1 e XC2 esto
10K ID
em curto.

vo
10M C2

vi C1

Primeiramente devemos avaliar o ponto de operao cc do circuito como segue:

2
I D = K (VGS Vt )

2
I D = 0,125(VGS 1,5)

Como a corrente em RG nula temos que VGS = VD. Assim temos:

2
I D 0,125(VD 1,5) (1)

Alm disso,

VD = 15 10 I D (2)

Resolvendo as equaes (1) e (2) juntas, obtemos:

I D = 1,06mA

VD = 4,4V

(A outra soluo da equao quadrtica no fisicamente aceitvel.)

Assim temos:

VA 50
ro = = = 47 k
I D 1,06

1 1
re = = = 1,379k
2 K (VGS Vt ) 2 0,125(4,4 1,5)
16

Modelo AC:

ix
vo

iG iD
10M Zo
iD2
ii 10k
47k
i=0
vi
Zi iD1

1,379k

(a) Determinar Zo:

Z o = RG // RD // ro

Z o = 8,24k
(b) Determinar Av:

vo 1 1
Av = = Z o
vi RG re

Av = 5,97V V
(c) Determinar Zi:
vi R
Zi = G
ii 1 Av

10 106
Zi = = 1,34 M
1 ( 5,97 )
(d) Determinar Ai:
io Z
Ai = = Av i
ii RD

1,34 106
Ai = 5,97 = 800 A A
10 103