Electrnica de

potencia
Transistor IGBT
 QUE ES UN IGBT?

El IGBT es un transistor bipolar de compuerta aislada

que comparte las caractersticas de los BJT y
MOSFET

ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA (MOSFET)

ALTA CAPACIDAD DE MANEJAR CORRIENTE (BJT)
FACIL MANEJO CONTROLABLE POR VOLTAJE(MOSFET)
SIN PROBLEMAS DE SEGUNDA AVALANCHA(BJT)
BAJAS PERDIDAS DE CONDUCCION EN ESTADO ACTIVO(BJT)
 SIMBOLO

COMO MOSFET COMO BJT

CURVA CARACTERISTICA
 TIPOS DE IGBT
PT NPT FIELD STOP

Corriente de cola corta.

Corriente de cola larga pero
Corriente de cola corta. de baja amplitud. Coeficiente de temperatura

Ms sensible a la temperatura, positivo

Coeficiente de temperatura
debido a mayor nmero de positivo.
portadores minoritarios.
Coeficiente de temperatura
negativo.
TIEMPOS DE CONMUTACIN
PERDIDAS DE CONDUCCION

IGBT tiene una mayor prdida de conmutacin

debido a la corriente de cola en el apagado.
Efecto LATCH-UP
 SOA
SAFE OPERATION AREA
 RANGO DE TRABAJO

Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V

El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V
En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la
frec.,etc.
 APLICACIONES
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
Bajo ciclo de trabajo
Baja frecuencia (< 20 kHz)
Aplicaciones de alta tensin (>1000 V)
Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT

Control de motores
Sistemas de alimentacin
ininterrumpida
Sistemas de soldadura
Iluminacin de baja frecuencia (<100
kHz) y alta potencia
 PROBLEMAS PARA OPERACIN EN PARALELO
DE LOS IGBT

Debido a que tienen un coeficiente de temperatura

negativo el dispositivo al aumentar la temperatura
tenemos menor prdida de tencin lo que conlleva
una mayor corriente provocando un alto
calentamiento.
Empaquetados del IGBT
Mdulos de potencia
TO 220

MTP
TO 247
HOJAS DE DATOS
GRACIAS POR SU ATENCION!!!