Capitulo 4

Imperfecciones en los arreglos atmicos y inicos

 Defectos puntuales
Son interrupciones en arreglos atmicos o inicos.

Impurezas: elementos o compuestos presentes en

las materias primas o en el procesamiento.

Dopantes: elementos o compuestos agregados

deliberadamente en concentraciones conocidas
y lugares especficos de la microestructura para
modificar las propiedades (Ejemplo: P y B son
dopantes en el Si).
Defectos puntuales
 Vacancia
Falta de tomo o ion en su sitio normal.
Esto aumenta el desorden normal o la entropa del
material.
Se introducen en metales durante la solidificacin.

Promueven la difusin de material (rapidez con que

se pueden mover los tomos o los iones).
Efecto de temperatura
sobre vacancias
La concentracin de vacancias aumenta de forma
exponencial con la temperatura.

nv=n exp(-Qv/ RT)

nv cantidad de vacancias por cm3

N cantidad de tomos por cm3
Qv energa necesaria para producir un mol de
vacancias, en cal/mol o en joules/mol
R constante de los gases: 1.987 cal/mol-K u 8.31 joules/
mol-K
T temperatura, en grados Kelvin
Efecto de temperatura
sobre vacancias
 Defecto intersticial
Se inserta un tomo o ion adicional en la estructura
cristalina en una posicin normalmente
desocupada.

Los tomos o iones intersticiales son de menor

tamao que los tomos que ocupan los puntos de
red. Sin embargo, son mayores que el espacio que
ocuparan por lo que distorsionan el cristal y la
regin cristalina se comprime a su alrededor.

Ejemplos: Hidrogeno como impureza. Carbono en

hierro para producir acero.
Interstitial in FCC
Crystals
 What interstitial site do we expect carbon to favor in FCC Fe?

Interstitial Carbon in FCC Iron

 Interstitial Carbon in BCC Iron
Which site would interstitial carbon prefer in BCC iron?
 Defecto sustitucional
Un tomo o ion es sustituido con un tipo distinto en los
puntos de red normales.
Pueden ser de mayor o menor tamao que los tomos
normales.
Una vez introducidos, su concentracin es
independiente de la temperatura.

Ejemplo: dopantes P y B en el Si.

Si = +4, P=+5, B=+3

P en lugar de Si, se enlaza con 4 tomos de Si, pero queda
un electrn libre.
 Defecto sustitucional
Ejemplo: dopantes P y B en el Si.

Si = +4, P=+5, B=+3

P en lugar de Si, se enlaza con 4 tomos de Si, pero
queda un electrn libre.
Defectos puntuales
Un tomo del mismo tipo del de los puntos normales se
encuentra en un punto intersticial. Comunes en cristales
con bajo factor de empaquetamiento.

Defecto Schottky: vacancias al faltar un numero

estequiometrico de aniones y cationes. Exclusivo
materiales inico. Comn en cermicos.

Defecto Frenkel: par vacancia-intersticial. Ion brinca de

punto normal a punto intersticial dejando una
vacancia. Presente en materiales inicos, metlicos y
covalentes.
Defecto SchoCky vs
Defecto Frenkel
Reglas para defectos
puntuales en materiales inicos.
a) Mantener equilibrio de cargas
b) Mantener balance de masa
c) Conservar cantidad de sitios cristalogrficos

Ejemplo:
Defecto sustitucional en oxido de Niquel (NiO), al
faltar un ion oxigeno, la vacancia en su lugar posee
carga elctrica +2.
Por lo que, un ion nquel debe crearse que
corresponde a carga elctrica -2.
Defecto SchoCky
Notacin Kroger-Vink

Las vacancias denotan con la letra V seguida del el

elemento.
El defecto sustitucional se denota por el elemento que
sustituye al elemento de la matriz, cuyo subndice indica el
elemento de la matriz sustituido (anfitrin).

Se indica un punto (.) o una apostrofe () como

superndice al elemento:
(.) carga elctrica positiva
() carga elctrica negativa
(x) sin carga neutra
Defecto SchoCky
Notacin Kroger-Vink

Ejemplos:
NiO
MgOMgxNi+OxO
Al2O3
Cero2VAl +3V..O
ZrO2
CaOCaZr+OXO+V..O
Ca+2, O-2, Zr+4
Dislocaciones
Son defectos/imperfecciones lineales en un cristal.
Se generan durante solidificacin o cuando se
deforma permanentemente.

tiles para describir deformacin y endurecimiento

de metales
Dislocacin de tornillo

Cortando y torciendo el cristal una distancia atmica (Vector de Burgers)

Vector de Burgers paralelo a lnea de dislocacin.
Dislocacin de borde o arista

Insercin parcial de un plano adicional de tomos.

Vector de Burgers perpendicular a lnea de dislocacin
 Dislocaciones mixtas
Componentes de borde
y de tornillo.
El Vector de Burgers
queda igual

Dislocaciones y defectos
Deslizamiento
Al aplicar una fuerza cortante en direccin del vector
de Burgers, la dislocacin se mueve y los enlaces
atmicos se rompen, provocando deformacin
plstica.
La lnea de dislocacin se desplaza a velocidades
cercanas a la del sonido.

De borde De tornillo
Deslizamiento
Deslizamiento
Una dislocacin se mueve desde un conjunto de
entornos hasta otro conjunto idntico de entornos.

Para moverla se requiere el esfuerzo cortante Peierls-

Nabarro ().
=c exp(-kd/b)
d es la distancia interplanar
b es la magnitud de vector de Burgers
C y k son constantes del material
Factores que promueven
Deslizamiento
1. Vector de Burgers y esfuerzo. Esfuerzo necesario
aumenta exponencialmente con la longitud de vector
Burgers.
2. Esfuerzo necesario disminuye exponencialmente con la
distancia interplanar, o entre planos de tomos que son
lisos (gran densidad planar).
3. Dislocaciones no se mueven con facilidad en
materiales como Si o polmero con enlaces covalentes,
debido a direccionalidad.
4. Materiales inicos, como cermicos (MgO), son
resistentes al deslizamiento. El movimiento de
dislocacin interrumpe balance de cargas.
 Deslizamiento
Planos de deslizamiento
 Distancia interplanar de Cap.3
Distancia entre dos planos paralelos con indices de
Miller de la misma familia para estructuras cubicas
se calcula:
d hkl= a0
2 2 2
h k l
+ +
 Deslizamiento
Ejemplo 4-7
Determinar la longitud del vector de Burgers en una
cristal de MgO que posee estructura cristalina de
NaCl y a0=0.396
Vista de planos (110) de estructura NaCl
 Ejemplo 4-7
d 110= 0.396
2 2 2 =0.280nm
1 1 0
+ +

Por lo tanto, el
vector de Burgers
posee magnitud
de 0.28 nm con
direccin <110>
 Observacin de dislocaciones
Atacar superficie del material con acido o base. Las
reas de dislocaciones que llegan a la superficie
reaccionan con mayor rapidez.
TEM imagen
Mostrando guras de corrosion
 Importancia de las dislocaciones
til para comprender propiedades mecnicas de los
materiales.
La deformacin plstica esta causada por el
movimiento de las dislocaciones, adems de otros
mecanismos.

Por otro lado, la deformacin elstica es causada por

la elongacin de los enlaces. No hay movimiento de
dislocaciones.

Materiales amorfos no contienen dislocaciones.

 Importancia de las dislocaciones
Se puede demostrar que la resistencia de los metales es de
103 a 104 veces menor que la calculada en base a energa
de enlace.

Densidad de dislocaciones metal suave: 106 cm/cm3

Densidad de dislocaciones despus de deformacin: 1012
cm/cm3

La densidad de dislocaciones provoca ductilidad en el

material.
Al obstaculizar el movimiento de las mismas provoca
endurecimiento.
 Importancia de las dislocaciones
Tambin afectas las propiedades electrnicas y
pticas de los metales.

La resistividad aumenta con la cantidad de impurezas

en el cobre.

Afecta eficiencia de lseres, diodos, celdas solares.

Conductividad del Si.

Ley de Schmid

A un cilindro hecho de
un monocristal se
aplica una fuerza F, con
ngulo lambda
respecto del plano de
deslizamiento de la
dislocacin.
Teta es el ngulo entre
la normal del plano de
deslizamiento y la
fuerza aplicada.
Ley de Schmid
Inuencia de la estructura cristalina
Ley de Schmid aplicada a las estructuras cristalinas
FCC, BCC y HCP.

Factor FCC BCC HCP (c/a>1.633)

Esfuerzo 50-100 5000-10000 50-100 (para
cortante critico planos basales)
resuelto (psi)
Cantidad de 12 48 3 (aleado o
sistemas de calentado)
deslizamiento
Deslizamiento Puede ocurrir Puede ocurrir No puede
cruzado ocurrir
Resumen de dctil Resistente Relativamente
propiedades frgil
Defectos superciales

Limites o planos que

separan al material por
regiones.

Superficie del material.

Limites de grano.
Limites de grano de
angulo pequeo.
Limite de macla.
Fallas de apilamiento.
Limites de dominio.
 Ecuacin de Hall-Petch

Relaciona el tamao de grano con la

resistencia de cedencia.
Debido a que los limites de grano obstaculizan
el deslizamiento de las dislocaciones,
afectando su limite elstico.
1/2
= y 0
+ Kd
d diametro promedio de granos
limite original del material
0

limite de cedencia resultante

y

*No es valida para materiales con granos muy grandes o ultranos
Numero de Tamao de
grano (ASTM)

La cantidad N de granos por pulgada

cuadrada se determina con una fotografa
100x de aumento. Se calcula el numero de
tamao de grano, n:

n1
N =2
Un numero N grande indica muchos granos
pequeos, que corresponde una mayor resistencia
del metal.
Ejemplo calculo de ASTM
Ejemplo 4-14

Contamos 16 granos por pulgada cuadrada.
Aumento de 250x

N=[(250/100)^2][16] =100 granos/pulg2=2n-1

Log (100)=(n-1)log(2)
2=(n-1)log(0.301)
n= 7.64

Defectos superciales
Limites de grano de ngulo pequeo
Debido a conjunto de dislocaciones.
No son ecientes en bloqueo de
deslizamiento.
Dislocaciones de borde en imagen (limite
inclinado).
Dislocaciones de tornillo (limite de giro).

Falla de apilamiento
Ocurren en estructuras con
empaquetamiento compacto.
ABC ABC ABC ideal
ABC ABABC ABC falla
Defectos superciales
Limites de macla
Desorientacin de cristal debido a
deformacin despus de aplicar
cortante.


Limites de dominio
Materiales ferro elctricos o
ferromagnticos desarrollan
polarizacin dielctrica o magntica
correspondientemente (PZT, BaTiO3).
Un dominio es la regin del material
con la misma magnetizacin o
polarizacin.
Importancia de los defectos
Propiedades mecnicas al afectar el proceso de
deslizamiento.

Endurecimiento por deformacin.

Endurecimiento por solucin solida.

Endurecimiento por tamao de grano.

Afectan las propiedades elctrica, pticas y

magnticas del material.