1.7 TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE.

Din multitudinea tranzistoarelor utiliznd tehnologia MOS (metal-oxid-semiconductor) i

efectul de cmp (FET), n electronica de putere se utilizeaz cele cu canal indus. Fa de
semiconductoarele de putere prezentate anterior tranzistorul MOSFET cu canal indus se
caracterizeaz prin dou diferene eseniale:
crearea canalului de conducie prin cmp electric, deci printr-o comand n tensiune de putere
redus;
asigurarea conduciei n canal prin purttori de tip minoritar.
Exemplificarea acestor diferene este prezentat prin structura simplificat din fig.1.75. Structura
este format din corpul p, cu o dopare de 1017/cm3, n care se realizeaz dou incluziuni n1+ i n2+,
nalt dopate, 1019/cm3, numite dren (D) i surs (S).Al treilea electrod, poarta G, este conectat la
corpul p printr-un strat izolant de oxid de
siliciu (SiO2). Dac se polarizeaz pozitiv
SiO2 poarta G n raport cu sursa S, n corpul p
se creeaz un cmp electric pozitiv, care
va atrage n zona porii purttori
minoritari din p, electronii. Densitatea de
purttori atrai va depinde evident de
intensitatea cmpului electric creat.
Sarcina realizat n acest mod formeaz
Fig.1.75 Principiu de realizare a unui MOSFET cu canal aa numitul canal n indus. Dac, n
indus n. continuare, se polarizeaz pozitiv drenul
D n raport cu sursa S, electronii din
stratul n2 vor fi mpini din stratul n2 i atrai de stratul n1+, formnd un curent electric, care se
+ +

nchide prin canalul realizat n corp. Densitatea electronilor din canalul indus, fiind controlat de
intensitatea cmpului electric produs de poart, determin conductivitatea canalului, deci
intensitatea curentului electric care se nchide, n sens tehnic, de la dren la surs. Avnd n vedere
cele prezentate mai sus rezult deosebirile funcionale:
cdere mai mare de tensiune dren-surs, ca urmare a densitii reduse a purttorilor de sarcin
din canal;
un timp de ieire din conducie, tOFF , redus;
comanda pe poart n tensiune.

1.7.1 STRUCTUR. POLARIZARE

O structur real a unui MOSFET de putere cu canal indus n este prezentat n fig. 1.76.
Fa de structura de principiu din fig.1.75, apar unele diferene:
prezena stratului srac, n-, cu o dopare de 1014 1015/cm3;
realizarea ntreesut a ansamblului corp-surs, respectiv poart-surs, n scopul asigurrii
unei ct mai bune ptrunderi a cmpului electric n corp;
realizarea de structuri de felul celei din fig.1.76, cu seciune transversal redus i conectarea,
n acelai cip i pentru cureni mari, a mai multor asemenea structuri n paralel, prin
intermediul metalizrilor.
Structura de tip cu canal indus p, care se realizeaz mai rar, are aceeai construcie,
fiind inversate doar tipurile straturilor, structura ntre dren i surs fiind p1+ p-, n, p2+ .
 ELECTRONICA DE PUTERE 47
Structura complicat a tranzistorului
MOSFET de putere introduce o serie de efecte
parazite. Cele mai notabile sunt capacitile
parazite din jonciuni, fig.1.76 :
capacitatea dren-surs, CDS;
capacitatea poart-surs, CGS;
capacitatea poart-dren CGD .
De asemenea ansamblu n- p n2+
formeaz un tranzistor bipolar pnp parazit, iar pn-
o diod parazit, care au influene n regimurile
de funcionare ale tranzistorului. n fig.1.77 sunt
prezentate simbolurile uzuale pentru tranzistor cu
canal n i cu canal p.
Fig.1.76 Structura unui MOSFET cu canal n indus.
Polarizarea direct a tranzistorului
nseamn, pentru tranzistorul cu canal n,
polaritatea plus pe dren. Jonciunea polarizat
invers este J1, n- p, tensiunea depinznd de grosimea stratului n-. Se realizeaz n mod obinuit
tranzistoare cu tensiuni pn la 1000V. Polarizarea invers, minus pe dren, va fi susinut de
jonciunea J2 , n2+ p, fiind de ordinul a 10 20V. Concluzia const n aceea c tranzistorul
MOSFET poate lucra numai cu alimentare n c.c. i polarizare direct. Tranzistoarele cu canal p
au o funcionare identic, polarizrile fiind de sens opus n raport cu cele de la tranzistorul cu
canal n.

1.7.2 CARACTERISTICA STATIC.

Se consider tranzistorul cu canal n indus din fig. 1.78. Caracteristicile statice, fig.1.79,
se analizeaz mpreun cu caracteristica de transfer, fig. 1.80.La nivelul caracteristicii de transfer
se constat c pentru
VGS < VGSP (1.100)

Fig.1.78 Schema de Fig.1.79 Caracteristica Fig.1.80 Caracteristica

funcionare. static. de transfer.

unde VGSP se numete tensiune de prag, curentul de dren, iD , este nul. Peste aceast valoare iD este
practic proporional cu tensiunea poart-surs. n fig.1.80 caracteristica real este prezentat cu
linie ntrerupt (2), iar cea idealizat cu linie plin (1). Tensiunea VGSP este de ordinul volilor.
Familia de caracteristici statice este concretizat prin mai multe zone:
48 ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE
Dreapta VBDDS, limitnd tensiunea maxim admis n sens direct. Depirea acestei tensiuni
produce creterea curentului iD i distrugerea, prin multiplicarea n avalan a purttorilor de
sarcin, a jonciunii dren-corp. Fenomenul este asemntor primei strpungeri de la
tranzistorul bipolar.
Zona activ, caracterizat prin cureni de dren constani i tensiuni dren-surs variabile.
Curentul de dren este puternic dependent de tensiunea poart-surs. n fig.1.79 tensiunile
poart-surs sunt n raportul
VGS 4 > VGS 3 > VGS 2 > VGS 1 > VGSP (1.101)
De asemenea n aceast zon sunt valabile relaiile pentru tensiunea dren-surs
vDS > vGS VGSP , (1.102)
iar pentru curentul de dren
iD = k [VGS VGSP ] ,
2
(1.103)
unde k este o constant a tranzistorului.
Zona ohmic, caracterizat prin tensiuni dren-surs mici, unde exist relaia
vDS < vGS VGSP . (1.104)
n aceast zon curentul de dren este dat de
iD = k vDS
2
. (1.105)
Separaia dintre cele dou zone, dreapta 1, este caracterizat prin
vDS = vGS VGSP . (1.106)
Din punct de vedere al electronicii de putere, unde tranzistorul este utilizat n regim de
comutaie, starea de blocare se obine prin
vGS = 0 , (1.107)
iar cea de conducie prin puncte de funcionare unde vDS este minim, iar iD maxim. Acest
compromis se poate obine pe curba 1, de separaie ntre cele dou zone, activ i ohmic.
Tensiunile vDS, realizabile n condiiile de mai sus, sunt sensibil mai mari ca la tranzistorul
bipolar, lund valori ntre 1,5 3V. Zona ohmic nu trebuie confundat cu zona de saturaie de
la tranzistorul bipolar, fenomenul saturaiei neexistnd la tranzistorul MOSFET.

1.7.3 CARACTERISTICI DINAMICE.

Pentru analiza caracteristicilor dinamice se consider tranzistorul introdus n schema din

fig.1.81, unde sarcina, de tip R+L, este asimilat unui generator de curent constant. Alimentarea
circuitului de poart se face prin aa numitul driver de poart, DG. n figur s-au figurat
capacitile parazite CGD i CGS, care joac un rol important n realizarea comutaiei tranzistorului.
Se presupune c driverul de poart DG poate furniza un semnal treapt, EG, fig.1.82.
Acest semnal nu este identic cu tensiunea vGS ca urmare a prezenei condensatoarelor parazite CGD
i CGS , care ncep un proces de ncrcare. n acest fel, dei s-a aplicat la intrare un semnal treapt,
tensiunea vGS are o cretere exponenial cu o constant de timp determinat de rezistena RG din
circuitul de poart i cele dou condensatoare parazite. Primul interval din procesul de intrare n
conducie, fig.1.82, se numete timp de ntrziere, td , fiind generat de faptul c
 ELECTRONICA DE PUTERE 49
vGS < VGSP , (1.108)
interval n care
iD = 0 (1.109)
i
vDS = Vd . (1.110)
Dup td, tensiunea poart-surs devine mai mare ca VGSP i curentul de dren ncepe s
creasc cu un gradient did/dt determinat de sarcina R, L. Intervalul de timp n care curentul crete
la valoarea de regim staionar I0 se numete timp de cretere a curentului tri. Pe intervalul
t fv1 ncepe scderea tensiunii-dren surs, ca urmare a faptului c tranzistorul se gsete n zona
activ.
Micorarea tensiunii vDS este mai
accentuat ca urmare a deschiderii, pentru timp
scurt la sfritul intervalului tri, a diodei de
regim liber n. Mai mult, urmeaz blocarea
conduciei acestei diode, evideniat prin
curentul IRRM, care se suprapune peste curentul
de dren.
Pe urmtorul interval, t fv 2 , tensiunea
dren-surs scade mai lent ca urmare a trecerii
tranzistorului n zona ohmic, n final
atingndu-se valoarea de regim staionar VDSON.
Pe intervalele t fv1 + t fv 2 , practic ncrcarea Fig. 1.81 Circuit pentru analiza regimurilor
dinamice.
condensatoarelor nceteaz ca urmare a
modificrii capacitii CGD ,variabil in raport
de tensiunea VDS .La sfritul intervalului t fv 2 rencepe ncrcarea condensatoarelor parazite, pn
la atingerea strii finale.
Timpul de intrare n conducie este dat de
t ON = t d + t ri + t fv1 + t fv2 (1.111)

avnd valori de ordinul zecilor de nanosecunde,

cel mult sute de nanosecunde, permind
funcionarea acestuia la frecvene de ordinul
sutelor de kHz.
n privina pierderilor de putere acestea
sunt importante pe intervalul de comutaie
propriu-zis,
tC = tri + t fv1 + t fv 2 , (1.112)

ca urmare a frecvenei mari de lucru, i provoac

un regim termic important. Ca urmare n cadrul
regimului termic al tranzistorului acestea se iau n Fig.1.82 Intrarea n conducie.
calcul, furnizorii oferind energia de pierderi
pentru o comutaie, EJC , puterea calculndu-se cu
PC = EJC f , (1.113)
50 ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE
unde f este frecvena de comutaie.

1.7.4 IEIREA DIN CONDUCIE.

Pentru a se obine blocarea conduciei trebuie ca tensiunea poart-surs s fie

vGS < VGSP , (1.114)

o valoarea normal fiind

vGS = 0 , (1.115)

care se poate realiza prin descrcarea condensatoarelor parazite CGD i CGS . Procesul de ieire

Fig.1.83 Ieirea din conducie.

din conducie este unul invers celui de intrare n conducie fiind prezentat n fig.1.83.
Timpul de ieire din conducie tOFF este de acelai ordin de mrime ca ton. Supratensiuni
pot apare, ca urmare a sarcinii inductive, la modificarea gradientului de curent la nceputul
intervalului tfi, n acelai mod ca la BJT.

1.7.5 CIRCUITE DE COMAND PE POART.

Circuitele de comand pe poart trebuie s realizeze urmtoarele condiii:

asigurarea unei tensiuni vGS > VGSP pentru intrarea n conducie;
anularea tensiunii vGS pentru ieirea din conducie;
separarea galvanic ntre circuitul de comand i cel de putere.
n fig.1.84 este prezentat un circuit tipic de comand pe poart. Comanda este produs de
generatorul G, care furnizeaz la ieire un semnal logic. Prin optocuplorul T3 se realizeaz
separarea galvanic. La semnal logic 1 n colectorul lui T3, tranzistorul MOSFET T1 este n
conducie, asigurnd prin RG comanda de intrare n conducie a lui TP. Prin inversorul U tiristorul
T2 este blocat, avnd pe poart semnal nul. La inversarea comenzii, T1 se va bloca, iar T2 intr n
conducie asigurnd descrcarea condensatoarelor parazite. Uneori, pentru micorarea lui tOFF, se
practic polarizarea negativ a tranzistorului T2, pentru a mri curentul de descrcare. La fel ca la
tranzistoarele bipolare se fabric drivere integrate de poart care cuprind i funcii suplimentare ca
protecii la supracureni, supratemperatur .a.
 ELECTRONICA DE PUTERE 51

Fig.1.84 Comanda pe poart.

1.7.6 FUNCIONAREA N CONDUCIE.

Dimensionarea tranzistoarelor MOSFET se face n tensiune i curent, n acelai mod ca

la celelalte dispozitive semiconductoare de putere. Curentul nominal al tranzistorului iD se alege
n funcie de curentul solicitat de convertor , regimul de funcionare, continuu sau intermitent, i
temperatura de funcionare estimat. La fel ca la tranzistorul bipolar, esenial este ncadrarea
punctului de funcionare n aria de operare sigur, SOA, fig.1.85. Aceast arie conine trei limitri:
la tensiunea maxim n sens direct, VBDDS;
la curent maxim, n c.c., iD, iar n regim de impuls, IDM
;
la putere maxim disipat n tranzistor, curbele
nclinate.
Pentru alegerea curentului nominal se utilizeaz
caracteristicile statice, n general pentru temperatura
maxim de utilizare, urmrind ncadrarea lor n SOA.
Esenial este ns calculul regimului termic dup acelai
model ca la diode sau tiristoare, lundu-se n calcul att
puterea disipat n regim staionar ct i n comutaie,
componente furnizate de productori. n general pierderile Fig.1.85 Aria de operare sigur.
n conducie se calculeaz cu
pJ = VDSON I d , (1.116)
unde VDSON se determin din caracteristica static pe care funcioneaz tranzistorul. Avnd n
vedere c VDSON este mai mare dect la tranzistoare bipolare, pierderile de putere sunt sensibil
mai mari i cresc cu creterea temperaturii jonciunilor. De asemenea pierderile n comutaie sunt
dependente de rezistena de poart RG, productorii indicnd rezistene standard de utilizat.

1.7.7 CIRCUITE DE PROTECIE.

Pentru tranzistoare MOSFET sunt necesare mai multe circuite de protecie. O prim
protecie se refer la circuitul poart-surs. Supratensiunile poart-surs pot produce strpungerea
stratului de oxid de siliciu. n general tensiunile maxime poart-surs admise sunt pn la 25
30V. Supratensiunile pot proveni din circuitul de comand pe poart, sursa EC, acestea putnd fi
uor controlate, utiliznd o surs stabilizat. Supratensiunile mai pot proveni din circuitul dren-
surs, n special la comutri. n unele scheme de comand, aceste supratensiuni se anihileaz prin
prevederea n paralel cu tranzistoarele T1 i T2, fig.1.85, a unor diode antiparalel. La apariia pe
poart a unor supratensiuni mai mari ca EC, indiferent de polaritate, una din aceste diode se
52 ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE
deschide i limiteaz mrimea supratensiunii la valori admise. Dificulti produc i subtensiunile
din circuitul poart-surs. Micorarea accidental a tensiunii poart-surs produce micorarea
conductivitii canalului, iar ca urmare a tendinei curentului iD de a rmne constant, cresc
sensibil pierderile de putere, nrutind regimul termic. Protecia se realizeaz prin circuite
specializate de supraveghere a mrimii acestei tensiuni, incluse n driverul de poart. Protecia la
supratensiuni dren-surs se realizeaz cu circuite RC asemntoare cu cele de la tiristoare, sau
circuite R,C i diode ca la tranzistoarele bipolare, calculul fcndu-se similar, fig.1.86.Rezistena
R a circuitului are n vedere limitarea curentului de descrcare a condensatorului. In fig.1.86a
descrcarea condensatorului C se face prin tranzistor, astfel nct limitarea curentului este strict
necesar. Pentru circuitul din fig.1.86b, prezena diodei n mpiedic descrcarea condensatorului
prin tranzistor.
Protecia la supracureni folosete proprietatea tranzistorului de a se bloca, ntr-un timp
scurt, prin comanda pe poart.
Se utilizeaz n principal dou soluii. Prima soluie are n vedere msurarea curentului

Fig.1.86 Circuite de protecie Fig.1.87 MOSFET cu senzor

la supratensiuni. de curent.
de dren, printr-un senzor adecvat, compararea acesteia cu o referin i elaborarea comenzii de
blocare a conduciei. A doua soluie, de dat mai recent, se bazeaz pe tranzistoarele MOSFET
cu senzor de curent inclus, fig.1.87.Cteva din celule constitutive ale MOSFET-ului sunt
conectate la doi electrozi speciali, suplimentari fa de cei clasici, K-electrod Kelvin i CS-surs
de curent. Tensiunea culeas la ieire furnizeaz informaii n timp real despre valoarea
supracurentului. Mai departe semnalul este prelucrat la fel ca n cazul anterior. Acest ultim tip de
protecie are cteva caracteristici foarte avantajoase:
exclude senzorul de curent exterior i constantele de timp aferente;
asigur o protecie distribuit i individual, pentru fiecare tranzistor al convertorului.

1.7.8 TRANZISTOARE IN PARALEL.

ntruct tranzistoarele MOSFET se fabric pentru cureni relativ mici, 100 200A, n
cazul convertoarelor de putere mare este necesar conectarea acestora n paralel, dup schema din
fig.8.16.Problema principal const n egalizarea curenilor dup
I0
iD1 = iD2 = . (1.117)
2
ntre caracteristicile de transfer ale celor dou tranzistoare pot s apar diferene care s
conduc la o ncrcare inegal, ca n fig.1.89. Tranzistorul T1, mai ncrcat ,se va nclzi mai mult
dect T2. Caracteristica de transfer, cu creterea temperaturii se modific n poziia 1, conducnd
la un curent
 ELECTRONICA DE PUTERE 53

Fig.1.88 Tranzistoare n paralel. Fig.1.89 ncrcarea tranzistoarelor n

paralel.

i D' 1 < i D1 , (1.118)

realizndu-se n fapt o reacie negativ avnd ca sens echilibrarea curenilor. Ca urmare nu se iau
msuri speciale de echilibrare. Datorit vitezei mari de comutaie pot s apar oscilaii de curent,
ca urmare a unor oscilaii ntre comenzile celor dou tranzistoare. Evitarea acestor oscilaii se
realizeaz prin decuplarea comenzii pe poart prin rezistene separate, RG, ca n fig.1.88.

1.7.9 ALTE CONSIDERAII.

Aa cum s-a menionat mai sus tranzistorul MOSFET, ca urmare a structurii conine un
tranzistor bipolar i o diod parazite.
Tranzistorul bipolar parazit, de tip npn, este format de straturile n- p n2+, baza tranzistorului fiind
format din corpul p, iar emitorul din sursa n2+ . Factorul de amplificare n curent, , a acestui
tranzistor este suficient de mare ca urmare a configuraiei corpului. Intrarea n conducie a acestui
tranzistor, produce urmtoarele efecte:
micorarea substanial a tensiunii VBDDS, ca urmare a creterii densitii de purttori de
sarcin din stratul n- ;
la tensiuni mari poart-dren, tranzistorul parazit fiind n conducie, poate intra n saturaie,
prelund curentul dren-surs, blocarea lui nefiind posibil ntruct corpul p nu este accesibil
pentru evacuarea sarcinii stocate.
Dioda parazit este format din straturile p n-n+, avnd deci
catodul comun cu drenul. Funcional ea se comport ca o diod
antiparalel cu tranzistorul ,putnd intra n conducie atunci cnd
sarcina, ca urmare a structurii convertorului, inverseaz sensul
curentului. n felul acesta se pierde capacitatea de blocare a
MOSFET-ului, conducnd la distrugerea tranzistorului. Anularea
efectelor produse de tranzistorul bipolar parazit se realizeaz
constructiv prin meninerea bazei acestuia la potenialul sursei.
Concret acest lucru se realizeaz, fig. 1.76, prin extinderea metalizrii
sursei n zona corpului p. Anularea efectelor diodei parazite, efecte ce Fig.1.90 Anularea
efectului diodei parazite.
pot apare n unele scheme de convertoare, de exemplu n punte, se
realizeaz prin plasarea diodelor n1, respectiv n, fig. 1.90. Plasarea
numai a diodei n1 asigur o cale de nchidere a curentului de sens invers, fiind n fapt o diod de
regim liber. Soluia radical const n plasarea diodei n, care nu va permite amorsarea, n nici o
situaie, a diodei parazite.