UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA

PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

CARREGADOR DE BATERIAS SRIE RESSONANTE,

|so|_ADo, com GRAMPEAMENTD DA TENsAo sosRE o
cAPAc|ToR REssoNANTE, A|.|MENTAo TR||=s|cA E
ALTD |=AToR DE PoTNc|A E

DISSERTAO SUBMETIDA A UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA

cA'rAR|NA PARA A oBTENAo Do GRAU DE MESTRE EM
ENeENHAR|A ELTR|cA _

'

ELIAS SEBASTIO DE ANDRADE

FLORIANPOLIS, NOVEMBRO DE 1994. `

 CARREGADOR DE BATERIAS SRIE RESSONANT E, ISOLADO, COM
-

GRAMPEAMENTO DA TENSO SOBRE O CAPACITOR RESSONANTE,

'

ALIMENTAO TRIFSICA E ALTO FATOR DE POTNCIA

ELIAS SEBASTIO DE ANDRADE

EsTA DIssERTAo FOI JULGADA ADEQUADA PARA OBTENO DO

TTULO DE MESTRE EM ENGENHARIA, ESPECIALIDADE ENGENHARIA
ELETRIcA E APROVADA EM sUA FORMA EINAL PELO cURsO DE Ps-
GRADUAO.

PROEDENI UARTINS, DR
'I
~

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vv4 A`4.4
5. 44. ` Q ~

P/PROEN I ~ -

MOR sslcx, I
-

COORDENADOR DO CURSOD s-G -

= O EM .
~
AELTRICA
Pf. ..;1mO Raizer. Dr.
'

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__
.G3-Coozdenadox do Cuxso de P. G. Eng' El -
`
-.

EAA~:
, -

f _

PROP. ARNALDO Qpsiz ERIN, DR.

Ch
PROE.D IZARC Z TINS, DR.

PROF. lvo BAREI, DR. ING.

 AGRADECIMENTOS

Ao povo brasileiro que, atravs da CAPES, nanciou esta pesquisa.

Aoorientador e amigo Denizar, que sempre se mostrou pronto a esclarecer e
discutir as dvidas durante estes quase dois anos.

A todos os professores do LAMEP, Fagundes, Hari, Kassick, em especial aos

professores Ivo Barbi por sua sempre decisiva participao como co-orientador
deste trabalho; e, Arnaldo Perin por suas contribuies como membro da banca
examinadora.

V
Aos amigos e aos colegas Odilon, Jhoe, Fbio, Ivan, Ren, Nilton, Samir,
Fernando, Gilberto, Wadaed, Geraldo, Elias (o outro), Ana Rosa, Peter, Canesin,
Ferrari, Marco Valrio, Pacheco, Coelho, Salom, Adenir e Juliano, em especial ao
Pedro e Elizete pelo longo caminho que percorremos juntos.

minha famlia, pela compreenso, apoio e confiana, em especial aos meus
pais, Sebastio e Bernadete, pelo exemplo de dedicao e pela orientao para a
vida.

minha querida Izabel, sempre ao meu lado, me ajudando a seguir meu

destino.
'
'

Ao eterno mestre Shigeru Sogo, por seu exemplo de vida.

com o pensamento em Deus que agradeo por ter superado, com a ajuda de
todos, mais uma etapa desta caminhada. V

__ ,

OSS
Valorize suas limitaes e, por certo,
no se Iivrar delas. "

R. Bash
 SUMRIO

s|MBoLoG|A ix

RESUMO xiii

ABSTRACT xiv

|NTRoouAo GERAL 2

xv

cAPiTu|.o |
- ANL|sE QuAL|TAT|v Do coNvERsoR

1 .1 - Introduo 01

1.2 - Topologia e Etapas de Funcionamento 02

1.3 - Concluso
~

06

CAPTULO II - ANLISE QUANTITATIVA DO CONVERSOR

2.1 - Introduo 07
A

2.2 - Obteno do Plano de Fase do Conversor O7

2.2.1 - Plano de Fase para Vin _< 2-EOP 09

2.2.2 - Plano de Fase para Vn > 2-EGP 11

2.3 - Fator de Potncia e Taxa de Distoro Harmnica 12

2.4 - Relao entre fsmax /fo e Ganho Esttico de Tenso 16

2.5 -Caracterstica de Saida 19

2.6 - Corrente Mdia nos Diodos de Grampeamento 21

 j

2.7 - Corrente Mdia nos Transistores de Potncia

2.8 - Corrente Eficaz nos Diodos de Grampeamento

2.9 - Corrente Eficaz nos Transistores de Potncia

2.10 - Corrente de Pico nos Diodos de Grampeamento

2.11 - Corrente de Pico nos Transistores de Potncia

2.12 - Corrente Eficaz no Indutor Ressonante

2.13 - Corrente nos Diodos Reticadores de Saida

2.14 - Concluso 1

CAPTULO Ill - PROJETO E SIMULAO

3.1 - Introduo

3.2 - Metodologia de Projeto V

3.3 - Filtro de Entrada

3.4 - Filtro de Sada

3.5 - Projeto dos Elementos Magnticos

3.5.1 - O Transformador

3.5.2 - Os indutores

3.6 - Projeto Especco 6

3.6.1 - Projeto do Conversor

3.6.2 - Projeto do Filtro de Entrada

 3.6.3 - Projeto do Filtro de Sada

3.6.4 4- Projeto dos Transformadores

3.6.5 - Projeto dos Indutores

3.6.5.1 - lndutor Ressonante

3.6.5.2 - Indutores do Filtro de Entrada

3.7 - Anlise por Simulao

3.8 - Concluso

CAPTULO IV - CIRCUITOS DE COMANDO E PROTEO

4.1 - Introduo

4.2 - Comando

4.3 - Proteo Contra Sub e Sobrecargas na Bateria

4.4 Proteo Contra Sobrecorrentes nos Interruptores

4.5- Concluso

CAPTULO V - IMPLEMENTAO E RESULTADOS EXPERIMENTAIS

OBTIDOS

5.1 - Introduo

5.2 -Dimensionamento dos Semicondutores

5.2.1 - Interruptores de Potncia

5.2.2 - Diodos de Grampeamento

 5.2.3 - Retificadores de Entrada

5.2.4 - Reticadores de Saida

5.3 - Resultados Experimentais Obtidos

5.3.1 - Estrutura de Potncia Implementada

_
5.3.2 - Aquisies Relevantes

5.3.3 - Curvas Caractersticas

5.4 - Concluso

CONCLUSAO GERAL
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

ANEXOS
 SIMBOLQGIA
Ae rea da pema central do ncleo.
Aw rea da janela do ncleo.
C Capacitor. .
'

Cr Capacitor do filtro de alta freqncia. de entrada.

Co Capacitor do filtro de alta freqncia de sada.

Cr Capacitncia ressonante equivalente.

Crl -Cr6 Capacitores do circuito ressonante.

'

CT Capacitor de temporizao do CI-3524.

D Diodo reticador de entrada.

DG Diodo de grampeamento.
Do Diodo de sada.

DP Diodo reticador de sada.

Eo Tenso de sada. ~

Bop Tenso de sada referida ao lado primrio do transformador.

f Freqncia.

fc Freqncia de corte. '

fi Freqncia da rede de alimentao.

fo Freqncia de ressonncia.

fosc Freqncia de oscilao do CI-3524.

fOSCITl&X Freqncia de oscilao mxima do CI-3524.

FP V
Fator de Potncia.

Fpmin Fator de Potncia mnimo.

fs Freqncia de comutao.

fsmax Freqncia de comutao mxima.

fsmin Freqncia de comutao mnima.

Il .
Valor da corrente no indutor Lr no incio da segunda etapa.

iDG Corrente no diodo de grampeamento.

IDG Corrente parametrizada no diodo de grampeamento.

lnome Corrente mdia parametrizada para um perodo de comutao no diodo de grampeamento

1DGMED Corrente mdia parametrizada para um perodo da rede no diodo de grampeamento.

iDR Corrente no diodo reticador de sada.

Iin Corrente CA de entrada.

Iin med Corrente mdia de entrada.

il. Corrente no indutor.

ILo Corrente inicial no indutor.

Corrente no indutor ressonante.
lm Corrente de pico da rede.

IOMED Corrente de sada.

t

IOMED Correne parametrizada de sada

IP Corrente no enrolamento primrio do transformador.

Is Corrente no enrolamento secundrio do transformador.

ir Corrente no transistor de potncia. "

E Corrente parametrizada no transistor.

Tmed Corrente mdia parametrizada para um perodo de comutao no transistor

lrmso Corrente mdia parametrizada para um perodo da rede de alimentao no transistor

Jmax Mxima densidade de corrente.

L Indutor.

leme. Entreferro mecnico.

Lf Indutor do ltro de entrada.

Ld Indutncia de disperso.
Lm Indutncia magnetizante.
Lo Indutncia da cablagem de saida.
Lr Indutncia ressonante.
Lr' Indutncia ressonante efetiva.
lt Comprimento mdio de uma espira.
Nf Nmero total de os.
NP Nmero de espiras do enrolamento primrio.
Ns Nmero de espiras do enrolamento secundrio.
P Potncia eltrica.

peu perdas no cobre.

PM

Potncia dissipada em uma chave semicondutora.

Pmag Perdas no ncleo.
Pl Perdas no IGBT
Po Potncia nominal de sada.
Ptot Total de perdas no transformador.

PM, Potncia monofsica.

Q Ganho esttico de tenso.

Rc Resistncia de amortecimento do filtro de entrada.

RCA Resistncia trmica dissipador-ambiente.

RCD Resistncia trmica cpsula-dissipador.

Rdson Resistncia de conduo de um MOSFET.

Req Resistncia equivalente do conversor.

Ric Resistncia trmica juno-cpsula.

Rt Resistncia tnnica do ncleo por conveco natural.

RT Resistor de temporizao do CI-3524.

sf seo transversal do o _

SP Seo equivalente no primrio de uma espira para a densidade de corrente definida.

SS Seo equivalente no secundrio de uma espira para a densidade de corrente denida
t Tempo. -

tl Tempo de durao da primeira etapa.

T1-T6 : Transistores.

Ta Temperatura ambiente.
TDH : Taxa de Distoro Harmnica.
D Tempo de conduo correspondente segunda etapa de funcionamento.
Tjmax : Temperatura mxima de juno.
To Perodo de ressonncia.

Ts Perodo de chaveamento.
vacl -vac3 : Tenses altemadas de entrada.
Vc Tenso no capacitor.

VCHON) : Tenso coletor-emissor no IGBT conduzindo.

VCEMX : Tenso mxima nas chaves comandadas.
Vco Tenso inicial no capacitor.

VCrl Tenso no capacitor ressonante 1.

VCr2 Tenso no capacitor ressonante 2.

VD Queda de tenso no diodo.
VDs Tenso no diodo de sada.
Vin Tenso de entrada.

Vm Tenso mxima da rede de alimentao.

VmaX Tenso reversa m.xima.~
Vn Volume do ncleo.
VP Tensao de fase de pico.

VTI Tenso no transistor de potncia.

Z0 Impedncia caracterstica do circuito ressonante.
Z0' Impedncia caracterstica do circuito ressonante, supondo um determinado rendimento
al ngulo de durao da primeira etapa de funcionamento. -

A Profundidade de penetrao
AB Excurso da densidade de uxo.
AT Elevao de temperatura.
No Perrneabilidade do ar.

91 ngulo de incio de transferncia de potncia.

.

co Freqncia angular.
wo Freqncia angular de ressonncia.
 RESUMO

Este trabalho apresenta o estudo, o projeto e a implementao de um conversor srie ressonante,

isolado, com grampeamento da tenso sobre 0 capacitor ressonante, funcionando como carregador de
baterias.

O conversor possui entrada trifsica, alto fator de potncia sem a necessidade de circuitos
intennedirios. Utiliza a tcnica de comutao sob corrente nula (ZCS), o controle do uxo de
potncia entre a fonte e a carga se d atravs da variao da freqncia de comutao (FM).

A partir das etapas de operao, as principais grandezas eltricas do conversor so equacionadas

e seus comportamentos expressos em bacos com a finalidade de facilitar o projeto. Apresenta-se uma
metodologia de projeto. ^

Aps realizado o estudo, via simulao numrica, implementou-.se um prottipo de laboratrio

(55A/48V), comprovando-se a validade da pesquisa e a viabilidade industrial do conversor.
 ABSTRACTT

This work presents study, design and implementation of an isolated Series Resonant
Converter with clamped voltage on the resonant capacitor, operating as a battery charger.

The converter has three phase input voltage, high power

u

factor without need of any

intermediary uses the zero current switching technique (ZCS) and the. output power
circuits. lt
is
controlled by switching frequency modulation (FM).
T

From converter operation stages, the main

electrical parameters are mathematically
equationed and their behaviors are expressed by curves to simplify the designz The design
procedure is presented. _

After the study by nurnerical simulation, it was bilt a laboratory prototype (55A/48V). The
theoretical results were confirmed and prove that structure is suitable for industry applications.
 1NTRo1)Uo GERAL.

Com o aumento elevado do nmero de equipamentos embarcados e portteis, alm da busca de

maior autonomiapara sistemas de alimentao ininterrupta de energia, para veculos eltricos e
outras aplicaes, laboratrios e pesquisadores tm voltado suas atenes no sentido de diminuir o
volume, o peso e o custo; e, aumentar a eficincia destas estruturas. Investimentos em tecnologia
eletroqumica e carregadores de baterias fazem parte deste contexto. ~

Os trabalhos,_ apresentados em [9], [10] e [l6], propuseram tcnicas para obteno de um

carregador que apresentasse contudo, custa de complicados circuitos de comando e
alta ecineia,

controle sincronizados rede de alimentao. Utilizando a correo ativa do fator de potncia

apresentado rede pela estrutura, utilizando um circuito "BOOST" como estgio de entrada.
trabalhos [-1 l], [12] e '[19] obtiveram xito, porm,
novamente apresentando dificuldades nvel de
implementao,_relativas maior complexidade e circuitos de comando muito elaborados.

Em busca de um conversor robusto e simples, passou-se a pesquisar conversores com alto fator
de potncia em um nico estgio de processamento 'de energia. Em 1993, realizou-se o estudo e a
implementao [5] com sucesso de um conversor srie ressonante com grarnpeamento da tenso do
capacitor ressonante, empregado como carregador de baterias, o qual no necessitava de estgios
intermedirios, nem de capacitor de ltro no estgio reticador de entrada. Paralelamente, uma
verso trifsica [6] foi implementada com a fmalidade de testar o princpio aplicado, atravs da

construo de um prottipo de 600 Watts. _

_
Segundo [5], o conversor opera no modo de conduo descontnua com correntes de pico
elevadas, proporcionando uma grande ondulao de corrente na sada. A proposta de entrada
trifsica se justifica por dois motivos, diminuio dos esforos e suas conseqncias em todo o
conversor para a mesma potncia e, principalmente, diminuio da ondulao da corrente na bateria,
proporcionada pela somatria das correntes instantneas defasadas de l20 na sada.

A utilizao de uma estrutura ressonante propicia certas caractersticas favorveis, como a

possibilidade de absoro das indutncias e/ou capacitncias parasitas. Operando com a freqncia
de comutao dos interruptores de potncia menor que a freqncia de oscilao do circuito
ressonante, garante-se a caracterstica "ZCS", isto , as perdas no bloqueio dos interruptores so
nulas e as relativas entrada em conduo, tambm o so, pois a conduo descontnua. Para
eliminar as altas tenses que surgem nos conversores srie ressonantes introduzem-se diodos de
 xvi

grampeamento da tenso no capacitor ressonante, limitando-a tenso mxima de entrada,

interrompendo-se o ciclo ressonante e diminuindo-se as correntes de pico sobre os elementos do
conversor. I

_- Este trabalho tem como objetivo solidicar o princpio testado e comprovado em [6], numa
verso de maior potncia, e solucionar questes pendentes relativas metodologia de projeto do
conversor e denio dos ltros de entrada otimizados. Com- esta topologia, verso trifsica,
obtm-se caractersticas fundamentais para a aplicao desejada, ou sejam, isolarnento galvnico
entre fonte de alimentao e conversor, alto fator de potncia, comando simples, possibilidade de
controle do uxo de potncia atravs da variao da freqncia de comutao, caracterstica
intrnseca de sada como fonte de corrente, alm da pequena ondulao da corrente de sada.
Este trabalho est dividido emcinco captulos que se propem capacitar o entendimento, a
reproduo ou a variao segundo as caractersticas requeridas. Assim,

o o captulo I apresenta uma anlise global sobre o funcionamento do conversor;

o no o equacionarnento matemtico e so gerados bacos que

captulo. II realizado todo

possibilitam a determinao do fator de potncia, dos esforos sobre os componentes e

limitaes relativas caracteristica "ZCS";
'

o no captulo apresentam-se a metodologia e exemplo de projeto completo, dimensionamento

III

dos elementos magnticos e resultados de simulao numrica;

Q

0 no captulo IV definem-se os circuitos de comando e proteo; por ltimo,

o no captulo 'V especicam-se os semicondutores e apresentam-se os resultados obtidos em
bancada do projeto implementado.
 cPiTULo1
ANLISE QUALITATIVA DO CONVERSOR

1.1 - Introduao
_

A estrutura analisada um conversor srie ressonante com grampeamento da tenso no capacitor

ressonante. Para a eqncia mxima de comutao menor que a freqncia de oscilao do circuito
ressonante, a reatncia capacitiva predomina sobre a indutiva, isto , a corrente no circuito .ressonante
estar adiantada em relao fundamental de tenso sobre o mesmo. Desta forma, a comutao se
__

dar sob corrente nula, garantindo que as perdas relativas mesma, entrada em conduo e bloqueio,
no existam. '

A alimentao trifsica, o que garante uma pequena ondulao na corrente de sada. A corrente
evolui em fase coma tenso de entrada, porm, modulada pela freqncia de comutao. O fator de
deslocamento unitrio sem a necessidade de circuitos extemos. O interruptor comandado tanto na
entrada quanto na sada de conduo, os diodos de grampeamento limitam a tenso sobre o interruptor
e tomam desnecessria a introduo de um indutor em srie com os interruptores para evitar que a
entrada em conduo dos intenuptores de potncia seja dissipativa. `

A seguir, apresentam-se a estrutura estudada, suas etapas de funcionamento e particularidades

relativas ao mesmo. Para este tipo de anlise, fazem-se algumas consideraes simplicativas que no
comprometem a mesma, ou sejam:
como a freqncia de comutao muito maior do que a freqncia da rede, durante um ciclo de
comutao considera-se a tenso de entrada (Vin) constante;
o a tenso Eo da bateria bem menor do que a tenso de pico da rede Vm, de tal forma que 91
(ngulo de incio de transferncia de potncia)__ pequeno; -

c 0 estgio inversor, em regime permanente, opera com freqncia constante;

o todos os componentes do circuito so ideais.
1.2 - Topologia e Etapas de 'Funcionamento

A Fig. 1.1 mostra a estrutura de potncia do conversor.

TI
Dl D3 DGI
A U!
^
A _|_Crl
_

muito `

__
,

T1
A DG
4 A E
,

D, l

Q ml os n
n f _

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'

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Q
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, _

os ou nos ias
TSF
LI] DPS
Fnmto """`
D?
T6 _

G6 n
mo oP6_

_ Fig. 1.1 - Esquema do conversor proposto.

Onde:

vacl ,vac2 e vac3: tenses altemadas de entrada, fases R, S e T, respectivamente.

Lrl- Lr3: indutores ressonantes.

Crl -Cr6: capacitores ressonantes.

T1 ,T3 e T5: interruptores comandados isolada e simultaneamente.

T2,T4 e T6: interruptores comandados isolada e simultaneamente.
DGI _- DG6: Diodos de grampeamento da tenso nos capacitores ressonantes.

E0: Tenso das Baterias. *

D1 - Dl2: Diodos reticadores de entrada.

DPI - DP6: Diodos reticadores de sada.
Com base no diagrama da Fig. as etapas de mcionamento do conversor so descritas
seguir. Para melhor entendimento, interessante a anlise simultnea desta descrio e das figuras 1

e 1.4.
 DG!J.
'

+
T1 Crl
D3
D4
A
V
.

Crl
,
.

Lr -
V

_,

in EP

^
_

^
_
_

I
Lr
G2 *
rz

n
D5 s

c vCr2
.

'
-

Fig. 1.2 - estrutura analisada. V

Primeira etapa (t0,t - ressonante) - conduzem Tl, D3 e D6:

C

Condies iniciais: iLf= O -

vC1 = Vin -_ vcrz = O
O transistor T1 comea a conduzir, ih., vcrl .e
vC2 variam senoidalmente, at que vcrz seja
igual a Vin. Neste instante o diodo DGI polarizado diretamente.
`

Segunda etapa (t,t2 - linear) - conduzem T1, D3,. D6 e DGI:

Condies iniciais: iL= -
vcrl = O -
vCr2 = Vin-
'

Il

O diodo D_G1 passa a conduzir a corrente iL'que comutada do capacitor ressonante. A corrente
no indutor ressonante decresce linearmente atravs de Em, at se anular.

v Terceira etapa (t3,t4 - ressonante) - conduzem T2, D4 e D5:

Condies iniciais: iL =O -
vcrl = 0 -
vcrz = Vin.
Repete-se oi
mesmo mecanismo apresentado na primeira etapa.

Quarta etapa (t4,t5 - linear) - conduzem T2, D4, D5 e DG2:

Condies iniciais: ih = - Il -
vcrl = Vin -
vcrz = 0.

Repete-se o mesmo mecanismo apresentado na segunda etapa.

Condies nais:

iLf= 0 -
vcn = Vin -
vcfz = 0-
 4

_
O bloqueio dos transistores Tl e T2 ocorre naturalmente, caracterizando a comutao com
corrente nula (ZCS). '

D4
CT l
D4
Dl
A
_

DG. ~

+ Cfl
V V + '

zz
p in _
P-vp

D5 A
'
Lr 11; D

.

'

T2 D6 D2 p
i
DG
T2 D5

_
_

A Cr2
Cr2 _

T
primeira etapa segunda etapa

'L
'
T] D3 D4
A CH 1
Tl D3 D4 A Crl
DG A DG
U
_

'

Lr + +
V Bop
V
n in EP '

n ^ DG D
^ DG
A _
Cr2 - Cr2

terceira etapa quarta etapa

'

Fig. 1.3 - Etapas de mcionamento.

Na Fig. 1.4, esto representadas as principais formas de onda associadas ao funcionamento do

conversor. Pode-se vericar o grampeamento da tenso no capacitor ressonante e a no existncia de
perdas deecomutao nos interruptores do conversor. Salienta-se que o conversor opera com razo
cclica constante, igual a 0,5, e que atravs do controle da freqncia de comutao dos interruptores
de potncia, obtm-se 0 controle da corrente de sada.
 5

__
el!! Ill

113:-
fh
'

-'z -`z=!':`-_
~i`~' -

w
~'.`:%_.."'i'S
."_\

~ `_._,., ~`-e
-.f *z,*._z-. -L
...A
_

corrente em DG1 |
|
|
COITBIIB Em DG2
Vin
`

. tenso no capacitor ressonante - Cr2 z

Vin
I

-________-_

_.._...___.___.

O no
t2=D 1-
IJ-__t

Fig. 1.4 - principais forrnas de onda do conversor.

Para um quarto do perodo da tenso senoidal de entrada existem dois modos diferentes de
operao:
'

o Intervalo ( O < 9 < 91 )

- Durante este intervalo de tempo tem-se Vin < 2.E0,,. Por esta razo, no
existe nenhuma corrente uindo atravs do indutor Lr e nenhuma potncia transferida para a
carga.

~ Intervalo ( 91 < 6 <

Durante este intervalode tempo, Vin > 2.E0,, ocorre o funcionamento
rt/2 ) -

normal do conversor, cujas etapas de funcionamento foram descritas acima. .

 6

Na Fig. 1.5 est a representao dos intervalos de funcionamento vistos pela rede de alimentao.

vac, i^
Vm-_ - - - - - :-
I

__

2.5,, s
-__-__

)wc
$ n-I 3 N,

Fig. 1.5 - Tenso e corrente de entrada durante of

intervalo (0, 7%).

1.3 - Concluso

A anlise qualitativa realizada abordou detalhes muito importantes compreenso do

funcionamento do conversor. Foram apresentadas as etapas de funcionamento, as principais formas de
onda e a estratgia de modulao em freqncia. ~
i

Vericou-se a caracterstica de comutao sob corrente nula e limitao da tenso mxima sobre
o interruptor de potncia, proporcionando um alto rendimento e robustez, justificando-se a escolha
deste conversor em aplicaes nobres da Eletrnica de Potncia.

O conversor apresenta fator de deslocamento unitrio. A introduo de um ltro de entrada

adequado proporcionar mn alto fator de potncia, sem a necessidade de circuitos ativos de correo.
 CAPTULO 11

ANLISE QUANTITATIVA DO CONVERSOR

2.1 - Introduo

Aps
conhecer-se' qualitativamente o conversor, necessrio, atravs da
anlise matemtica,
determinar os esforos aos quais os componentes do prottipo a ser implementado caro submetidos.
Ao final deste captulo, poder-se- facilmente, a partir das especificaes de fator de potncia,
corrente mdia de saida e freqncia mxima de operao dos
interruptores de potncia, determinar
todos os valores relevantes de corrente e tenso para dimensionar adequadamente os componentes
do
conversor.

2.2 - Obteno do Plano de Fase do Conversor

Em
regime permanente, apenas a anlise das duas primeiras etapas (ressonante e linear,
respectivamente) suciente para construo do plano de fase desta estmtura. ~

O estudo a seguir faz algurnas simplificaes para facilitar a anlise, as quais no comprometem
0 mesmo, so elas: tenso de entrada constante (Vin = Vm) e componentes ideais.
1' Etapa de Funcionamento (to, t):
A

'

A partir do circuito equivalente para a primeira etapa de funcionamento, pode-se extrair as

equaes necessrias para obteno da expresso (2.6). _
-

ic
1
i
I

fin _`

Lr Cfi
I Lr

Vin -l

T
E0?
4

czz
-

Fig. 2.1 - Circuito equivalente para a primeira etapa.

 V|N_EoP=vC+Lr'd;,l'L (2.l)
dt

dV
I L' = C T .it (22)
dt

E = Vin - E0, (23)

assim,
`

i2v
E= vc, + Lf-cz- WCL (24)

Com auxlio da Transformada de Laplace,-deduz-se a seguinte expresso?

.
fL _-1,, _

[L _- .

onde: wo = 1/V Lr Cr -
a freqncia angular de ressonncia e, por Thvenin, Cr Cr1+ Cr2

Para a primeira etapa de funcionainento, a partir da equao (2.5), com as condies imciais
iguais a zero, obtm-se a expresso (2.6), a qual descreve o comportamento das grandezas relevantes
na primeira etapa de funcionamento.

C.
L z

Vz(t)+J'\ 'Lz(r)=E.-E-='
,

2.6

Lr
O termo 1/ E-
, .
,
e a impedaiicia caracteristica
.
, .

do
.

circuito,
.

tambem identicada ao longo

. . .

deste
r

trabalho como "Zo".

 9

2' Etapa de Funcionamento (t, tz): .

--Lr
||
Eop .

DGI
'

Fig. 2.2 - Circuito equivalente Vpara a segunda etapa.

Desprezando-se a queda de tenso no diodo, pode-se representar o circuito da gura anterior pela
seguinte equao:
`
i

.
.

dl
Lr di +'
=0
1
(21)

E
= --03
dIL, -dt (2.s)
Lr

~
Assim, integrando-se entre Il (tp: t) e IU, encontra-se,

zE
ru =l, - z-1
.

(2.9)_

Nesta etapa a tenso vC, est grampeada com o valor Vin e a corrente do indutor decresce de
IL, = Il, at IL, = 0.

2.2.1 - Plano de Fase para V,, > 2-Em.-'

A partir do equacionamento, pode-se construir o plano de fase da estrutura, apresentado na Fig.

2.3. -
 IO

Hr.
.

.
L'

lp
^ ~

_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ __- - - - -
nl - - - - - - - - -
_

- ~-
-

_ B

A
c
A

(1
,i 'zz
vir.
> Vw

-Il
-Ip ' "'

Fig. 2.3 - Plano de fase do conversor.

A Fig. 2.3 mostra 0 diagrama de fasedo conversor, pode-se resum-lo da seguinte forma:
a primeira etapa de funcionarnento do conversor comea em A, com tenso no capacitor e corrente no
indutor nulas, estas evoluem sinusoidalmente at o ponto B (t = tl), onde a tenso VCr atinge o valor
da tenso de entrada. Na segunda etapa a corrente diminui linearmente de um valor "I", em B, at
,

zero, em C. O capacitor permanece com tenso constante igual a Vin. As duas etapas restantes so

A
simtricas s analisadas at ento (or,
= uz ).

Observando o plano de fase do conversor pode-se notar que:

cos(n-z)=&E;= ~

(2.1o)
Vn -. Bop _

Da:

_ ;EoP
cos(ot)--?_EOP (2.l1)

Substituindo-se ot] por cout] , encontra-se a equao (2.l2).

cos(w0-1,):-\-Il-I-5? (212)
in
_ O
 I I

Onde,

Vin = Vm.sen(n.t) (2_13)

2.2.2 - Plano de fase' para Vin < 2-E0,

Para operar como carregador de baterias, existe uma condio para que ocorra a transferncia de
potncia carga, ou Vin > A seguir, verica-se esta limitao.
H

seja, 2.E0,,. .

Supondo-se,

Vinmm = 2-E0?
`

_
(2.l4)

Com isso,

E0? = ~
Vin -

_
(215)

A partir da expresso (2.5), observa-se que, para Vin aplicado menor que Vinmm, o capacitor no
consegue se carregar at um valor igual a Vinmm e sua tenso converge para E (=-Vin - EGP) em um
ciclo de comutao apenas. Neste caso no existe a etapa linear e o conversor pra de operar.

.I
J L I'
"
JT A
V.
"lnm
'

lp '

s E

\r1`

Fig. 2.4 - Comportamento do conversor para Vin < ZE OP.

Dene-se "91 " como ngulo de incio de transferncia de potncia. desta forma:

Vin = Vmsen(-) 2 2 EGP -

(116)
 sen9-l=(&) => 9l=arcsen(q)
A

Vm
4

>

(2.l7)
-

No limite, q =
2E
-'v
H

_
(243)
Por equivalncia trigonomtrica,

cos9, = /l-senz 9 = \/l-q2 (2.l9)

Onde "q". o ganho esttico de tenso.

2.3 - Fator de Potncia (FP) e Taxa de Distoro Harmnica' (TDH)

Como o conversor deve operar com as trs fases em equilbrio, sendo a potncia entregue uma
somatria das contribuies individuais e igualmente distribudas, a anlise do fator de potncia e da
taxa de distoro harmnica e' a mesma para cada uma das fases.

A corrente de entrada existe durante a etapa ressonante, no intervalo [(5), , (1t - G, )]. Da Fig 2 1 e
equao do plano de fase tem-se:
'

(2.5),
'

Lr
l_,(t)_-JE; _= E- sen(co0-t) (2.20)

Im 'Hori = lu (2.2l)

'-
ICN
Cr d
=3- 'tvCfl()=

V. -E
E
'SEI((Do ') (2.22)

I,.,(t)= -2"`?)sen(oJ0 -t) (2.23)

A corrente mdia instantnea de entrada, pode ser calculada da seguinte maneira:

T I

= 2 (vi -Ee)
Ilnmcd =
~'SC(wo ')dl
. 1

(2.24)
_

va

2
if
v. _
Integrando-se -QUE-I5i)~[1-cos(w0-t,)]
.

linmed=_ ns (2.25)
*` '
fo o
 .
l3

A partir de (2.l 1) e (2.l3) aplicadas a expresso anterior, obtm-se a expresso (2.26), a qual
evidencia que a corrente e a tenso esto em fase e que a potncia fornecida funo da freqncia de
operao.

linme = s-
2
- Y-IE sen6-
(2.26)
-
1: -
fo Z0 ,

A utilizao de um ltro deentrada adequado, que atenue as componentes dealtas freqncias e

no introduza desvio de fase entre tenso e corrente, proporcionar um alto fator de potncia.

Vm ql-_-__

Im - - -
`2Eo1
-- ___-_

-ou-__
-

n
mt -

91 """' 1t-Gl

Fig. 2.5 - Tenso e carrenteltrada de entrada.

Devido simetria, e'

possvel, facilmente, calcular a potncia. Basta integrar no perodo, o
produto entre tenso e corrente de entrada em _1/4 de ciclo da rede de alimentao.
rt/2
'

2
P= IVm.lm- sen2'9 d9
_

91
(227)
V

Integrando-se a expresso anterior:

Pzyglm-[n-2-e,+sen(2-e,)] (223)
~rt
 I4

Como as grandezas so senoidais, a potncia pode ser dada por: `

Vm .Im
.P=------'FP-.
'

J-2- (2 29)
,

`/5

'

De (226) e (2.28) obtm-se uma

das caractersticas mais importantes deste conversor, isto e', o
fator de potncia da estrutura, FP, funo do ngulo de inicializao.

FP: l_ 2-91-sen(2-61') (230)

1:

Pode-se relacionargl com o. ganho esttico de tenso, "q", atravs da equao (2.l8), de onde
se conclui que, atravs da relao entre as tenses de entrada e do primrio do transformador, pode-se
definir de potncia da estrutura.
i

o. fator .

(q) _ sen[2 sen (q)]

-1 -1
FP:l_2 _
sen _

(231)
1:

Assim,

2-sen"(q)-2-iq-,fil-qzi
'

'

FP=l-
11
(232)
.

A partir de (2.30) e (2.32), foram construdos os bacos das guras 2.6 e 2.7.
`FP*

OQ f
s

ass
{

0.94

-
1

02
1

0.9 l

038

0.88 91
O 5 10 ._
uu
20 25 I 5 U

Fig. 2.6 _- Relao entre FP e 6,.

 IS

-FP*
119
"

(10

0.7

IIS

us.,

tt H _ :
_
E

ua~ *

._.__......

02 I
*

q
_.-.__.._

P ..-
o l

Q Q ha 4:: .n P ea
p zu _-

Fig. 2. 7 - Relao entre FP e q. ~

O fator de potncia funo do de deslocamento entre as fundamentais de tenso e

fator
corrente, e da relao entre a fundamental da corrente e o seu contedo harmnico. Neste caso, para

um ngulo de defasagem igual a zero = 0), o

de deslocamento (cos) tigual unidade.
(tb fator A
partir da expresso (233), pode-se obter 0 valor da TDH para o fator de potncia denido.

l
TDI-I= f
(-:-ri--l) (2.33)

Aplicando~se (2.30) em (2.33), obteve-se o baco da Fig. 2.8, que relaciona a TDH com o
ngulo de incio de transferncia de potncia.
 I6

os

TDH

0.4

02

Us 91
0 5 IU 15 20 25
'

30 35 4]

Fig. 2.8 - Relao entre THD 6, .

2.4 - Relao entre fs'"*% e Ganho Esttico de Tenso

0 .

Trabalhando-se com freqncia modulada, para que se possa utilizar a tcnica "ZCS", a
freqncia mxima de operao deve ser inferior de ressonncia.
"

Particularmente, com entrada varivel, deve-se operar em conduo descontnua, inclusive no

valor mximo da
tenso de entrada (maior energia armazenada .no indutor ressonante). Assim, neste
tpico, calcula-se a relao entre a freqncia de operao e a de ressonncia para garantir que a
comutao do transistor de potncia se d sob corrente nula. l
'

Em um ciclo de comutao, tem-se 2 (duas) etapas ressonantes e duas de roda-livre. Da Fig. 1.5,
desprezando-se o tempo morto entre os pulsos de comando, tem-se a equao (2.34).

1
._

TS=-;-=2+2D=2(+ID)
_

(234)
S

Lembrando-se que,

2-
T0=?=-,1
1

(235)
0 ('30
 Dividindo-se (2.35) por (234), obtm-se:

.
im
f
fo
= -iL-
(D'tI+(1)'tD .
_
(2.3)

O prximo passo deixar o denominador do lado direito da igualdade em funo de "q"

A partir da equao (2.l2), dividindo-se por Vm e substituindo-se adequadamente por
q
determina-se o primeiro termo, relativo etapa ressonante.
`
'

mo,tz cos
-1 -Cl
_

(2_q) (2`.37)

Do plano de fase, segunda etapa, tem-se asexpresses (2.38), (2.39) e (2.40).

Hr = "
.flar
-

lu' EoP'(o-
-

11' (238)

1,- Lz = E-sen(co0-t) (2.39)

- i
fL, 2~sen9-q
=(
.

I=V|;;l. (2.40)
Cr

No valor mximo, sen9 = 1, A partir de (2.l 8), (2.37) e (2.40), obtm-se:

senoaot =-L.,/(1-q) (2.4l)

(2-q)
_
'

Substituindo-se (2.4l) em (2.40),' encontra-se:

IL
_f_. _f =
L _
'

Vm C,
/
( 1 q) .

(2.42)

Para t = ID, a corrente nula. Ento:

 _
Il' ')0.tD :O :

.
Y

. lr
C. __ E0p'(.00.D
O-44)
vn.

De (2.42) e (2.44), tem-se:

H

\/(1- q) =%-wo-fz 2.45

Finalmente, a expresso (2.46) revela o segundo tenno.

2 --
Com (2.37) e (2.46) aplicadas em
obtm-se a relao entre a freqncia de operao e a
(2.36),
de ressonncia garantindo a comutao do tipo "ZCS", apresentada na expresso (2.47) e representada
no baco da Fig. 2.9, .

fsmx = n
( 2.47 )
f
-2 JI - q
_

~-
.cos" [--q
'

q-2 )+ q.,
 /
I9

fsmx/fo

i
_ u_u

os
`

0.4
i

oz// e

~
~

0
D 02 0.4 0.6 0.8 1

q
~

Fig. 2.9 - Relao entre jfmx/fo e q.

2.5 - Caracterstica de Sada .

Devido de fonte de corrente deste conversor, a potncia de sada dada pela

caracterstica
somatria das contribuies individuais de cada fase.
A

'

Considerando-se a potncia total de entrada igual de sada, tem-se:

EoPi'(IoMED'"]TI)=3'P1
'

_.
(2-43)
v

Com (2.26) e (2.32) em (2.48), obtm-se:

fs-Vm _{1r-2-sen`lq+2-q-/l-q
i

E or .(1 omian _NSd=3_Vm. ( 249 )

N r
2 2 -'rt fo Zo
-
n-
-

Reananjando os termos, tem-se a expresso (2.50).

'

_Z. ;I~_3.
_ oMED- Vm r fs 1:-2-sen"q+2-q-\1-qz
Vm I
QMED _ _
(2-50)
NP 2_E 0,, 2
e
-~

_
1: _
fo n
af
20

Portanto,

r
_- -_
I0MED=E'~'(_2'Sen
3 f
-
1-'q2)
H

A equao (2.5l) comprova que a corrente de sada funo da freqncia de operao e do

ganho esttico de tenso. O baco da Fig. 2.10, apresenta as curvas caractersticas para diferentes
eqncias de comutao dos interruptores. V

A. linha tracejada indica o limiteonde a conduo passa a ser contnua, pontos de operao
,

acima dela signicam perda da- caracterstica "ZCS" do conversor. Esta observao se estende a todos
os bacos apresentados neste trabalho.
'

1
OMED

.
.

`-
\

fs/f<=o,1;o,:.;...; 0,9
\ _

\\
e*
0.8

ax 0,9
`
_
---- -_ `\ 's

i.-\\ KT- `\`~~..

i

\
`
as .f`
.\
\
.,
.

\\ `
`

\
`\\

\\x
.`

\`\
\
`

\\\\i\\
""
\'\ \
`

//
0.4
`\
i

///'
/
//

1/

/
\"\ "~ ~/
.

4'

0.2
f
/,

*
\
0.1 02 U3 0.4 0.5' 0.8 0.7 0.8 0.9 1

q
'

Fig. 2.10 - Relao entre IOMED e q, tendo fs/fo como parmetro.

Observa-se que para valores de "q" menores, as correntes aumentam para uma mesma relao
entre as freqncias, isto implica em maiores valores das correntes que circulam pelos componentes do
conversor.

A corrente eficaz na bateria a corrente no indutor ressonante referida ao secundrio.

 2.6 - Corrente Mdia nos Diodos de Grampeamento

O diodo de grampearnento atua durante a etapa linear . Sua corrente med'ia para um periodo de
operao denida atravs da equao (2.52), a partir da Fig. 1.4 e expresso (2.9).

I Domza =-_ 1
'

_!(
I 1
-2.
E
Lt
) d (2 52)
Ts

u H

I
Lr Lr
= 1
'Eor
Inome
_!(1
'3o') di (2.53)

Dividindo-se por Vm e a partir de (2.40), obtm-se:

Lr
_
I Dcmed'
E __1 2-sen9-q E '(0
(2.54)

Com auxlio das expresses (2.4l) e (2.45) e rearranjo dos termos, obtm- se a seguinte equaao

ECr
fi T:-L''S9-(5809
C

1 DG1ncd
.

fs 1
Dgmed - Q) (2.55)

Conforme Fig 2. _ 5, a corrente mdia varia em fun o de

G. Para se obter a corrente mdia em um

ciclo da rede de alimentao, integra-se a equao (2.55).

21:

1:/2
4
DGMED = glocmza da =
1

lioome
dg (2.56)

Assim,
C

[
IDcMED'\E;
Vm

-IDGMED-
fs 1
112

n2_fO`q`e-I[(5en 9*Cl'5n9)d9
2
(2.57)

Com auxlio das equaes (218) e (2.19):

 22

.ii f _
1ooMEo= T1fq-(n-2-sen'q- 2-q-,/1_-qz)
.

(2.ss)

O baco da Fig. 2.1 apresenta o comportamento da corrente mdia parametrizada nos diodos de
l

grampeamento com o valor de q e tendo fs/fo como parmetro.

0.14 f
=
.

IDGMED \\`: \\
fs/fo = 0,1; o,2;...; 0,9 _

0 lz I` . ii

x
_
_ .

V .

*
\
\
0.1
` \ \
` \',' -._

.N .R
\
\
._ \
0....
\ \.
\
\\ \` '

\` \f`l\.` 0,9
unem
\
* `*

.\;.\
\\\

\
`_4\
\\`\`
o.o \ ..
\ \
\\ ~\_\
'\\
\
`

\ "-~\`\_
\. *~._ "
\._ z
u_u:
OJ _ .

\``
`=zz__
_
'
i

oz on os os
1
q

Fig. 2.1] - Relao entre q e iDGMED , tendo fs/fo como parmetro.

2.7 - Corrente Mdia nos Transistores' de Potncia

A corrente ui no transistor de potncia durante as duas etapas de funcionamento apresentadas,

ressonante e linear. Neste caso, basta determinar a expresso para a corrente mdia na etapa ressonante
e adiciona-la parcela obtida no tem 2.6, expresso (2. 55).

A corrente mdia para um perodo de funcionamento, etapa ressonante, denida atravs da

equao (2.59), a partir da Fig. 1.5.

imd
_

= _ 1
T'

_lL,(t)dt (259)
Ts O

Substituindo-se a equaes (2.40) para um "co.t" genrico, em (2.59), obtm~se:

 23

T* =
Tmcd
.

|'l`med
`
(5
= 1
.
2 seg 0- q

l

v: TS o
(
S8I'I((1)) (2.60)

Integrando-se:

. e

1 V 2-serg 9- l-cos(co O -t z

lTmed=TS.{{ (D o
(261)

Assim,
i

.-_ f
ITM, = -sen 6 (2.62)

A partir de (2.55) e (2.62), obtm-se a expresso (2.63), que a corrente mdia no transistor em
um ciclo de operao.
A

iTmed =*-sen2
2~1c-fo -q
6 (2 63)
`

A exemplo do diodo de grampeamento, calcula-se a corrente mdia em um ciclo da rede,

integrando-se em 6. Assim:
'

'
1TMED
1
2n._*__
da =
4 1:,/2T_
(19 (2-64)
_1Tm: lrmzm

Substituindo-se (2.63) em (2.64), obtm-se:

fi =
1-MED
2
~-_
1/2 '

--5~sen26
f
dO (2.65)
1: 2-1:-fo-q
el

Integrando-se,

. fg
 24

Ento, a partir de (2.l8) e (2.l9), obtm-se a expresso da corrente mdia parametrizada. O

baco da Fig. 2.12 mostra a evoluo da equao (2.67), tendo fs/fo como parrnetro.

.
1mED = --2%--[1t-2-sen
f _ 'q
+ 2-q -J l - q2} (2.67)
4-1: -fo-q

O baco da Fig. 2.12 apresenta o comportamento da corrente mdia parametrizada nos

transistores de potncia com o valor de q e tendo fs/fo como parmetro.
H

e _.
_.-/`
_v

'TMED
,
=-\ X
fz/f=o,1;o,2;...;o,9
lx
*

\ \ \.

\
z, \._

/M
/__,

; O 'Q

g
\~.\\-_
'ly

///'

2
/
zj '

/
,I

z/
I

\\
. /'

,
// /
l t*\ff~~;s~~~\t
1/

-to eo

\~~\1~~;;=-.
\\
0,1
`\ "
P1 _ _H_" _ '-__ `.
\_\\
<.
`

\`
, \;

02 na
'

0.4 ns
fl

Fig. 2.12 - Relao entre q e imw , tendo fs/fo como parmetro.

2.8 - Corrente Ecaz nos Diodos de Grampeamento

A expresso da corrente ecaz nos diodos de grampeamento e'

obtida atravs de (2.9) e da Fig.
i

1.5, assim, .

g ._= __.
loczf
Cr
MD 1. __E
.

_(|
F
or
JTS Cr
.
wo
t

.
)
2
dI _g )
(26

Resolvendo-se a integral, encontra-se como soluo:

 25

?_2
IDGEF = lnozf-
. F
vn:
E-
2

V
f
=t3_,t_sfo_q'[S=n9'(S9-p<1)]3
~

A2

(zw)

Integrando-se em 9 , para obter a corrente ecaz em um .ciclo da rede, encontra-se-:

i
2
L
ti_'2
`

R/2
2
IDGEF = IDGEF qCf = .'~'[Se 6'(Sen6 _
; 2

Simplicando,

=~-Ie?
_____ 2 2. fr

9-(senG -
.
,

iDGEz [sen q)]3'/-2

d9 .
(2.7l)
O

O baco da Fig. 2.13 apresenta o comportamento da corrente ecaz parametrzada nos diodos de
grampeamento com o valor de q, tendo fs/fo como parmetro.

'

fs/fo=&),l;0,2;...;0,9

L: [l
`

\
\
, ,

\" A

0.15
09

0.1
_1
\

0.2 0.4 U6 os
q
_

Fig. 2.13 - Relao entre q e img , tbendof/fo como parmetro.

 26

A expresso (2.7l) apresenta dificuldades para simplificao em uma forma onde o projetista
possa calcular o valor da corrente ecaz sem o auxlio do baco. Na referncia [6], prope-se um
mtodo siimplicado (que ser estendido tambm para o clculo da corrente ecaz nos transistores de

potncia), com a finalidade de obter-se Luna expresso de fcil resoluo. Observa-se, que em relao a
[6], foram realizadas algumas alteraes no equacionamento com a finalidade de tom-lo mais preciso.

O mtodo consiste em calcular um "valor ecaz mdio", isto , obtm-se a expresso de corrente
ecaz em um perodo de comutao, quando Vin = Vm, ou seja, para o valor mximo da tenso de
entrada. Considera-se que este valor mximo varia senoidalmente, ento, pela definio de valor

mdio, integra-se a funo em 6 encontrando-se

, um "valor eficaz mdio" da corrente que ui sobre o
diodo de grampeamento.
'

-
.

Da expresso (2.68), fazendo-se as consideraes do pargrafo anterior, tem-se:

Lr
T_.
loor';'= '_____a(1-Q) %
~ UC; fs l

lnozf (2-72)

31rfo

Na expresso (2.72), obteve-se o "valor ecaz de pico", agora integra-se este valor que, supe-se,
varia senoidalmente em 6 .

_* = =
'L .

11-91 .

1
lDGEF DGEF
'
'Q' Jimef '
Sen((1))
91

Integrando-se a expresso anterior:

.-i = l .

'
IDGEF -1:
'
lDGef 2 COS9]' '
(2.'/4)

A partir de (2.l9):

fm
IDGEF-'T-;'2'
l
f 1-qz .

'lDGcf .

Finalmente, a partir de (2..72) em (2.75), obtm-se a expresso aproximada da corrente ecai nos
interruptores de potncia: ._
 27

r 4-f
zGzF2=--S;--1-q*-1-q/2
f -3-fz -q
(2.76)

Na tabela 2.1, faz-se uma comparao dos valores parametrizados obtidos atravs das equaes
"q" xo. Nota-se que
exata (2.7l) e simplicada (2.76), para a preciso do mtodo simplicado
aceitvel.

T012610 2-1 -

fs/fo mtodo ~

erro
q=0,5 exato simplif.
'

(%)
0,l 0,0507 0,048 5,8
0,087 0,083 4.8
`

0,3
0,4 0,101 V 0,096 '

5,1
0,5 0,112 0,107 4,5
0,7 0,133 0,123 5

2.9 - Corrente Ecaz nos Transistores

Como a corrente flui no transistor de potncia durante as etapas, rcssonante e linear, neste caso,

pode-se construir a seguinte expresso:

D
zl
ll

auf = jT2(z)r+ _[DG2(z)az

TS
o o ~

(2.77)

Substituindo-se as equaes (2.9) e (2.40) em (2.77), obtm-se:

'D 2
.-2 = 2-senG-q)2 A2
rw rw-
_

=Ts
l /-

-sen (wo-t)1z+j [
1,-\G-50,,-wo dz (278)
Vm
Qlu_,_'_',

2
0

Resolvendo-se esta integral, com a ajuda de algumas expresses j deduzidas, inclusive (2.69),
encontra-se como soluo:

- q)2w0t +2q /sen9 (sen0 -q)

:_ = fM (2sen9 \ 2

[sen (-)(senG- q)]32-i (2.79)

_

1%, O
I'"'i'l

J+
_
/"`-__'\

o"'7

8 Bq
 28

Para se obter a corrente ecaz em um periodo da rede, integra-se a equao (2.79) em 9:

+2 = 2 'K/2
fs
2
(2-sen9-q) -(oo-t+2-q,/sen6-(sen9-q) 2
..EF
;J zztntfo u

8 J-+ 3'q [sen6-(sen9-q)]3/2i|d6 (2.80)

1

Tem-se:

R/2
_--z fs (2-sen9-q)2 -wo -it
+2-q-J sen 6~(sen 9 ) 2

(2.8l)

Com o auxlio das equaes j deduzidas: 91 = sen`1q e wo -t = cos" e a partir

2 senG-q'
da expresso obtm-se o baco apresentado na Fig. 2.14, o qual relaciona a corrente
(2.8l),
pararnetrizada ecaz nos interruptores de potncia com o valor de "q" e tendo
fs/fo como parmetro.

\
fs/f ,l;0,2;...;0,9

TEF

_ os

/If /ze

i
\

nz 0.4 os ua
Q

Fig. 2.14 - Relao entre q e , tendo _,/fo como parmetro.

Como no item 2.8, apresenta-se um mtodo simplicado que possibilita ao projetista calcular um
valor aproximado da corrente no transistor de potncia sem a necessidade de desenvolver a equao
(2.8l).

Inicialmente, determina-se o "valor ecaz mximo", com V'

m = Vm, obtendo-se a ex resso
(232) z pzmf de (277).
 29

._'2
V,

f 8
_ Q +;-'(l
'Ter
"qlz 'S l{(_i-2)+2'Q'J
..
1
_ <I)3/2:|
0 _

(2.82)

Reintegrando-se, para encontrar uma expresso do "valor ecaz mdio" na freqncia da rede de
alimentao, tem-se: ,

'_ = U
E-'
Cr l
1t-01 .

-;-=
. . .

Ilfef Se((0 ) d(1)-

' '
_ 11-EF I-I-EF

el
.

Finalmente,

___ _ 2 7'
-q)2 .cos`l(q_l_-2-)+2.q. - q -
_

iTe2
{(2 /1 +l_q.(1 qfz] (2.84)
O

Na tabela' 2.2, faz-se urna comparao dos valores obtidos, da corrente ecaz parametrizada
atravs das equaes exata e simplicada. ;

Tabela 2.2 -

fs/fo mtodo CITO

q=0,5 exato simplif. (%)
0,1 0,084 0,091 8,7
0,3 0,145 0,158 8,9
0,4 0,1 70 0,183 7,4
0,5 0,190 0,204 7,4
0,7 0,222 0,241 8,5

A
exemplo do tem 2.8, observa-se urna aproximao aceitvel, desde que o projetista tenha
conscincia que est trabalhando nesta faixa de preciso.

`
2.10 - Corrente de Pico nos Diodos de Grampeamento

A corrente de pico dos diodos de grampeamento

'

e'
dada a partir da equao (242), a qual:

.
/
C, __- f-
 30

A equao (2.86) que relaciona a corrente pararnetrizada de pico nos diodos. de grampeamento
com o valor de "q" est representada no baco da Fig. 2.15.

.,.

,Z _%__ __________ _____________ _ ___ __

K _

0
02 U4 05 08 1
q

Fig. 2.15 - Relao entre q e 17;. V

2.11 - Corrente de Pico nos Transistores

A corrente de pico nos transistores a mesma relativa ao indutor ressonante, portanto,

reescrevendo a expresso (2.20), abaixo, observa-se' que o valor mximo da corrente se d quando o
sen(tot) igual unidade.

IL,(t)- =~E-sen(co -t) = (Vin - EGP)-sen(co -t)

Assim, pode-se 'obter a expresso (2.86), representada em forma de baco na Fig. 2.15, observa-
se que o valor de pico funo exclusiva do ganho esttico determinado em projeto, a
exemplo do item
anterior.

._ 2-
l'I`p =
 3!

0,,

,,

06
_
\ // .. _
r

, ..,._.

__.._.__,_..

as
.___

u GN p
z

O (

GL
i

0.1 QW G5 Q *O ,, G ii

-O

Fig. 2.16 - Relao entre q e i; _

2.12 - Corrente Ecaz no Indutor Ressonante

A corrente ecaz no indutor ressonante tem a contribuio das correntes ecazes que uem pelos
dois transistores de potncia, assim:

'riEF =,1EF = TEF (2-37)

ento, '

lu = \lT1Er2 + 12Er2 = \/'1'i~:r (2-33)

Percebe-se que no h diculdades em determinar a corrente eficaz que uir pelo diodo, uma
vez dendo o valor da corrente no interruptor.

2.13 - Corrente nos Diodos Reticadores de Saida

A corrente que atravessa o diodo reticador a mesma que ui pelo transistor de potncia,
multiplicada pelarelao de transformao (Np/Ns). Assim, as expresses e bacos gerados nos tens
2.7, 2.9 e 2.11, so vlidos para dimensionamento dos reticadores. '
 32

2.14 - Concluso

Atravs do plano de fase da estrutura, obteve-se todo o equacionamento necessrio para a

determinao dos esforos de tenso e corrente aos quais os componentes cam submetidos.

A partir das expresses deduzidas, bacos foram gerados com a nalidade de facilitar o projeto.
A potncia de sada proporcional freqncia de comutao dos interruptores de potncia.
O fator de potncia da estrutura depende, exclusivamente, do ganho esttico de tenso (q).
. i

Quanto menor o valor de maior o fator de potncia da estrutura. Entretanto, isto implica em
"q",

aumento das correntes que atravessam os elementos do circuito, o que inuencia diretamente no
rendimento do conversor atravs do aumento das perdas em conduo e na especificao em corrente
dos componentes.
\
 CAPTULOIII
PROJETO E SIMULAO

3.1 - Introduo

Aps vericado todo o equacionamento do conversor proposto, 'parte-se para as etapas de

projeto e simulao.

Ao nal deste captulo, poder-se- determinar e vericar de maneira simples, os valores e formas
de onda das grandezas relevantes, bem como dimensionar os elementos magnticos envolvidos.

Inicialmente, descreve-se o procedimento de projeto, aps. faz-se o projeto especfico

para
implementao, a partir das especicaes denidas no item 3.6.1. Por ltimo,
possibilitar a
analisa-se
o comportamento, a nvel de simulao numrica, do projeto desenvolvido.

3.2 - Metodologia de Projeto

Pode-se resumir em 6 (seis) etapas o procedimento para projeto da fonte em malha aberta
(considerando-se "q" xo). Dados de entrada:

o IQMED - corrente mdia de sada (A),

o vef - tenso ecaz da entrada (V),

fsmax - freqncia mxima de operao (Hz),

z FPmn - fator de potncia mnimo,

E0 - tenso mdia da carga

V

- (V).

Etapas de projeto: V

_l_ mpg - do FPmn, determina-se o ngulo de

a partir incio de transferncia de potncia, 9,, atravs
da equao (2.30) ou do baco da Fig. 2.6; i
 34

za gang - a partir do FPmn, H

determina-se o ganho esttico de tenso (q), atravs da equao (2.32) ou
'

do baco da Fig. 2.7; ,

2

3_ etapa - com 'f_q", determina-se a tenso no primrio do transformador, a partir da equao (2.l8);

gi etapa - determinao da relao de transformao (Np/N s = E0? / E0); g

53 etapa - determina-se a freqncia de ressonncia, fo, atravs da expresso (2.47) ou com auxlio do
baco da Fig. 2.9; -

etapa -
FPmn e q, pode-se determinar os elementos ressonantes, com a
definidos fo, fs, utilizao

das expresses da corrente mdia de saida (2.51), reescrita abaixo, e da ressonncia (3.l):

3fs~FPmin Vm NP
QMED =
I

'

2-1:-q-fo NS
\/L%:r

f=_-_-_

2~zz/Lz.cz
1
(31)
,
.

Observao: tendo-se em vista que em trabalhos anteriores [5] e [6], os quais utilizaram o mesmo
principio, obteve-se rendimento mximo na 'ordem de 88%, optou-se por aplicar um fator de correo
expresso de IOMED ( = 0,88), para que os elementos ressonantes sejam mais precisamente projetados
e seja preservada a comutao "ZCS". Assim:

Zo' = Zo- 0,88 8'

(3.2)

3.3 - Filtro de Entrada

A m de atenuar as componentes de altas freqncias geradas a partir das comutaes no estgio

de potncia, projeta-se o ltro de entrada.

em vista a potncia envolvida, chegou-se

Dentre as topologias pesquisadas, ltros LC, tendo
concluso de que o ltro mais adequado, ou seja, aquele em que se diminuiria volume e se enquadrasse
na norma internacional IEC 555-2, o filtro do tipo "
H ", apresentado na Fig. 3.1.

O resistor de amortecimento (Rc) inserido para diminuir o pico (ganho) na ressonncia, que
produzido pela existncia de dois estgios, evitando oscilaes e indesejveis interaes com o estgio
de potncia.
'
 35

O ltro de entrada no deve produzir desvio de fase entre a tenso e a corrente para no
inuenciar no fator de potncia apresentado rede. Para as baixas eqncias deve apresentar um
caminho de baixa impedncia entre rede e carga, e outro de alta impedncia entre rede e ponto comum.
Em contrapartida, para altas freqncias, o ltro deve proporcionar alta impedncia entre carga e fonte
e baixa entre carga e ponto comum. -

L1 L2
REDE gm CARGA
cz
Rc
i

a
_lV

Fig. 3.1 - Filtro proposto.

A partir das consideraes relacionadas s impedncias que o ltro deve apresentar, tem-se que
C,>C2 e L,>L2.

Uma vez obtida a expresso de atenuao (ka) do ltro [13], pode-se denir os valores dos
componentes do circuito.

1+-S.
ka= Z
(33)
l+__+~2 1+-+-
2
s s s s2
,

+
( Q1-col col J { Q2m2 mz y

Assim,
 .

lm
lkl n (3.4
2

+ (z}liti +
new new

\-<.
he

ne

Q2 '(92)
/T
-eu mau

ii

Onde: ,

wc a freqncia angular onde deve ocorrer a atenuao denida,

co, o primeiro plo,

cuz o segundo plo,

co Z o zero, ue inversamente ro orcional ao roduto R c

-C l
,

COIII

(15)

(3.6)

Para projeto, inicialmente dene-se a atenua o ka. D eve - se l embrar que a freqencla sobre o
, ,

ltro o dobro 'da freqncia de operao. Aplicando estes dados na equao 3.4, encontra-se o valor
de Rc. ,

A seguir, apresenta-se um roteiro para projeto.

Roteiro:

1- Clculo de C,:

C,s --- I

2~H-(1~f.)~R,q
(sf/)

onde.

a freqncia da rede,
-
 37

- o coeficiente de amortecimento (0,7ssI,0), para evitar oscilaes em alta freqncia e

deslocamento nas baixas, .

- Req a resistncia emulada pelo conversor na freqncia mnima de operao. Aqui salienta-se que,
para efeito de anlise do comportamento do ltro de entrada, o conversor pode ser representado por
uma resistncia, uma vez que a sua fundamental de corrente est em fase com a tenso aplicada ao
conversor. A partir de (2.14), (2.26), (2.29) e (2.30), obtm-se a expresso (3.8), que resulta da diviso
entre tenso e corrente na entrada.

2-1:2 -fo-Zo
Reqz (3.s)
fsmn~(1r-2-6+sen2-9) -

2 - Maximpizao de w,, esta deve car aproximadamente 2 dcadas acima da freqncia f, (no mnimo

1
.
decada). Com f,
(nl
, calcula-se L: 4

'
L 1
=-_* 1

(2''f1)2'C1
(39) _

3 - Arbitra-se L2 e C2, fazer L, E 3-L2 e C, 5 3-C2. Com estes novos valores, calcula-se a posio
do plo 2 (cuz).

4 Aplicar os valores at agora obtidos na equao (3.4), encontrando-se o valor de Rc para a

-

atenuao requerida.

3.4 - Filtro de Sada _

-

Sabe-se que a forma de onda de corrente em conduo contnua apresenta um valor ecaz menor
que em conduo descontnua para a mesma potncia, o que favorece a vida til da bateria, sendo esta
uma das motivaes para utilizar a alimentao trifsica, pois, acontece uma somatria instantnea das
correntes defasadas de 120 entre si, diminuindo a ondulao de corrente na sada.

Particularmente, tuna limitao encontrada foi que, devido as altas correntes envolvidas, a
utilizao de um indutor no ltro de sada aumenta em muito o volume e o peso da estrutura. Assirn._
trabalhar-se- com a indutncia da fiao.
 38

Deve-se projetar o ltro com uma freqncia de corte, no mnimo, dez vezes menor que a
freqncia de comutao, onde as harmnicas de corrente tm maior mdulo. .

C0 = --_%s_2 1
[F] (310)
.

L0.(2.1[.__.)
10

Projeto dos Elementos Magnticos

'

3.5 -
`

.
Devido potncia envolvida e correntes de pico elevadas, o projeto destes elementos constitui-
se em difcil tarefa, neste caso, exigiu a utilizao de um material recentemente lanado no mercado
brasileiro, o ferrite IP-10, a m de minimizar asperdas no ncleo. O material empregado possui
melhores caractersticas trmicas, se comparado com o IP-6, nico ferrite disponvel at ento no
mercado, ou seja, as perdas relativas ao ncleo so reduzidas aproximadamente em 50%.
A o mtodo de clculo dos elementos magnticos envolvidos, ou sejam,
seguir, apresenta-se
transformadores e indutores. Ressalta-se que existe um compromisso entre mxima excurso de flinxo
magntico, densidade mxima de corrente e variao de temperatura estimada.

3.5.1 - O Transformador
Decidiu-se trabalhar com um transfonnador com ponto mdio, o que vem a favor do rendimento
da estrutura e custo. Desta maneira, economizam-se seis diodos de potncia.

Dados necessrios:

P [VV] - potncia nominal,

Fs [Hz] - freqncia nominal de operao,

Fsmin [Hz] - freqncia mnima de operao,

AT [OC] - variao de temperatura estimada,

EO? [V] - tenso de sada reetida ao primrio,

u

Equacionamento bsico [8]:

 i

l'l'P'l04
Ac-Aw= [cm4] (3.ll)
_ 2-ku-kp-Jmz-F5-AB

-.

Np= E0 -104 .

[espiras] (3.l2)
_
2A'LBFsmin

Ns = Np
3% [espiras]
-
(3.l3)

Eo = VD + VB [V] (3.l4)

6,62
'

A-
: [Cm] (3.l5)

Sms =
iEFps
[cm
4
l
(3.16)

Nf = [os] (3.l7)

onde,

Ae - rea da pema central do ncleo [cm2]

Aw - rea da janela [cmz]

AB - mxima excurso de uxo magntico [Tesla - T]

ku - fator de utilizao '

kp fator de enrolamento ^

Jmz - mxima densidade de uxo [A/cm2]

Np, N; - nmero de espiras do primrio e secundrio, respectivamente

Nf nmero de os por espira

-H

Eo - tenso do secundrio do transfonnador [V]

VD - queda de tenso no diodo [V]

 Va - tenso na carga [V]

A - profundidade de penetrao, relativa ao efeiro "Skin",[cm]

imz - corrente eficaz que atravessa o enrolamento [A] .

S - seo equivalente de tuna espira para a densidade de corrente defmida [cm2]

Sf - seo do o escolhido [cm2]

p,s - primrio, secundrio, respectivamente.

`

As perdas envolvidas so determinadas pelas seguintes expresses:

Pcup,5=~ R-N, -1 -i
2

(3_]8)

Pmag = Cm' Fsx By Vn - -

(3.l9)

onde,

Pcu - perdas relativas aos enrolarnentos [W]

Pmzg - perdas relativas ao ncleo [W]

R - resistncia trmica do o escolhido [Q/cm]

Ni - nmero de espiras

lm - comprimento mdio de uma espira [cm]

cm, x, y - constantes referentes ao tipo de material que compe o ferrite

Vn - volume do ncleo [m3]

p,s - primrio, secundrio, respectivamente.

Sabe-se tambm que:

AT = R -
Pw, (320)

Rz = 23-(Ae-Aw)''
ml)
Plot = Pcu + pmag
(322)
 41

Optou-se, por arbitrar um valor de AT, para um ncleo estimado a partir da equao (3.l 1).

Supe-se Pcu = 0, calculando Pmzg (agora = P101), determina-se Bm. atravs de (3.l9). Escolhe-se
um B < Bmu e, com ele, verica-se AT resultante. Calculam-se todos os parmetros do
transformador.
d

Este um processoiterativo, ou seja, trabalha-se com valores de Bmw, Jmzx e dimenses do

ncleo, buscando-se um AT aceitvel ru'v'el de implementao.

3.5.2 - Os indutores

A exemplo dos transformadores, utilizar-se- o material IP-10.

Dados necessrios para projeto:

Fs [Hz] - freqncia nominal de operao,

Fszzzz [Hz] - freqncia mnima de operao,

AT [C] - variao de temperatura estimada,

lv [A] - corrente de pico,

izf [A] - corrente eficaz.

Equacionamento Bsico

-~
[8]:

'
4
Az AW =
i I U

W (323)
-

z .
_

~-
N 2 -I-H
4
'

(324)
B-Az

,.N2zAz.1o'2
=
.

Lgrnec _ (325)

onde,
 42

L - indutncia [I-l],

kw - fator de enrolamento,
B - mxima densidade de uxo magntico [T],
po - permeabilidade do ar = 4.1t.l07 ),
(

ur - permeabilidade relativa ( = 1),

Lgm - entreferro mecnico [cm].

A correo devido ao efeito "Skin" e o clculo de perdas so idnticos aos utilizados no item
anterior.
'

O procedimento de projeto semelhante ao descrito para transfomiadores, salientando-se que, a

exemplo daqueles, o processo iterativo, buscando-se um compromisso entre os parmetros j citados,
acrescentando-se um outro, o Lgmez , que deve car, na medida do possvel, em tomo de milmetro,
1

evitando aquecimento devido ao efeito de frangeamento.

3.6 - Projeto Especfico e

3.6.1 - Projeto do Conversor

A freqncia nominal de operao do conversor foi denida como sendo 30 kHz. Como
freqncia mnima para projeto (para poder fazer-se um estudo relativo ao comportamento com
variao de potncia, como rendimento por exemplo), optou-se trabalhar com 21 kHz, o que equivale a
uma potncia de sada de 70%
da nominal e cujo valor no est na faixa audvel. Existem propostas
para eliminao do rudo audvel atravs do comportamento no linear do capacitor ressonante [l7],
evitando-se que em
baixas potncias a freqncia de comutao entre na faixa audvel, contudo este
no o objetivo deste estudo.
'

Em funo do objetivo e da metodologia apresentada, projeta-se um conversor com as seguintes

i

caractersticas:

IOMED = 55,0 A
E0 = 48,0 v
vefz 380 v
`vm z \d/5 =537,4 v '

.
FPM = 0,95
fsm = 30,0 kHz
 Assim, seguindo a metodologia, obtm-se:

l - 61 = 0,498 rad (28,53)

2-q=io,4'/s

3-E= 12s,45v

4-Np/Ns=2,s

5 - fo = 46.915,11-Iz

6 - Zo = 15,86; da expresso (3.2) = Zo`= 13,96. Assim, Lr = 46,4 pl-I; Cr ( = Cr1+Cf2) = 233 "F

3.6.2 - Projeto dos Filtro de Entrada

A partir do roteiro apresentado no item 3.3, tem-se:

1- Rq (para fs
= 21 kHz) 5 206,0 Q,

= 60 Hz,

com E, 5 1, obtm-se:

Cl = 1,4 ;,1F.

2-f ,
= 6,2 kHz,

L = 470 pH.

33-C, 5l'%z3oo n1=,e

L2 S E 135 pH, comzisso, fz

= 25 kHz.

4 - Determinando a atenuao do contedo harmnico em: ka 5 -35 dB,

wc = 2~1=~fS.z.1,z (326)

1=2~1:-f, (337)
 44

(oz =2 -
1: -
fz (323)
assim,

Rcz 2,7 Q.

O diagrama de Bode (mdulo) do ltro projetado apresentado na Fig.3.2.

Observa-se que para
a freqncia mnima de projeto (42 kHz) a atenuao
de aproximadamente 35 dB e para a freqncia
nominal de operao as harmnicas mais relevantes so atenuadas em aproximadamente 47 dB.

2o 1
fi'
.

tz
*

l
l

W
l

l
l
i

1
z
ft
1
1
5

l i

-2o l
E
\ l

z i
i
r

i
z
z

\
z

l
L

a \
z 1

-4o S
1
i

E
\
i
,

. i

l00 I000 I'l0 l l0

Fig. 3.2 - Diagrama de Bode do ltro de entrada.

3.6.3 - Projeto do Filtro de Saida

Foi medida em laboratrio a indutncia dacablagem entre 0, conversor e a bateria, Lo = 1,2 pH.
Com freqncia de corte (fc) de 2100 Hz e utilizando-se (3. 10), temsez

c fi
=-~_-=4.7so 1
pr
LfS.(2-zzfc)2

Assim, especifica-se um capacitor eletroltico, 4500 pl*/lOO V.

 45

3.6.4 - Projeto dos, Transformadores

A partir de 3.5.1, determinarn-se os parmetros necessrios.

Estimando A = 30C, deniu-se um ncleo e verificou-se sua viabilidade. Aps algumas
iteraes, optou-se por -utilizar uma composio de um dois ncleos, isto , Ae-Aw =49,2l cm*
(equivalente a 1 ncleo 65/39 + l ncleo 65/26, fabricante Tbomton[l8]), com Vn l95,5.l0' m3, Az
= 13,3 cm2, Aw = 3,7 cm2, lt = 20 cm. .

Assim, a partir do equacionamento bsico apresentado no item 3.5. 1 projeta-se o transformador. ,

= 30
W

P''
23-29,21%?
Pwz = Pmzg + Pc , considerando:
PCU = O => Ptol = Pmag = 5,5 W,

Determina-se B < Bmzx, sabendo-se que as constantes relativas ao ncleo IP-10 so:

cm= 19,39 - x=l,2l -

y2,24.

Bmax=0,l Fr] => ABmax=,2 T

A-B=o,17 T_

- Nmero de espiras:

NP z'-~__=13
128 45-104
.

'

esplm]
2-13,3-o,17.21ooo

3
NS=**]
1)= lespifzzi

.
Devido ao efeito "SKIN" deve-se calcular o nmero de os que compor cada espira. A
profundidade de penetrao deve estar entre 80% a 120% do do o escolhido, para melhor
raio
aproveitamento do mesmo. Deniu-se uma bitola que atende a faixa de eqncias previstas, 20
AWG.
`

- Nmero de fios:
 46

Ji-izf/JW = JE-9,2/zso =
Nfp = 9 os
Szowo 0, 005178

~/5 i.f_(N,/Ns)/JM = Ji 9,2-(13/5)/230

zm .fm
Nfsz
S2oAwG 0, 0051 78

- Cculo das perdas envolvidas:

1>z..z=o,ooo44.13-22-132/9=2,3 w V

2
13 13
W
A

Pz..z=2- o,ooo44-5.22. 7.5.-5 /20 =2,7

- Perdas no ncleo:

2,24
_ Pn=19,39-(3ooo0)"2l'--0';76) -195,5-io*

Pn = 4,28 W

- Variao de temperatura:

AT = 23-49,21-(2,3+2,7+4,2a)

'

AT=5lC

Este valor de AT difere daquele estimado, pois o clculo de Bmax no considera as perdas nos
enrolamentos aliado ao fato de que para um AB menor (mais espiras) ii
que o definido em projeto, no
haveria possibilidade de construo do transformador. V,

A Fig. 3.3 mostra o esquema do transformador projetado.

 47

5 espiras
20 20 AWG
13 espiras
9 x 20 AWG 5 espiras

AWG
A

20 20 '

ncleo IP-10 (E65/39 + E651/26) v

Fig. 3.3 - Transformador projetado.

3.6.5 - Indutores

A partir do equacionamento bsico apresentado no item 3.5.2, a seguir, projetam-se os indutores

ressonante e do ltro de entrada. `

3.6.5.1 - Indutor Ressonante

Conforme calculado no item Lr = 46,4 pH. 'Porm deve-se lembrar que este elemento est
3.6.1,
em srie com o transformador, o qual possui uma indutncia de disperso' (Ld). Portanto,
interessante que primeiro se construa o transformador para medir-se sua disperso. Neste caso:

Lr'= Lr - Ld (329)
Li = 4,4.1o" - 7 10* = 39,6 pH. -

Dados: _

fs = 30 kl-Iz;

fzmn = 21 kl-lz;

AT = 30C;

lv = 29,3 A;

izr= 13 A.
 48

Repetindo-se o mesmo
procedimento relativo ao transformador para encontrar Bmax, tem-se:
Bmax = 0,13 T. Contudo, vericou-se que, em se usando um valor menor que o encontrado, 0
tamanho do entreferro mecnico toma-se grande.. Aps algumas iteraes, optou-se pelo emprego do
ncleo de ferrite IP-10, 65/39, com B = 0,133 T e Jmax = 260 A/cm2.

Dados do ncleo escolhido:

Ae = 7,98 cm2 AW = 3,70 cm2 lt = 17,4 cm

`

Ae.Aw = 29,53 cm4 Vn = ll7,3.l0'6 m3

Nmero de espiras:
i

_
N= _---_
39,6-io-6-29,3-104
0,133-7,98
=llesp1ras
.
~

- Nmero de os (20 AWG): V

Nf= L3/-Zl = 10 os
0,005l78

- Entreferro Mecnico: -

4.1z-122-1o'7~7,9s.1o-2
'

Lg'"=
2-44-1o*.
:ms-em

- Clculo trmico: ~

Analogarnente ao transformador, calculam-se as respectivas perdas:

Pcu = W
1,6

Pn= 6,3 W

AT = 52,8 C
A exemplo do transformador, o valor de AT difere daquele estimado. Neste caso.
particularmente, o valor de B teve que ser maior que Bmax para obteno de um entreferro mecnico
implementvel.
 49

~.
3.6.5.2 - Indutores do Filtro de Entrada

Repetindo-se o procedimento utilizado no item anterior, ressaltando-se que a freqncia a qual os

indutores so submetidos o dobro da freqncia de operao, resultam nos dados da tabela 3.1.

Tabela 3.1 -

induznciz [H] L1 = 4700 L2 = 1350

B 0,114 0,118'
*

[T]
Jmax [A/m2] 200 350
N [esp] 50 34
Nf [os] 5 3
Lgmec
q

[zm] 0,113 0,096

Pcu [W] -

0,7 0,6
P6 [W] 3,8 1,67
AT [c] 46,7 35,4
A
Ncleo - IP-10 E-55 '42/15

A utilizou-se o o 22 AWG, com seo igual a 0,003255 cm2 e resistncia tmica igual a 0,0007
Q/cm (considerou~se constante).

3.7 - Anlise por Simulao

A simulao numrica uma ferramenta poderosa para anlise do projeto realizado, antes de sua
implementao. Aqui procura-se comprovar, a nvel de estudo, o comportamento previsto atravs da
anlises qualitativa e quantitativa. Nurn segundo passo, simulam-se falhas de comando para vericao
das protees necessrias.
'

A estrutura simulada apresentada na Fig. 3.4. Observa-se que foram colocados diodos (ds) em
srie com os interruptores principais, bem como outros em anti-paralelo, isto porque o modelo do
interruptor utilizado para simulao bidirecional. -

Os
capacitores de ltro (Cfll, C22 e C33), foram inseridos aps as pontes reticadoras de
entrada. Deste modo, no haver correntes de altas freqncias circulando por estes diodos.
Os
resistores rl, r2,r3 e rt so introduzidos por questes de simulao, devido ao simulador utilizado.
 L Ll
Dl
A D3
A
T1
ds
ds
LI]
DGI 'T
C Ivvv\

___
Dm

i* Cm
R 'D ` DG -lr,--1

z T.

D2 0- .V

Q
L L22 __

vacl .

cn D5 D T3 ds DG: _f1

Q
rl ds

vac2 _ Lr2
f\fv\
DP3

R
:
Q LJ
r2 ds Cr4
Ts *DG T1
vnc3 D6
l ._.
DP-F I
Cf22
r3

LB LD3 -^

T
rs
D9 DG
CB ^ ^ Dl l

ds
ds
L
Jgr
DPS
.
___ /www-\
RB
~
T6
_

ds
ds Jg 11

Dl I ,V
Dre:
CB3

Fig. 3.4 - Estrutura simulada.

va1 = 380-Ji .sn(a.z), vazz = 380.5 .sn(.z-12o),va3 =3so/.szn(,.1-2400) _

Lfl = L2=Lf3=470pH

Ll =L22=Lt33= 135 pH
Cfl =Ct2=Cf3=1,4p.H

Cf11=C22=Ct33 =0,3 pF

Lrl = Lr2 = Lr3 = 46,4 pH

Crl = Cr2 = Cr3 = Cr4 = Cr5 Cr6=ll9pF

C0 = 4.500 pl:

Lo =_ 1,2 pH

A seguir, apresentam-se formas de onda relevantes e valores obtidos das grandezas envoluda:
para potncia nominal.
 Nas Figs. 3.5 e 3.6 tem-se a corrente de entrada da fase R, sem e com o ltro projetado
respectivarnente, todos freqncia da rede.

IS

W
I

~
`~_~f_____,

~`

=________%=--*-

.-e__

~ ~~3~
'==-z-_.

ii.

ll
z
"'*`

_.._._..;_;__;E:

H
__-_--ngm'

~
"'__'_.i__....._

_~
-...--a.__.

-*_-~

. 5 _
~~ -~

(5A/dv,2ms/div)
Fig. 3.5 - Forma da corrente de entrada sem ltragem.

A corrente de entrada 60 Hz, contudo, esta modulada por uma corrente com o dobro da
freqncia de operao dos interruptores de potncia.

vi/100
~

,___

___
,7 ,'

f* /,

z
( x^
75-if? 1,

-.L:

,__a.;.,

'

(SA/div;2,5ms/div)
Fig. 3.6 - Forma da corrente de entrada com ltragem.

Foi realizada anlise harmnica para se obter a (determinao de FP) e valores absolutos TDH
individuais para .comprovar, a nivel de simulao numrica, verificando-se que estes esto em
conformidade com a norma internacional IEC 555-2 [4]. Estes valores esto na tabela 3.2.

Observa-se que: FP = -~
xl 1
l

+ TDH2
(3.29)
 Tbela 3.2 -

harmnica valor absoluto (A)

l 3,9074740
2 0,47202 l OE-02
U3
0,2641 000 .

Ji 0,60789240E-02
kl!
0,3 1247640
O\
0,4365l l0E-03
\l
0,21 897660
% 0,35 l 04800E-03
\O 0,l2l4763
-I
0,37_096850E-02
-A _
0,1614l3l0E-01
-I
Q 0,26898590E-02
- U)
0,083 54928
-I
-
0,4088004E-02
--c KI!
0,385 1 5 l20E-01
r-I O\
0,27464550E-02
-I \)
0,25 l 96720E-01
-I
% 0,50903090E-02
-n
\O 0,3 1 224.670E-01
20 0,4590460E-02
TDH(3 0) 0,14
FP 0,99

Corrente e tenso, para um perodo de rede, em um dos transistores de potncla so apresentadas

nas guras 3.7 e 3.8, respectivamente.

30

WW

_

4-------+---

..____._.___.__.

'MW *
_

OA if.. \ 1

(SA/div,2ms/div)
Fig. 3. 7 - Corrente no inlerruplor.
 53

_____

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'
-z

__

__,

'1`..t :::\

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2
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I

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__..._z__-__

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-___

'-_'-53:' v -:;-:P

...___-

|||| :rf v
'27

to
._- _.
::~ LL? ;;~
_ .'

(loov/div,2ms/div)
-

Fig. 3.8 - Tenso sobre o interruptor.

_
A comutao do tipo "ZCS" ("zero current switching"), a Fig. 3.9 mostra odetalhe da
comutao, 'onde verica-se que a corrente no interruptor se extingue antes da abertura do mesmo.
Pode-se observar que o interruptor conduz a corrente durante toda a fase de transferncia de potncia,
que pode ser dividida em duas etapas, a primeira ressonante (durante o carregamento do capacitor) e
a segunda linear (quando entra em conduo o diodo de grampeamento), descarregando a energia
acumulada no indutor. 4

3oA p ~
'

< `
_

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V:
tn

~
_--f'-'_-f-~

.._.__-.._-__.

/-

\
__..__-+i-o--_-

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"<-
---

..-`-`-
.-..._4-.

__*

OA, OV

(SA/div, Sus/div)
Fig. 3. 9.- Detalhe da Comutao.

V
Nas guras 3.10 e 3.11 pode-se observar tenso freqncia da rede e corrente no diodo de
grampeamento durante a comutao. Note-se que o diodo opera apenas na etapa linear de
funcionamento.
-600
_

.-

T1-=
T:.:::r.

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....-_+_.-

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-.
M
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_

'.1'; _'
ox '- V- ~

(IOOV/div,2ms/div)
Fig. 3.10 - Tenso sobre o diodo.
 S4

_z__~,________._--_--b-----
.

_.-
`._._____-

*mi-~ ()~

X
,

(1oA/av,1o,l5/div)

Fig. 3.11 - Corrente no diodo de grampeamento.

A corrente de sada composta pela somatria das conu-ibuies das trs fases, que operam
defasadas l20 entre si e equilibradas, a ondulao de 360 I-Iz fenmeno resultante desta
caracterstica.Nas guras 3.12, 3.13 e 3.14, tem-se, respectivamente, corrente de sada de uma fase,

corrente de sada total sem e com ltragem.

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i

z O `
`

_-__---_.----

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_ --'-

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(ZOA/dV,2mS/div)
Fig. 3.12 - Corrente de sada em uma fase.

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llllllllllllllllllllllllll,mlllllllllllllll
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Y

.:.1f!^:.'
zr-'f*

(5oA/div,2ms/div)
Fi8 3.13 .
- Correnre de sada total.
 55

Na Fig.3.l4 apresenta-se a ondulao da corrente de sada e seu valor mdio, no anexo "a"
est a listagem dos dados de entrada no programa de simulao numrica. Neste
caso, o
dimensionamento dos elementos- ressonantes no previu as no idealidades do circuito
(rendimento), contudo, no modelo dos diodos foram introduzidos alguns dados de catlogo, tpicos
para a faixa de potncia deste conversor (diodos "Fast" - Semikron).
'

SOA
- - - - - - - ' - ' ' ' * ' ' l ' ' ' ' ` ' ' ` 3 ` ' ' ' ' * - ' - ' - - ' ' - ' ' ' " I
l
l l

3155 C
-

|vo I
|
l

4
l

,,,,,,,,,,,,,,,,,,, eeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeee el eeeeeeeeeee eeeeeee ea eeeeeee

,C2

46A e
z
x
r
Bm;

Sms
;

lim:
r

Jim:
.

3511:: 55m.: 65m:

Fig. 3. 14 - Corrente de sada para elementos ressonantes considerando circuito ideal.

Observa-se que a corrente de saida obtida por simulao 48,2 Ampres, o que comprova a
necessidade da aplicao de um fator de correo para a garantia da comutao "ZCS". Lembra-se
que. o simulador utilizado (PSPICE), no considera as perdas nos elementos magnticos.

A ondulao de corrente (Cl-C2) de 3,4 A, para o capacitor de filtro de 4.500 uF.

_
Na Fig.3.l5 apresentada a forma de onda da corrente de sada para o caso em que o
dimensionamento dos elementos ressonantes previu algumas das no idealidades do circuito. A
exemplo do caso anterior, no modelo nos diodos foram introduzidos alguns dados de catlogo. A
listagem dos dados de entrada est no anexo "b".

6l^ -
z :
: ~

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - ~ - - - - - - - - - _ - - - - - - - - - - - - - - - - _ 60.467
- - ~ _ c|
6OA_.

~
WH /ll,

Ml,
I _

5'/A
'

56.576

5.A ,

5m; lms 25m:

_
_

35m: lim;

Sims

65m:

Fig.3. 15 - Corrente de sada para elementos ressonantes com fator de correo.

 56

Observa-se que a corrente de sada obtida por simulao 58,4 Ampres. A ondulao de
corrente (Cl-C2) de 3,89 A, para o capacitor de ltro de 4.500 pF. `

Finalmente, projetaram-se os elementos magnticos para um .conversor monofsico ,de

mesma potncia que o trifsico (55A/48V) a m de comparar as ondulaes da corrente
(utilizando-se o mesmo valor do capacitor de saida). A listagem dos dados de entrada
apresentada no anexo "c" e a forma de onda da corrente de sada est na Fig.3.l6.

110/\ '
r : : x

._ _ _ _ _ . _ _ _ _ _ _ _ . _ . . _ _ . _ . . _ _ _ _ _ . _ _ . . _ _ _ . _ __{,____._Zs_'645'
C|
`\

i(vo) l
sozx -

'ouso
4oA -
tn

OA -. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. ._
C2
l04.923

-4^ . x i

Sms I5ms 25ms

x . _

Jms
.

45ms
.

55ms 65m:

Fig. 3. 16- Corrente de sada para conversor monofsico de mesma potncia.

Atravs da Fig.3.'16 detennina-se o valor da corrente mdia de sada (48,7 A). Comprova-se a
grande vantagem da utilizao da entrada trifsica, constatando-se que, para o mesmo capacitor de
ltragem a ondulao da corrente drasticamente maior para o caso monofsico. Para se atingir o
mesmo valor de ondulao relativo Fig.3.l4, mantendo-se Lo constante, o capacitor de ltro
deveria ter valor aproximadamente igual a 130.000 pF.

A partir do equacionamento matemtico e do programa de simulao numrica, construiu-se

a tabela 3.3.

Tabela 3.3 -
-
_
.
. .

Grandeza previsto simulado 8 (%)

29,3 29,5 0,7
l-fp

9,2 8,31 9,6

'

*Ter
3,8 5 3, 67 4,7

TMED
VT max 537,4 590 9,7
 S7

Os valores assumidos pelo erro so atribudos a alterao da estrutura (ver Fig. 3.4) e a
algumas no-idealidades, relativas aos diodos de grampeamento e reticadores de saida, que foram
inseridas. .

Observa-se que os valores encontrados por simulao esto de acordo com aqueles obtidos
auavs do modelo matemtico desenvolvido. Via simulao obteve-se o ngulo de incio de
transferncia de potncia (9, = 29,80) e vericou-se que o filtro projetado no causou deslocamento
de fase entre tenso e corrente de entrada.

As simulaes de comando demonstraram que no aparecem sobretenses

falha no
indesejveis, o que simplifica as protees envolvidas. As figuras 3.17 e 3.18, mostram o
comportamento da tenso e corrente no interruptor quando h falha no comando, ou seja, por algum
motivo, o comando pra de enviar pulsos (entre ta e tb), voltando a operar normalmente (em t = tb).
Esta uma caracterstica utilizada no circuito de proteo contra sub ou sobrecargas na bateria.

Vsl
M
i x

[mmmgl i i| i lnfll

4
vg.
i

'J

V53' : : s :

vs
z
*
r
1
1

vzs' *
*
'f =

vs* __

*
*

18 lb

_
(soov/v,sms/div) .

Fig. 3.1 7- Tenso nos interruptores com desligamento acidental do comando.

 58

30.

J.
-l

"lx
E

|
~

O>

u
i

(SA/div,2ms/div)
Fig. 3.18 - Corrente no interruptor com a falta de sua respectiva fase.

3.8 - Concluso

Neste captulo, deniu-se metodologia global de projeto da estrutura de potncia, ltros de

entrada e sada, alm do projeto completo dos elementos magnticos envolvidos.

O ltro de entrada demonstrou excelente desempenho. Acorrente ltrada , obtida atravs de

simulao numrica est de acordo com a norma IEC A555-2. Observa-se que, optando por sua
aplicao, estrutura acrescentam-se alguns componentes que em um ltro convencional no seriam
utilizados.

A do projeto desenvolvido, foram realizadas simulaes numricas e analisados os

partir
resultados que se mostraram compatveis com a previso realizada atravs do modelo matemtico.

Testou-se, por simulao, o comportamento do circuito quando da ocorrncia de falhas, o qual

mostrou-se muito robusto, eliminando-se a necessidade de circuitos de proteo contra sobretenses
nos interruptores.
 CAPTULO Iv

IRCUITOS DE COMANDO 1: PROTEO

4.1 - Introduo ~

O conversor utiliza a estratgia da modulao atravs da freqncia de comutao varivel

(FM). A partir desta caracterstica, dene-se o circuito de comando.

Um circuito de proteo que monitora a tenso sobre as baterias foi desenvolvido,

principalmente, para o caso de operao cclica, ou seja, quando as baterias forem mantidas a maior
parte de suas vidas em processo de carga e descarga. Uma tenso excessivamente alta faz com que
uma corrente de maior intensidade atravesse os elementos, ocasionando maior desgaste das placas
carregadas, diminuindo a vida til. Tambm, no caso de urna tenso muito baixa, ocorre a reduo da
capacidade de descarga da bateria. .

Por ltimo, apresenta-se um circuito clssico de proteo contra sobrecorrentes nos interruptores
de potncia.
'

4.2 - Comando

O comando desta estrutura pode ser includo entre seus pontos positivos, composto por pulsos
de :IS volts, complementares de razo cclica, aproximadamente, igual a 0,5; sendo que cada pulso
comanda, instantnea e isoladamente, um interruptor de cada conversor. '

Deniu-se O circuito integrado 3524 para a gerao destes pulsos. Assim, atravs da regulao
do tempo morto entre os pulsos complementares, garante-se que os dois no ocorram simultaneamente
evitando-se um curto de brao. -

Formulrio para projeto [5]:

fosc=2'fs (-4,1)
 60

RT = --l_
CT
fosc max'
(42)

fos c m in = ---- 1

T
.

'

( )
RTmax-CT

fosc min
i

=
-

fs min

onde,

- fosz a freqncia de oscilao [Hz],

fz a frequncia de operaao [Hz],

- Rr e Cr , resistor e capacitor de ajuste de freqncia, [Q] e [F], respectivamente.

Para um tempo morto de 500 ns, controlado por meio de P1, atravs de catlogo, determina-se
Cr e a partir dele, os demais parmetros. Tem-se:

Cr=l nF
RT=l8 kQ
foscmin =20 kl-Iz

fsmn=10 kHz

A implementao do circuito com estes parmetros proporciona uma freqncia mxima de

operao igual a 30 mnima de 10 kHz (para RTmax= 50 kQ). Atravs do baco da Fig. 2.10,
kl-Iz e

verifica-se a potncia mnima que poder ser entregue carga, ou seja, P E 33% da potncia nominal.
Contudo, lembra-se que desta forma j estar operando na faixa de freqncia audvel e que, o ltro de
entrada e os elementos magnticos foram projetados para freqncia mnima de operao igual a 21
kHz.

O circuito completo de comando empregado, est na Fig. 4.1. Os diodos Dzl e DZ2 grampeiam
a tenso em il5 V, alm disso Dz2 atua na desmagnetizao do transformador quando NPN abre. O
resistor- r5 'controla o tempo de subida da tenso coletor-emissor na entrada em conduo. O resistor r
amortece as oscilaes no secundrio do transformador, ocasionadas pela recuperao do diodo zener.
enquanto r7 proporciona descarga da tenso negativa. Atravs de RT pode-se controlar a freqncia de
comutao, ressalta--se que para fechamento de malha podem ser utilizadas estratgias que faam seu
valor variar conforme comportamento da amostra da grandeza controlada.
 = 2k2 TPI r5
G1
= 82R 111
Dzl
= l5R
= 2k2
= 22R
E2'C.1CE1

= lk VCC
El
2 100R/2W .
r5
= 5k G3
RT = 20k Dzl
CT = lnF
g
r4
cl = 3,3nF
_

Dz = 1N4753 -
NPN = BDI39 E3
VCC = +l5V i5
+VCC '

r3 .
G5
_
Dzl

1
-

15 V

r2
10
protees

r7
16 NPN
._.._.

-N

i' fl E5
'

w
_; _;
._.._.

l
`\\U\~
'

cl
*

TP2 Y5
P1 G2
.

.III \' -

RT
V

mwA-

DZ]
-

1 z 1

r7
VCC Dz2
E2

w
0
`

r5
. G4
Dzl
r6

r7
DZ2
E4
r5 ~

G6
Dzl
r3
r2 r6

r7
Dz2
H NPN E6

,"` _ cl
_!_
?

Fig. 4.] - Circuito de comando empregado.

 62

4.3 - Proteo Contra Sub e Sobrecargas nas Baterias

O circuito projetado deve inibir os pulsos gerados pelo integrado utilizado (3524) quando a
tensona bateria atingir um valor 5% acima da tenso nominal e liber-los quando a tenso tender a
um valor 5% menor que seupnominal, isto , um controle por histerese. O valor de tenso na bateria
captado atravs de um divisor resistivo. Atravs do potencimetro Pl pode-se ajustar a referncia o ,

diodo zener protege contra disparos acidentais.

`

O circuito implementado mostrado na Fig. 4-.2.

RI =4k7

R2=51oR
'
; BATERIAS '

VCC=+_l5V
~

R4=33k

R3 = 11<5 R5 = 4k7 NPN-WBCS47

|

DZ-8Vl f
vai para pino 10/3524
vcc = +15v R = 212
"

Pl = 5k

Fig. 4.2 -`
Circuito de proteo contra sub e sobrecargas na bateria.

Proteo Contra Sobrecorrentes nos Interruptores

H

4.3 -

_
O circuito de proteo implementado mostrado na Fig. 4.3 capta, isoladamente, as correntes que
uem pelos indutores ressonantes. '

Quando o nvel de corrente estiver acima do mximo permitido, ajustado a partir de Pl, ser
enviado um pulso que disparar um tiristor e acionar o pino 10 do circuito integrado utilizado para
comando dos intermptores (3524), inibindo a gerao dos pulsos de comando.

Nesta eventualidade, para voltar ao funcionamento normal, necessrio desligar a fonte para
bloquear 'o tiristor.
 VCC =+l5V

R2=33R R3=l2R
'Dil R5= l2R
p = zk PNP-Bcssv
'

P SCR~2N506l 1

Vai para pmo l0/3524

_ _
~

:
U1U""O~7-'O'-1

-.lz R4=`2k2
c1=5 np
.

'D2 Rl = azar

D1 ,D 2 - lN4l48

Fig. 4.3 - Circuito de proteo contra sobrecorrentes. ~

4.5 - Concluso

O circuito de comando com pulsos complementares ' simples, isolado e nico para os seus
interruptores.

_
O defasamento existente entre as fases proporcionar menor ondulao da corrente de sada
Pa '1'
ar operaao clc
~
rca, u r-
iza se um comparador de histerese para controle da tensao da bateria,
evitando-se sub e sobrecargas..

Um circuito clssico de proteo contra sobrecorrentes foi apresentado e aplicado

individualmente a cada uma das fases.
'
 cAPTULov

IMPLEMENTAO E RESULTADOS EXPERIMENTAIS OBTIDOS

5.1 - Introduo

Neste captulo faz-se, inicialmente, o dimensionamento e a especificao dos componentes

com o objetivo de implementao prtica, tendo como base os captulos anteriores. Em um
eletrnicos
segundo momento, so apresentadas a estrutura implementada em laboratrio, formas de onda
relevantes obtidas por experimentao e anlises necessrias.
'

5.2 - Dimensionamento dos Semicondutores

A partir dos bacos 'extrados do equacionamento realizado, determinam-se os valores das

grandezas relevantes especicao dos elementos, a nvel comercial, que compem a estrutura.

5.2.1 - Interruptores de Potncia

Os valores obtidos, atravs dos bacos, para as especicaes do projeto realizado no captulo
anterior, so mostrados na tabela 5.1.

Tabela 5.1 - Valores das gmndezas rlevn_t_es para dmggsiongmento.

Q randeza modulo
`

I\) ua

in, (A \/
I
NO

.
fo N
1TEF(A)
.
UJ BO uz
_.

TMED
<Tmax(< ) Q\ |\_)
O

obs: tenso mxima: VTHW = vef -

/ 1,15
-
i 620 V.
 65

Nesta etapa deve-se deriir qual o interruptor a ser utilizado. Neste caso a escolha da tecnologia
do semicondutor no to evidente. Para dar suporte escolha, fez-se uma comparao entre as
perdas em conduo, uma vez que, praticamente, no existem perdas na comutao (ZCS), geradas
pelas diferentes tecnologias de componentes passveis de implementao, neste caso MOSFET's ou
lGBT's. ~

Cabe lembrar que, para o nvel de tenso de trabalho, os MOSFET's possuem elevada resistncia
de conduo, na ordem de 0,35 Q, considerando que este valor ainda deve ser multiplicado por 1,8
devido variao, de resistncia de conduo com a temperatura, tem-se: _

PM = RDS.-,..-irc? -

(5.1)

_
-PM =(o,35-1,3)-9,22 =53,3 .W

_
Ao todo, tem-se 6 interruptores, assim:
`

PM. = -PM (52)

_
PM = 320 W
A outra possibilidade utilizar IGBT's, contudo, deve-se efetuar o mesmo procedimento, para
comparao entre as potncias dissipadas. 0 valor tpico de Vcsozz pesquisado igual a 3,4 V.
N PI = VCEon'lTm .
5

PI = 3,4-3,85= 13,1 W
Pr = -P1 _
(5.4) _

PI: = 78,5 W .

No primeiro caso, a potncia dissipada nos interruptores equivale a 12,1% da potncia nominal
da estrutura, no segundo caso, este percentual cai sensivelmente para 3%. Aps esta avaliao
escolheu-se o interruptor IGBT._ Comercialmente, encontrou-se o modelo SKM40GBl01D,
SEMIKRON [14]. Observa-se que este componente est supedimensionado em relao sua
corrente mdia (Im = 25A/80C). Todavia, isto deve-se aos niveis de tenso mxima e corrente de pico
aos quais ele ca submetido. _ _
r

Escolhido o interruptor, atravs de clculo trmico, define-se o dissipador a ser utilizado, a partir

dos dados fomecidos pelo fabricante, que so RJC (resistncia trmica juno-cpsula), Rco
(resistncia trmica cpsula-dissipador) e.
(temperatura mxima de juno), assimz
RJC=0,40C/W s

Rs=o,1s.c/W

Tim, = isooc
 Optou-se pelo uso de mdulos, ou seja, dois intemlptores no mesmo encapsulamento,
diminuindo o custo e o volume da estrutura. O circuito trmico equivalente mostrado abaixo, Fig
5.1.

RCd D

p
J Rda

Fig. 5.1 - Circuito trmico equivalente do mdulo com dois IGBT's.

Clculo trmico:
'

AT=TJ-TA=Pt-Ric
4

(55)
AJC = Pn RJc
A
`

(5.)
-

AJC = (3,4 3,s5)- 0,4 Az 5,24c

-

Tc = TJ - Aic (5.7)
Tc =1oo-5,24 = 94,sc
`

AcD_= Pn-RCD (5.8)

ACD = (13,1-2)-0,15 = 3,93c

TD = Tc-ACD (59)
TD = 94,8- 3,47_= 9o,s7c
ADA = TD-TA (5.1o

ADA = 90,87 _ 40 = 5o,s7c

RDA = ADA + Pn (5.11

RUA = 5o,s7+(13,1.2)=1,94c/W

onde,

TJ a temperatura mxima da juno (100C por segurana)

TA a temperatura ambiente de trabalho

Tc e a temperatura da cpsula
 67

TD a temperatura do dissipador
Pt a perda em conduo de um IGBT
a perda em conduo do mdulo
`

Piz

R_DA a resistncia trmica entre dissipador e ambiente. -

Para cada mdulo utilizou-se um dissipador com resistncia trmica menor que o valor
encontrado.

5.2.2 - Diodos de Grampeamento

Os valores obtidos para asespecicaes de projeto, as mesmas simuladas no

i

captulo anterior,
so mostrados na tabela 5.2. -

Tabela 5.2 - Valores das grandezas relevantes para dimensionamento.

3

Grandeza mdulo
'

'

.
iT,,(A)
2,73

TE1=(A)
50

1'7
TMED (A)
VD mzx (V) 620

Conhecidos os valores acima, pode-se detenninar o componente . Escolheu-se o diodo rpido

tipo rosca, SEMIKRON, SKR e SKF 2Fl5/08.
~
'-

Atravs do clculo trmico determinou-se RDA = l4,9 C/ W.

5.2.3 - Reticadores de'Entrada

A tabela 5.3 mostra os valores previstos para denio da ponte reticadora de entrada.
Tabela 5.3 - Valores das grandezas relevantes para dimensionamento.

Grandeza mdulo
Ip (A) -

14,6
ief (A) 3,86
Im (A) l,l
Vmax (V) 620
Especicou-se a ponte de diodos SKB B 500 C 3200/2200, SEMIKRON.
5.2.4 - Reticadores de Sada

Na tabela

mr~.
5.4 esto os valores das grandezas envolvidas na denio dos diodos reticadores de
sada. '

Tabela 5.4 - Kalorsias gzarzdezas rLevazLes

Grandeza
mdulo
IP (A) 76,2
ief (A) 24,0
Im (A) 10,0
_
Vmax (V) 110,0 4

Escolheu-se os diodos, rpidos, tipo rosca, SKR 2F 17/02 - SEMIKRON

Atravs do clculo trmico determinou-se RDA = l,4'C/ W.
`

5.3 -Resultados Experimentais Obtidos

5.3,1~ .- Estrutura de Potncia implementada

L Lfl
_
1 z z
1
Y'\_T._rY\'\ Ti

Di D2__c_ __cn
l

_*
cn/2 -- RP gl T
l

i Dlil

Cfl/2
T RP
_

T2
'

Ic" U
Dc ::Cr2 TH
?

F
l

D3 '
D4 _,
A

0_ `
|
,

'L

_ Dvz '

Lf2 Lf22

1: CT3
*_

vacl
U

i

Cz

T?
vz

RP
'

ca/2
l
w .

vac2 `l`l
*

T Rp
'
__~u

' `

* lI::CMT2
Cfl/2 l

T4?
_

-
-` cn Eai
{%Co
"
Ds
r 1.
Ro
_D8
L
tw

vac3 A _ , ?
i
%

5
I

DP4
L33

S
l

Dio T5
l- los
T
C.
cn/2 RP
_~CB .

us + ms
=

/vv-v
_
i l

cn/2%llRp
Sz:3
`

_{}__.__.._{>1.

_
T
-I

DP(

Fig. 5.2 - Estrutura Implementada em Laboratrio.

 69

.A relao de componentes est expressa a seguir.

Lfl = Lf2=Lf3=470 uH
Lf1l= Lf22 = Lf33 = 135 pH
C/2 = Cf2/2 = Cf3_/2 = 2,0 uF/250V/polipropileno

Cfl'= C2'= Cf3' = 0,47uF/400V/polipropileno

i

Cfl" = C2'-' = CB" = 0,56uF/400V/polipropileno

Lrl = = Lr3 = 46,4 uH

Lr2 .

Crl = Cr2 = Cr3 = Cr4 = Cr5 = Cr6 = 1.19 uF (associao)/polipropileno

Co = 4.500 uF/100V/eletroltico 1

Lo = 1,2 ul-I

Ro = reostato (simulao de carga)

Eo = bateria (4* 12V)

Do = 2 diodos SKR45/08, SEMIKRON

Rp = 150 kQ '

DGI -DG6 = diodos rpidos tipo rosca, SKR e SKFZFI 5/08, SEMIKRON
DPI -DP6 = diodos rpidos tipo rosca, SKR 2F 17/08 - SEMIKRON
Dl-D4 = D5-D8 = D9-D12 ..= ponte de diodos SKB B 500 C 3200/2200, SEMIKRON
T1-T6 = IGBT SKM40GB10lD, SEMIKRON.
'

Observa-se que "Do" utilizado para que no ua corrente das baterias, ou conversores
colocados em paralelo, para o caso de falha do capacitor de ltro. .Foram utilizados dois diodos,
superdimensionados em tenso mxima reversa, em paralelo por ser o 'material disponvel em
laboratrio para esta nalidade.

5.3.2 - Aquisies Relevantes

A seguir, analisam-se as formas de onda obtidas, bem como os valores relevantes das grandezas
envolvidas relativas aos componentes.. _
_' ~

Nas figuras 5.3, 5.4 e 5.5, pode-se observar tenso e corrente de entrada das fases R, S e T,
'

respectivamente. -

_
. .
 ..
TWI
. I

T;11s:^s I

I. I

____

T, . T/
I se
1 I

_~I_

(zoov/nv,2A/v,5ms/div)

Fig. 5.3 -Tenso e corrente nafase R, com fs = 30kHz

T
I I I

v I
iv
I

____

IT-I
I
I
I

-I

(200V/div,2A/div,5ms/div)

Fig. 5.4 - Tenso e corrente na fase S, com js=3 0kH.

TW
f
I I I I

I I
I

T; zA
+I

I
I

,__

I_

`""I

I 1
I
I

(200V/div,2A/div,Sms/div)

Fig. 5.5 - Tenso e corrente na fase T, com js = 3 0kHz

A tabela 5.5 apresenta valores medidos das correntes envolvidas, das taxas de dlstorao
harmnica de corrente e tenso de entrada e do fator de potncia.
 71

Tabela 5-55 -

fase .izf(A) TDH-1(/0)

TDH-v(%)' FP
R 281 -

23,6 3,4.
aff
0,973
22,35

3,4 0,976
2 20,76 3,3 0,980

Observa-se que a tenso de entrada apresenta, tambm, uma taxa de distoro, da surge a maior
contribuio da diferena entre a taxa simulada e a obtida para a corrente de entrada. Portanto, os
valores medidos esto de acordo com aqueles previstos.
'

A anlise harmnica de uma das fases demonstra que a corrente de entrada est conforme a
norma internacional IEC 555-2 [4], excetuando-se as harmnicas de nmero ll e 17; credita-se 'isto
distoro inerente tenso de entrada. ,
.
_

Tabela 5. 6 - Anlise harmnica da corrente de entTada__fase R_ = 30 kHz.

harmnica
'

valor absoluto (A)

'

1 _ 4,08
2 A
0,00968
0,5856
0,00652
OO\l\\J'|-Ib
0,3 8178
0,00842
0,220
0,01036
9 0,03086
10 0,002744
1 1 0,169
12 0,00248
1

13 0,1749
14 0,00334
1.5 0,04838
16 0,00103
17 0,078832
is _
o,o0407
19 0,1 1388
20 0,005338
TD11(40) 0,2076
FP 0,98
 72

A seguir, apresenta-se as formas de ondade corrente e tenso para fs = 21 kHz, pode-se observar
que o ltro no introduz deslocamento de fase. Foi realizada a anlise harmnica, a qual apresentou
uma TDH = 22,3%, conferindo estrutura, neste ponto de operao, um fator de potncia de 0,975.

A+

/fez
`Ixiii_fi_`_

"""T__i?Ii"_

_zzzzz-

H
.
__I_ "_'

_
| _

2oov/v,2A/dv,2m/div)

Fig. 5.6 - Tenso _e corrente de erztrada, com j = 21 kHz

Na Fig. 5.7 apresenta-se a tenso e a corrente no circuito ressonante, no valor mximo da tenso
da rede de alimentao, para potncia nominal; Fica clara a evoluo ressonante das grandezas.
Observa-se que a corrente de magnetizao do transformador pequena (constatou-se atravs de
medida em laboratrio que da ordem de 600 mA), e que a corrente que ui pelo indutor ressonante
est prxima ao limite da descontinuidade, como previsto para esta faixa de operao. A mudana de
inclinao da tenso sobre o capacitor ressonante deve-se ao capacitor do ltro de entrada.

WF
_I__

__zI__

F
.

zi iIiT_;
.z5

3'

H
LF
_.._____t__

I .
II
I
I I I I I

(l0A/div, 200V/div, I0|.ts)

Fig. 5. 7 - Tenso em Cr e corrente em Lr.

-As guras 5.8 e 5.9 apresentam tenso e corrente no transistor para a potncia mxima de sada,

no valor mximo da tenso da rede. Observa-se picos de corrente que so referentes recuperao do
diodo de grampeamento. A caracterstica "ZCS" fica comprovada na Fig. 5.8.
 FW 1
z
zz
`_I`
'QI'

ir
--.Hi

1;;
__

(l0A/div, 500V/div, I0ps)

Fig. 5.8 - Tenso e corrente no IGBT, potncia nominal

g

lliifil"
`

.llllnnllll l~.l
`|

1 1
| | |

'

We Wll

~
'_
r

I 7 i

l_I _!
~
of
tr
OA ' '

1 I 1
I

1 1 1 1 \
| |

(IOA/div, 500V/div, 2ms/div)

. Fig. 5.9 - Tenso e corrente no IGBT, freqncia da rede.

A Fig. 5.10 apresenta a tenso no capacitor ressonante e corrente no diodo de grampeamento,

para a potncia mxima e no valor mximo datenso de entrada. Observa-se que, quando a tenso
chega a zero, o diodo entra em conduo, iniciando a etapa linear. As oscilaes devem-se 'aos
elementos parasitas.
5
'

-..ai _

_
_

___ _'_ 1*
+8 I
1f_
__:__
__mri__.

_t

2 :~ ~ 5

W ln lr
__Yi=!!l:
1

(IOA/div, l 00V/div, l0ps/div)

Fig. 5.10 - Tenso em VCr e corrente no Dodo de Grampeamento.

 74

Na Fig. 5.11, tem-se a forma de onda da corrente, freqncia da rede, em um dos diodos
reticadores de sada. Observa-se que esta corrente a mesma que ui pelo interruptor de potncia,
multiplicada pela relao de transformao do transformador. '

I I

__1___

__l__

_
I]__.

'__
2 __'1__I_i____
WI I
IIIIII I
~
II

__I__l._4

_n_a

(20A/div, 2ms/div) -

Fig. 5.11 - Corrente no diodo reticador,- freqncia da rede.

Na Fig.
I

5.12 apresenta-se tenso e corrente no reticador de sada, a nvel de comutao.

_' *_
.y

* ____4;.,

IJ
"l

I1?If~I """`
A

(sov/av,soA/div,ious/div)

Fig. 5.12 - Tensoe corrente no diodo reticador de sada. -

A corrente- total de sada do conversor apresentada na Fig. 5.13. A ondulao de 360 Hertz,
devido ao defasamento das correntes proporcionado pela entrada trifsica, foi deaproximadamente 2,0
A de pico a pico, com um capacitor de ltro de 4500pF.
 75

_A
__

\ I_VA_v_
_
_ /L _

___a;2.__;.J,.__

__1_J_1.____11_

_
___|._._l_.lill`

l
_l

~
I 'l

^~
I I

~
(l0A/div, 2ms/div)

Fig. 5.13 - Corrente total de sada do conversor.

5.3.3 - Curvas Caractersticas

A partir do levantamento de diversos pontos relacionando freqncia de comutao, potncias de

entrada e transferida carga, para um valor para um ganho esttico xo (igual ao de projeto) obteve-se
as curvas apresentadas nas guras 5.14. e 5.15.

'V
"(%25I _! | |
-1
1
I

._'_'_'_\"_~_,__~___`______
"_"'\\
_

80 0

75 l
l

70

65 ff

60 _

22 24 26 28 ~

30 32
fS(kHZ)

Fig. 5.14 - Rendimento em funo da freqncia de comutao. _

 76

P<(i<vv)

2,8

/
2,6
L-=-"""

2,4

\\
z

.
1

2,2 . 'zz

2,0

1,8
.
.

22 24 26 28 ^

30 32

fs(kHz)

Fig. 5.15 - Potncia desad em funo da eqnca de comutao.

A guras anteriores constata-se que a suposio inicial em que se considerou um

partir das
rendimento previsto de 88% para dimensionar os elementos magnticos mais precisamente foi vlido.
Observa-se atravs da Fig. 5.14 que o rendimento cou em tomo de 82% para potncia nominal,
devido, principalmente, s perdas em conduo dos reticadores de sada, elevado nmero de
elementos magnticos e semicondutores passivos. '

g .

5.4 - Concluso

O prottipo implementado teve o desempenho esperado, apresentando a caracterstica "ZCS" e o

rendimento previsto, comprovando-se o estudo realizado at ento e que as simplicaes para anlise
no comprometeram a performance do conversor-.

O fator de potncia medido manteve-se constante, para um "q"

xo, nas freqncias mnima e
mxima. A anlise harmnica comprova a conformidade com a norma IEC 555-2.
O filtro projetado no introduziu deslocamento de fase, na faixa de freqncias propostas, entre a
tenso e a corrente de entrada.

A ondulao de corrente, para
a pico, sendo facilmente diminuda atravs da introduo de
A
As perdas mais relevantes se
eficaz e mdio da corrente que por eles
um capacitor de 4.500 uF, foi de aproximadamente 2,0 A de pico
um capacitor de maior valor.
deram atravs dos diodos retificadores de sada, devido aos valores
ui, e ao nmero de elementos magnticos.
 coNcLUso GERAL

A estrutura analisada e implementada em laboratrio mostrou-se robusta, simples tanto no

circuito de potncia quanto no de comando, alm de apresentar alto fator de potncia, sem a
necessidade de estgios pr-reguladores. Por estas caracteristicas, este .
conversor pode ser
industrializado, evidentemente que com adaptaes, para atender s exigncias do mercado, a nvel
de protees ou fechamento de malha, o que mereceria um estudo criterioso.
Desenvolveu-se toda a parte a nvel terico e de simulao, foram especificados todos os
elementos da topologia e, por ltimo, implementou-se um prottipo, a partir do qual obtiveram-se
resultados que validaram toda a metodologia empregada.
'

O controle do de potncia da estrutura funo exclusiva do ganho esttico de tenso,

fator

porm, as correntes que atravessam os elementos do circuito crescem medida que este diminui.
Em outras palavras, um fator de potnciaalto implica em altas correntes circulantes (maiores perdas
em conduo), portanto, existe mn compromisso entre estes dois parmetros, que depender das
V

caractersticas e utilizao desejadas da estrutura final.

4

,
A tcnica "ZCS" foicomprovada, eliminando-se as perdas durante a comutao. Observa-se
que existe um limite onde esta caracteristica deixa de existir, devido modulao em freqncia
empregada. Este tipo de modulao impe certas restries, principalmente aos elementos
magnticos, porm, confere ao controle um comportamento linear quando relacionado potncia de
sada.
'

O circuito de comando gera pulsos complementares que acionam instannea e isoladamente

cada um dos dois interruptores de potncia de cada fase. A freqncia de comutao determina a
potncia de sada. .

O ltro de entrada projetadono intoduziu deslocamento de fase entre tenso e corrente,

contribuindo para a obteno do alto fator de potncia na faixa de freqncias propostas para
operao. .

A ondulao de corrente de sada, devido ao defasamento entre as correntes instantneas,

proporcionada pela alimentao trifsica, diminui drasticamente o valor do capacitor de filtragem.

Ressalta-se que coma elevao da potncia processada, mantendo-selum alto fator de

potncia, as correntes de pico inerentes tomam-se cada vez maiores, aumentando as perdas em
conduo, principalmente dos diodos reticadores de sada, limitando a potncia transferida.
Sugere-se ento, aproveitar a caracteristica natural de sada de fonte de corrente; isto , para a
 78

obteno de .potncias maiores, associar conversores em paralelo. Cada caso dever ser analisado em
relao ao custo que ir proporcionar.
'

Sugere-se para um prximo trabalho o fechamento de malha e o estudo

i

relativo ao

comportamento dinmico do comando utilizado; alm do estudo da-'l'ii'o 'do rudo audvel

intrnseco ao fomecimento de potncias menores devido modulao FM.

 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[I] - BARBI, Ivo; KASSICK, nio; "A `IIo`w Cost High Poweri`FEt`or Resonant Mode
BatteryCharger". Applied Power Electronics Conference, APEC'93, pp 543-
548. ~

[2] - BARBI, KASSICK, nio; "A High Power Factor Resonant Mode Converter
Ivo;
for Battery Applications". 29 COBEP, Novembro 1993, Uberlndia -

MG - BRASIL, pp. 195-200.

[3] - BARBI, Ivo - Eletrnica de Potncia II, Publicao Intema, UFSC, 1981.

[4] - BARBI, Ivo, SOUZA, A.F.; Correo de Fator de Potncia de Fontes de

Alimentao. Publicao Intema, LAMEP,UF SC, 1993.
i

[5]_
- FERREIRA NETO, Implementao de um Sistema
Joo Aberides; "Estudo e
Carregador` de Baterias Operando no Modo Ressonante com altor fator de
Potncia Utilizando IGBT's", Dissertao de Mestrado, LAMEP -
UFSC - BRASIL, 1994.

[6] - FERRET, Gilvane E. S.; "Estudo de uma Fonte Ressonante com Entrada Trifsica
e Alto Fator de Potncia, Sada Isolada", Dissertao de Mestrado, LAMEP
- UFSC BRASIL,
- 1994.' .

[7] - FREITAS, J.L.Vieira; MELO, F.E. Nogueira; BARBI, Ivo; "Conversor Srie
Ressonante com Grampeamento da .Tenso no Capacitor Ressonante",
Revista Controle e Automao, SBA, Vol.3, N9 3, Ago./Set. 1992.
 80

[8] -
FREITAS, J .L.Vieira; "Concepo, Anlise e Projeto de Sistemas de
Alimentao em Corrente Contnua de Alto Desempenho com Altas
' ` *M ' " --~
Tese de Doutorado, LAMEP - UFSC `BRASIL,

F requencla
.. ,. . e ' `

e Potencia'
. ,
,

1993. -

[9] - IGNAZIA, Bonanni; "Unity Power Factor Battery Charger Regulated by LVI",
Power Quality Proceedings, november 1990, Paris, pp. 42-47.

[10] - LATOS, T.S.,BASACK,D.J.;' "A High Efciency

i
3 _kW Switchmode Battery
Charger", IEEE, PESC'82 Conference Record, pp.341-349.

[11] - MARTINS, W.M.; "Correo do Fator de Potncia Trifsico Utilizando Dois

Conversores Boost em Paralelo, Operando defasados, no Modo de
Conduo Descontnua", Dissertao de Mestrado, LAMEP - UFSC - Brasil,
1993. _
_

[12] - MOHR, Hari B.; C, Mrcio Almeida; NLL,Valdir e BARBI, "Isolated Boost
Battery Charger with Unity Power Factor and Charge Control
by Microcontroller", 29 COBEP, Novembro 1993, Uberlndia - MG, pp.
'

201-206.

[13] - SAEED, Ahmed, "Controlled On-Time Power Factor Correction Circuit with
Input Filter", Thesis Master, 'Faculty of the Virginia Polytechinic Institue and
USA,
3

state university, 1990.

[14] _ SEMIKRON, semizmduwr-Daraisook,1993.

 81

[15] - SILVA, Nilton F.; "Estudo e Realizao de uma Fonte Chaveada com
Conversor Srie Ressonante", Dissertao de Mestrado, LAMEP - UFSC
- BRASIL, 1988.

[16] - SIMONETTI, D.S.L., SEBASTIAN, J., UCEDA, Javier; "Single-Switch Three

Phase Power Pre-Regulator under Variable Switching Frequency and
Discontinuous Input Current". PESC'93,pp.657~66l.
'
A

[17] - SUZUKI, Y. et alii; "A Rectier Unit Using Series Resonant Converter with
Voltage Ressonant Control for Light Load". Intelec'91, pp322-329.

[18] - THORNTON, Catlogo de Ncleos de Ferrite.

[19] - ZIOGAS, P.D., MANIAS, S., PRASAD, A.R'.; "An Active Power Factor
Correction Technique for Three Phase Diode Retiers". PESC'89, pp. 58-
65.

-

.
 ANEXO

Listagem dos dados de entrada no programa de simulao numrica (PSPICE)

a) Conversor sem correo (ideal)

*fyxsfR**********************************************************
*ltro

1f1 1z`1 47011 =4

cf] al a2 lu V

rfl a2 2 2.701
lfll al a 135u ic=6
cfll a 2 .3u

200k
rfa al a2
************
* conversor r

Lrl 11 13 53.i8u
`

Crl 7 12 107n

Cr2 12 9 107n
D1 DIODO
a 7
D2 2 7 DIODO
D3 9 a DIODO
D4 9 2 DIODO
D5 12 7 DIODO
D6 9 12 DIODO
DR1 11 7 DIODO `

DR2 9 11 DIODO
LPI 12 13 1.614m
LS1. 8 mm 224.7u
1s11 mm 35 224.7u
KPSI LP1 LS] 1511 0.9999
RB113 35 IMEG 1

S1 7 10 Nc10C1-IAVE
DS1 10 11 D1oDo
s_2.. 11 18 N20cHAvE
Ds2 ls 9 mono -

v1 N1 0 PULsE(0 5 1011 ms ms 1.447zz33333333330)

Vc2 Nc2 O PULSE (0 5 16.67766667u lnS 1nS 16.64466667u 33.33333333u)
VA1 1 0 SIN (0 537.4 600 0 0 0)

**IASES ******#**%***********************#********************
*ltro

1f2 2 bl 470u
cf2 bl b2 lu ic=-100

ff: 152 4 2.701 -

1f22 bl b l35u ,

cf22 b 4 .3u ic=-100

rfb blb2 200k
************

*conversor s

Lr2172153.8u
cr3 15 20 10711

cr4 20 14 10711

D7 15DIODO
15

Ds 4 15 D1oDo
D9 14 D1oDQ 15

D10 14 4 DIODO
D11' 20 15 DIODO

D12 14 20 D1oDo
DR3 17 15 DIODO
DR4 14 17 D1oDo
LP2 20 21 1.14m
mm 36 224.7u
7

1522

LS2 29 mm 224.70
KPS2 LP2 LS2 1522 0.9999

S3 1516 Nz-10cHA\/15
DS3 16 17 DIODO
S4 l7 19 Nc20CHAVE
DS4 19 14 DIODO
VAC2 3 4 SIN(0 537.4 60000-120)

*FASET***********************#************************###*#**
*ltro

lf3 4 cl 470u
cf3 cl c2 lu ic=-50
'

rs C2 1 2.701

lf33 cl c l35u
c33 c l .3u ic=-'50

200k
rfc cl c2
***********
*conversor t

Lr3 25 28 53.su
cf5 22 27 10711

cf 27 23 1o7n
Dl3 cDIODO 22
'Dl4 22 DIODO
l

D15 23 C D1oDo
D1 23 1 DIODO
1

D17 27 22 DIODO
Dls 23 27 DIODO
DR5 25 22 DIODO .

DR 23 25 DIODO
LP3 27 28 1.14m 9

LS3 30 mm 224.7uH
1533 mm 37 224.7uh
KPS3 LP3 LS3 1533 0.9999

S5 22 24 N1ocHAvE
DS5 24 25 DIODO
s 25 26 N2ocHA\/E
Ds 26
0

23 0--
VAC3 4 5 SIN(0 537.4 600 0 0 -240)
************************
**Pontes Reticadoras na saida
 R *IIH8****#******
I|=

DP1 3 31 D1oDo
DP2 35 31 DIODO
*.S.**.****o=*******

DPS 29 31 DIODO
DP6 36 31 DIODO
*T **|=*>***o==|=*****

DP9 30 31 DIODO
DP10 37 31 DIODO
*resistores das fontes-AC

RFS 0 2 0.001
RFR 2 3 0.00]

RFT 5 1 0.001
****************=I=****=l=***=|=*=I=**************************************

*SADA
rca mm 10
31b ~

Vo 31b mm 48V
ro 32 31a 25m
voo31a31b`l.3V `

1o31321.2u
co 31 mm 4.5e-3 IC=48 1

**********************************=|=******************************=I=

.model diodo d(rs=0.025 v_1=1 3)

.MODEL CHAVE Vsw1tch(Ron=0 01 Roff=1E6 Von=5V Vof%0V)

.PROBE v(vacl) i(vo) 1(lf1)

.tran 12.000u .O1 5 000m 1 250u ulc *1psp*

,

.OPTIONS ITL_5=0 ITL4=100 ABSTOL=1 A VNTOL=1 V RELTOL= 1 p1vto1=1e 30

.END

b) Conversor com correo nos elementos ressonantes

** R ******************************=I=**=|=********************

*ltro
lfl 1 al 470u ic=4
cfl al a2 lu
.a2
rfl 2 2.701
lf/1-1 al a 135u ic;6 .

cfll a 2 .3u

rfz ax az zook _

**********#l|=

* conversor r

Lrl 11 13 46.4u
Crl 7 12 l19n

Cr2 12 9 119n
Dl DIODO a 7

D2 2 7 DIODO
D3 9 a DIODO
D4 9 2 DIODO
D5 12 7 DIODO
D6 9 12 DIODO
DRI ll 7 DIODO
DR2 9.11 DIODO
LP1 12 13 1.39m

LSI 8 mm l94.4u
lsll mm 35 l94.4u
KP81 LPI LS1 lsll 0.9999
RBl 13 35 IMEG
Sl 7 10 Nc10CHAVE
DSl 10 ll DIODO
S2 11 18 Nc20CHAVE
DS2 DIODO
V

18 9
'

Vcl Ncl 0 PULSE (0 5 lOn lnS lnS 16.64466667u 33.33333333u)

Vc2 Nc2 0 PULSE (0 516,67766667u lnS lnS l6.64466667u'33.33333333u)

V_ACl 1 0 SlN(0 537.4 600000)

III*
S *Ill********************=I=***********=I=*=|<***#******=F=|=*****
*ltro

lf2 2 bl 470u

cf2 bl b2 lu ic=l00
 rf2 b2 4 2.701
1f22 bl b 135u

f22_ b 4 .3ui'=-10o
_rb bl b2 200k
************
*conversors
Lr2 17 21 46.4u
Cr3 15 20 l19n
Cr4 20 14 119n `

D7 DIODO
b 15
Ds 4 15 D1oDo
D9 14 b DIODO

D1o 14 4 DIODO
D11 2o 15 DIODO
D12 14 20 D1oDO
DR3 17 15.D1oDo
DR4 14 17 DIODO

LP2 20 21 l.39m
1s22 mm`36 194.4u

LS2 29 nim 194.4u

KPS2 LP2 LS2 1s22 0.9999

S3 15 16 Ncl OCHAVE
DS3 16 17 DIODO
S4 17 19 Nc20CHAVE
DS4 19 14 DIODO
VAC2 3 4 SIN(0 537.4 60000-120)

T*******************I|=**********************************

*ltro

1f3 4 cl 470u

cf3 c1 c2 lu ic=-50

rf3 c2 1 2.701

1f33 cl c 135u
cf33 c 1 .3u ic=-50

rfc cl c2 200k
*conversor t
U3 25 28 4.4u
cfs 22 27 11911
u

cf 27 23 1l9n
D.13 z 22 DIODO
D14 1 22 DIODO
1315 23 c DIODO
D1 23 1 D1oDo
mono
_

D17 27 22
ms 23 27 Dlooo
DR5 25 22 DIODO
DR6 23 25 _ DIODO
LP3 27 28 l;39m
LS3 30 mm 194.4uH
ls33 mm 37 194.4uh
KPS3 LP3 LS3 ls33 0.9999

S5 22 24 Ncl OCHAVE
DS5 24 25 DIODO
S6 25. 26 N02 0 CHAVE
DS6 26 23. diodo
VAC3 4 5 SlN(0 537 4 600 0 0 -240)
**************=I=**********************************************I|=**

*Pontes Reticadoras na salda

*R ********I|=*****
DPI 8 31 DIODO
DP2 35 31 DIODO
* S **************_
DP5 29 31 DIODO
DP6 36 31 DIODO
*T =|***z****=****
DP9 30 31 DIODO
DP10 37 31 DIODO
******=I=*********_**

SADA
=I=****=|=*****=|=******

Vo 31a mm 48V
ro 32 31b 25m
1o 31 32 1.2u .

co 31 mm 4.5e-3 IC=48.1
#****$*#*******************#********#***************##********#**
*resistores das fontes AC C.

RFS O 2 0.001
RFR 2 3 0.001

RFT 5 1 0.001
***#****************#********************************************

.model diodo d(rs=0.025, vj=1.3)

.MODEL CHAVE Vswi_tch(Ron=0.01 Roff=1E6 Von=5V Voff=0V)
.PROBE v(vacl) i(vo) i(lf`1) -

.tran l2.000u .O1 5.000m 1.200u uic;*ipsp*'

.OPTIONS 1TL5=0 ITL4=100 ABSTOL=1 .A VNTOL=1 .V RELTOL=.1 pivto1=1e-30
.END '

b) Conversor monofsico sem correo (ideal)

*ltro

1f1 1z147ouiz=4
cfl al a2 lu

rfl a2 2 2.701
1f11a1a135uc=6
'

cfll a 2 .3u

a2 200k
rfa al
************
* conversor r

Lr1111317.97u
Cr] 7 12 320.25n

Cr2 12 9 320.25n
D1 a 7 DIODO
D2 2 7 DIODO

D3 9 a DIODO

D4 9 2 DIODO

D5 12 7 DIODO

D6 9 12 DIODO
DR1 11 7 DIODO
DR2 9 11 DIODO
LPI 12 13 539u
LSI 8 mm 75u
lsll mm 35 75u
KPS1LP1 LS1 Is11 0.9999
RB1 13 35 '1MEG
S1 7 10 Nc10CI-IAVE
DS1 10 11 DIODO
S2 11 18 Nc20CHAVE
DS2 18 9 DIODO A
'

Vcl Nc1 0 PULSE (0 5 10n 1nS 1nS 16.64466667u 33.33333333u)

Vc2 Nc2 O PULSE (0 5 16.67766667u1nS 1nS 16.64466667u 33.33333333u)
A

VAC1
V

0 SIN (0 537.4 600 0 0 0)

3

***************** _

Vo 31b mm 48V
ro 32 31a 0.025
voo 31a 31b1.3V
lo 31 32 1.2u

co 31 mm 4.5e-3 1C=48.1
*****************
*Ponte Reticadora na saida
DP1 8 31 DIODO
DP2 35 31 DIODO
******************
*resistor da fonte AC
RFS 0 2 0.001
***********************************************#*******************
.model diodo d(rs=0.025, vj=1.3)
.MODEL CHAVE VSwitch(ROn=0.0l R0ff=1E6 V0n=5V V0ff=0V)
.PROBE v(vac1) i(vo) i(1f1)

12.000u 5.000m 1.200u *ipsp*

'

.tran .O1 uic

`

.OPTIONS ITL5=0 lTL4=100 ABSTOL=1 .A VNTOL=1 .V RELTOL=.1 pivto1=1e-30

.END