Elektroniki elementi i sklopovi

Auditorne vjebe 2
 Zadatak 3.
Izraunati relativnu promjenu intrinsine gustoe u
silicijskom poluvodiu ako se temperatura s 300 K
povisi za 10%.
Rjeenje:
Proraun:
T1=300 K ni1 = 8,68109 cm-3
T2=330 K ni2 = 8,31010 cm-3

ni ni 2 ni1
856%
ni1 ni1
Katedra za nanoelektroniku 2
i fotonaponsku pretvorbu
 Oneieni (ekstrinsini) poluvodi
Poluvodi s primjesama (namjerno unesene)
Gustoa primjesa odreuje elektrina svojstva
(vodljivost)
primjesa = neistoa = dopant
unoenje neistoa = dopiranje

Katedra za nanoelektroniku 3
i fotonaponsku pretvorbu
 Tipovi ekstrinsinih poluvodia
Prevladavaju elektroni n-tip
Prevladavaju upljine p-tip
Primjese se unose posebnim tehnolokim postupcima

Ureaj za ionsku implantaciju i

nanoenje poluvodikih filmova

Katedra za nanoelektroniku 4
i fotonaponsku pretvorbu
 Poluvodi n-tipa
Primjese: 5-valentni atomi:
FOSFOR (P)
ARSEN (As)
ANTIMON (Sb)
Imaju 5 valentnih elektrona:
4 u kovalentnoj vezi (vrsto
vezani)
1 vezan uz jezgru (puno slabije
vezan)

Katedra za nanoelektroniku 5
i fotonaponsku pretvorbu
 Intrinsini poluvodi

+4 +4 +4 +4

atom silicija
+4 +4 +4 +4
kovalentna
veza
+4 +4 +4 +4

Katedra za nanoelektroniku 6
i fotonaponsku pretvorbu
 Poluvodi n-tipa

+4 +4 +4 +4

atom silicija
+4 +5 +4 +4

atom fosfora
(neutralan) +4 +4 +4 +4

5. valentni elektron
Katedra za nanoelektroniku 7
i fotonaponsku pretvorbu
 Poluvodi n-tipa

slobodni elektron
+4 +4 +4 +4

+4 +5 +4 +4

Pozitivan ion -
DONOR +4 +4 +4 +4

Katedra za nanoelektroniku 8
i fotonaponsku pretvorbu
 Poluvodi n-tipa

slobodni elektron
+4 +4 +4 +4 slobodni
elektron
upljina
+4 +5 +4 +4

Pozitivan ion -
DONOR +4 +4 +4 +4

Katedra za nanoelektroniku 9
i fotonaponsku pretvorbu
 Poluvodi n-tipa
Naboji u poluvodiu n-tipa:
Slobodni elektroni
Slobodne upljine
Lokalizirani donori
Ravnoteno stanje:
Gustoa elektrona n0
Gustoa upljina p0 n0 p0
Gustoa donora ND
Elektroni su veinski nosioci naboja
upljine su manjinski nosioci naboja

Katedra za nanoelektroniku 10
i fotonaponsku pretvorbu
 Poluvodi p-tipa
Primjese: 3-valentni atomi:
BOR (B)
ALUMINIJ (Al)
GALIJ (Ga)
Imaju 3 valentna elektrona:
3 u kovalentnoj vezi (vrsto
vezani)
1 nedostaje uz jezgru (slobodno
mjesto za elektron - upljina)

Katedra za nanoelektroniku 11
i fotonaponsku pretvorbu
 Poluvodi p-tipa

+4 +4 +4 +4

atom silicija
+4 +3 +4 +4

atom aluminija
(neutralan)
+4 +4 +4 +4

Katedra za nanoelektroniku 12
i fotonaponsku pretvorbu
 Poluvodi p-tipa

+4 +4 +4 +4

+4 +3 +4 +4

atom aluminija
(neutralan)
+4 +4 +4 +4

Katedra za nanoelektroniku 13
i fotonaponsku pretvorbu
 Poluvodi p-tipa

+4 +4 +4 +4

+4 +3 +4 +4
upljina

Negativan ion -
AKCEPTOR
+4 +4 +4 +4

Katedra za nanoelektroniku 14
i fotonaponsku pretvorbu
 Poluvodi p-tipa

+4 +4 +4 +4

+4 +3 +4 +4
upljina

Negativan ion -
AKCEPTOR
+4 +4 +4 +4

Katedra za nanoelektroniku 15
i fotonaponsku pretvorbu
 Poluvodi p-tipa

+4 +4 +4 +4

+4 +3 +4 +4
upljina

Negativan ion -
AKCEPTOR
+4 +4 +4 +4

slobodni elektron
Katedra za nanoelektroniku 16
i fotonaponsku pretvorbu
 Poluvodi p-tipa
Naboji u poluvodiu p-tipa:
Slobodni elektroni
Slobodne upljine
Lokalizirani akceptori
Ravnoteno stanje:
Gustoa elektrona n0
Gustoa upljina p0 p0 n0
Gustoa akceptora NA
upljine su veinski nosioci naboja
Elektroni su manjinski nosioci naboja

Katedra za nanoelektroniku 17
i fotonaponsku pretvorbu
 Osnovni zakoni u poluvodiima
1) Zakon elektrine neutralnosti:

n0 N A p0 N D
2) Zakon termodinamike ravnotee:
n0 p0 n 2
i

Katedra za nanoelektroniku 18
i fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 4.
Silicijskom poluvodiu dodane su akceptorske primjese gustoe NA=1014
cm-3. Odrediti gustoe slobodnih nosilaca naboja na temperaturama:
a) 0C
b) 27C
c) 175C
Rjeenje:
1 n0 p0 n N A N 4n
2 2 ni2
n0
2
p0
i A i
2 n0 N A p0 2 p0
Ako je N A2 4ni2 p0 N A

Katedra za nanoelektroniku 19
i fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 4.
Rjeenje:
a) EG=1,13 eV; ni=7,71108 cm-3; p01014 cm-3; n05,94103 cm-3;
b) EG=1,124 eV; ni=8,78109 cm-3; p01014 cm-3; n07,7105 cm-3;
c) EG=1,082 eV; ni=3,621013 cm-3; p01,121014 cm-3; n01,171013 cm-3.

Katedra za nanoelektroniku 20
i fotonaponsku pretvorbu
 Gibanje nosilaca naboja u poluvodiu
Usmjereno gibanje nosilaca elektrina struja.
Smjer struje:
Jednak smjeru gibanja pozitivnih naboja (upljina).
Suprotan smjeru gibanja negativnih naboja (elektrona).
Dva osnovna mehanizma:
Elektrino polje DRIFT
Nejednolika raspodjela nosilaca - DIFUZIJA

Katedra za nanoelektroniku 21
i fotonaponsku pretvorbu
 Driftno gibanje
Gibanje nosilaca pod utjecajem elektrinog polja.

E
+ -

upljina
elektron
+ -

U
Katedra za nanoelektroniku 22
i fotonaponsku pretvorbu
 Driftno gibanje
O emu ovisi driftno gibanje?
Iznos i smjer prikljuenog elektrinog polja!
Sposobnost gibanja elektrona i upljine u poluvodiu
POKRETLJIVOST!
Pokretljivost: [cm2/Vs]
elektrona n
upljina p
Pokretljivost ovisi o:
gustoi primjesa
temperaturi
jakosti elektrinog polja
rasprenju i meusobnim sudarima nosilaca i dr.

Katedra za nanoelektroniku 23
i fotonaponsku pretvorbu
 Pokretljivost nosilaca
U siliciju na T=300 K:

N...ukupna gustoa primjesa

nosilac Nref [cm-3] maks [cm2V-1s-1] min [cm2V-1s-1]

elektron 1,121017 1430 80 0,72
upljina 2,231017 460 45 0,72

Katedra za nanoelektroniku 24
i fotonaponsku pretvorbu
 Elektrina provodnost
Elektrina provodnost: [S/cm]
Ukupna provodnost poluvodia je zbroj provodnosti
zbog gibanja elektrona i upljina:

n q n n p q pp

n p

Katedra za nanoelektroniku 25
i fotonaponsku pretvorbu
 Zadatak 5.
Izraunati elektrinu provodnost silicija pri temperaturi T=300 K,
ako je gustoa primjesa:
a) ND=NA=0
b) ND=1016 cm-3, NA=0
c) NA=1016 cm-3, ND=0
d) ND=NA=1016 cm-3
Rjeenje:
a) (p=460 cm2/Vs; n=1430 cm2/Vs; p=7,3710-7 S/cm; n=2,2910-6 S/cm;
=3,0310-6 S/cm)
b) (p=419,9 cm2/Vs; n=1228,3 cm2/Vs; p=6,7310-13 S/cm; n=1,97 S/cm; =1,97
S/cm)
c) (p=419,9 cm2/Vs; n=1228,3 cm2/Vs; p=0,67 S/cm; n=1,9710-12 S/cm; =0,67
S/cm)
d) (p=397,8 cm2/Vs; n=1127,1 cm2/Vs; p=6,3710-7 S/cm; n=1,8110-6 S/cm;
=2,4410-6 S/cm)

Katedra za nanoelektroniku 26
i fotonaponsku pretvorbu