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Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y Telecomunicaciones

APELLIDOS Y NOMBRES: N DE MATRICULA:


CURSO: TEMA:

DISPOSITIVOS CARACTERISTICAS BASICAS


ELECTRONICOS DEL DIODO
SEMICONDUCTOR( SILICIO Y
GERMANIO)
INFORME: FECHAS: NOTA:

FINAL REALIZACION: ENTREGA:

NUMERO:
03
GRUPO: PROFESOR:
NUMERO: HORARIO:
6 Ing. Luis Paretto

I. TEMA:
Caractersticas Bsicas del Diodo Semiconductor (Silicio y
Germanio)
II. OBJETIVOS
Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.
III. INTRODUCCION TEORICA
Diodo Rectificador:
El diodo rectificador es uno de los mecanismos de la familia de los diodos ms sencillos.
El nombre diodo rectificador deriva de su aplicacin, la cual reside en separar los ciclos
positivos de una seal de corriente alterna. Si se aplica al diodo una tensin de corriente
alterna durante los medios ciclos positivos, se polariza en forma directa; de esta manera,
permite el paso de la corriente elctrica. Pero durante los medios ciclos negativos, el diodo
se polariza de manera inversa; con ello, evita el paso de la corriente en tal sentido. Durante
la fabricacin de los diodos rectificadores, se consideran tres factores: la frecuencia
mxima en que realizan correctamente su funcin, la corriente mxima en que pueden
conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa mximas que soportarn.

Construccin de diodo rectificador

Su construccin est basada en la unin PN siendo su principal aplicacin como


rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio, tambin puede ser de
germanio) soportan elevadas temperaturas (hasta 200C en la unin), siendo su
resistencia muy baja y la corriente en tensin inversa muy pequea. El diodo ms
antiguo y utilizado es el diodo rectificador que conduce en un sentido, pero se opone a
la circulacin de corriente en el sentido opuesto.

Aplicaciones de los diodos rectificadores

Una de las aplicaciones clsicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de


alimentacin; aqu, convierten una seal de corriente alterna en otra de corriente directa.
Los diodos rectificadores se usan principalmente en: circuitos rectificadores, circuitos
fijadores, circuitos recortadores, diodos volantes. Los diodo Zener se usan en circuitos
recortadores, reguladores de voltaje, referencias de voltaje.

Tipos y especificidades

Dependiendo de las caractersticas de la alimentacin en corriente alterna que emplean,


se les clasifica en monofsicos, cuando estn alimentados por una fase de la red
elctrica, o trifsicos cuando se alimentan por tres fases. Atendiendo al tipo de
rectificacin, pueden ser de media onda, cuando slo se utiliza uno de los semiciclos de
la corriente, o de onda completa, donde ambos semiciclos son aprovechados.
Los rectificadores monofsicos con diodos son de tres tipos:

1. De media onda: Cuando slo se utiliza uno de los semiciclos de la corriente. Es el


tipo ms bsico de rectificador es el rectificador monofsico de media onda constituido
por un nico diodo entre la fuente de alimentacin alterna y la carga.

2. De onda completa y punto medio: Donde ambos semiciclos son aprovechados. Un


rectificador de onda completa convierte la totalidad de la forma de onda de entrada en
una polaridad constante (positiva o negativa) en la salida, mediante la inversin de las
porciones (semiciclos) negativas (o positivas) de la forma de onda de entrada. Las
porciones positivas (o negativas) se combinan con las inversas de las negativas
(positivas) para producir una forma de onda parcialmente positiva (negativa).

3. De puente de Graetz. Se trata de un rectificador de onda completa en el que, a


diferencia del anterior, slo es necesario utilizar transformador si la tensin de salida
debe tener un valor distinto de la tensin de entrada.

POLARIZACION DE UN DIODO

POLARIZACIN CIRCUITO CARACTERSTICAS


DIRECTA El diodo conduce con una cada
de tensin de 0,6 a 0,7V. El valor
El nodo se conecta al de la resistencia interna sera muy
positivo de la batera y el bajo. Se comporta como un
ctodo al negativo. interruptor cerrado
INVERSA El diodo no conduce y toda la
tensin de la pila cae sobre l.
el nodo se conecta al Puede existir una corriente de
negativo y el ctodo al fuga del orden de A. El valor de
positivo de la batera la resistencia interna sera muy
alto Se comporta como un
interruptor abierto.

IV. MATERIALES Y EQUIPOS USADOS


Un Multmetro digital.
Un Miliampermetro y un Micro ampermetro
Una Fuente de Corriente Continua Variable
Un Voltmetro de c.c.
Cables y conectores.
Resistencia de 100 .
Un Diodo Semiconductor de Si y uno de Ge

V. PROCEDIMIENTO
1. Usando el Ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo. Registrar los
datos en la tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1.
a) Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la corriente y el voltaje
directo del diodo, registrar sus datos en la tabla 2.
b) Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos, proceder
como en a), registrando los datos en al tabla 3.
3. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de Germanio.
Registrar los datos en la tabla 4.
4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de Germanio, de manera similar al paso
2, proceder a llenar las tablas 5 y 6.
VI. DATOS OBTENIDOS
Realizando el procedimiento antes mencionado se obtienen las tablas:
TABLA 1(Si)

R directa() R inversa()
838 40M

TABLA 2:

Vcc(V.) 0.48 0.53 0.59 0.66 0.78 0.88 1.18 1.5 1.68 1.88 2.19 2.67
Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd (v.) 0.471 0.505 0.542 0.573 0.607 0.627 0.661 0.683 0.693 0.701 0.711 0.723

TABLA 3:
Vcc (V.) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd (V.) 0 1.99 3.99 6.03 8.01 10.0 11.87 14.99 19.96
Id( A.) 0 0 0 0 0 0 0 0 0

TABLA 4 (Ge)
R directa () R inversa()
315.3 0.117 M

TABLA 5:
Vcc V.) 0.04 0.2 0.26 0.32 0.44 0.55 0.84 1.18 1.35 1.6 1.9 2.4
Id mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd (v.) 0.037 0.18 0.211 0.239 0.271 0.293 0.333 0.363 0.377 0.392 0.408 0.430

TABLA 6:
Vcc (V.) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd (V.) 0 1.004 1.99 3.97 5.98 7.98 9.91 11.91 14.89 17.87 19.77
Id( A.) 0 0.7 0.9 1 1.4 1.5 1.9 2.2 5 17.5 38

VII. CUESTIONARIO
1. Construir el grafico Id=F(Vd) con los datos de las tablas 2 y 3. (Si). Calcular la
resistencia dinmica del diodo (usar papel milimetrado)

= ()

Tabla 2
0.47 0.5 0.5 0.5 0.6 0.6 0.6 0.6 0.6 0.7 0.7 0.72

1 05 42 73 07 27 61 83 93 01 11 3
10. 12. 15.
0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 20.0
0 0 0


=()
25

20

15

10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

La aplicacin de una tensin de corriente continua a un circuito que contiene un diodo


tendr como resultado un punto de operacin sobre la curva caracterstica que no
cambia con el tiempo. La resistencia del diodo puede encontrarse localizando los
niveles de e e aplicando la frmula:


=

Para la Tabla 2

0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0.
0.4 0.7
50 54 57 60 62 66 68 69 70 71
71 23
5 2 3 7 7 1 3 3 1 1
0. 0. 0. 1. 2. 5. 8. 10 12 15 20.
0.1
2 4 8 6 5 0 0 .0 .0 .0 0
2. 1. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0. 0.
4.7 0.0
52 35 71 37 25 13 08 06 05 04
1 36
5 5 6 9 0 2 5 9 8 7

Tabla 3
1. 3. 6. 8. 10 11. 14. 19.
0
99 99 03 01 .0 87 99 96
0 0 0 0 0 0 0 0 0


=()
0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 3 6 9 12 15 18 21

Para la Tabla 3

1. 3. 6. 8. 10 11. 14. 19.


0
99 99 03 01 .0 87 99 96
0 0 0 0 0 0 0 0 0

La aplicacin de una tensin de corriente continua a un circuito que contiene un diodo


tendr como resultado un punto de operacin sobre la curva caracterstica que no
cambia con el tiempo. La resistencia del diodo puede encontrarse localizando los
niveles de e e aplicando la frmula:
Tomamos lmites:


= = lim
0
1. 3. 6. 8. 10 11. 14. 19.
0
99 99 03 01 .0 87 99 96
0 0 0 0 0 0 0 0 0

2. Construir el grafico Id=F(Vd) con los datos de la tabla 5 y 6. (Ge). Calcular la


resistencia dinmica del diodo(usar papel milimetrado)
Ver grafica anexa.
3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas
En la tabla 1 se valida que la resistencia directa del diodo de silicio nos da un valor
referencial de 838 y que la resistencia inversa un valor referencial mayor a 40 .

En la tabla 2 se valida experimentalmente que la polarizacin directa en el diodo de


silicio a medida que su voltaje aumenta la intensidad tambin aumentar, dando como
consecuencia que la resistencia del diodo disminuya progresivamente, llegando a un
punto donde ya no habr resistencia por parte del diodo e inclusive se dae.

En la tabla 3 se valida experimentalmente que la polarizacin inversa en el diodo de


silicio a medida que su voltaje aumenta la intensidad prcticamente ser cero, dando
como consecuencia que la resistencia del diodo tienda al infinito, cabe mencionar que
la resistencia del diodo tambin tendr un punto de quiebre cuando est polarizado
inversamente, que ser el voltaje de pico inverso.

En la tabla 4 se valida que la resistencia directa del diodo de germanio nos da un valor
referencial de 315,3 y que la resistencia inversa un valor referencial mayor a
0.117

En la tabla 5 se valida experimentalmente que la polarizacin directa en el diodo de


germanio se necesita una pequea cantidad de voltaje, a medida que su voltaje
aumenta la intensidad tambin aumentar, dando como consecuencia que la
resistencia del diodo disminuya progresivamente.
En la tabla 6 se valida experimentalmente que la polarizacin inversa en el diodo de
germanio se necesita una mayor cantidad de voltaje comparado a la polarizacin
directa obtenidos en la tabla 5, a medida que su voltaje aumenta la intensidad tambin
aumentar, dando como consecuencia que la resistencia del diodo en un inicio
aumente progresivamente hasta llegar a un punto mximo donde la resistencia ir
decayendo.
4. Explicar los controles de operacin de la fuente DC utilizada.
En una fuente de poder de cc de salida variable. La pantalla digital indica el voltaje o
la corriente de salida. Puede trabajar en modo de CC (corriente contante) o CV
(voltaje constante), un LED indica el modo en el que funciona. Hay perillas dedicada
para el ajuste de voltaje fino o grueso del voltaje o la corriente. Se tienen tres bornes
de conexin. Uno para el voltaje positivo (rojo) otro para el negativo (negro) y la
conexin a tierra fsica (verde).
VIII. CONCLUSIONES
Se calcul la resistencia interna de los diodos de silicio y germanio tanto directa
como inversamente y se obtuvo que en polarizacin inversa la corriente que
circula es prcticamente cero en el caso del silicio mientras que en el de germanio
la corriente se encuentra en el rango de los microamperios
Se pudo comprobar la resistencia interna del diodo con el ohmmetro y tambin a
travs de las mediciones realizadas con la resistencia de prueba.

IX. BIBLIOGRAFIA
http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_3.htm
https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
https://www.ecured.cu/Diodo_rectificador
https://es.wikibooks.org/wiki/El_diodo_rectificador/Funcionamiento_del_diodo_rectific
ador
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/Funcionamiento-del-diodo.php

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