EuS Uebung SS2017 Angabe

Elektronik und Schaltungstechnik
bungsaufgaben
Jasmin Kolpak
SS 2017
Stand: 2. Mai 2017

E LEKTRONIK UND S CHALTUNGSTECHNIK (bung) SS 2017
Inhaltsverzeichnis
1 Elektrisches Feld 1
1.1 Elektrisches Feld und Superpositionsprinzip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Elektrisches Potenzial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
2 Kondensatoren 2
2.1 Plattenkondensator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.2 Plattenkondensator mit drehbarem Dielektrikum (*) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2.3 Plattenkondensator mit zweischichtigem Dielektrikum (*) . . . . . . . . . . . . . . . 3
2.4 Schaltungsvarianten von Kapazitten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3 Autobatterie 5
4 Unbekannter Widerstand 6
5 Potentiometer 7
6 Wheatstonesche Brcke (*) 7
7 Amperesches Gesetz 9
7.1 Magnetfeld im Inneren einer langgestreckten Spule . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
7.2 Magnetfeld eines geraden Stromleiters (*) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
8 Induktion in einer Leiterschleife 11
9 Elektrische Leistung an einem Widerstand 12
10 Komplexe Wechselstromrechnung 13
10.1 RL-Schaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
10.2 RLC-Schwingkreis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
11 Dioden-Grundschaltungen 15
11.1 Strom-Spannungs-Kennlinie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
11.2 Spannungsstabilisierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
11.3 Begrenzerschaltung mit Zener-Diode (*) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
11.4 Stabilisierungsschaltung mit Zener-Diode (*) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
12 Transistor-Ersatzschaltbilder 19
13 Transistor-Grundschaltungen 20
13.1 Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Lehrstuhl fr Technische Elektronik i Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

13.2 Arbeitspunkteinstellung mit Spannungsteiler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

13.3 Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
14 Arbeitspunkteinstellung mit Kennlinien 22

14.1 Emitter-Schaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
14.2 Source-Schaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
15 MOSFET in Drain-Schaltung 26
16 Transistorverstrker 28
17 Subtrahiererschaltungen mit Operationsverstrkern 29

17.1 Rckfhrung auf Addition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
18 Operationsverstrkerschaltungen (*) 30
19 Aktive Filter mit Operationsverstrkern 31

19.1 S ALLEN -K EY-Schaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
19.2 Aktives B UTTERWORTH-Filter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
20 A/D- und D/A-Umsetzer 33

20.1 A/D-Umsetzung analoger Signale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
20.2 D/A-Umsetzung mit Wgeverfahren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
Lehrstuhl fr Technische Elektronik ii Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

1 Elektrisches Feld
1.1 Elektrisches Feld und Superpositionsprinzip
~ey
Q1 1 Q2
~ex
1 q 1
Q3 1 Q4
Abbildung 1.1: Elektrischer Quadrupol mit Testladung q.
Abbildung 1.1 zeigt eine positive Testladung q im elektrischen Feld der Ladungen Q1 , Q2 , Q3 und Q4 .
Die Testladung q befinde sich im Ursprung des Koordinatensystems.
~ am Ort der Testladung q.

a) Berechnen Sie allgemein das elektrische Feld E
b) Welche Kraft F~ wirkt auf die Testladung?
c) Die Ladungen Qi haben nun die folgenden Werte: Q1 = Q2 Q0 , Q3 = Q4 Q0 (Q0

positiv). Zeichnen Sie fr die vorgegebenen Ladungswerte das zugehrige Feldlinienbild.
d) Wie ist nun die Kraft F~ auf die Testladung q? Zeichnen Sie den entsprechenden Kraftvektor F~ in
das Feldlinienbild ein.
1.2 Elektrisches Potenzial
Gegeben sei eine punktfrmige Ladung Q, sowie eine Testladung q.
a) Berechnen Sie das elektrische Potenzial (~r) der Ladung Q. Verwenden Sie dafr das folgende
Integral:
Z|~r|
(~r) = E ~ d~s .

b) Skizzieren Sie das Ergebnis aus der vorangegangenen Teilaufgabe.
c) Die Testladung q befinde sich im Abstand r0 von der Ladung Q. Berechnen Sie die Arbeit W , die
ntig ist, um die Testladung ins Unendliche zu bewegen.
Lehrstuhl fr Technische Elektronik 1 Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

2 Kondensatoren
2.1 Plattenkondensator
Abbildung 2.1 zeigt einen Plattenkondensator mit einem inhomogenen Dielektrikum in y-Richtung.
y
A
d r (y)
x
Abbildung 2.1: Plattenkondensator mit inhomogenen Dielektrikum.
Fr die relative Dielektrizittszahl des Dielektrikums gilt

3
r (y) = 1 + y . (2.1)
d
a) Zeigen Sie, dass fr die Kapazitt des Kondensators gilt:

3 A
C= 0 . (2.2)
ln(4) d
Hinweis: Stellen Sie sich die Anordnung vor als eine Reihenschaltung von unendlich vielen Plat-
tenkondensatoren in y-Richtung und integrieren Sie ber diese.
Z
1 1
dx = ln(ax + b) (2.3)
ax + b a
b) Der Kondensator wird nun mit einem Widerstand R an eine Gleichspannungsquelle mit der Span-
nung U0 angeschlossen. Wieviel Energie W wird im Kondensator gespeichert, wenn dieser voll-
stndig aufgeladen ist?
c) Wieviel Energie WQuelle muss die Quelle beim Aufladevorgang liefern?

Hinweis: Bercksichtigen Sie dazu auch die Energie, die whrend des Aufladevorgangs am Wi-
derstand R in Wrme umgewandelt wird. Formulieren Sie die Funktion fr die Verlustleistung am
Widerstand R und integrieren Sie diese. Fr Ihre Rechnung knnen Sie die folgenden Ladekurven
fr einen Kondensator verwenden:
t

U (t) = U0 1 e RC (2.4)
t
I(t) = I0 e RC . (2.5)
d) Nun wird der Kondensator von der Spannungsquelle abgeklemmt. Anschlieend wird das Dielek-
trikum aus dem Kondensator herausgezogen. Wie ndern sich Spannung U 0 , gespeicherte Energie
W 0 , Kapazitt C 0 und Ladung Q0 am Kondensator?
W0
e) Berechnen Sie den Quotienten W und erklren Sie die nderung der gespeicherten Energie.

2.2 Plattenkondensator mit drehbarem Dielektrikum (*)
Abbildung 2.2 zeigt einen halbkreisfrmigen Plattenkondensator mit einem halbkreisfrmigen Dielek-
trikum, das zwischen die Platten gedreht werden kann. Der Radius der Platten und des Dielektrikums
betrgt r = 6 cm. Das Dielektrikum ist d = 1 cm dick und besitzt die relative Dielektrizittszahl r = 5.
r
r d
Abbildung 2.2: Plattenkondensator mit drehbarem Dielektrikum.
a) Berechnen Sie die Kapazitt C0 des Kondensators, die sich ergibt, wenn sich kein Dielektrikum
zwischen den Platten befindet. 0 8, 85 1012 Vm
As
b) Das Dielektrikum flle nun den Raum zwischen den Platten vollstndig aus. Die Kondensator-
platten werden auf die Spannung U0 = 10 V aufgeladen und die Spannungsquelle wird wieder
abgeklemmt. Welche Spannung kann zwischen den Platten gemessen werden, nachdem das Di-
elektrikum wieder vollstndig zwischen den Kondensatorplatten herausgedreht wurde?
Erklren Sie qualitativ, was bei einer nderung von r bei konstanter Ladungsmenge auf den
Kondensatorplatten vor sich geht. Wie verhlt sich dabei der Energieinhalt des Kondensators?
c) Bei weiterhin abgeklemmter Spannungsquelle wird das Dielektrikum nun in der in Abbildung 2.3
gezeigten Stellung fixiert ( = 4 ). Welche Spannung stellt sich in diesem Fall ein?
Abbildung 2.3: Definition des Drehwinkels.
2.3 Plattenkondensator mit zweischichtigem Dielektrikum (*)
Der Plattenkondensator in Abbildung 2.4 habe die gleiche Flche und den gleichen Plattenabstand wie
der Kondensator aus Aufgabe 2.2. Der Zwischenraum sei je zur Hlfte mit einem Dielektrikum der
relativen Dielektrizitszahl r1 = 3 und r2 = 6 gefllt.
Berechnen Sie die Kapazitt dieses Kondensators.

r1
d
r2
Abbildung 2.4: Plattenkondensator mit zweischichtigem Dielektrikum.
2.4 Schaltungsvarianten von Kapazitten
Gegeben sind die in den Abbildungen 2.5 a) bis d) gezeigten Schaltungen von Kapazitten. Berechnen
Sie fr diese Aufbauten jeweils die Gesamtkapazitt.
a) b)
C1
Uin C1 C2 Uin
C2
c) d)
2C
C1 2C
6C
Uin
C2 C3 3C 2C 4C
Uin
4C 4C
Abbildung 2.5: Schaltungsvarianten von Kapazitten

3 Autobatterie
Eine Autobatterie habe die Quellenspannung U0 = 12 V und eine Gesamtladung von Q = 44 Ah (in
der Praxis wird die Gesamtladung als Kapazitt der Batterie bezeichnet).
a) Beim Anlassen des Motors sinkt die Spannung an den Klemmen der Batterie auf U = 10 V ab,
wobei der Strom I = 150 A fliet. Wie gro sind der Innenwiderstand Ri der Batterie und der
Widerstand Ra des Anlassers. Zeichnen Sie das entsprechende Ersatzschaltbild.
b) Bei tiefen Temperaturen erhht sich Ri auf den Wert Ri = Ra . Wie gro wird dann die Spannung
U an den Klemmen der Batterie?
c) Wie gro ist in a), b) die im Anlasser und in der Batterie umgesetzte Leistung?
d) Auf Grund eines Software-Fehlers in der Motorsteuerung schaltet sich beim Ausschalten des Au-
tos nicht die gesamte Elektronik ab. Die Leistungsaufnahme der nicht abgeschalteten Elektronik
betrgt P = 10 W. Wie gro ist die Energieaufnahme W der nicht abgeschalteten Elektronik pro
Stunde? Geben Sie ihr Ergebnis in Joule J und Wh an.
e) Nach welchem Zeitraum ist die Autobatterie vollstndig entladen, wenn Sie beim Abstellen des
Motors voll aufgeladen ist?

4 Unbekannter Widerstand
In Abbildung 4.1 sind zwei Methoden gezeigt, wie man mit einem Voltmeter und einem Amperemeter
den Wert eines unbekannten Widerstands R bestimmen kann. Nehmen Sie an, dass der Innenwiderstand
der Spannungsquelle vernachlssigbar sei. Der Wert des Widerstands R berechnet sich dann zu Rb =
U/I, wobei U und I die Werte sind, die das Voltmeter und das Amperemeter anzeigen.
+ +
U0 R V U0 R V
A A
(a) (b)
Abbildung 4.1: Schaltungen zur Bestimmung eines unbekannten Widerstands R.
a) Zeichnen Sie fr beide Schaltungen das vollstndige Ersatzschaltbild mit den Innenwiderstnden
RA und RV von Amperemeter und Voltmeter.
b) Zeigen Sie, dass in Schaltung (a) zwischen dem wahren Wert des Widerstands R und dem be-
rechneten Wert des Widerstands Rb folgender Zusammenhang besteht:
1 1 1
= + .
Rb R RV
Zeigen Sie weiter, dass in Schaltung (b) zwischen R und Rb der Zusammenhang
Rb = R + RA
besteht.
c) Berechnen Sie fr beide Schaltungen (a) und (b) den relativen Fehler
Rb R
,
R
wobei Sie R als Vielfaches von RA , bzw. RV ausdrcken sollen
R = x RV
R = y RA .
d) Welche Bedingung muss R bezglich RV , bzw. RA erfllen, damit der relative Messfehler
kleiner als ist
|| .
Berechnen Sie die Bedingung fr einen maximalen relativen Messfehler von = 5%.
e) Berechnen Sie allgemein in welchem Bereich Schaltung (a) und in welchem Bereich Schaltung
(b) besser geeignet ist zur Bestimmung von R. Wie lautet das Ergebnis fr RV = 10000RA ?

5 Potentiometer
Gegeben ist ein lineares Potentiometer der Lnge l mit dem Gesamtwiderstand Rp (Abbildung 5.1).
ber dessen Schleifer kann eine Spannung UL in Abhngigkeit der Schleiferposition x abgegriffen
werden.
x
Uin Rp l
UL RL
Abbildung 5.1: Potentiometer, unbelastet und belastet.
a) Ermitteln Sie die Ausgangsspannung UL der unbelasteten Potentiometerschaltung.
b) Nun wird das Potentiometer mit dem Widerstand RL belastet. Welche Spannung UL ergibt sich
jetzt?
c) Berechnen Sie die Ausgangsspannung UL des belasteten Potentiometers mit Hilfe des Satzes der
Ersatzspannungsquelle.
d) Bei welcher Schleiferstellung x wird das Verhltnis der Ausgangsspannungen UL,unbelastet /UL,belastet
maximal?
3
e) Fr welches x wird an RL die maximale Leistung abgegeben, wenn gilt RL = 16 Rp ? Ist dann
auch der Strom durch RL maximal?
6 Wheatstonesche Brcke (*)
Die Schaltung aus Abbildung 6.1 wird als Wheatstonesche Brcke bezeichnet. Mit ihr kann ein unbe-
kannter Widerstand Rx ermittelt werden. Zum Brckenabgleich wird der Schleifer des Potentiometers
solange verdreht, bis der Strom Iq durch das Amperemeter auf Null abgesunken ist.
a) Bestimmen Sie Rx in Abhngigkeit der Schleiferposition x bei bekannten Rp und R0 .
b) Welche Auswirkung htte eine Toleranz des Widerstands R0 von +2% auf die Genauigkeit des
Widerstandswerts Rx ?
c) Fr welchen Wert von R0 steht der Schleifer des Potentiometers in abgeglichenem Zustand in der
Mitte (x = l/2)?

x
Rp
A
Iq
Uin
Rx a R0
Abbildung 6.1: Widerstandsbestimmung mit einer Wheatstoneschen Brcke.

7 Amperesches Gesetz
7.1 Magnetfeld im Inneren einer langgestreckten Spule
~ r)
H(~
I
Abbildung 7.1: Langgestreckte Spule mit N Windungen und Lnge L.
Abbildung 7.1 zeigt eine zylindrische langgestreckte Spule im Lngsschnitt. Die Spule mit N Windun-
gen wird vom Strom I durchflossen.
~ r) im Inneren der Spule mit Hilfe des Ampereschen

a) Berechnen Sie die magnetische Feldstrke H(~
Gesetzes. Gehen Sie davon aus, dass die Feldlinien im Inneren der Spule parallel zur Spulenachse
verlaufen und die Feldstrke auerhalb der Spule vernachlssigbar gering ist. Whlen Sie einen
mglichst einfachen Integrationsweg C.
b) Die Spule habe nun eine Windungsdichte von n = 103 m1 und werde vom Strom I = 10 A
durchflossen. Berechnen Sie die magnetische Feldstrke H, sowie die magnetische Induktions-
fludichte B im Inneren der Spule. (Naturkonstante: 0 = 4 107 Am
Vs
.)
7.2 Magnetfeld eines geraden Stromleiters (*)
~ r)
H(~
Abbildung 7.2: Gerader stromdurchflossener Leiter mit magnetischen Feldlinien und magnetischer Feldstrke
~ r).
H(~
Abbildung 7.2 zeigt einen geraden zylindrischen Leiter mir Radius R0 , der von einem Strom I durch-
flossen wird. Die Stromdichte ber die Innenflche sei homogen.
~ r) auerhalb und innerhalb des Leiters. Verwenden

a) Berechnen Sie die magnetische Feldstrke H(~

Sie fr Ihre Rechnung das Amperesche Gesetz

I X
~ r) d~s =
H(~ Ik .
C k
Machen Sie bei Ihrer Rechnung eine sinnvolle Annahme ber die Symmetrie des Feldes und
whlen Sie die Koordinaten entsprechend.
~ r) und die magnetische Induktionsfludichte B(~
b) Skizzieren Sie die magnetische Feldstrke H(~ ~ r)
als Funktion des Radius r. Was passiert am Rande des Leiters?

8 Induktion in einer Leiterschleife
u v
b
d
Abbildung 8.1: Leiterschleife im Magnetfeld.
Abbildung 8.1 zeigt eine Leiterschleife, die sich zum Zeitpunkt t = 0 an der gezeichneten Position
im Magnetfeld befindet. Die Zuleitungen der Leiterschleife sind verdrillt ( Twisted Pair), so dass
die beobachtete Spannung u nur in der Leiterschleife induziert wird. Berechnen Sie den Betrag der
induzierten Spannung |u|, wenn sich die Leiterschleife mit konstant v = 1 ms nach rechts bewegt und
Vs
das senkrechte Magnetfeld B = 2 m 2 am idealen Rand des durchfluteten Bereichs verlsst. Stellen Sie
den Verlauf der Spannung |u| grafisch dar fr 0 t 1 s.
Abmessungen: h = 5 cm, b = 10 cm, d = 50 cm.

9 Elektrische Leistung an einem Widerstand
u(t)
+U0
t
T 3T
T T2 2 T 2
U0
Abbildung 9.1: Sgezahn Spannung u(t).
Abbildung 9.1 zeigt den sgezahnfrmigen Verlauf einer Spannung u(t). Der zeitliche Verlauf der Span-
nung lsst sich abschnittsweise durch eine lineare Funktion,
t T T
u(t) = 2U0 <t< ,
T 2 2
oder auf der gesamten Zeitachse durch eine Fourierreihe

2U0 sin(2 t) sin(3 t) 2
u(t) = sin(t) + mit = , t R
2 3 T
beschreiben.
a) Stellen Sie die komplexe Fourierreihe fr u(t) auf

X
u(t) = ck ejkt .
k=
b) Berechnen Sie die Leistung P , die bei Anlegen der Spannung u(t) an einem Ohmschen Wider-
stand R abfllt. Verwenden Sie fr Ihre Rechnung das Parsevalsche Theorem

1 X
P = |ck |2 .
R
k=
c) Wiederholen Sie die Berechnung aus der vorangegangenen Teilaufgabe. Verwenden Sie diesmal
fr Ihre Rechnung die Definition fr die Leistung
+T
Z /2
1
P = |u(t)|2 dt .
RT
T /2
d) Vergleichen Sie Ihr Ergebnis fr den Effektivwert der Spannung Ueff mit dem Ergebnis fr sinus-
frmige Wechselgren.

10 Komplexe Wechselstromrechnung
10.1 RL-Schaltung
R UR
U0
L UL
Abbildung 10.1: Serienschaltung eines Widerstands und einer Induktivitt.
a) Berechnen Sie die Gesamtimpedanz Z der in Abbildung 10.1 gezeigten Schaltung.
b) Berechnen Sie die komplexen Gren U R , U L und I in Abhngigkeit von U 0 .
c) Stellen Sie die komplexen bertragungsfunktionen

UR UL I
GR () = GL () = GI () =
U0 U0 U0
in Real- und Imaginrteil und in Betrag und Phase dar.

d) Berechnen Sie das Verhalten von GR () und GL () fr 0 und . Welches
bertragungsverhalten ergibt sich jeweils?
e) Bestimmen Sie fr die Werte R = 63 , L = 1 mH und f = 10 kHz alle in Teilaufgabe c)

berechneten Ausdrcke und zeichnen Sie ein Zeigerdiagramm fr U R , U L , I und U 0 mit U 0 als
Bezugszeiger.
f) Der Effektivwertzeiger U 0 korrespondiert mit dem Zeitsignal u(t) gem:

U 0 = U0 e u(t) = 2U0 cos(t + )
Geben Sie mit Hilfe der Ergebnisse aus Teilaufgabe c) das Zeitsignal i(t) zum Effektivwertzei-
ger I an.
g) Berechnen Sie die Momentanleistung p(t) = u(t)i(t) fr = 0. Verwenden Sie = arg I.

Identifizieren Sie im Ergebnis die Wirkleistung P , die Blindleistung Q und die Scheinleistung S.
Hilfreiche Formeln:
1
cos(x y) + cos(x + y)
cos x cos y =
2
cos(x + y) = cos x cos y sin x sin y
h) Die komplexe Leistung ist definiert als P = U I . Berechnen Sie die komplexe Leistung P =
U 0 I in Realteil, Imaginrteil, Betrag und Phase. Stellen Sie das Ergebnis in einem qualitativ
korrekten Zeigerdiagramm dar und identifizieren Sie die berechneten Terme mit den Ergebnissen
von Teilaufgabe g).
i) Auf welche Leistung (Wirkleistung, Blindleistung, Scheinleistung) muss die Gesamtschaltung

ausgelegt werden?

10.2 RLC-Schwingkreis
R UR
U0
L UL
C UC
Abbildung 10.2: RLC-Serienschwingkreis.
a) Berechnen Sie die Gesamtimpedanz Z des in Abbildung 10.2 dargestellten RLC-Serienschwingkreises.
b) Geben Sie die Spannungen U R , U L und U C in Abhngigkeit von U 0 an. Zeichnen Sie ein quali-
tativ korrektes Zeigerdiagramm der Spannungen U R , U L und U C mit U R als Bezugszeiger.
c) Bestimmen Sie aus der Bedingung fr eine minimale Impedanz Z die Resonanzfrequenz 0 des
Schwingkreises.
d) Welches Verhalten hinsichtlich des Blindwiderstands knnen Sie anhand der Ergebnisse aus Tei-
laufgabe b) erkennen?
U
e) Stellen Sie die bertragungsfunktion GR () = UR auf und untersuchen Sie das Verhalten fr
0
0 und . Welches bertragungsverhalten folgt daraus?
f) Fhren Sie in der bertragungsfunktion GR () die normierte Kreisfrequenz n = 0 ein. Zei-

gen Sie, dass gilt:
r
1 0 L 1 1 L
GR (n ) = mit Q = = =
1 R 0 CR R C
1 + Q n
n

11 Dioden-Grundschaltungen
11.1 Strom-Spannungs-Kennlinie
R2
U R1
Abbildung 11.1: Elektrisches Netzwerk aus Widerstnden und einer Diode.
Abbildung 11.1 zeigt ein elektrisches Netzwerk bestehend aus zwei Widerstnden und einer Diode. Die
Diode habe die Schwellspannung US und den differentiellen Widerstand rF = 0 .
a) Berechnen Sie den Strom-Spannungsverlauf der Schaltung fr die beiden Flle U < US und
U > US . Wie gro ist der Strom fr U = US ?
b) Zeichnen Sie die Strom-Spannungs-Kennlinie fr beide Flle in ein gemeinsames Diagramm.

Zeichnen Sie auch die Strom-Spannungs-Kennlinie der Diode ein.

11.2 Spannungsstabilisierung
Ein Verbraucher, der durch den Lastwiderstand RL repsentiert wird, muss mit einer stabilisierten Span-
nung von 10 V versorgt werden. Dazu wird eine unstabilisierte Gleichspannungsquelle mit einer Leer-
laufspannung UB = 12 V und einem Innenwiderstand Ri = 10 verwendet, deren Ausgangsspannung
mit Hilfe einer Zenerdiode DZ auf 10 V stabilisiert wird. Die Diode D1 dient als Verpolungsschutz und
lsst den Betrieb der Schaltung nur zu, wenn die Spannungsquelle mit korrekter Polaritt angeschlossen
wurde (siehe Abbildung 11.2).
Ri D1 RV
IZ IL
UB U0 DZ UZ RL
Abbildung 11.2: Schaltung zur Spannungsstabilisierung.
a) bertragen Sie die Schaltung auf Ihr Arbeitsblatt. Ersetzen Sie dabei beide Dioden durch geeig-
nete Ersatzschaltungen, die das in den vereinfachten Diodenkennlinien in Abbildung 11.3 dar-
gestellte Verhalten aufweisen. Berechnen Sie die Werte der dabei verwendeten Ersatzelemente
nachvollziehbar (Rechnung und kurze Erklrung) aus den gezeigten Kennlinien.
ID IZ
[A] [A]
0,2 1
ID IZ
UD UZ
UD UZ
11 0 0,7 1,7 [V] 10 11 [V]
Abbildung 11.3: Kennlinien der verwendeten Dioden.
b) Dimensionieren Sie den Widerstand RV fr einen minimalen Lastwiderstand RL = 1 k. In

diesem Grenzfall gelte IZ = 0.
c) Welche Spannung UZ stellt sich bei einem Lastwiderstand von RL = 2 k ein? Berechnen Sie
diese auf 1 mV genau.
Hinweis: Wenn Sie RV nicht aus Teilaufgabe b) kennen, knnen Sie ersatzweise mit RV = 135
rechnen.
d) Berechnen Sie mit Hilfe des Superpositionsprinzips, welche Spannungsnderung UZ von einer
Betriebsspannungserhhung um UB = 1 V hervorgerufen wird. Leiten Sie aus Ihrer Rechnung
Formel und Wert fr den Stabilisierungsfaktor S = U
UZ her. Es gelte nach wie vor RL = 2 k.
B

11.3 Begrenzerschaltung mit Zener-Diode (*)
Die in Abbildung 11.4 dargestellte Begrenzerschaltung mit einer Z-Diode (UZ0 = 10 V) und einem
Vorwiderstand RV = 1 k werde mit einer dreieckfrmigen pulsierenden Eingangsspannung betrieben.
RV
U1
IZ IL T = 1 ms b1
15 U
U1 D UZ RL 10
5
0
0 0, 25 1, 25 t
Abbildung 11.4: Begrenzerschaltung mit einer Zener-Diode.
a) Zeichnen Sie die Schaltung mit Hilfe des Satzes der Ersatzspannungsquelle um. Die Last der
quivalenten Schaltung soll die Z-Diode sein.
b) Zeichnen sie mastblich den Zeitverlauf der Spannung UZ fr RL mit der Annahme einer
idealen Z-Diode (rZ = 0 ) bzw. einer Z-Diode mit differentiellem Widerstand (rZ = 100 ).
c) Zeichnen Sie nun den zeitlichen Verlauf der Spannung UZ fr eine ideale Z-Diode (rZ = 0 )
und den Lastwiderstand RL = 4 k.

11.4 Stabilisierungsschaltung mit Zener-Diode (*)
Gegeben ist die folgende Schaltung zur Stabilisierung der Spannung ber dem Lastwiderstand RL =
100 . Die Z-Diode ist durch UZ0 = 10 V und rz = 10 beschrieben.
RV
IZ IL
U0 D UZ RL
Abbildung 11.5: Spannungsstabilisierung mit Hilfe einer Zener-Diode.
a) Welchen Wert muss der Vorwiderstand RV haben, wenn sich bei einer Spannung U0 = 15 V ein
Strom IZ = 10 mA einstellen soll?
b) Welche Werte erreichen die Spannung UZ und der Strom IZ , wenn die Spannung U0 auf 20 V
steigt?
c) Wie gro ist der sog. Stabilisierungsfaktor S = Ue /Ua = U0 /UZ ?
d) Berechnen Sie allgemein die Spannung UZ und daraus den Faktor S.
e) Welchen Einfluss hat eine kleine nderung RL = 1 des Lastwiderstands RL auf die Span-
nung UZ ?
f) Bei welchem Wert RL setzt bei U0 = 15 V die Stabilisierung aus (entspricht IZ = 0 A)?

12 Transistor-Ersatzschaltbilder
R1 RC C
2
C1
uA UB
uE R2
Abbildung 12.1: Transistorverstrker
a) Zeichnen Sie ein Kleinsignal-Ersatzschaltbild zu der Verstrkerschaltung aus Abbildung 12.1.

Die Koppelkondensatoren C1 und C2 knnen dabei vernachlssigt werden. Fr den Transistor ist
ein Vierpol-Ersatzschaltbild mit rBE , rCE und anzusetzen.
b) Vereinfachen Sie das Ersatzschaltbild aus Teilaufgabe a) so weit wie mglich.

uA
c) Berechnen Sie das Kleinsignalbertragungsverhalten uE der Schaltung.
d) Am Eingang wird ein Kleinsignalgenerator mit der Spannung ug und dem Innenwiderstand R0
angeschlossen. Der Ausgang ist mit einer ohmschen Last RL belastet. Bestimmen Sie das ber-
tragungsverhalten uuAg .
e) Ersetzen Sie das Stromverstrker-Ersatzschaltbild aus Teilaufgabe b) durch ein Spannungsverstrker-

Ersatzschaltbild und leiten Sie dessen Parameter her.
f) Lsen Sie Teilaufgabe d) unter Verwendung des Spannungsverstrker-Ersatzschaltbildes aus Tei-

laufgabe e).
g) Bestimmen Sie die Invershybridparameter zum Spannungsverstrker-Ersatzschaltbild aus Tei-

laufgabe e).
Ua
h) Lsen Sie Teilaufgabe d) mit Hilfe der Formel fr die Betriebsspannungsverstrkung Ue =
Vu
1+ ra
. Die zugehrige Schaltung ist in Abbildung 12.2 dargestellt.
RL
Ie Ia
Ue VP Ua RL
Abbildung 12.2: Vierpolbeschaltung fr die Formel zur Berechnung der Betriebsspannungsverstrkung.

13 Transistor-Grundschaltungen
13.1 Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung
Abbildung 13.1 zeigt einen Transistor in Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung, von dem aus
dem Datenblatt UBE = 0, 6 V und der Basisstrom IB = 2, 8 A bei einem Kollektorstrom IC = 0, 7 mA
bekannt sind. Diese Schaltung soll fr IC = 0, 7 mA, einer Betriebsspannung von UB = 4, 5 V und ein
gewnschtes UCE,soll = 2 V dimensioniert werden.
UB
RC
RB C2
C1 IB IC
uA
uE
Abbildung 13.1: Emitterschaltung mit Spannungsgegenkopplung.
a) Dimensionieren Sie die Widerstnde RB und RC so, dass die gestellten Bedingungen erfllt wer-
den.
b) Bei der Schaltungsdimensionierung knnen Sie nicht beliebige ideale Widerstandswerte einsetz-
ten, sondern mssen sich mit den real existierenden Werten der E24-Reihe (5% Toleranz) be-
gngen. Somit whlen Sie fr RB0 = 510 k und fr RC0 = 3, 6 k. Welche Werte besitzen nun
die Arbeitspunktgren IB0 , IC0 und UCE
0 ? Vergleichen Sie Ihre Ergebnisse mit den geforderten
Werten.
c) Der in der Schaltung eingesetzte Transistor wird durch einen anderen gleichen Typs ersetzt. Auf
Grund der Exemplarstreuung erhlt man einen Kollektorstrom IC = 0, 7 mA nun aber bei einem
Basisstrom von IB = 3, 5 A. Berechnen Sie die neuen Werte der Arbeitspunktgren IB00 , IC00 und
00 und den Fehler I = I 0 I 00 , sowie die relative Abweichung IC .

UCE C C C I0 C
13.2 Arbeitspunkteinstellung mit Spannungsteiler
Nun soll die obige Aufgabe mit der in Abbildung 13.2 gezeigten Schaltung wiederholt werden. Whlen
Sie bei sonst gleichen Parametern IR2 = 5IB .
UB UB
R1 RC
C2
IC
C1 IB
uA
uE
R2
Abbildung 13.2: Arbeitspunkteinstellung mit Spannungsteiler.

a) Dimensionieren Sie die Widerstnde R1 , R2 und RC so, dass die gestellten Bedingungen erfllt
werden.
b) Aus der Widerstands-Normreihe E24 whlen Sie fr R10 = 240 k, fr R20 = 43 k und fr
RC0 = 3, 6 k. Welche Werte besitzen nun die Arbeitspunktgren IB0 , IC0 und UCE
0 ? Vergleichen
Sie Ihre Ergebnisse mit den geforderten Werten.
Basisstrom von IB = 3, 5 A. Berechnen
Sie die neuen Werte der Arbeitspunktgren IB00 , IC00 und
00 0 00 I
UCE und den Fehler IC = IC IC , sowie die relative Abweichung I 0 .C
C
13.3 Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung
Wiederholen Sie die obige Aufgabe mit einer Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung, wie sie in
Abbildung 13.3 dargestellt ist. Zustzlich gelten UC,soll = 2 V statt dem bisherigen UCE,soll und UE =
1 V.
UB UB
R1 RC
C2
IC
C1 IB
uA
UC
uE
R2 RE CE
Abbildung 13.3: Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung.
a) Dimensionieren Sie die Widerstnde R1 , R2 , RE und RC so, dass die gestellten Bedingungen
erfllt werden.
b) Aus der Widerstands-Normreihe E24 whlen Sie fr R10 = 180 k, fr R20 = 110 k, fr RE0 =
1, 5 k und fr RC0 = 3, 6 k. Welche Werte besitzen nun die Arbeitspunktgren IB0 , IC0 und UC0 ?
Vergleichen Sie Ihre Ergebnisse mit den geforderten Werten.
Basisstrom von IB = 3, 5 A.
0 Berechnen Sie die neuen Werte der Arbeitspunktgren IB00 , IC00 und
UC und den Fehler IC = IC IC , sowie die relative Abweichung I
00 00

C
I0
.
C

14 Arbeitspunkteinstellung mit Kennlinien
14.1 Emitter-Schaltung
UB UB
RB RC
Abbildung 14.1: Eine einfache Emitter-Schaltung.
Abbildung 14.1 zeigt den Kern einer Emitterschaltung. Von dem Transistor sind die in den Abbildun-
gen 14.2 und 14.3 dargestellten Kennlinien bekannt. Die Betriebsspannung betrgt UB = 4, 5 V.
a) Zeichnen Sie in Abbildung 14.1 die Strme IB und IC sowie die Spannungen UBE und UCE in den
blichen Zhlrichtungen ein.
b) Stellen Sie die Maschengleichung fr den Kollektorpfad der Schaltung auf.
c) Bestimmen Sie mit Hilfe der Kennlinien RC so, dass im Arbeitspunkt gilt:
UCE = 1, 5 V IC < 4 mA
d) Bestimmen Sie mit Hilfe der Kennlinien die Arbeitspunktgren UBE , IC , IB und die Stromver-
strkung B.
e) Dimensionieren Sie den Widerstand RB .
f) Welcher Kurzschlussstrom ICK stellt sich ausgangsseitig ein, wenn (z.B. wegen eines defekten
Transistors) gilt UCE = 0?
g) Bestimmen Sie mit Hilfe der Kennlinien die Kleinsignalparameter rBE und rCE .
h) Bestimmen Sie die h-Parameter des Transistors im Arbeitspunkt.

Es gelte B.
i) Zeichnen Sie das allgemeine h-Parameter-Ersatzschaltbild. Welche Vereinfachung kann im Fall

des Bipolartransistors vorgenommen werden?

Eingangskennlinie eines Bipolartransistors

30
27.5
25
22.5
Basisstrom IB [A]
20
17.5
15
12.5
10
7.5
5
2.5
0
0.6 0.61 0.62 0.63 0.64 0.65 0.66 0.67 0.68 0.69 0.7
BasisEmitterSpannung U [V]
BE
Abbildung 14.2: Eingangskennlinie des npn-Bipolartransistors.
Ausgangskennlinienfeld eines Bipolartransistors

8
6
Kollektorstrom IC [mA]
2 U = 0.66 V
BE
UBE = 0.68 V
1
U = 0.7 V
BE
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
KollektorEmitterSpannung U [V]
CE
Abbildung 14.3: Ausgangskennlinienfeld des npn-Bipolartransistors.

14.2 Source-Schaltung
UB UB
R1 RD
Iq
R2
Abbildung 14.4: Eine einfache Source-Schaltung.
In Abbildung 14.4 ist der Kern einer Source-Schaltung dargestellt. Die Abbildungen 14.5 und 14.6
zeigen die Kennlinien des Transistors. Die Betriebsspannung betrgt UB = 5 V.
a) Zeichnen Sie in Abbildung 14.4 die Arbeitspunktgren UGS , UDS und ID in den blichen Zhl-
richtungen ein.
b) Stellen Sie die Maschengleichung fr den Drainpfad der Schaltung auf.
c) Bestimmen Sie mit Hilfe der Kennlinien den Widerstand RD so, dass fr den Kurzschlussstrom
im Drainpfad gilt IDK = 8, 5 mA.
d) Whlen Sie im Kennlinienfeld einen Kennlinienast, so dass im Arbeitspunkt gilt 3 mA < ID <
6 mA. Lesen Sie die Arbeitspunktgren UDS , UGS und ID ab.
e) Bestimmen Sie mit Hilfe der Kennlinien die Kleinsignalparameter Steilheit S und Ausgangswi-
derstand rDS .
f) Bestimmen Sie die y-Parameter des Transistors im Arbeitspunkt.
g) Zeichnen Sie das allgemeine y-Parameter-Ersatzschaltbild. Welche Vereinfachung kann im Fall

des MOS-Transistors vorgenommen werden?

bertragungskennlinie eines nKanal MOSFET

25
22.5
20
DrainStrom ID [mA]
17.5
15
12.5
10
7.5
5
2.5
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
GateSourceSpannung U [V]
GS
Abbildung 14.5: bertragungskennlinie des n-MOS-Transistors.
Ausgangskennlinienfeld eines nKanal MOSFET

14
13
12
11
10
DrainStrom I [mA]
9
D
8
7
6
5
4
U = 1.5 V
3 GS
2 UGS = 2.0 V
1 U = 2.5 V
GS
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
DrainSourceSpannung U [V]
DS
Abbildung 14.6: Ausgangskennlinienfeld des n-MOS-Transistors.

15 MOSFET in Drain-Schaltung
Gegeben ist ein MOS-Feldeffekttransistor in Drainschaltung (Abbildung 15.1). Am Eingang ist ein
Kleinsignalgenerator angeschlossen, der Ausgang ist mit einer ohmschen Last belastet.
Ub Ub
R1
R0 C1
C2
u0 R2 RS RL ua
Abbildung 15.1: Verstrker mit MOSFET in Drain-Schaltung
a) Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild der Schaltung und beschriften Sie die Transistoran-
schlsse mit Drain, Gate und Source. Die Koppelkondensatoren C1 und C2 knnen vernachlssigt
werden.
b) Vereinfachen Sie das Ersatzschaltbild aus der vorherigen Teilaufgabe so weit wie mglich.
ua
c) Bestimmen Sie das Kleinsignalbertragungsverhalten u0 der Schaltung.
d) Wie gro sind Kleinsignal-Eingangs- und -Ausgangswiderstand der gezeigten Drain-Schaltung?
e) Dimensionieren Sie die Bauteile R1 ,R2 und RS der Schaltung und geben Sie die Einsatzspannung
UTh an. Gegeben sind Ub = 10 V, ID = 0, 5 mA, RL = 5 k, der Innenwiderstand der Quelle
R0 = 10 k und der Querstrom durch den Spannungsteiler aus R1 und R2 , I1 = 10 A. Die
Drain-Source-Spannung des Transistors soll im Arbeitspunkt UDS = 7 V betragen. Weiterhin ist
die bertragungskennlinie des MOSFET bekannt (Abbildung 15.2), die sich durch die Gleichung
ID = 0, 5 mA
V2
(UGS UTh )2 fr UGS > UTh beschreiben lsst. Die Early-Spannung des Transistors
betrgt UA = 50 V.
f) Bestimmen Sie das Kleinsignalbertragungsverhalten, sowie den Kleinsignal-Eingangs- und -

Ausgangswiderstand der Schaltung fr die ermittelten Bauteilwerte. Vergleichen Sie das bertra-
gungsverhalten mit dem der direkten Verbindung von Quelle und Last.

3 Eingangskennlinie
x 10
1
0.9
0.8
0.7
0.6
ID[A]
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 1.75 2 2.25 2.5
UGS[V]
Abbildung 15.2: bertragungskennlinie des MOSFET

16 Transistorverstrker
Im Folgenden wird die in Abbildung 16.1 gezeigte Verstrkerschaltung betrachtet. Die eingangsseitige
Spannungsquelle liefert eine Spannung Ug = U0 + ug (t), wobei der Gleichspannungsanteil U0 zur
eingangsseitigen Arbeitspunkteinstellung dient.
RD
Rg
Ua RL
Ug RS
Abbildung 16.1: Verstrkerschaltung mit einem Transistor.
a) Was fr ein Transistor wird in dieser Schaltung verwendet? Geben Sie den genauen Typ an.
b) Wie wird die gezeigte Grundschaltung bezeichnet? Welche Art der Gegenkopplung kommt zum
Einsatz?
c) Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild des Transistors fr den statischen Fall. Markieren
Sie die Anschlsse des Transistors mit den blichen Bezeichnungen.
d) Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild der Gesamtschaltung.
e) Stellen Sie die Knotengleichungen fr die Strme an den beiden ausgangsseitigen Knoten des
Transistors im Kleinsignalersatzschaltbild auf.
f) Bestimmen Sie mit Hilfe der gefundenen Knotengleichungen die Spannung uS am Widerstand
RS in Abhngigkeit von der Ausgangsspannung ua .
g) Stellen Sie eingangsseitig eine Maschengleichung auf, die einen Zusammenhang zwischen ug
und uGS herstellt.
ua
h) Zeigen Sie, dass fr die Kleinsignalverstrkung A = ug der Schaltung gilt
SRA rDS
A= mit RA = RD ||RL ,
rDS 1 + SRS + RS + RA
indem Sie in einer der Knotengleichungen uGS und uS eliminieren.
i) Welche idealisierte Annahme kann fr den Ausgangswiderstand des Transistors getroffen wer-
den, wenn der Transistor im Abschnrbereich der Ausgangskennlinie betrieben wird? Welche
vereinfachte Formel ergibt sich damit fr die Kleinsignalverstrkung A?
j) Welche Kleinsignalverstrkung erhlt man laut Teilaufgabe i), wenn auf die Gegenkopplung ver-
zichtet wird?

17 Subtrahiererschaltungen mit Operationsverstrkern
In dieser Aufgabe werden zwei Subtrahiererschaltungen mit Operationsverstrkern betrachtet. Gehen

Sie von idealen Operationsverstrkern aus.
17.1 Rckfhrung auf Addition
Abbildung 17.1 zeigt eine Subtrahiererschaltung mit zwei Operationsverstrkern.

RN
AN
RN
R2 AP RN
U1
R2
U2
Ua
OV 1 OV 2
Abbildung 17.1: Subtrahiererschaltung mit zwei Operationsverstrkern.
a) Welche Ausgangsspannung stellt sich am Operationsverstrker OV 1 ein?
b) Bestimmen Sie die Ausgangsspannung Ua in Abhngigkeit von den Eingangsspannungen U1 und

U2 .
c) Die Eingangsspannungen U1 und U2 knnen in einen Gleichspannungsanteil UGl und einen Dif-
ferenzspannungsanteil UD aufgeteilt werden:
1 1
U1 = UGl UD U2 = UGl + UD
2 2
Geben Sie Ua in Abhngigkeit von Gleich- und Differenzspannungsanteil an und identifizieren
Sie die Gleichtaktverstrkung AGl und die Differenzverstrkung AD mit:

Ua Ua
AGl = A D =
UGl UD =0 UD UGl =0
AD
d) Geben Sie die Gleichtaktunterdrckung G = in Abhngigkeit von AP und AN an.
AGl

e) Was muss fr AP und AN gelten, damit die Subtrahiererfunktion Ua = AD U2 U1 gegeben
ist (Koeffizientenbedingung)?
f) Wegen Bauteiltoleranzen wird die Koeffizientenbedingung nicht vollstndig eingehalten. Man

erhlt
1 1
AN = A A AP = A + A
2 2
mit einer mittleren Verstrkung A und einer Verstrkungsabweichung A. Ermitteln Sie die
Gleichtaktunterdrckung in Abhngigkeit von A und A. Wie verhlt sich die Gleichtaktun-
terdrckung zur relativen Paarungstoleranz der Verstrkungen, A
A ?
18
U. Tietze, Ch. Schenk: Halbleiterschaltungstechnik

18 Operationsverstrkerschaltungen (*)
Uout
Bestimmen Sie das bertragungsverhalten Uin folgender Schaltungen.
a) Schaltung 1
R1 R2 R3
Uin R4
Uout
b) Schaltung 2
R1 R2
Uin
R3 R4 Uout
c) Schaltung 3
R1 R2
Uin
R3 R4 Uout

19 Aktive Filter mit Operationsverstrkern
Abbildung 19.1 zeigt einen Operationsverstrker in S ALLEN -K EY Schaltung, mit dessen Hilfe sich
Tiefpsse 2. Ordnung realisieren lassen.
19.1 S ALLEN -K EY-Schaltung
C2
R1 R2
Ue C1
( 1)R3 Ua
R3
Abbildung 19.1: Aktives Tiefpassfilter 2. Ordnung mit Einfachmitkopplung; S ALLEN -K EY-Schaltung.
a) Berechnen Sie die bertragungsfunktion A(sn ) = ua /ue der Schaltung in Abb. 19.1.
b) Vereinfachen Sie die bertragungsfunktion A(sn ) fr den Fall
C1 = C2 = C und R1 = R2 = R .
c) Fr einen Tiefpass 2. Ordnung ohne Nullstellen lsst sich die bertragungsfunktion allgemein
wie folgt schreiben
A0
A(sn ) = 2 ,
sn b1 + sn a1 + 1
wobei die in Tabelle 19.1 tabellierten Koeffizienten b1 und a1 den Filtertyp bestimmen. Bestim-
men Sie durch Koeffizientenvergleich das RC-Produkt und in Abhngigkeit von b1 und a1 .
Wie gro ist fr ein B UTTERWORTH-Filter? Verwenden Sie fr Ihre Berechnung Tabelle 19.1.
n bezeichnet die Ordung des Filters, i den Index der Koeffizienten ai und bi .
19.2 Aktives B UTTERWORTH-Filter
n i ai bi fgi /fg Qi
1 1 1,0000 0,0000 1,0000
2 1 1,4142 1,0000 1,0000 0,71
3 1 1,0000 0,0000 1,0000

2 1,0000 1,0000 1,272 1,0
4 1 1,8478 1,0000 0,719 0,54

2 0,7654 1,0000 1,390 1,31
Tabelle 19.1: Filterkoeffizienten fr B UTTERWORTH-Filter.
Entwerfen Sie ein aktives B UTTERWORTH-Filter mit einer Grenzfrequenz fg = 1 MHz und einer
Dmpfung von 60 dB pro Dekade.

a) Stellen Sie die bertragungsfunktion A(sn ) auf. Verwenden Sie dazu Tabelle 19.1. Zerlegen Sie
die bertragungsfunktion in ein Produkt aus Filtern zweiter und erster Ordnung.
b) Zeichnen Sie die vollstndige Schaltung fr das gesamte Filter. Verwenden Sie fr die Teilfilter
2. Ordnung die S ALLEN -K EY-Schaltung aus der vorangegangenen Aufgabe. Fr die Teilfilter
1.Ordnung knnen Sie den bereits bekannten aktiven RC-Tiepass verwenden.
c) Dimensionieren Sie die RC-Produkte der Teilfilter. Bei der Dimensionierung knnen Sie anneh-
men, dass die Widerstnde und Kapazitten der einzelnen Teilfilter jeweils gleich sind.
d) Wie gro sind die Widerstnde fr die Teilfilter, wenn Sie fr alle Kapazitten den Wert C = 1 nF
verwenden?

20 A/D- und D/A-Umsetzer
20.1 A/D-Umsetzung analoger Signale
In einem Messgert sollen analoge Signale digitalisiert werden. Der eingestellte Messbereich betrgt
1, 25 V. Der A/D-Umsetzter arbeitet mit 11 Bit nach dem in Tabelle 20.1 angegebenen Code.
Signal Codes Bereich

positiv 11111111111 >0
.. .. ..
. . .
.. ..
. 10000000001 .
12 LSB 10000000000 =0
b
.. ..
. 01111111111 .
.. .. ..
. . .
negativ 00000000000 <0
Tabelle 20.1: Digitaler Code des A/D-Umsetzers
a) Wieviele digitale Werte kann der A/D-Umsetzer codieren?
b) Wie gro ist ein LSB?
c) Zeichnen Sie die Kennlinie des A/D-Umsetzers um 0 V und an den Aussteuergrenzen.
d) Zeichnen Sie qualitativ den Quantisierungsfehler um 0 V und an den Aussteuergrenzen.
e) Geben Sie den kleinsten und den grten Spannungswert an, der gewandelt werden kann, ohne
den A/D-Umsetzer zu bersteuern.
f) Berechnen Sie allgemein den Signal-Quantisierungsrauschabstand SN RdB fr ein optimal aus-

gesteuertes sinusfrmiges Eingangssignal.
g) Berechnen Sie den Effektivwert der Quantisierungsrauschspannung fr ein optimal ausgesteuer-

tes Sinussignal am gegebenen Messgert.
h) Wieviele Bits sind ntig, um bei einem optimal ausgesteuerten Sinussignal einen Signal-Strabstand
von 82 dB zu erreichen?
i) Mit welcher Frequenz muss mindestens abgetastet werden, damit das Signal mit einem idealen
Tiefpass rekonstruierbar ist, wenn das Signal spektrale Anteile von 0 Hz...100 kHz besitzt?
20.2 D/A-Umsetzung mit Wgeverfahren
Gegeben ist der in Abbildung 20.1 dargestellte 4-Bit-D/A-Umsetzer, der nach dem Wgeverfahren ar-
beitet.
a) Berechnen Sie die Spannungen und Strme in den 2R-Zweigen des R-2R-Netzwerks.
b) Geben Sie allgemein die Spannungen und Strme in den 2R-Zweigen des R-2R-Netzwerks fr
N Bit Auflsung an.

R R R
Uref 2R 2R 2R 2R 2R
R
Z3 Z2 Z1 Z0
Ua
Abbildung 20.1: D/A-Umsetzer mit Wgeverfahren
c) Bestimmen Sie Ua fr den 4-Bit-Umsetzer.
d) Geben Sie allgemein Ua bei N Bit Auflsung an.
e) Wie gro kann Ua maximal und minimal werden?
f) Bei welchem Widerstand des R-2R-Netzwerks wirken sich Toleranzen seines Werts besonders
stark auf Ua aus?
g) Welche Toleranz darf dieser Widerstand bei einem N -Bit-Umsetzer besitzen, damit Ua einer Ge-
nauigkeit von 21 ULSB gengt?

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Elektronik und Schaltungstechnik

Stand: 2. Mai 2017

6 Wheatstonesche Brcke (*) 7

8 Induktion in einer Leiterschleife 11

9 Elektrische Leistung an einem Widerstand 12

Lehrstuhl fr Technische Elektronik i Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

13.2 Arbeitspunkteinstellung mit Spannungsteiler . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

14 Arbeitspunkteinstellung mit Kennlinien 22

17 Subtrahiererschaltungen mit Operationsverstrkern 29

19 Aktive Filter mit Operationsverstrkern 31

20 A/D- und D/A-Umsetzer 33

Lehrstuhl fr Technische Elektronik ii Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

1.1 Elektrisches Feld und Superpositionsprinzip

Abbildung 1.1: Elektrischer Quadrupol mit Testladung q.

~ am Ort der Testladung q.

b) Welche Kraft F~ wirkt auf die Testladung?

c) Die Ladungen Qi haben nun die folgenden Werte: Q1 = Q2 Q0 , Q3 = Q4 Q0 (Q0

1.2 Elektrisches Potenzial

Gegeben sei eine punktfrmige Ladung Q, sowie eine Testladung q.

b) Skizzieren Sie das Ergebnis aus der vorangegangenen Teilaufgabe.

Lehrstuhl fr Technische Elektronik 1 Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

Abbildung 2.1: Plattenkondensator mit inhomogenen Dielektrikum.

Fr die relative Dielektrizittszahl des Dielektrikums gilt

a) Zeigen Sie, dass fr die Kapazitt des Kondensators gilt:

c) Wieviel Energie WQuelle muss die Quelle beim Aufladevorgang liefern?

Lehrstuhl fr Technische Elektronik 2 Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

2.2 Plattenkondensator mit drehbarem Dielektrikum (*)

Abbildung 2.2: Plattenkondensator mit drehbarem Dielektrikum.

Abbildung 2.3: Definition des Drehwinkels.

2.3 Plattenkondensator mit zweischichtigem Dielektrikum (*)

Lehrstuhl fr Technische Elektronik 3 Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

Abbildung 2.4: Plattenkondensator mit zweischichtigem Dielektrikum.

2.4 Schaltungsvarianten von Kapazitten

Abbildung 2.5: Schaltungsvarianten von Kapazitten

Lehrstuhl fr Technische Elektronik 4 Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

Lehrstuhl fr Technische Elektronik 5 Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

Abbildung 4.1: Schaltungen zur Bestimmung eines unbekannten Widerstands R.

Lehrstuhl fr Technische Elektronik 6 Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

Abbildung 5.1: Potentiometer, unbelastet und belastet.

a) Ermitteln Sie die Ausgangsspannung UL der unbelasteten Potentiometerschaltung.

6 Wheatstonesche Brcke (*)

a) Bestimmen Sie Rx in Abhngigkeit der Schleiferposition x bei bekannten Rp und R0 .

Lehrstuhl fr Technische Elektronik 7 Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

Abbildung 6.1: Widerstandsbestimmung mit einer Wheatstoneschen Brcke.

Lehrstuhl fr Technische Elektronik 8 Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

7.1 Magnetfeld im Inneren einer langgestreckten Spule

Abbildung 7.1: Langgestreckte Spule mit N Windungen und Lnge L.

~ r) im Inneren der Spule mit Hilfe des Ampereschen

7.2 Magnetfeld eines geraden Stromleiters (*)

~ r) auerhalb und innerhalb des Leiters. Verwenden

Lehrstuhl fr Technische Elektronik 9 Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

Sie fr Ihre Rechnung das Amperesche Gesetz

Lehrstuhl fr Technische Elektronik 10 Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

8 Induktion in einer Leiterschleife

Abbildung 8.1: Leiterschleife im Magnetfeld.

Lehrstuhl fr Technische Elektronik 11 Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

9 Elektrische Leistung an einem Widerstand

Abbildung 9.1: Sgezahn Spannung u(t).

a) Stellen Sie die komplexe Fourierreihe fr u(t) auf

Lehrstuhl fr Technische Elektronik 12 Dipl.-Ing. Univ. Jasmin Kolpak

Abbildung 10.1: Serienschaltung eines Widerstands und einer Induktivitt.

a) Berechnen Sie die Gesamtimpedanz Z der in Abbildung 10.1 gezeigten Schaltung.

b) Berechnen Sie die komplexen Gren U R , U L und I in Abhngigkeit von U 0 .