Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y Telecomunicaciones

APELLIDOS Y NOMBRES: N DE MATRICULA:

Lozano Torres, Franz Kenneth 15190258

CURSO: TEMA:

DISPOSITIVOS EL TRANSISTOR BIPOLAR

ELECTRONICOS PNP. CARACTERSTICAS
BSICAS.
INFORME: FECHAS: NOTA:
PREVIO REALIZACION: ENTREGA:

NUMERO:
08 DE JUNIO DEL 15 DE JUNIO
06 2017 DEL 2017

GRUPO: PROFESOR:
NUMERO: HORARIO:
06 JUEVES Ing. Luis Paretto
2pm 4pm
Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos

I. Tema:

EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP. CARACTERSTICAS

BSICAS."

II. Cuestionario previo:

3. Determinar el punto de operacin del circuito del experimento utilizando un

transistor bipolar PNP de modelo TR85. Llenar las tablas 2, 3 y 5.

Caractersticas del transistor modelo TR85:

Transistor Description Case Diag N Maximum Typical Maximum
Code and Style Collector Forward Collector
Application Current Current Dissipation
(Amp)(Ic) (Hfe)() (Watts) (Pd)
TR85 PNP-Ge T01 26 1 90 1.4

El circuito a analizar es el siguiente:

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS 2

Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos

En esta experiencia iremos variando los valores del potencimetro P1, por ello
expresamos nuestro circuito de la siguiente forma:

= 1 + 1

Luego hallamos su equivalente Thvenin:

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS 3

Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Donde:
2 2
= ; =
+ 2 + 2

Hallamos los valores mximos de y :

= = 9.02 ; = = 12
+

Haciendo = 56 (1 = 0 ):

2 2
= = 3.38 ; = = 15.79
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.3 (Germanio) ; = ;

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )


= 6.09

+

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 3.90
Hallamos y :

= 67.22
+ ( + 1)
= = 2.01

TABLA 2 ( = )
() () () () ()
6.09 67.22 3.90 . 2.01

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS 4

Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Haciendo = 68 (1 = 12 ):

2 2
= = 2.93 ; = = 16.62
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.3 (Germanio) ; = ;

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )


= 5.11

+

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 5.20
Hallamos y :

= 56.38
+ ( + 1)
= = 1.69

TABLA 3 ( = )
() () () () ()
5.11 56.38 5.20 . 1.69
Con estos valores podemos trazar nuestra recta de carga y ubicar los puntos de
trabajo Q1 y Q2:

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS 5

Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Haciendo = 156 (1 = 100 ):

2 2
= = 1.48 ; = = 19.28
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.3 (Germanio) ; = ;

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )


= 2.17

+

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 9.11
Hallamos :

= 23.93
+ ( + 1)

Haciendo = 306 (1 = 250 ):

2 2
= = 0.80 ; = = 20.52
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.3 (Germanio) ; = ;

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )


= 0.90

+

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 10.80
Hallamos :

= 9.89
+ ( + 1)

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS 6

Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Haciendo = 556 (1 = 500 ):

2 2
= = 0.46 ; = = 21.16
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; 0.3 (Germanio) ; = ;

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )


= 0.28

+

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 11.63
Hallamos :

= 3.13
+ ( + 1)

Haciendo = 1056 (1 = 1 ):

2 2
= = 1.48 ; = = 19.28
+ 2 + 2
= 1 ; = 330 ; < 0.3 (Germanio) ; = ;

En la malla 1:

= + + ; =


= ( + )


= 0

+

En la malla 2:
= ( + ) +
= ( + ) 12
Hallamos :

= 0
+ ( + 1)

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS 7

Facultad de Ingeniera Electrnica y Elctrica || Universidad Nacional Mayor de San Marcos

TABLA 5
R
() 2.17 0.90 0.28 0
() 23.93 9.89 3.13 0
() 9.11 10.80 11.63 12

Notamos que, a medida que el valor de R aumenta (P1 aumenta), el transistor pasa
a la zona de saturacin, donde la corriente de colector (Ic) es mnima y el voltaje
colector-emisor (Vce) es mximo.

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS 8