EL DIODO SEMICONDUCTOR I.

OBJETIVO:
Analizar las caractersticas elctricas del diodo Semiconductor
II.MARCO TEORICO:
Definicin de Diodo
Un diodo es un dispositivo cuya conductividad es menor que la de un conductor y mayor que
la de un aislante. El grado de conduccin de cualquier sustancia depende, en gran parte, del
nmero de electrones libres que contenga. En un conductor este nmero es grande y en un
semiconductor pequeo es insignificante. El nmero de electrones libres de un
semiconductor depende de los siguientes factores: calor, luz, campos elctricos y magnticos
aplicados y cantidad de impurezas presentes en la composicin del diodo.
Estos dispositivos basados en materiales semiconductores, a partir de los cuales se fabrican
prcticamente todos los sistemas electrnicos actuales.
De acuerdo con la facilidad con que se mueven los electrones por el interior de las sustancias
se establecen tres tipos de stas: conductores, aislantes y semiconductores. La facilidad del
movimiento depende de la estructura atmica de la sustancia.

Tipos de Diodos Los diodos pueden clasificarse en: Rectificadores, LED, Zener, Varicap,
Tnel, Fotodiodo, Schockley.
Diodos Rectificadores:
Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que permite el paso de
la corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor. De
forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce),
y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos
capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal como paso inicial para convertir una
corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los
experimentos de Lee De Forest.

Diodos LED: (Light Emitting Diode, Diodo Emisor de Luz).

Es un tipo especial de diodo que trabaja como un diodo comn, pero que al dejar circular
corriente emite luz. Este dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una
cubierta de plstico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las
lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar coloreado, es slo por razones
estticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida. Para obtener una buena
intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que circula por el LED y evitar que este
se pueda daar; para ello, hay que tener en cuenta que el voltaje de operacin va desde 1,8
hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el material de fabricacin y
el color de la luz que emite).
Los valores tpicos de corriente directa de polarizacin de un LED estn comprendidos entre
los 10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios
(mA) para los otros LED.

Diodo Zener:
 Al diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos definirlo como un
elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando
trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una
corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin de valor constante.
Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en
dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin relativamente invisible a las
variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin.

Diodo Varactor (Varicap):

Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo
semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una capacidad que depende de
la tensin inversa a l aplicada. Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de
televisin y los de receptores de radio en FM.
Diodo Tnel:
Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar
su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que respecta a la corriente en sentido
de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas
variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez
al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir
mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuando
se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.
III. INFORME PREVIO:
a) Que es un semiconductor tipo p y que uno tipo n.

Semiconductor.- Es un elemento que se comporta como un conductor o como

un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se
encuentre.
Semiconductor tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un

cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga
libres (en este caso positivos o huecos).

Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los
tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y
los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.

El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un
tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres
electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se
incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres
enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un
electrn libre.

Semiconductor tipo N

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un

cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).

Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los
tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material
donante, ya que da algunos de sus electrones.

El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el

material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso
del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se
forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con
cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica
(ej. fsforo (P), arsnico (As) oantimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un
tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no
enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero
de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los
electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A
causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar",
son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca
est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene
una carga elctrica neta final de cero.
b) Como es el comportamiento ideal de un diodo y como el comportamiento real.

El diodo ideal

Es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un

determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.

En la Figura 1 se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-intensidad del

funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

Figura 1: Smbolo y curva caracterstica tensin-corriente del diodo ideal.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso
de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta
de la flecha del smbolo circuital, representada en la figura 1, indica el sentido permitido de la
corriente.

presenta resistencia nula.

presenta resistencia infinita.

Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un diodo en

circuito sencillo.
 Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal.

Segn est colocada la fuente, la corriente debe circular en sentido horario.

En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulacin, ya que la corriente entra por el
nodo, y ste se comporta como un interruptor cerrado. Debido a esto, se produce una cada de
tensin de 10V en la resistencia, y se obtiene una corriente de 5mA.

En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportndose como un

interruptor abierto, y la cada de tensin en la resistencia es nula: los 10V se aplican al diodo.

diodo real

El comportamiento de un diodo real presenta algunas desviaciones con respecto al del diodo ideal.

Caracterstica tensin-corriente

La Figura 8 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.

En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento. En
polarizacin directa (PD, vD>0), se diferencian dos zonas de funcionamientos, si la tensin aplicada
no supera la barrera de potencial, la corriente que circula es muy pequea y podra considerarse
nula, si bien va creciendo gradualmente. Cuando se va alcanzando la tensin de la barrera de
potencial, la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye
progresivamente, hasta que al alcanzar esa tensin queda limitada slo por las resistencias
intrnsecas de las zonas P y N y la intensidad de corriente que circula por la unin aumenta
rpidamente, grandes variaciones de corriente para pequeas variaciones de tensin. En el caso de
los diodos de silicio, la tensin que corresponde a la barrera de potencial se sita entre los 0,6V y
0,7V, en los de germanio en el orden de los 0,2V y en los de arseniuro de galio alrededor del V.

En la grfica se identifica el punto de trabajo de plena conduccin para el cual el fabricante realiza
el ensayo y brinda los datos de la corriente de test (IT) para la cual mide la tensin que definimos
como umbral (V). Normalmente esta corriente est en el orden del 10% al 20% de la corriente que
circulara cuando el diodo disipase la mxima potencia permitida.

En polarizacin inversa, tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es prcticamente nula (mucho

menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa, ya que los
responsables de esta conduccin son los portadores minoritarios) hasta llegar a la ruptura en la
avalancha, en la que la corriente aumenta en forma abrupta. En la Figura 9 se representan
esquemticamente las diferencias entre los comportamientos del diodo de unin PN y el diodo
ideal.
c) Cules son las diferencias fundamentales entre un diodo de Silicio y uno de Germanio.

Diodos de silicio

La construccin de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del
diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del nodo y arsnico o fsforo en el
lado del ctodo), y la articulacin donde las impurezas se unen se llama la "unin pn".
Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarizacin directa de 0,7 voltios. Una vez
que el diferencial de voltaje entre el nodo y el ctodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo
empezar a conducir la corriente elctrica a travs de su unin pn. Cuando el
diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unin pn detendr la conduccin de
la corriente elctrica, y el diodo dejar de funcionar como una va elctrica. Debido a
que el silicio es relativamente fcil y barato de obtener y procesar, los diodos de silicio
son ms frecuentes que los diodos de germanio.

Diodos de germanio

Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los
diodos de germanio tambin utilizan una unin pn y se implantan con las mismas
impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una
tensin de polarizacin directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco comn
que se encuentra generalmente junto con depsitos de cobre, de plomo o de plata.
Debido a su rareza, el germanio es ms caro, por lo que los diodos de germanio son
ms difciles de encontrar (y a veces ms caros) que los diodos de silicio.

d) Explique la ecuacin caracterstica y curva caracterstica V-I del diodo.

Caracterstica tensin-corriente

La Figura 8 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.

En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento. En
polarizacin directa (PD, vD>0), se diferencian dos zonas de funcionamientos, si la tensin aplicada
no supera la barrera de potencial, la corriente que circula es muy pequea y podra considerarse
nula, si bien va creciendo gradualmente. Cuando se va alcanzando la tensin de la barrera de
potencial, la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye
progresivamente, hasta que al alcanzar esa tensin queda limitada slo por las resistencias
intrnsecas de las zonas P y N y la intensidad de corriente que circula por la unin aumenta
rpidamente, grandes variaciones de corriente para pequeas variaciones de tensin. En el caso de
los diodos de silicio, la tensin que corresponde a la barrera de potencial se sita entre los 0,6V y
0,7V, en los de germanio en el orden de los 0,2V y en los de arseniuro de galio alrededor del V.

En la grfica se identifica el punto de trabajo de plena conduccin para el cual el fabricante realiza
el ensayo y brinda los datos de la corriente de test (IT) para la cual mide la tensin que definimos
como umbral (V). Normalmente esta corriente est en el orden del 10% al 20% de la corriente que
circulara cuando el diodo disipase la mxima potencia permitida.
e) Como se identifica los terminales de un diodo con ayuda del multmetro y como se
comprueba el estado del diodo.
Como probar un diodo

Determinar si un diodo est en buen estado o no es muy importante en el trabajo de un tcnico

en electrnica, pues esto le permitir poner a funcionar correctamente un circuito electrnico.

Pero no slo son los tcnicos los que necesitan saberlo.

En el caso del aficionado que est implementando un circuito o revisando un proyecto, es

indispensable saber en que estado se encuentran los componentes que utiliza.

Hoy en da existen multmetros (VOM) digitales que permiten probar con mucha facilidad
un diodo, pues ya vienen con esta opcin listos de fbrica.

El mtodo de prueba que se presenta aqu es el mtodo tpico de medicin de un diodo con
un multmetro analgico (el que tiene una aguja).

ara empezar, se coloca el selector para medir resistencias (ohmios / ohms), sin importar de
momento la escala. Se realizan las dos pruebas siguientes:

1 - Se coloca el cable de color rojo en el nodo de diodo (el lado de diodo que no tiene la franja)
y el cable de color negro en el ctodo (este lado tiene la franja).

El propsito es que el multmetro inyecte una corriente continua en el diodo (este es el proceso
que se hace cuando se miden resistores).

- Si la resistencia que se lee es baja indica que el diodo, cuando est polarizado en directo,
funciona bien y circula corriente a travs de l (como debe de ser).
- Si esta resistencia es muy alta, puede ser una indicacin de que el diodo est "abierto" y deba
que ser reemplazado.

2 - Se coloca el cable de color rojo en el ctodo y el cable negro en el nodo del diodo.

En este caso como en anterior el propsito es hacer circular corriente a travs del diodo, pero
ahora en sentido opuesto a laflecha de ste.

- Si la resistencia leda es muy alta, esto nos indica que el diodo se comporta como se esperaba,
pues un diodo polarizado en inverso casi no conduce corriente.
- Si esta resistencia es muy baja puede se una indicacin de que el diodo est en "corto" y deba
ser reemplazado.

Nota:
- El cable rojo debe ir conectado al terminal del mismo color en el multmetro
- El cable negro debe ir conectado al terminal del mismo color en el multmetro (el comn /
common)