CURSO DE CAPACITACIN

RECURSO SOLAR: INDICE

1. Geometra Solar.
La rbita terrestre. Puntos especiales.
Magnitudes y conceptos.
La posicin del sol respecto del generador FV.
El movimiento del sol en el cielo.
Prdidas por orientacin e inclinacin.
Introduccin al clculo de sombras.

ISOFOTON
 GEOMETRIA SOLAR. LA ORBITA TERRESTRE

El movimiento de la Tierra alrededor del Sol

Solsticio: incidencia perpen-

dicular sobre el trpico

Equinoccio: incidencia per-

pendicular sobre el ecuador

Afelio: punto de la rbita ms lejano al Sol

Perihelio: punto de la rbita ms cercano

al Sol

ISOFOTON
MAGNITUDES Y CONCEPTOS

ISOFOTON
MAGNITUDES Y CONCEPTOS

ISOFOTON
MAGNITUDES Y CONCEPTOS

ISOFOTON
 MAGNITUDES Y CONCEPTOS

Fotn: corpsculo que forma la radiacin

Color Frecuencia Longitud de onda

La potencia entregada es proporcional

al nmero de fotones que inciden
en el mdulo FV
ISOFOTON
 MAGNITUDES Y CONCEPTOS

Fotn: corpsculo que forma la radiacin

Color Frecuencia Longitud de onda

Cuanto mayor sea el coef. de absorcin

menor es la distancia que debe recorrer
el fotn para ser absorbido

ISOFOTON
MAGNITUDES Y CONCEPTOS

ISOFOTON
GEOMETRIA SOLAR: MOVIMIENTO ESTACIONAL
DEL SOL

Trayectorias del sol en la bveda celeste

en distintas estaciones y latitudes

Latitud entre 0N (ecuador) y 23.5N (trpico)

Latitud entre 23.5N (trpico) y 66.5N (crculo polar)

Latitud entre 66.5N (crculo polar) y 90N (polo)

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 GEOMETRIA SOLAR: PRDIDAS POR ORIENTACION
E INCLINACION
N -165
165
150 -150

135 -135 Prdidas:

120 -120 Orientacin:
100%
105 -105 95% - 100% 0.08%/ (25)
90% - 95%
80% - 90%
W E
70% - 80%
Inclinacin:
10
60% - 70%
75
30
-75 50% - 60% 0.2%/ (20)
50 40% - 50%
60 70
30% - 40%
-60
< 30%
90
-45
30 -30
ngulo de 15 -15
S
inclinacin
- +
ngulo de Azimut

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 GEOMETRIA SOLAR: PRDIDAS POR SOMBRAS

Modelo de clculo:
' S S '
Durante el tiempo que la superficie S est P P
afectada por la sombra que se observa en la figura.
S

Efectos sobre el campo FV:

Prdidas en produccin
Degradacin
Puntos calientes S
S

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Pasos previos:
 Formacin del lingote
 Corte de obleas

Pasos clula:
 Preparacin de la superficie: texturizado
 Formacin de la unin p-n: difusin
 Capa antirreflexiva: ARC
 Metalizacin: serigrafa
 Caracterizacin y clasificacin

Pasos mdulo
 Formacin de ristras
 Encapsulado/laminado
 Fijacin marco/cristal
 Caja de conexiones
 Caracterizacin/clasificacin

ISOFOTON

El Silicio se obtiene a partir de elementos como arena o cuarzo.

Se presentan en la naturaleza con altos grados de impurezas, por este

motivo es necesario procesarlos.

Obtenemos un Silicio con propiedades de semiconductor y as lograr celdas

de alta eficiencia.

el Silicio es el segundo elemento ms abundante en la superficie terrestre,

luego del oxgeno.

ISOFOTON
 PRODUCCIN DE SILICO SOLAR

Proceso
 Consiste en llevar los granos de cuarzita a temperaturas sumamente
elevadas, agregando carbn para eliminar el oxigeno presente en la
cuarzita y producir una sustancia gris metlica brillante de una pureza
de aproximadamente 99%.
 Para llegar a purezas de 99,9999%, la sustancia obtenida es depurada
mediante un proceso similar al utilizado en las refineras de petrleo,
llamado destilacin fraccionada

ISOFOTON
 Produccin de Silicio Monocristalino

Proceso
 Mtodo de crecimiento de Czochralski (CZ):
 Es el proceso ms extendido [Mtodo
Flotante (FZ)]

 El Silicio grado solar se funde en un crisol a

temperaturas cercanas a 1.410C junto a los
dopantes tipo p (Boro).

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 Produccin de Silicio Monocristalino

Proceso
 Mtodo de crecimiento de Czochralski (CZ):
 Es el proceso ms extendido [Mtodo
Flotante (FZ)]

 El Silicio grado solar se funde en un crisol a

temperaturas cercanas a 1.410C junto a los
dopantes tipo p (Boro).

 Se introduce una semilla de Silicio

Monocristalino y se retira lentamente
(10cm/hora) haciendo crecer un lingote
cilndrico de material Monocristalino por lo
que no existen dislocaciones entre los
lmites de grano.

ISOFOTON
 Produccin de Silicio Monocristalino

Proceso
 Mtodo de crecimiento de Czochralski (CZ):
 Es el proceso ms extendido [Mtodo
Flotante (FZ)]

 El Silicio grado solar se funde en un crisol a

temperaturas cercanas a 1.410C junto a los
dopantes tipo p (Boro).

 Se introduce una semilla de Silicio

Monocristalino y se retira lentamente
(10cm/hora) haciendo crecer un lingote
cilndrico de material Monocristalino por lo
que no existen dislocaciones entre los
lmites de grano.

ISOFOTON
ISOFOTON
ISOFOTON
 PRODUCCIN DE OBLEAS
Mezcla abrasiva

Lingote de silicio

Una vez obtenido el bloque de

Silicio Monocristalino, se procede
a cortar las obleas (wafers) con
espesor aproximado de 300m.

Para realizar esta operacin se

utiliza una sierra con
multifilamentos, la cual al cortar Hilo de acero

las obleas produce partculas de

Silicio

Se pierde casi un 20% de

material

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 DIFUSIN DE DOPANTE N

Las obleas son dopadas con tomos de Fsforo (P) en un horno a
temperaturas entre 800C y 900C para obtener la capa N

N2 +
O2

N
2

Fase gas: 4POCl3 + 3O2 2P2O5 + 6Cl2 POCl3

Superficie: 2P2O5 + 5Si 4SiO2 + 5P

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 TEXTURIZADO

Consiste en una tratamiento que se le da al Silicio para disminuir el ndice
de reflexin.

Estructura piramidal, que aumenta la absorcin de la luz incidente, gracias
a reflexin mltiple de sta.

Eliminacin del dao superficial.

Aumento de la superficie de contacto.

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 CAPA ANTIREFLEXIVA

Efecto de interferencia:
 cambio de ndice de refraccin Aire n0=1.0,
o
vidrio/EVA n0=1.5, mm

Reduccin de la reflexin:
 n0 < n1 < n2 ARC n1, d (nm)

Condicin de mnimo: Silicio n2=3.8, d(

m)
 n1d1 = 0/4
 n1=n0n2
n: ndice de refraccin
d: espesor

ndice ptimo:
 Vidrio: 2.3 (TiO2)

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 CAPA ANTIREFLEXIVA

Cromo negro

xido de titanio
Reflexin (%)

Pintura negra

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 METALIZACIN

Minimizar sombras
 Disminuir la cantidad de metal sobre la superficie SC

texturado

Ag
ARC (TiOx)
n-Si

p-Si
p-Si (Al)
n-Si
xido
Ag (Al)

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 METALIZACIN

Minimizar sombras
 Disminuir la cantidad de metal sobre la superficie SC

Minimizar prdidas hmicas
 Aumentar la superficie de contacto Metal/Semiconductor

ptimo ideal
 Infinitos dedos, infinitamente estrechos

texturado

Ag
ARC (TiOx)
n-Si

p-Si
p-Si (Al)
n-Si
xido
Ag (Al)

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COMPONENTES DEL SISTEMA FV: ESQUEMA

Generador fotovoltaico

Estructuras soporte

Inversor/es de CR

Cableado, protecciones y
Contadores (punto de
conexin:BT/MT)

Sistema de monitorizacin:

sensores, software...

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GENERADOR FV: PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

ISOFOTON
GENERADOR FV: PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

0.7V

ISOFOTON
 GENERADOR FV: PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

P(clula): 1.5W
Conexionado en serie
En general grupos de 36
(condiciones de operacin: ~ 15 V)
Aprox. 0.5 V / clula

Cubierta Frontal vidrio con bajo contenido en hierro

Encapsulante polmero transparente, aislante y termoplstico (EVA)
Conexiones dos o tres conductores paralelos para aumentar recoleccin. Conexin de cara frontal con
cara posterior (cintas de cobre estaado)zga113

ISOFOTON
 GENERADOR FV: CARACTERIZACIN

PARMETROS CARACTERSTICOS: Pmx, Voc, Isc, Vmx, Imx, TONC

Isc : corriente de cortocircuito

Voc : tensin de circuito abierto
Pmx : potencia mxima

* Medidos en condiciones estndar de medida:

Espectro AM 1.5, Irradiancia 1000 W/m2 y Tc 25C

ISOFOTON
 GENERADOR FV: CARACTERIZACIN
Efecto de la Temperatura Efecto de la Radiacin
Disminucin de la VOC con la Tde clula Aumento de corriente con radiacin

Disminucin de Voc y con ella de la Aumento de Isc y con ella de la capacidad de

capacidad de produccin a medida que I SC produccin a medida que aumenta la
aumenta la temperatura de la clula = 0.042% irradiancia sobre la superficie de la clula
T
dVOC mV V *
1.94 = oc 0.323%
dTC C NCS T I SC
P I SC = * G
= max 0.464%
T G
ISOFOTON
 GENERADOR FV: CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO

Condiciones Standard de Medida (Pmax, Voc, Isc)

Irradiancia: 1000 W/m2
Distribucin espectral: AM 1,5
Incidencia normal
Temperatura de clula: 25C

Condiciones Normales de Operacin (TONC)

Irradiancia: 800 W/m2
Distribucin espectral: AM 1,5
TONC( C ) 20
Incidencia Normal TC = Ta + 2
G
800W m
Temperatura ambiente: 20 C
Velocidad del viento: 1m/s
Temperatura de clula: TONC

ISOFOTON
 GENERADOR FV: COMPARATIVA DE TECNOLOGIAS

Si amorfo, Si - policristalino Si monocristalino

CdTe, CIS

Capa delgada
5% < < 16%

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 GENERADOR FV: COMPARATIVA DE TECNOLOGIAS

Si amorfo, Si - policristalino Si monocristalino

CdTe, CIS

Capa delgada
5% < < 16%

ISOFOTON
 GENERADOR FV: PRDIDAS

Por Dispersin de parmetros Clasificacin por corriente

La potencia mxima que entrega el generador es inferior a la suma de potencias de mdulos.
Inclinacin/Orientacin
Polvo/Reflectancia angular
Temperatura
Cableado
Sombreado (Punto caliente)
Cuando una clula o mdulo se convierte en carga disipa la potencia generada de las dems.
Soluciones:
Por diferencia de corriente: DIODOS DE PASO
Por diferencia de tensin: FUSIBLES

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 GENERADOR FV: PRDIDAS

Por Dispersin de parmetros Clasificacin por corriente

La potencia mxima que entrega el generador es inferior a la suma de potencias de mdulos.
Inclinacin/Orientacin
Polvo/Reflectancia angular
Temperatura
Cableado
Sombreado (Punto caliente)
Cuando una clula o mdulo se convierte en carga disipa la potencia generada de las dems.
Soluciones:
Por diferencia de corriente: DIODOS DE PASO
Por diferencia de tensin: FUSIBLES

ISOFOTON
 INVERSOR: DESCRIPCIN
Realiza la conversin DCAC en condiciones
adecuadas para inyectar energa en la red
convencional
Funciona como fuente de corriente autoconmutada
y sincronizada con la red
Seguimiento del punto de mxima potencia (MPP).
Para sacar lo mximo de los paneles
Rendimiento europeo: 90-98 %, dependiente de:
Inclusin o no de transformador.
Modelo
Potencia de salida
Potencia
Nominal (Potencia instalacin=Pnom inversores)
Mxima
De arranque
Consumo en operacin
Consumo en stand-by

ISOFOTON
INVERSOR: CARACTERSTICAS

A tener en cuenta en la configuracin:

Tensiones de trabajo.
-Rango de trabajo del Inversor (MPP).
-Mxima Vin en circuito abierto (T baja) Ns,max
-Mxima Iin (Tolerancia en potencia)Np,max

Potencia de Inversor (Wn<Wp).

-Subdimensionada frente a potencia de paneles.
(dependiente del perfil de radiacin).

ISOFOTON
dV OC mV
dT C
3 . 87
C N CS CLCULO
TONC 20
Tc = Ta + G
800
Verano : G = 1000 W 2 ; T a max 36 C
m
Invierno : G = 150 W 2 ; T a min 10 C
m

ISOFOTON
dV OC mV
dT C
3 . 87
C N CS CLCULO
TONC 20
Tc = Ta + G
800
Verano : G = 1000 W 2 ; T a max 36 C
m
Invierno : G = 150 W 2 ; T a min 10 C
m

3 ,87 a
V max T a = V max + N s (T max 25 ) = 19 , 051 19 V
1000
3 ,87 a
V ocT a = V oc + N s (T min 25 ) = 43 , 766 V
1000
3 ,87 a
V max T a = V max + N s ( T min 25 ) = 36 , 466 36 , 5V
1000
900
CriterioV max = 21 mdulos
43 , 766
41 22 . 575
CriterioI max = 5 mdulos Pmax 1 = 21 5 215 = 22 . 575 W ; 1, 5 50 %
I sc = 8 , 05 15 . 000
405 18 . 060
CriterioV min MPP = 21 mdulos Pmax 2 = 21 4 215 = 18 . 060 W ; 1, 2 20 %
19 15 . 000
750 Pmax 3 = 21 3 215 = 13 . 545 W < 15 . 000
CrierioV max MPP = 21 mdulos
36 , 5

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 CABLEADO Y PROTECCIONES
Proteccin de la instalacin: Proteccin de las personas:

Sobrecargas y cortocircuitos - Interruptor automtico diferencial.

o Interruptor magnetotrmico en AC
o Interruptor general manual. - Puesta a tierra de la estructura soporte
Sobretensiones; y resto de masas metlicas de forma
o Varistores en DC .
o Red de tierras. unificada.
Acoplamiento con la Red
- Aislamiento clase II en todos los
o Transformador de aislamiento
galvnico entre las partes de DC y AC. componentes
o Conexin MT, conexin BT.
o Interruptor automtico de interconexin - Configuracin flotante del campo
Evitar funcionamiento en isla.
generador
Umbrales permitidos: en frecuencia entre
51 a 49 Hz y en tensin de 1.1 Um a 0,85 Um - Controlador permanente de aislamiento

ISOFOTON
CABLEADO Y PROTECCIONES
FUSIBLES por RAMA y
POLO
Evitan sobrecorrientes por
una rama del generador
Permite seccionamiento total
de una o varias ramas para
mantenimiento.

VARISTORES
Proteccin contra sobretensiones
producidas por descargas
atmosfricas. Se instalan entre los
terminales positivo y negativo de la
rama o asociacin de ramas, y
entre cada uno de estos terminales
y la tierra de todas las masas
metlicas del sistema fotovoltaico

CONEXIN MASA A RED

DE TIERRA
Campo generador en configuracin
flotante, masas a tierra. Proteccin
frente a sobrecorrientes transitorias

ISOFOTON
CABLEADO Y PROTECCIONES
Magnetotrmico
por inversor
Interruptor general manual, con poder de
corte superior a la corriente de cortocircuito.
Para dar cierta independencia a las lneas
propias de cada inversor
Proteccin frente a sobrecargas y
cortocircuitos

Diferencial
Proteger de derivaciones a tierra.

Magnetotrmico
General
Interruptor general manual, con poder de
corte superior a la corriente de cortocircuito
indicada por la empresa distribuidora en el
punto de conexin. Uno en cuadro de
contadores, y otro en cuadro AC general.
Proteccin frente a sobrecargas y
cortocircuitos

ISOFOTON
 CABLEADO Y PROTECCIONES

Diseo del cableado

Criterio de cada de
tensin y criterio trmico
En sistemas de gran tamao
Reducir bucles
Diseo de estructura e
integracin
Habilitar un camino para
cableado
Tipo de cables
Doble aislamiento
Poliolefnas (Afumex)

ISOFOTON
 ESQUEMA UNIFILAR
GENERADOR FOTOVOLTAICO
CENTRO DE TRANSFORMACION

CUADRO CONEXIONES DC

6 mm2
FUSIBLES 25 A
CAJA GENERAL DE PROTECCION DE LA EMPRESA DISTRIBUIDORA 6 mm2 6 mm2
CAJA PROTECCIONES AC

INTERRUPTOR DIFERENCIAL
GENERAL 30 mA, 32 A
INVERSOR INGECON SUN 5
EMBARRADO CONTADOR CONTADOR MAGNETOTRMICO
MAGNETOTRMICO AF
25 A, 6 kA AV PROTECCION ANTE
DE ENTRADA DE SALIDA 32 A, 6 kA
SOBRETENSIONES
20 MODULOS EN SERIE DE 159 Wp
N
10 mm2 10 mm2 10 mm2 10 mm2 10 mm2 10 mm2
KWH

KWH

R
S
T
VIGILANTE
CUADRO DE CONTADORES DE TENSION

Y FRECUENCIA

PROTECCION CONTRA
FALLO DE AISLAMIENTO FUSIBLES 25 A
CONTADOR DE ENTRADA 6 mm2 6 mm2
KWH DE CONSUMO

PROTECCION ANTE
SOBRETENSIONES 20 MODULOS EN SERIE DE 159 Wp
INTERRUPTOR DE CONTROL DE POTENCIA ( ICP )

6 mm2
CUADRO DE
DISTRIBUCION

10 mm2

ISOFOTON
 ESTRUCTURA SOPORTE

Segn tipologa:
Esttica:
Integracin
Superposicin
No integrada
Inclinacin variable
Seguimiento
1 eje
2 ejes
Segn material:
De acero galvanizado, para soportar la
corrosin
De Aluminio, con menor peso

ISOFOTON
Iluminacin

www.escansa.com
escan@escansa.com