1. Que son los materiales semiconductores intrnsecos y extrnsecos?

Semiconductores intrnsecos

Un material semiconductor hecho solo de un nico tipo de tomo, se denomina

semiconductor intrnseco.
Los ms empleados histricamente son el germanio (Ge) y el silicio (Si); siendo
ste ltimo el ms empleado (por ser
mucho ms abundante y poder trabajar
a temperaturas mayores que el
germanio).

Cada tomo de un semiconductor tiene 4

electrones en su rbita externa
(electrones de valencia), que comparte
con los tomos adyacentes formando 4
enlaces covalentes. De esta manera cada
tomo posee 8 electrones en su capa
ms externa., formando una red
cristalina, en la que la unin entre los
electrones y sus tomos es muy fuerte.
Por consiguiente, en dicha red, los electrones no se desplazan fcilmente, y el
material en circunstancias normales se comporta como un aislante.

Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energa, por lo

que algunos pueden separarse del enlace e intervenir en la conduccin elctrica.
De esta manera, la resistividad de un semiconductor disminuye con la
temperatura (su conductividad aumenta). A temperatura ambiente, algunos
electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse del
enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en
electrones libres. Si a estos electrones, se les somete al potencial elctrico, como
por ejemplo de una pila, se dirigen al polo positivo. Cuando un electrn libre
abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un hueco, cuyo
efecto es similar al que provocara una carga positiva.

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conduccin

elctrica a travs de un semiconductor es el resultado del movimiento de
electrones (de carga negativa) y de los huecos (cargas positivas) en direcciones
opuestas al conectarse a un generador. Si se somete el cristal a una diferencia
de potencial se producen dos corrientes elctricas: una debida al movimiento de
los electrones libres de la estructura cristalina, y otra debida al desplazamiento
de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos
prximos, originando una corriente de huecos. Los electrones libres se dirigen
hacia el polo positivo de la pila (ctodo), mientras que los huecos pueden
considerarse como portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo
negativo de la pila, llamado nodo (hay que considerar que por el conductor
exterior slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica; los
huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor).

Semiconductores extrnsecos

Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un

proceso de impurificacin (llamado dopaje), consistente en introducir tomos de
otros elementos con el fin de aumentar su conductividad. El semiconductor
obtenido se denominar semiconductor extrnseco. Segn la impureza (llamada
dopante) distinguimos:
Semiconductor tipo P: se emplean elementos trivalentes (3 electrones
de valencia) como el Boro (B), Indio
(In) o Galio (Ga) como dopantes.
Puesto que no aportan los 4
electrones necesarios para
establecer los 4 enlaces
covalentes, en la red cristalina
stos tomos presentarn
un defecto de electrones (para
formar los 4 enlaces covalentes).
De esa manera se originan huecos
que aceptan el paso de electrones
que no pertenecen a la red
cristalina. As, al material tipo P
tambin se le denomina donador de huecos (o aceptador de electrones).

Semiconductor tipo N: Se emplean como impurezas elementos

pentavalentes (con 5 electrones de
valencia) como el Fsforo (P), el
Arsnico (As) o el Antimonio (Sb). El
donante aporta electrones en
exceso, los cuales al no encontrarse
enlazados, se movern fcilmente
por la red cristalina aumentando su
conductividad. De ese modo, el
material tipo N se denomina
tambin donador de electrones.
 2. Qu significa polarizacin directa y polarizacin inversa de un diodo?

Polarizacin directa de un diodo

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,

permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el
diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de
la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones
podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la

diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose
en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo
positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del
cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo

electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica
constante hasta el final.
 Polarizacin inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la

zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a
continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona
n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de
su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en
la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de
+1, con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de

la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia,
con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de
silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al

efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa
de saturacin.
 3. Cul es la importancia de los semiconductores?

Los semiconductores son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas

temperaturas son aislantes. Pero a medida que se eleva la temperatura o bien por la
adiccin de determinadas impurezas resulta posible su conduccin. Su importancia en
electrnica es inmensa en la fabricacin de transistores, circuitos integrados, etc...

Los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en rbita exterior o de

valencia. Los conductores tienen 1 electrn de valencia, los semiconductores 4 y los
aislantes 8 electrones de valencia.

Los 2 semiconductores que veremos sern el Silicio y el Germanio:

Como se puede apreciar los semiconductores se caracterizan por tener una parte interna con
carga + 4 y 4 electrones de valencia.

4. Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores.

Permiten el paso de corriente elctrica en un solo sentido.

Operan con poco voltaje y consumo de electricidad mnimo.
Tienen diferentes comportamientos a ciertos parmetros de temperatura.

5. Explique qu pasa si se aumenta el voltaje de polarizacin inversa a un diodo

semiconductor y se tiene una sobrecarga.

Al ir aumentando esta tensin inversa llega un momento en que el diodo pierde

su capacidad de bloqueo y fluye entonces una gran corriente inversa. Esta
tensin recibe el nombre de "tensin de ruptura". Normalmente en esta
situacin el diodo se destruye.
6. Investigue cuatro tipos de diodos y describa el funcionamiento brevemente.

Diodo detector o de baja seal. Los diodos detectores tambin denominados

diodos de seal o de contacto puntual, estn hechos de germanio y se
caracterizan por poseer una unin PN muy diminuta. Esto le permite operar a
muy altas frecuencias y con seales pequeas. Se emplea por ejemplo, en
receptores de radio para separar la componente de alta frecuencia (portadora)
de la componente de baja frecuencia (informacin audible). Esta operacin se
denomina deteccin.
Diodo rectificador. Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos
semiconductores que solo conducen en polarizacin directa (arriba de 0.7 V) y
en polarizacin inversa no conducen. Estas caractersticas son las que permite a
este tipo de diodo rectificar una seal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en
inverso que pueden soportar.

Diodo zner. Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su

capacidad de mantener un voltaje constante en sus terminales cuando se
encuentran polarizados inversamente, y por ello se emplean como elementos
de control, se les encuentra con capacidad de watt hasta 50 watt y para
tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su
voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.

Diodo varactor. El diodo varactor tambin conocido como diodo varicap o

diodo de sintona. Es un dispositivo semiconductor que trabaja polarizado
inversamente y actan como condensadores variables controlados por voltaje.
Esta caracterstica los hace muy tiles como elementos de sintona en
receptores de radio y televisin. Son tambin muy empleados en osciladores,
multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y otros circuitos de alta
frecuencia. Una variante de los mismos son los diodos SNAP, empleados en
aplicaciones de UHF y microondas.
Diodo emisor de luz. Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un determinado
voltaje. Cuando esto sucede, ocurre una recombinacin de huecos y electrones
cerca de la unin NP; si este se ha polarizado directamente la luz que emiten
puede ser roja, mbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su composicin.
7. Describa el comportamiento de un diodo ideal.

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de

corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la
 bloquea en el sentido contrario. En la Figura 1 se muestran el smbolo y la curva
caracterstica tensin-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido
permitido para la corriente es de nodo (a) a ctodo (k).

El diodo ideal es un componente que presenta resistencia nula al aso de la

corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido
opuesto. La punta de la flecha del smbolo de la figura 1 indica el sentido
permitido de la corriente. En los circuitos de la figura 2 se ejemplifica el
funcionamiento de un diodo ideal.

En el circuito de la izquierda, el diodo permite la circulacin de corriente, la

corriente circula de nodo a ctodo y el diodo se comporta como un
interruptor cerrado, la corriente que circula por la resistencia es de 5 mA. En el
circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportndose
como un interruptor abierto, y la cada de tensin en la resistencia es nula: los
10V determinan la tensin inversa que soporta el diodo.

8. Explique cmo afecta la temperatura a un material semiconductor.

La caracterstica principal de un semiconductor es que su conductividad

elctrica aumenta con la temperatura. A la temperatura ambiente, los
semiconductores presentan conductividades elctricas intermedias entre la de
los metales y la de los aislantes (generalmente del orden de 10-3 S cm-1).
9. Qu es resistencia esttica y resistencia dinmica?

Resistencia esttica.
Si el diodo est trabajando en DC, en un punto de trabajo determinado y constante
(V, I) de la caracterstica, el diodo presentar una resistencia tambin constante
llamada resistencia esttica. El valor de esta resistencia ser:

=

El valor de esta resistencia vara considerablemente con el punto de trabajo (V, I)
del diodo. As, si el punto de trabajo es 1 , 1 , la resistencia esttica ser:
1
1 =
1
En otras palabras la resistencia esttica de un diodo se define como la relacin
entre la tensin y la corriente (V/I). En un punto cualquiera de la caracterstica
tensin-corriente del diodo, la resistencia es igual a la inversa de la pendiente de la
lnea que une el punto de funcionamiento con el origen.

Es decir, que la resistencia esttica mide la oposicin que presenta el diodo al paso
de la corriente continua.
Ejemplo.
Tomando datos de la siguiente grfica
tenemos:

= 100
= 0.8
Solucin:
0.8
=
100
= 8
Resistencia dinmica.
Si el diodo trabajo con voltajes variables, es decir que el punto de trabajo (V. I) se
va a mover con el tiempo por la curva caracterstica, la resistencia que va a
presentar el diodo, tambin va a variar, dependiendo esta del punto de trabajo en
cada instante. A esta resistencia se le denomina resistencia dinmica y tiene un
valor dado por:

=

En otras palabras, la resistencia dinmica se define como la oposicin que presenta

el diodo al paso de una seal alterna o variable en tiempo.
Ejemplo.
Se nos dice que la resistencia dinmica en la grfica es: = 2

Solucin:
Para = 2 la lnea tangente se dibujara 2mA arriba y 2mA debajo de la
corriente especificada.
Por lo que se tendra que: = 4, = 0.76 y para = 0, = 0.65.
Los cambios que resultan en la intensidad y
tensin son:
= 4 0 = 4
= 0.76 0.65 = 0.11

0.11
Por lo tanto: = = 27.5
4

10. Describa la electroluminiscencia en un LED.

Cuando el voltaje aplicado con polarizacin directa sobre el diodo del LED,
impulsa los electrones y huecos hacia la regin activa entre el material de tipo
n y el de tipo p, la energa se puede convertir en fotones visibles o infrarrojos.
 Esto implica que el par electrn-hueco cae como partcula compuesta en un
estado ms estable, liberando energa del orden de electrn-voltio, por la
emisin de un fotn. El extremo rojo del espectro visible, 700 nm, requiere una
liberacin de energa de 1,77 eV para proporcionar la energa cuntica del
fotn. En el otro extremo de 400 nm el violeta, se requiere 3,1 eV.

11. Cules son las diferencias entre un diodo de germanio y un diodo de silicio
El diodo de silicio en polarizacin directa acta a un voltaje mayor que el diodo
de germanio tambin sabemos que el diodo de germanio aguanta mayores
frecuencias frente al diodo de silicio entre otras.
La construccin de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado
del diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del nodo y arsnico o
fsforo en el lado del ctodo), y la articulacin donde las impurezas se unen se
llama la "unin pn". Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarizacin
directa de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial de voltaje entre el nodo y el
ctodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezar a conducir la corriente
elctrica a travs de su unin pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos
de 0,7 voltios, la unin pn detendr la conduccin de la corriente elctrica, y el
diodo dejar de funcionar como una va elctrica.
Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de
silicio. Los diodos de germanio tambin utilizan una unin pn y se implantan
con las mismas impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de
germanio, tienen una tensin de polarizacin directa de 0,3 voltios. El germanio
es un material poco comn que se encuentra generalmente junto con
depsitos de cobre, de plomo o de plata.

12. Explique la respuesta de conduccin de corriente de un semiconductor sujeto

a frecuencias altas.

El semiconductor al tomar altas frecuencias deja de actuar como un rectificador

tomando de nuevo la forma de la honda dependiendo el tipo de semiconductor
as mismo aguanta diferente frecuencias.