Universidad Tecnolgica de Panam

Facultad de Ingeniera Elctrica

Ingeniera Electromecnica
Circuitos Electrnicos II
Profesora Luzmila Lan
CARACTERISTICAS V-I DEL FET.
Nombre: Mara del Carmen Escobar
Cdula: 8-861-914
e-mail: maria-92-02@hotmail.com
Nombre: Edgar Tenorio
Cdula: 8-875-326
e-mail: edgar115_@hotmail.com
Nombre: Gerardo Molina
Cdula: 4-774-2032
e-mail: gerardo0695gmail.com

Resumen. Los transistores FET, son dispositivos controlados por tensin y este consta de los tipos canal-N y canal-P,
donde el canal de un FET es dopado para producir un semiconductor tipo N o uno tipo P. Durante el desarrollo de este
laboratorio, obtuvimos los parmetros del JFET y MO SFET en canal N, luego se procedi a construir los circuitos de la
experiencia los cuales nos permitieron observar las curvas caractersticas de los dispositivos JFET y MOSFET. A su vez,
observamos los valores de VGS y de IDSS y por medio de estas grficas logramos encontrar el valor del voltaje de umbral y
en los MOSFET el Kn.

Descriptores: FET: Es un transistor que se basa en el campo elctrico para controlar la forma y, por lo tanto,
la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, hecho de un material semiconductor, por
lo que tambin suele ser conocido como transistor unipolar. ; JFET: Es un dispositivo electrnico de tres terminales que
puede ser usado como interruptor electrnicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje.;
MOSFET: Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas.; Umbral: Es la cantidad mnima
de seal que est presente para ser registrada por un sistema.; Voltaje: Es una magnitud fsica que cuantifica la
diferencia de potencial elctrico entre dos puntos.

1. Introduccin.

Como bien sabemos, los transistores de efecto de campo se les conocen como FET y entre ellos podemos distinguir dos
grandes tipos:

Transistor de Efecto de Campo de Unin: JFET

Transistor de Efecto de Campo Metal - xido - Semiconductor: MOSFET

En los transistores FET se crea un campo elctrico que controla la anchura del camino de conduccin del circuito de
salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensin). De
forma anloga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los transistores de efecto de campo se
habla de transistores FETs de canal n y de canal p.

Los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conduccin depender nicamente de un nico tipo de
portadores: de los electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p. Una de las caractersticas ms importantes
de los FETs es su alta impedancia de entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de megahmios,
muy superiores a la que presentan los transistores bipolares. Esto proporciona a los FET una posicin de ventaja a la hora de
ser utilizados en circuitos amplificadores.

En general los FET son ms estables con la temperatura y normalmente, ms pequeos en construccin que los BJT, lo
que les hace particularmente tiles en circuitos integrados sobre todo los MOSFET. Una caracterstica importante de los
FET es que se pueden comportar como si se trataran de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realizacin de
circuitos utilizando exclusivamente transistores FET.

En esta experiencia de laboratorio conoceremos las caractersticas de voltaje y corriente del FET, especficamente
utilizaremos un MOSFET de enriquecimiento. Con ella tambin determinaremos la caracterstica de transferencia,
estimacin del voltaje de umbral, el valor de la constante geomtrica Kn, la magnitud de la corriente de saturacin y voltaje
de corte.
 A continuacin mostraremos las curvas caractersticas de los distintos tipos de FET, donde se puede destacar tres
zonas: la zona de saturacin, la zona de corte y la zona hmica.

Figura 1. Diagrama de Curvas Caractersticas del JFET, MOSFET de Enriquecimiento y Empobrecimiento

2. Materiales y Metodos.

2.1. Materiales

1- Osciloscopio de dos canales

1- MOSFET canal N de enriquecimiento 2N7000
1- JFET canal N
1- Amp-Op uA741
1- Generador de seales
Resistores: 100 W , 1k W , 100k W
1- Potencimetro 10k W
1- Fuente de Poder DC (dual)
1- Voltmetro digital
1- Voltmetro anlogo (VOM)

2. 2.Metodos.

Para el desarrollo de este laboratorio, los mtodos utilizados en esta experiencia fueron la parte experimental la cual fue
realizada en el laboratorio y como apoyo para mejor precisin se utiliz el programa Multisim para observar el
comportamiento de cada uno de los circuitos presentados en el siguiente informe.

2.3. Procedimiento.

Parte I: Obtencin de los parmetros de funcionamiento de los transistores

a. Obtenga las especificaciones del fabricante del NMOS y del JFET canal N indicados a travs de sus hojas
de datos.
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b. Estime la magnitud de Vt y Kn y VA del MOSFET.
c. Estime la magnitud de IDSS y Vp del JFET.

Parte II: Obtencin de la curva caracterstica del NMOS

a. Calibre el generador de seales ajustando su offset a 5.0 V DC y seleccionando una onda sinusoidal con
amplitud de 10Vp-p.
b. Conecte el generador de seales al circuito mostrado en la figura 2.

Figura 2. Circuito para determinar las caractersticas

de un MOSFET.

c. Calibre el osciloscopio y conctelo como se muestra en la figura e invierta la seal del canal X.
d. Conecte el canal Y entre D y tierra real.
e. Conecte el canal X entre la salida del Amp-Op y tierra real
f. Incremente la resistencia del potencimetro y registre el valor de V G con el voltmetro. Grafique la
caracterstica de salida resultante para cada valor de VGS.
g. Estime el valor de Vt, Kn y VA.

Parte III: Caracterstica de transferencia del NMOS

a. Arme el circuito mostrado en la figura 3, con VDD = 0 y VGS = 0.

Figura 3. Circuito para determinar las caractersticas

de un MOSFET.

b. Ajuste el valor de VDD a 12V y anote la lectura del voltmetro DC

c. Ajuste VGS lentamente y observe la lectura en V. Estime el valor de Vt
d. Incremente el valor de VGS desde el valor estimado de Vt en escalones de 0.5V y registre para cada valor
de VGS la magnitud de V leda en el voltmetro. Llene table que se encontrara en los resultados.
e. Grafique ID vs VGS
 Parte IV: Caractersticas del JFET

a. Arme el circuito mostrado en la figura 4. Incremente VDD desde cero hasta el punto en que V permanezca
aproximadamente constante.
b.

Figura 4. Circuito para determinar las caractersticas

de un JFET.

c. Complete la tabla que aparecer en los resultados.

Parte V: Comparaciones

a. Compare los valores de los parmetros obtenidos de los transistores con los de la data del fabricante.

3. Resultados y discusion.

Parte I: Obtencin de los parmetros de funcionamiento de los transistores

Para el NMOS 2N7000 utilizando su hoja de fabricante calculamos V t y Kn. Presentamos la informacin en la Figura 5
y Figura 6.

Figura 5. Parte de la hoja de fabricante escogida.

Haciendo un promedio del valor mnimo y mximo obteneos un Vt promedio de 1.9 V.

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Figura 6. Caracterstica de salida propuesta por la hoja de fabricante escogida.

Con el Vt con VGS para cada curva podemos obtener el VDS(SAT) con la frmula VDS(SAT)=VGS-Vt y aproximando el valor de
ID en la grfica podemos encontrar Kn tomando en cuenta que nos encontramos en la regin de saturacin.

VGS (V) 3 4 5 6
ID (mA) 50 250 550 820
Tabla 1. Valores que aproximamos de la grfica proporcionada por el fabricante.

Para calcular Kn utilizamos la ecuacin del transistor en la regin de saturacin:

Kn=ID/(VGS-Vt)2

Utilizando esta ecuacin para cada valor de VGS obtenemos los diferentes valores para Kn colocados en la Tabla 2.

VGS (V) 3 4 5 6
Kn (mA/V2) 41.3 56.7 57.2 48.8
Tabla 2. Valores obtenidos de Kn de la grfica del fabricante.

Realizando un promedio de esos valores obteneos un Kn promedio de 51.

Para el JFET 2N3370 de la data de fabricante obtenemos IDSS y Vp.

Figura 7. Parte de la hoja de fabricante para el JFET 2N3370, donde se observan varias caractersticas del
dispositivo.
 Para nuestro estudio solo nos importa la columna 2 y la columna 6, donde se reflejan los valores de V P e IDSS,
respectivamente.
Para Vp el valor mnimo es de -40 V, y para la I DSS al tener valor mnimo (0.1 mA) y mximo (0.6 mA) realizamos un
promedio lo que nos arroja un valor de 0.350 mA.

Parte II: Obtencin de la curva caracterstica del NMOS.

Parte III: Caracterstica de transferencia del NMOS

En esta parte armamos los circuitos que se muestran en la Figura 8 y Figura 9, solo modificando los valores de V GS, lo
que nos variaba a su vez la lectura del voltmetro, el cual media el voltaje de la resistencia, con lo cual podamos obtener la
corriente en ella, que concuerda con la corriente del drenaje del transistor y as poder estudiar V GS (voltaje entre compuerta y
fuente) e ID (corriente del drenaje).

Figura 8. Escogimos el valor de 2.05 V para que quedara claro que a valores cercanos a 2 V hubo un cambio
radical, ya que antes de 2 V obtuvimos corrientes muy pequeas, pero a valores mayores a 2 V (por muy
insignificante que parezcan en este caso 2.05 V), los cambios de corrientes empezaron a diferenciarse.

Figura 9. Tambin escogimos el valor de 100 V porque a partir de cierto valor, aproximadamente 2.5 V, la curva
refleja un valor casi constante de corriente, tanto as que ni siquiera cambiando de 3V a 100V el valor de V GS, hubo
un cambio significante en la corriente.

VGS (V) 0 1 2 2.05 2.1 2.2 2.3 2.4

V (V) 81.61x10-9 83.61 x10-9 85.61 x10-9 125.97 x10-3 503.81 x10-3 2.02 4.53 8.06
ID=V/RD (mA) 0.000000082 0.000000084 0.000000086 0.12 0.50 2.02 4.53 8.06
Tabla 3. Valores obtenidos al modificar VGS en el circuito. Donde VGS es el voltaje compuerta-fuente, VDD es una
constante y la resistencia se utiliza para calcular la corriente de drenaje.

VGS (V) 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3 100

V (V) 11.62 11.74 11.79 11.82 11.84 11.86 11.98
ID=V/RD (mA) 11.62 11.74 11.79 11.82 11.84 11.86 11.86
Tabla 4. Seguimiento de la Tabla 3.
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Grfica 1. Grfica obtenida de las Tabla 1 y Tabla 2, donde se distingue el comportamiento que tiene la corriente
de drenaje con respecto a la variacin del voltaje compuerta-fuente. Por lo estudiado en las clases tericas, sabemos
que esta grfica corresponde a la caracterstica de transferencia de los NMOS de enriquecimiento. Se observa que
para valores prximos a 2V en VGS el transistor empieza a excitar y conducir la corriente de drenaje rpidamente,
este comportamiento sigue hasta cierto punto alrededor de los 2.5 V, donde la corriente de drenaje empieza a ser casi
constante.

De esta prctica podemos reconocer que el voltaje de umbral o V t es aproximadamente 2V. Tambin podemos conocer
el parmetro Kn, con el siguiente procedimiento:
Primero que nada decidimos trabajar en la regin de saturacin por tener la ecuacin ms sencilla de trabajar. As que
descartamos los valores VGS menores a 2 V por ser el voltaje de umbral. Luego para descartar la regin de trodo debemos
calcular VDS(SAT) y compararlo con el VDS, si ste ltimo es menor que V DS(SAT) entonces queda descartado, haremos la
operacin para el primer valor solamente:

Para VGS=2.1 V tenemos que:

VDS(SAT)=VGS-Vt=(2.1-2) V= 0.1 V VDS=12V-(1K)(0.5mA)=11.5V

VDS(SAT) es un simple formula donde para los otros casos solo cambiara V GS correspondiente. Para la segunda frmula se
hace una malla en el lado del circuito ubicado en la resistencia y V DD, lo que nos da una resta de esos voltajes, cambiando
nicamente para cada caso la ID de la resistencia.
Con estos clculos solos nos quedan los valores comprendidos entre 2.1 y 2.4. Ya finalmente clculos el K n. Por medio
de la frmula en regin de saturacin ya despejada:

Kn=ID/VDS(SAT)2
Para el primero caso VGS=2.1 V

Kn=0.5mA/(0.1V)2=50 mA/V2
As mismo continuamos con los otros valores, los cuales resumimos en la Tabla 5.

VGS (V) 2.1 2.2 2.3 2.4

Kn(mA/V2) 50 50.5 50.3 50.4
Tabla 5. Resumen de los resultados finales al calcular Kn para los valores VGS dentro de la Regin de Saturacin
Por ltimo realizamos un promedio de los valores obtenidos el cual nos da una Kn promedio de 50.3 mA/V2.

Parte IV: Caractersticas del JFET

 Variamos VDD (VD) y con estudiamos el comportamiento de I D, los datos obtenidos se organizan en la Tabla 6 y
Tabla 7. Y el resultado final es la Grfica 2.

Figura 10. Una de las lecturas obtenidas al variar VDD, tambin se utiliza la imagen para mostrar el circuito
utilizado en la experiencia. Una de los datos ms importantes que nos da este circuito es que V GS es cero para
cualquiera de los valores de VDD.

VDD (V) 0 0.25 0.5 0.75 1 1.5 2 2.5 3 4 5

V (mV) 0.000000153 118.084 219.488 295.488 325.611 327.061 328.512 329.963 331.413 334.315 337.216

VDD-V (V) 0.000000000153 0.1319 0.2805 0.4545 0.6744 1.173 1.6714 2.1700 2.6686 3.6657 4.6628

ID=V/1K 0.337
0.000000000153 0.118 0.219 0.295 0.326 0.327 0.328 0.329 0.331 0.334
(mA)
Tabla 6. VDD corresponde al valor que controlamos y corresponde a VD. V corresponde al voltaje de la
resistencia que en este caso es VG o VS de las caractersticas del JFET. Con este voltaje podemos calcular ID, ya
que sabemos el valor de la resistencia. La resta de la tercera fila corresponde a VDS, ya que como sabemos que
VDD es VD y V es VS, su resta es obviamente VDS.

Grfica 2. Como se puede observar la grfica resultante es muy similar a la grfica de caractersticas de
salida de un JFET. Para esta curva sabemos que VGS=0. Tambin se puede observar que para ciertos valores de
VDS la corriente se mantiene casi constante, la cual denominamos IDSS, la cual es la corriente mxima es un JFET
en la curva VGS=0.

A partir de la grfica podemos observar que a los valores correspondientes de V DS (VDD-V) a partir de los VDD de 1
V, la corriente se mantiene constante. Si realizamos un promedio obtenemos que IDSS promedio es de 0.330 mA.

Parte V: Comparaciones
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Para el MOSFET obtuvimos que del fabricante K n= 51 mA/V2, mientras que para los valores de la experiencia fue de
Kn=50.3 mA/V2. La diferencia entre los valores es casi mnima.

Para Vt, de la data de fabricante obtuvimos que era de 1.9 V, mientras que con nuestra experiencia se obtuvo un valor
aproximado de 2 V. El cual tambin es un resultado bastante aceptable.

Ahora para el JFET, en cuanto a la I DSS obtuvimos unos resultados bastantes aceptables, ya que en la hoja del fabricante
se da un valor promedio de 0.350 mA, y los resultados en base a la prctica con Multisim se obtuvo un valor de 0.330 mA.

Sin embargo cabe destacar que no hay una experiencia para determinar V p,, aunque el laboratorio la pida. As mismo
que la hoja de fabricante se queda corta solo mostrando un valor mnimo para esta V p, el cual es -40 v y al no presentar un
valor mximo no se puede obtener un valor tpico promedio.

4. Referencias bibliogrficas

SEDRA, ABEL & SMITH, KENNETH, 2002. Circuitos Microelectrnicos. Oxford University Press, Mexico
RASHID, MUHAMMAD H., 2004. Electrnica de Potencia: Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Pearson
Education, Mexico, 2004