EXPERIMENTO N1

El Diodo Rectificador

I. OBJETIVOS

Utilizar caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Una fuente de corriente continua variable.

Un Multmetro.

Un Miliampermetro y un Microampermetro.

Un diodo semiconductor de SI y GE.

Un Voltmetro de C.C.

Resistencia de 100

Cables y conectores.

III. FUNDAMENTO TERICO

Un diodo es un elemento de dos terminales cuya caracterstica tensin-corriente

no es lineal. Est formado por un cristal semiconductor dopado de tal manera que una
mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo una unin p - n. La terminal que corresponde
con la parte "p" se llama nodo y el que coincide con la "n" es el ctodo. Este diodo est
compuesto por un cristal de silicio o de germanio dopado, es decir, al que se le han incluido
impurezas. El dopado del silicio (o del germanio) se realiza para variar sus propiedades de
semiconductor.

El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de
la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la
conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin
de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin.

En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la figura 1.2.

 El diodo semiconductor est constituido
fundamentalmente por una unin P-N, aadindole un
terminal de conexin a cada uno de los contactos
metlicos de sus extremos y una cpsula que aloja todo
el conjunto, dejando al exterior los terminales que
corresponden al nodo (zona P) y al ctodo (Zona N)

PRUEBA ESTTICA PARA

UN DIODO SEMICONDUCTOR

La resistencia del diodo en polarizacin

directa debe ser muy baja comprada con el nivel de
polarizacin inversa. Mientras ms alta sea la
corriente, menor ser el nivel de resistencia. Para la
situacin de polarizacin inversa la lectura debe ser
bastante alta.

NOTA:

Una alta lectura en la resistencia en ambas

direcciones indica con claridad una condicin
abierta (dispositivo defectuoso), mientras que
una lectura muy baja de la resistencia en ambas
direcciones quiz indique un dispositivo en corto.
REGIN ZENER

Existe un punto en el cual la aplicacin de un voltaje demasiado negativo dar por

resultado un agudo cambio en las caractersticas, como lo muestra la figura 1.22. La
corriente se incrementa a una velocidad muy rpida en una direccin opuesta a aquella de
la regin de voltaje positivo.

El potencial de polarizacin inversa que da como resultado este cambio muy

drstico de las caractersticas se le llama potencial Zener y se le da el smbolo Vz.

La regin de avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical al incrementar los

niveles de: dopado
en los materiales
tipo p y tipo n. Sin
embargo, mientras
Vz disminuye a
niveles muy bajos,
como -5 V, otro
mecanismo llamado
ruptura Zener
contribuir con un
cambio agudo en la
caracterstica. Este
cambio rpido en la
caracterstica a
cualquier nivel se
denomina regin
Zener, y los diodos que utilizan esta porcin nica de la caracterstica de una unin p-n son
los diodos Zener. La regin Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la
respuesta de un sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio en las
caractersticas de esta regin de voltaje inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede ser aplicado antes de entrar
a la regin Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor
PIV, por las iniciales en ingls de: Peak Inverse Voltage) o PRV, por las iniciales en ingls de:
Peak Reverse Voltage).
IV. PROCEDIMIENTO:

1. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directas en inversas del diodo de silicio.
Registrar los datos en la tabla 1.

2. Armar el circuito de la figura 1.

a. Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la corriente y el

voltaje directo de diodo, registrar sus datos en la tabla 2.

b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos

como en (a), registrando los datos en la tabla 3.

R. Directa R. Inversa

2.44 M

TABLA 1. (SI)

Vcc(v) 0.50 0.54 0.59 0.66 0.79 0.90 1.22 1.79 2.30 2.83

Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0

Vd(v) 0.49 0.52 0.55 0.58 0.61 0.64 0.67 0.69 0.72 0.73

TABLA2
 Vcc(v) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v) 0 1.99 3.99 6 8 10 11.99 14.99 19.99

Id(A) 0 0 0 0 0 0 0 0 0

TABLA3

3. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de

germanio. Registrar los datos en la tabla 4.

R. Directa R. Indirecta

7.55 K

TABLA 4

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al

paso 2; proceder a llenar la tabla 5 y 6.

Vcc(v) 0 0.18 0.25 0.31 0.44 0.56 0.88 1.25 1.48 1.66 2.03 2.61

Id(mA) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v) 0 0.17 0.20 0.23 0.26 0.29 0.33 0.37 0.38 0.40 0.42 0.45

TABLA 5

Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0

Vd(v) 0 0.99 1.99 3.99 5.99 7.98 9.97 11.97 14.85 17.94 19.92

Id(A) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

TABLA 6
V. CUESTIONARIO FINAL:
1. Construir el grfico Id=F(Vd) con los datos de la tabla 2 y 3 (SI) calcular la
resistencia dinmica del diodo.

25
Id vs Vd (polarizacin directa)
20

15
Corriente
(mA)
10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Voltaje (V)

Debido a que la intensidad de corriente (Id) en la zona de crecimiento vertical es 20

mA, entonces podemos remplazarla en la siguiente frmula (forma diferencial de la
resistencia dinmica):

26 26
= = = 1.3
20
 1
Id vs Vd (polarizacin inversa)
0.9
0.8
0.7
0.6
Corriente (A)0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 5 10 15 20 25
Voltaje (V)

2. Construir el grfico Id=F(Vd) con los datos 5 y 6 (Ge) resistencia dinmica del
diodo.

Id vs Vd (polarizacin directa)
25

20

15
Corriente
(mA) 10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Voltaje (V)

En este caso la resistencia dinmica se hallar con la siguiente frmula:

0.4 0.3
= = = 0.012
12.3 4.5
 Id vs Vd (polarizacin inversa)
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
Corriente 0.4
(A) 0.3
0.2
0.1
0
0 5 10 15 20 25
Voltaje (V)

3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

En el grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA 2 podemos

notar que a medida que se incrementa la intensidad de corriente se llega a un
donde el voltaje del diodo es casi estable. Este resultado es de esperarse ya
que el diodo de silicio tiene un voltaje en polarizacin directa
aproximadamente de 0.7 voltios (comercialmente).

El grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA 3 observamos

que pesar de incrementar el voltaje del diodo (Vd) la corriente a travs de este
no aumenta. Esto se debe a que la resistencia del diodo en polarizacin inversa
es muy grande.

Anlogamente en el grfico de la curva caracterstica correspondiente a la

TABLA 4 se dan las mismas observaciones solo que para el caso del Germanio
(Ge) el voltaje en polarizacin directa es aproximadamente de 0.3 voltios
(comercialmente).
 Finalmente en la grfica correspondiente la TABLA 5 no hay se da el paso de
corriente a travs del diodo, debido a que este se encuentra polarizado
inversamente.

4. Exponer sus conclusiones en el experimento.

Lo primero que podemos concluir acerca del diodo semiconductor es que este
dispositivo en de tipo unidireccional, debido a que la corriente circulara a
travs de l si es que esta en polarizacin directa, mientras que estando en
polarizacin inversa la corriente no lo har (idealmente).

Sobre la corriente de polarizacin inversa o de fuga se puede decir que

idealmente es nula, pero en casos reales se ha comprobado que esta corriente
es del orden de los microamperios (A) o nanoamperios (nA).

Se puede notar del contrastes entre las curvas caractersticas del diodo hecho
del silicio contra el diodo hecho de germanio, que el primero alcanza ms
rpidamente la regin de condicin en comparacin con el segundo.