Memorias Documento General

MEMORIAS RAM
Electrnica 3
22 DE AGOSTO DE 2017
UNIVERSIDAD DEL VALLE DE MXICO
Uriel Gabriel Zapata Rodrguez
Memorias RAM Uriel Gabriel Zapata Rodrguez
Contenido
DEFINICIONES. ................................................................................................................................................................... 2
CARACTERSTICAS DE LAS MEMORIAS. ............................................................................................................................. 3
CLASIFICACIN DE LAS MEMORIAS. ................................................................................................................................. 4
Segn el tiempo de permanencia. ................................................................................................................................ 4
Segn la forma de acceso.............................................................................................................................................. 4
Segn la mnima informacin accesible. ....................................................................................................................... 5
JERARQUA DE LAS MEMORIAS. ........................................................................................................................................ 5
MEMORIAS ESPECIALIZADAS. ....................................................................................................................................... 6
COLAS DE ESPERA Y PILAS. ............................................................................................................................................ 6
MEMORIAS ASOCIATIVAS (CAM). ................................................................................................................................. 6
Funcionamiento de la memoria RAM ............................................................................................................................. 12
DRAM PM .................................................................................................................................................................... 13
DRAM FPM .................................................................................................................................................................. 14
DRAM EDO .................................................................................................................................................................. 14
SDRAM ........................................................................................................................................................................ 14
DRSDRAM................................................................................................................................................................... 14
DDRSDRAM ................................................................................................................................................................ 14
DDR2SDRAM .............................................................................................................................................................. 15
CUADRO DE RESUMEN .................................................................................................................................................... 16
Sincronizacin (tiempos) ............................................................................................................................................. 17
ESTRUCTURA LGICA ...................................................................................................................................................... 17
RESPECTO A LOS DATOS .............................................................................................................................................. 17
RESPECTO A LOS EJECUTABLES ................................................................................................................................... 17
MANUTENCIN DE LAS RAM .......................................................................................................................................... 18
ERRORES .......................................................................................................................................................................... 18
CLASES DE ERROR........................................................................................................................................................ 18
ERRORES DUROS ..................................................................................................................................................... 18
ERRORES BLANDOS ................................................................................................................................................. 18
SISTEMAS DE CORRECCIN ............................................................................................................................................. 19
PARIDAD ...................................................................................................................................................................... 19
ECC .............................................................................................................................................................................. 20
CANAL DOBLE .............................................................................................................................................................. 20
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DEFINICIONES.
En los sistemas digitales, no combinacionales, de proceso debe existir una unidad de memoria en la que se
almacenen los datos, los resultados parciales y los resultados finales del proceso. Cuando el sistema digital de proceso
es programable, adems, han de memorizarse las instrucciones del programa.
El esquema del dispositivo de memoria que vamos a utilizar es el siguiente:
Donde el significado de cada lnea es el siguiente:

Entrada/Salida de datos. Podemos disponer de lneas de datos de entrada y salida de forma separada, como
en el dibujo, o una nica lnea para ambas acciones.
Las operaciones bsicas a realizar por una memoria son:
o Escritura o almacenamiento. Consiste en grabar la informacin en la posicin deseada. o Lectura. Consiste en
suministrar al exterior, la informacin previamente escrita en una posicin.
Direccin. Toda memoria est dividida en porciones, de forma que el acceso a la memoria, bien para
escritura o bien para lectura, se realiza sobre una determinada de esas porciones. Para poder especificar a
cul de ellas queremos acceder, a cada una se le asigna un identificador. A este identificador se le denomina
de manera genrica direccin de memoria.
Para que un elemento pueda ser utilizado como dispositivo de memoria, debe cumplir los cuatro requisitos
siguientes:
Debe existir un medio o soporte donde se almacenen estados de energa diferentes (generalmente se
diferencian slo dos estados, los necesarios para la informacin binaria).
Debe existir un transductor de escritura, que genere la energa necesaria para poner el soporte en el estado
deseado.
Debe existir un transductor de lectura, que permita excitar el soporte para detectar el estado en que est.
Finalmente debe existir un mecanismo de direccionamiento, que permita seleccionar la informacin concreta
que se desea leer o escribir.
La mayora de las memorias emplean el almacenamiento binario. Esto significa que la informacin ms elemental
registrada es el bit, a cuyo soporte fsico llamaremos punto de memoria.
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El punto de memoria puede definirse perfectamente, as como individualizarse claramente y constar de:
dispositivo de almacenamiento, dispositivo de lectura y dispositivo de escritura. Puede ser una zona de una superficie
continua como ocurre en una cinta magntica.
CARACTERSTICAS DE LAS MEMORIAS.
Volatilidad. Se dice que una memoria es voltil si la informacin almacenada desaparece si se corta la alimentacin
elctrica. Las memorias semiconductoras son voltiles.
Tiempo de acceso. Es el tiempo que transcurre entre el instante en que se ordena una operacin de lectura y el
instante en que se dispone de la primera informacin.
Pensando en que la escritura o lectura es algo de lo que se sirve un dispositivo como el microprocesador, se define
lo que se llama tiempo de ciclo. Se trata del tiempo que debe transcurrir entre dos operaciones de lectura o escritura
consecutivas. Ello es debido a que los procesos de escritura/lectura, no requieren en sus fases terminales la atencin
completa del microprocesador, pudiendo comenzar a realizar otras operaciones mientras tanto.
Modo de direccionamiento (o de seleccin del punto de memoria).
acceso aleatorio: si el tiempo de acceso no depende de la ubicacin de los datos en la memoria.
Acceso secuencial: si el tiempo de acceso depende de la localizacin del elemento de memoria a utilizar.
Capacidad. Se denomina capacidad de una memoria a la cantidad de informacin que puede almacenar. Dado que
la informacin se almacena en el sistema binario, la capacidad se mide en la unidad de medida de la informacin
binaria, que es el bit. La capacidad, por tanto, se puede considerar como el nmero total de bits.
En la prctica, la informacin se almacena en grupos de bits denominadas palabras o posiciones formales
constituidas por un determinado nmero de bits accesibles simultneamente, y por lo tanto, el nmero de palabras
de una memoria viene dado por el cociente (nmero de bits totales / bits por palabra). En consecuencia, la capacidad
de una memoria se puede expresar indicando el nmero de palabras que puede almacenar.
Por cuestiones histricas la unidad de medida de capacidad de la memoria en la prctica suele ser el Byte=8bits.
Dada la gran capacidad de las memorias actuales, para expresar su capacidad se usan los siguientes mltiplos de
cualquiera de las unidades anteriores:
K = 210 = 1024 unidades
Mega = M = 210 K = 210 210 unidades
Giga = G = 210 M = 210 210 210 unidades
Tera = T = 210 G = 210 210 210 210 unidades
Caudal. Es el nmero mximo de informaciones ledas o escritas por unidad de tiempo. El caudal se expresa
generalmente en K-informaciones o mega-informaciones por segundo. Por ejemplo, se habla de un caudal de
megabytes por segundo.
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CLASIFICACIN DE LAS MEMORIAS.
Se pueden establecer distintas clasificaciones, atendiendo a distintos criterios. Algunas de stas son las siguientes.
Segn el tiempo de permanencia.
Se refiere al tiempo que permanece la informacin graba en la memoria:

No voltil o duradera. Una vez escrito un punto de memoria, su informacin no se borra hasta que se vuelva
a escribir sobre l. Por ejemplo los medios magnticos.
Voltil. La informacin desaparece si se deja de suministrar energa a la memoria. Por ejemplo, las memorias
de semiconductores.
Con refresco. Aunque la memoria est alimentada, su informacin se va degradando paulatinamente,
llegando un momento en que no se puede leer correctamente. Para que este tipo de memorias sean tiles
deben refrescarse peridicamente, esto es, deben reactivarse para regenerar los estados de sus puntos de
memoria. Por ejemplo un condensador que se descarga por las corrientes de fuga, o las memorias RAM
dinmicas.
Permanente o de slo lectura (memorias muertas o pasivas). Son aquellas que contienen siempre la misma
informacin y no pueden borrarse. La informacin puede grabarse en el proceso de fabricacin o
posteriormente, en un proceso de grabacin destructivo o permanente. Por ejemplo las memorias ROM de
semiconductores.
Segn la forma de acceso.
Acceso aleatorio (RAM). El tiempo de escritura/lectura es independiente de la localizacin de la informacin

dentro de la memoria.
Dentro de este tipo de memorias podemos hacer la siguiente clasificacin, basndonos en la permanencia de
la informacin en ellas:
1. Memorias activas. Los tiempos de escritura/lectura (R/W) son del mismo orden. Segn como se realice la
operacin de lectura/escritura tenemos:
a) Lectura/escritura no simultnea. En estas memorias slo se puede seleccionar una posicin
de memoria simultneamente y realizar en ella la operacin de lectura o escritura.
b) Lectura/escritura simultnea. Se pueden realizar ambas operaciones a la vez, pero sobre
posiciones de memoria distintas.
c) Acceso mltiple. Permiten realizar ambas operaciones simultneamente y sobre mltiples
posiciones de memoria.
2. Memorias pasivas. En stas los tiempos de escritura y lectura difieren considerablemente, siendo
generalmente mucho mayor el de escritura. Los tipos ms importantes son:
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a) Totalmente pasivas (ROM). La escritura se realiza en el momento de la fabricacin, siendo
imposible escribir sobre ellas despus (tiempo de escritura infinito).
b) Pasivas programables (PROM). El proceso de escritura slo puede realizarse a travs de
aparatos especiales y es mucho mayor que el de lectura. Una vez almacenada la informacin, basta
con lanzar un impulso elctrico para que la informacin quede grabada para siempre.
c) Pasivas reprogramables (RPROM). Son iguales que las PROM, salvo que el mtodo de escritura
se puede usar para borrar y volver a escribir. El nmero de veces que se puede realizar esta operacin
no es ilimitado.
Acceso serie o secuencial. El tiempo de escritura/lectura depende de la localizacin del lugar de la memoria donde
queremos realizar esas operaciones. Un ejemplo de stas son las cintas.
Segn la mnima informacin accesible.

De bit. Por ejemplo, un registro.
De palabra. Por ejemplo, las memorias de semiconductores.
De bloque. En este caso, para leer un dato contenido en un bloque, primero hemos de leer el bloque completo
(crear una copia en una zona de memoria), y luego una bsqueda serie del dato dentro del bloque.
JERARQUA DE LAS MEMORIAS.

En una mquina lo ideal sera disponer de una memoria central muy rpida y de gran capacidad. Esta solucin
resulta demasiado costosa y en cualquier caso irrealizable tcnicamente ya que la capacidad de direccionamiento del
microprocesador es limitada.
Los parmetros que caracterizan a las diferentes tecnologas para la fabricacin de memorias son:
El coste por bit.
El tiempo que se emplea en acceder a la informacin.
La capacidad de almacenamiento.
La memoria se suele estructurar en varios niveles debido al compromiso coste-capacidadvelocidad (velocidades

altas significan costes tambin altos, y de igual forma, grandes capacidades supone aumento del coste). Existir un
nivel rpido de pequea capacidad, y niveles sucesivos de menor velocidad, pero mayor capacidad. La informacin se
ubicar en uno de los niveles, de acuerdo a su probabilidad de uso. As un programa poco empleado o unos datos de
archivo, estarn almacenados en un nivel inferior ms lento y de mayor capacidad. Si en un momento determinado
se necesita esta informacin, se transfiere al nivel superior ms rpido para ser utilizada
Por ello se ha llegado a establecer una jerarqua de las memorias, fundamentalmente en dos niveles:
Una memoria central relativamente rpida pero de capacidad muy limitada.
Una memoria auxiliar de mucha mayor capacidad pero con un tiempo de acceso considerable.
Sin embargo, dentro de un computador pueden aparecer ms niveles. Los que suelen existir son:
Registros: Son de acceso aleatorio y muy pequea capacidad y tiempo de acceso. Lo constituyen los registros
internos del microprocesador. Son voltiles y de semiconductores.
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Memorias cach: Las caractersticas son idnticas a las de los registros, aumentando un poco su capacidad y
tiempo de acceso. Se sitan, en general, fuera del microprocesador. Se usan, como veremos, para acelerar
los accesos a la memoria principal.
Memoria central: Son de semiconductores y acceso aleatorio. Su funcin, como veremos, es la de almacenar
las instrucciones y datos a los que accede la CPU.
Memorias secundarias o masivas de tipo bloque: Son memorias de mucha ms capacidad que la central,
pero tambin de tiempo de acceso mayor. Son de acceso directo o aleatorio y no voltiles. La mnima
informacin accesible es un bloque de informacin llamado sector o segmento (cluster). Son los discos
magnticos. Otra caracterstica de estas memorias es su gran caudal de informacin.
Memorias secundarias o masivas tipo fichero: La mnima informacin accesible es el fichero. Son las cintas
magnticas. Se caracterizan por su acceso secuencial, que implica tiempos de acceso elevados, incluso de
hasta varios minutos, pero de una gran capacidad, mayor que las anteriores.
Cada vez que se quiere leer un dato, se carga previamente todo el fichero en memoria y, a continuacin, se
asla el dato.
MEMORIAS ESPECIALIZADAS.
Dentro de esta categora incluimos las memorias que, por la peculiaridad de su funcionamiento, estn abocadas a
aplicaciones especiales.
Se distinguen tres tipos de memorias especializadas: las colas de espera y pilas, las memorias muertas y las
memorias asociativas.
COLAS DE ESPERA Y PILAS.
Las pilas y las colas de espera son dos conceptos que designan organizaciones particulares de datos en la memoria
central del ordenador, en las que el orden de utilizacin de las informaciones depende del orden en que han sido
introducidas y por lo tanto son de acceso secuencial.
La cola de espera funciona segn el principio "primero en llegar, primero en salir". Al escribir informacin, el nuevo
dato se aade a continuacin del ltimo dato escrito. Al leer informacin, sta se realiza en el orden en que fueron
almacenados los datos, es decir, si se quiere acceder a un determinado datos, primero hay que leer todos las que la
precedieron en el orden de llegada. Es lo que se conoce con las siglas inglesas "FIFO" (First Input First Output).
El funcionamiento de la pila es mediante el esquema "ltimo en llegar, primero en salir". Al escribir informacin,
el nuevo dato se aade, como antes, a continuacin del ltimo dato escrito. Al leer informacin, sta se realiza en el
orden inverso en que fueron almacenados los datos, es decir, para leer una determinada informacin, primero hay
que leer todas las informaciones que llegaron despus. Es lo que se conoce con las siglas "LIFO" (Last Input First
Output).
MEMORIAS ASOCIATIVAS (CAM).
La caracterstica diferenciadora de este tipo de memorias es que los procesos de escritura/lectura no se realizan
por especificacin de una direccin concreta.
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En la operacin de lectura no se indica la direccin de memoria donde ha de localizarse la informacin que
queremos obtener, sino que se suministra una informacin llamada descriptor a la memoria para observar si esta lo
contiene en alguna posicin. Concretamente existen dos mtodos:
a) La informacin almacenada en una posicin se divide en dos campos. El primero es el de comparacin o
campo clave. El segundo es el de la informacin en s. Por tanto para llegar a un dato se especifica, en el
descriptor, el contenido del campo clave asociado. Se recorren todos los campos hasta dar con el que coincida
con el descriptor. Determinada la posicin, se procede a leer la informacin que almacena.
b) La informacin de una posicin slo consta de un campo. Esta se compara con el descriptor. Ahora la memoria
da como respuesta un bit cuyo estado indica si existe alguna informacin en la memoria que coincida con el
descriptor.
As pues, no se realiza una lectura propiamente dicha, sino que lo que se hace es verificar si la informacin est en
la memoria o no.
La estructura asociativa de una unidad de memoria es adecuada para el almacenamiento de ciertos tipos de
organizaciones de datos. Por ejemplo, una tabla de clientes con su direccin como dato asociado se debe organizar
en forma asociativa para que al preguntar a la memoria el nombre de un cliente, sta de a la salida su direccin.
Desde el punto de vista de la operacin de escritura, se puede realizar de dos formas:
a) Aleatoriamente, es decir, se direcciona a una posicin libre cualquiera, y en ella se deposita la informacin
externa.
b) Con lectura previa, consiste en realizar previamente a la escritura, una lectura para saber si existe alguna
posicin de memoria que contenga una informacin idntica a la que queremos almacenar.
Si exista, se reemplaza la informacin asociada al campo de comparacin por la presente en la entrada (equivale
a una puesta al da). Si no exista, se introduce toda la informacin de entrada en la primera posicin vaca de la
memoria.
MEMORIAS PRIMARIAS
Cuando hablamos de la placabase, comentamos que la memoria interna es la que se encuentra fsicamente
dentro del sistema constituido por la placabase, o en tarjetas de circuito impreso directamente conectadas
a ella. Debido a ello distinguimos memorias internas y externas (tambin primarias y secundarias). Dentro
de este tipo de memorias (primarias o internas) distinguiremos las siguientes:
Los registros del procesador
Las cachs interna y externa
La memoria BIOS
La memoria RAM
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En ste trabajo nos vamos a centrar en las memorias RAM, la memoria RAM cundo nos referimos, o
hacemos referencia a las memorias 'RAM' de nuestro ordenador estamos haciendo uso del acrnimo de
(Random Access Memory). ste tipo de memorias est clasificada como interna pero en cierto modo es al
mismo tiempo una memoria externa ya que est situada fuera del procesador (el "Cerebro" del ordenador);
es como su bloc de notas. El procesador tiene una memoria raqutica (se reduce a sus registros), pero una
gran facilidad para manejar este almacenamiento auxiliar. De hecho, gran parte del trabajo del procesador
se concreta en traer y llevar datos desde RAM hasta sus propios registros. A diferencia de los discos duros
(HD) stas memorias son de tipo temporal, es decir, sin energa pierden la informacin que contienen por
lo tanto decimos que son memorias voltiles, para referirnos a memorias novoltiles haremos referencia a
memorias ROM (Read Only Memory), aunque otra de las principales diferencias entre stas dos memorias
es el acceso, una nos permite la lecturaescritura (RAM), mientras que la otra slo es de lectura (ROM).
Entre ellas podemos distinguir dos tipos de memorias RAM:
Estticas: (SRAM) ste tipo de memoria, mantiene su contenido inalterado, mientras recibe energa.
Dinmicas: (DRAM) Las memorias dinmicas pierden su informacin cuando ste es ledo y adems si dejan
de recibir energa. Para evitar las prdidas de informacin al ser leda se restaura la informacin que
contienen sus celdas (refresco).
Como bien sabemos las memorias RAM, al igual que el resto de elementos hardware, el desarrollo de la
tecnologa de memorias ha sido incesante y por ello hoy en da podemos distinguir gran variedad de tipos,
ya sea por su forma de conectarse a la placabase, funcionalidad, gestin de recursos, etc. Aqu se incluyen
algunos tipos:
Los primeros PCs no llegaron a conocer las memorias de ncleos de ferrita, puesto que ya montaban varias
decenas mdulos de DRAM encapsulados en chips DIP ("Dual Inline Package") de 16 contactos sobre
zcalos. Podemos afrimar que existen los siguientes tipos:
SIMM (Single Inline Memory Module), con 30 72 contactos, mdulos
DIMM (Dual Inline Memory Module), con 168 contactos.
RIMM (RAMBUS Inline Memory Module) con 184 contactos.
En cuanto a los mdulos en formato SIMM (Mdulo de Memoria en Lnea Simple): se trata de placas
de circuito impresas, con uno de sus lados equipado con chips de memoria. Existen dos tipos de mdulos
SIMM, segn el nmero de conectores:
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Los mdulos SIMM con 30 conectores (de 89x13mm) son memorias de 8 bits que se instalaban en
los PC de primera generacin (286, 386).
Los mdulos SIMM con 72 conectores (sus dimensiones son 108x25mm) son memorias capaces de
almacenar 32 bits de informacin en forma simultnea. Estas memorias se encuentran en los PC que van
desde el 386DX hasta los primeros Pentiums. En el caso de estos ltimos, el procesador funciona con un bus
de informacin de 64 bits, razn por la cual, estos ordenadores necesitan estar equipados con dos mdulos
SIMM. Los mdulos de 30 clavijas no pueden instalarse en posiciones de 72 conectores, ya que la muesca
(ubicada en la parte central de los conectores) imposibilitara la conexin.
Los mdulos en formato DIMM (Mdulo de Memoria en Lnea Doble), son memorias de 64 bits, lo
cual explica por qu no necesitan emparejamiento. Los mdulos DIMM poseen chips de memoria en ambos
lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84 conectores de cada lado, lo cual suma un total de
168 clavijas. Adems de ser de mayores dimensiones que los mdulos SIMM (130x25mm), estos mdulos
poseen una segunda muesca que evita confusiones.
Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su insercin, gracias a las palancas
ubicadas a ambos lados de cada conector.
Tambin existen mdulos ms pequeos, conocidos como SO DIMM (DIMM de contorno pequeo),
diseados para ordenadores porttiles. Los mdulos SO DIMM slo cuentan con 144 clavijas en el caso de
las memorias de 64 bits, y con 77 clavijas en el caso de las memorias de 32 bits.
Los mdulos en formato RIMM (Mdulo de Memoria en Lnea Rambus, tambin conocido como
RDRAM o DRDRAM) son memorias de 64 bits desarrolladas por la empresa Rambus. Poseen 184 clavijas.
Dichos mdulos poseen dos muescas de posicin, con el fin de evitar el riesgo de confusin con mdulos
previos.
Dada la alta velocidad de transferencia de que disponen, los mdulos RIMM poseen una pelcula trmica
cuyo rol es el mejorar la transferencia de calor.
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Al igual que con los mdulos DIMM, tambin existen mdulos ms pequeos, conocidos como SO RIMM
(RIMM de contorno pequeo), diseados para ordenadores porttiles. Los mdulos SO RIMM poseen slo
160 clavijas.
En la imagen: Mdulo DIMM de 168 contactos con 16 MB de SDRAM junto con un antiguo chip de 16 contactos
con 2 KB de DRAM.
Sobre estos mdulos se conectan los chips de memoria RAM, y existen gran variedad de variantes de
memorias RAM dependiendo de su uso y sus caractersticas:
VRAM (Vdeo RAM) Acceso de diferentes dispositivos al mismo tiempo. Mejor rendimiento que la
RAM normal (ms cara).
SIMM (Single In line Memory Module, de 72 contactos) tipo de encapsulado consistente en una
pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zcalo
SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son ms fciles de instalar que los
antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de
bits.
DIMM (Dual In line Memory Module, de 168 contactos), un tipo de encapsulado, consistente en una
pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zcalo
DIMM en la placa madre.
VRAM : Siglas de Vdeo RAM, una memoria de propsito especial usada por los adaptadores de
vdeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes
dispositivos de forma simultnea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las
actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador grfico suministra nuevos datos.
VRAM permite mejores rendimientos grficos aunque es ms cara que la una RAM normal.
SIMM : Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una pequea
placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zcalo SIMM en la
placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son ms fciles de instalar que los antiguos chips
de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits. El primer
formato que se hizo popular en los computadores personales tena 3.5" de largo y usaba un conector
de 32 pins. Un formato ms largo de 4.25", que usa 72 contactos y puede almacenar hasta 64
megabytes de RAM es actualmente el ms frecuente. Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho
bits y un bit de paridad, en 9 chips de memoria RAM dinmica) como memoria de ocho bits sin
paridad. En el primer caso los ocho primeros son para datos y el noveno es para el chequeo de
paridad.
DIMM : Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una pequea
placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zcalo DIMM en la
placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.
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DIP :Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de
memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexin en cada lado.
RAM Disk : Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder
a los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro. Sin
embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces ms rpidos que los discos duros, y
son particularmente tiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco. Dado que
estn constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez que la computadora
es apagada. Para usar los RAM Disk se precisa copiar los ficheros desde un disco duro real al inicio
de la sesin y copiarlos de nuevo al disco duro antes de apagar la mquina. Observe que en el caso
de fallo de alimentacin elctrica, se perdern los datos que hubiera en el RAM disk. El sistema
operativo DOS permite convertir la memoria extendida en un RAM Disk por medio del comando
VDISK, siglas de Virtual DISK, otro nombre de los RAM Disks.
Memoria Cach RAM Cach : Un cach es un sistema especial de almacenamiento de alta
velocidad. Puede ser tanto un rea reservada de la memoria principal como un dispositivo de
almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de cach frecuentemente usados
en las computadoras personales: memoria cach y cach de disco. Una memoria cach, llamada
tambin a veces almacenamiento cach
RAM cach, es una parte de memoria RAM esttica de alta velocidad (SRAM) ms que la lenta y
barata RAM dinmica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria cach es efectiva dado
que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta
informacin en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM. Cuando un dato es encontrado
en el cach, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un cach juzgado por su tasa de
impactos (hit rate). Los sistemas de memoria cach usan una tecnologa conocida por cach
inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las
estrategias para determinar qu informacin debe de ser puesta en el cach constituyen uno de los
problemas ms interesantes en la ciencia de las computadoras. Algunas memorias cach estn
construidas en la arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador Pentium II tiene
una cach L2 de 512 Kbytes. El cach de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria
cach, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los
datos ms recientes del disco duro a los que se ha accedido (as como los sectores adyacentes) se
almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo
primero que comprueba es la cach del disco para ver si los datos ya estn ah. La cach de disco
puede mejorar drsticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de
datos en RAM puede ser miles de veces ms rpido que acceder a un byte del disco duro.
SRAM Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es ms rpida y fiable
que la ms comn DRAM (Dynamic RAM). El trmino esttica viene derivado del hecho que
necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinmica. Los chips de RAM esttica tienen tiempos
de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinmicas estn por encima
de 30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos. Un bit de RAM
esttica se construye con un como circuito flipflop que permite que la corriente fluya de un lado
a otro basndose en cual de los dos transistores es activado. Las RAM estticas no precisan de
circuitera de refresco como sucede con las RAMs dinmicas, pero precisan ms espacio y usan mas
energa. La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada como memoria cach.
DRAM Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser
constantemente refrescada (reenergizada) o perdera su contenido. Generalmente usa un
transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados
cientos de veces por segundo para mantener las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs,
PROMs, etc.) las dos principales variaciones de RAM (dinmica y esttica) pierden su contenido
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cuando se desconectan de la alimentacin. Contrasta con la RAM esttica. Algunas veces en los
anuncios de memorias, la RAM dinmica se indica errneamente como un tipo de encapsulado; por
ejemplo "se venden DRAMs, SIMMs y SIPs", cuando debera decirse "DIPs, SIMMs y SIPs" los tres
tipos de encapsulado tpicos para almacenar chips de RAM dinmica. Tambin algunas veces el
trmino RAM (Random Access Memory) es utilizado para referirse a la DRAM y distinguirla de la
RAM esttica (SRAM) que es ms rpida y ms estable que la RAM dinmica, pero que requiere ms
energa y es ms cara
SDRAM Siglas de Synchronous DRAM, DRAM sncrona, un tipo de memoria
RAM dinmica que es casi un 20% ms rpida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o ms
matrices de memoria interna de tal forma que mientras que se est accediendo a una matriz, la
siguiente se est preparando para el acceso. SDRAMII es tecnologa SDRAM ms rpida esperada
para 1998. Tambin conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM),
permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bs.
FPM: Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseo ms comn de chips de RAM
dinmica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes
del modo paginado, era ledo pulsando la fila y la columna de las lneas seleccionadas. Con el modo
pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como
resultado un rpido acceso. La memoria en modo paginado tambin es llamada memoria de modo
Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El trmino "fast" fu aadido cuando los ms
nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso ms.
EDO: Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinmica que mejora el rendimiento
del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede
ser substituida por chips de modo Fast Page. Sin embargo, si el controlador de memoria no est
diseado para los ms rpidos chips EDO, el rendimiento ser el mismo que en el modo Fast Page.
EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el
prximo ciclo. BEDO (Burst EDO) es un tipo ms rpido de EDO que mejora la velocidad usando un
contador de direccin para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las
operaciones.
PB SRAM: Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una categora de tcnicas que
proporcionan un proceso simultneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las
operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tubera' conceptual con todas
las fases del 'pipe' procesando simultneamente. Por ejemplo, mientras una instruccin se est
ejecutando, la computadora est decodificando la siguiente instruccin. En procesadores
vectoriales, pueden procesarse simultneamente varios pasos de operaciones de coma flotante La
PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos.
Funcionamiento de la memoria RAM

Al hacer alusin a que la memoria RAM y referirnos a ella como el bloc de notas del procesador, es porque
sta funciona como apoyo de los registros del procesador. Cualquier programa en ejecucin est alojado en
memoria; las instrucciones van siendo pasadas a los registros para su ejecucin de forma secuencial, y los
datos son pasados tambin a los registros para su manipulacin.
La memoria de acceso aleatorio consta de cientos de miles de pequeos capacitores que almacenan
cargas. Al cargarse, el estado lgico del capacitor es igual a 1; en el caso contrario, es igual a 0, lo que implica
que cada capacitor representa un bit de memoria. Teniendo en cuenta que se descargan, los capacitores
deben cargarse constantemente (el trmino exacto es actualizar) a intervalos regulares, lo que se denomina
ciclo de actualizacin. Las memorias DRAM, por ejemplo, requieren ciclos de actualizacin de unos 15
nanosegundos (ns).
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Cada capacitor est acoplado a un transistor (tipo MOS), lo cual posibilita la "recuperacin" o modificacin
del estado del capacitor. Estos transistores estn dispuestos en forma de tabla (matriz), de modo que se
accede a la caja de memoria (tambin llamada punto de memoria) mediante una lnea y una columna.
He aqu un pequeo ejemplo de cmo estn dispuestos:
Puesto que se trata de un almacenamiento voltil, cualquier dato almacenado en memoria debe ser salvado
a un almacenamiento permanente (disco) antes de apagar el sistema.
La forma en que se utiliza la memoria depende del SO utilizado. En cuanto a los sistemas tipo MS
DOS tienen una disposicin "Mapeado" relativamente complicada, lo que es debido a la pequea cantidad
de memoria que poda ser direccionada por los primeros equipos (1 MB para el 8088). Actualmente el
problema ha desaparecido parcialmente, ya que a partir del 80286 los PCs podan direccionar 16 MB;
cantidad que fue creciendo paulatinamente a 4 GB para el 80386 y que actualmente llega a 64 GB en los
modernos procesadores Pentium y similares.
DRAM PM
La DRAM (RAM Dinmica) es el tipo de memoria ms comn en estos tiempos. Se trata de una memoria
cuyos transistores se disponen en forma de matriz, en forma de filas y columnas. Un transistor, acoplado con
un capacitor, proporciona informacin en forma de bits. Dado que un octeto contiene 8 bits, un mdulo de
memoria DRAM de 256 Mo contendr por lo tanto 256 * 2^10 * 2^10 = 256 * 1024 * 1024 = 268.435.456
octetos = 268.435.456 * 8 = 2.147.483.648 bits = 2.147.483.648 transistores. De esta manera, un mdulo de
256 Mo posee una capacidad de 268.435.456 octetos, o 268 Mo. Los tiempos de acceso de estas memorias
son de 60 ns.
Adems, el acceso a la memoria en general se relaciona con la informacin almacenada consecutivamente
en la memoria. De esta manera, el modo de rfaga permite el acceso a las tres partes de informacin que
siguen a la primera parte, sin tiempo de latencia adicional. De este modo, el tiempo necesario para acceder
a la primera parte de la informacin es igual al tiempo del ciclo ms el tiempo de latencia, mientras que el
tiempo necesario para acceder a las otras tres partes de la informacin slo es igual al tiempo de ciclo; los
cuatro tiempos de acceso se expresan, entonces, en la forma XYYY. Por ejemplo, 5333 indica que la
memoria necesita 5 ciclos del reloj para acceder a la primera parte de la informacin, y 3 para acceder a las
subsiguientes.
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DRAM FPM
Para acelerar el acceso a la DRAM, existe una tcnica, conocida como paginacin, que permite acceder a la
informacin ubicada en una misma columna, modificando nicamente la direccin en la fila, y evitando de
esta manera, la repeticin del nmero de columna entre lecturas por fila. Este proceso se conoce como
DRAM FPM
(Memoria en Modo Paginado). El FPM alcanza tiempos de acceso de unos 70 u 80 nanosegundos, en el caso
de frecuencias de funcionamiento de entre 25 y 33 Mhz.
DRAM EDO
La DRAM EDO (Salida de Informacin Mejorada, a veces denominada "hper pgina") se introdujo en 1995.
La tcnica utilizada en este tipo de memoria implica direccionar la columna siguiente mientras paralelamente
se est leyendo la informacin de una columna anterior. De esta manera, se crea un acceso superpuesto que
permite ahorrar tiempo en cada ciclo. El tiempo de acceso de la memoria EDO es de 50 a 60 nanosegundos,
en el caso de una frecuencia de funcionamiento de entre 33 y 66 Mhz.
De modo que la RAM EDO, cuando se utiliza en modo rfaga, alcanza ciclos 5222, lo cual representa una
ganancia de 4 ciclos al acceder a 4 partes de informacin. Dado que la memoria EDO no funcionaba con
frecuencias mayores a 66 Mhz, se suspendi su uso en favor de la SDRAM.
SDRAM
La SDRAM (DRAM Sincrnica), introducida en 1997, permite la lectura de la informacin sincronizada con el
bus de la placa madre, a diferencia de lo que ocurre con las memorias EDO y FPM (conocidas como
asincrnicas), las cuales poseen reloj propio. La SDRAM elimina de esta manera, los tiempos de espera
ocasionados por la sincronizacin con la placa madre. Gracias a esto se logra un ciclo de modo rfaga de 5
111, con una ganancia de 3 ciclos en comparacin con la RAM EDO. La SDRAM puede, entonces, funcionar
con una frecuencia mayor a 150 MHz, logrando tiempos de acceso de unos 10 ns.
DRSDRAM (Rambus DRAM)

La DRSDRAM (DRAM Directa de Rambus), es un tipo de memoria que permite la transferencia de datos a
un bus de 16 bits y a una frecuencia de 800 Mhs, lo que proporciona un ancho de banda de 1,6 GB/s. Al igual
que la SDRAM, este tipo de memoria est sincronizada con el reloj del bus, a fin de mejorar el intercambio
de informacin. Sin embargo, la memoria RAMBUS es un producto de tecnologa patentada, lo que implica
que cualquier empresa que desee producir mdulos RAM que utilicen esta tecnologa deber abonar
regalas, tanto a RAMBUS como a Intel.
DDRSDRAM
La DDRSDRAM (SDRAM de Tasa Doble de Transferencia de Datos) es una memoria basada en la tecnologa
SDRAM, que permite duplicar la tasa de transferencia alcanzada por sta utilizando la misma frecuencia.
La informacin se lee o ingresa en la memoria al igual que un reloj. Las memorias DRAM estndares utilizan
un mtodo conocido como SDR (Tasa Simple de Transferencia de Datos), que implica la lectura o escritura
de informacin en cada borde de entrada.
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La DDR permite duplicar la frecuencia de lectura/escritura con un reloj a la misma frecuencia, enviando
informacin a cada borde de entrada y a cada borde posterior.
Las memorias DDR por lo general poseen una marca, tal como PCXXXX, en la que "XXXX" representa la
velocidad en MB/s.
DDR2SDRAM
Las memorias DDR2 (o DDRII) alcanzan velocidades dos veces superiores a las memorias DDR con la misma
frecuencia externa.
El acrnimo QDR (Tasa Cudruple de Transferencia de Datos o con Quadpump) designa el mtodo de lectura
y escritura utilizado. De hecho, la memoria DDR2 utiliza dos canales separados para los procesos de lectura
y escritura, con lo cual es capaz de enviar o recibir el doble de informacin que la DDR.
La DDR2 tambin posee ms conectores que la DDR clsica (la DDR2 tiene 240, en comparacin con los 184
de la DDR).
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CUADRO DE RESUMEN
El siguiente cuadro muestra la equivalencia entre la frecuencia de la placa madre (FSB), la frecuencia de la
memoria (RAM) y su velocidad:
Memoria Nombre Frecuencia (RAM) Frecuencia (RAM) Velocidad
DDR200 PC1600 200 MHz 100 MHz 1,6 GB/s
DDR266 PC2100 266 MHz 133 MHz 2,1 s
DDR333 PC2700 333 MHz 166 MHz 2,7 s
DDR400 PC3200 400 MHz 200 MHz 3,2 s
DDR433 PC3500 433 MHz 217 MHz 3,5 s
DDR466 PC3700 466 MHz 233 MHz 3,7 s
DDR500 PC4000 500 MHz 250 MHz 4s
DDR533 PC4200 533 MHz 266 MHz 4,2 s
DDR538 PC4300 538 MHz 269 MHz 4,3 s
DDR550 PC4400 550 MHz 275 MHz 4,4 s
DDR2-400 PC2-3200 400 MHz 100 MHz 3,2 s
DDR2-533 PC2-4300 533 MHz 133 MHz 4,3 s
DDR2-667 PC2-5300 667 MHz 167 MHz 5,3 s
DDR2-675 PC2-5400 675 MHz 172,5 MHz 5,4 s
DDR2-800 PC2-6400 800 MHz 200 MHz 6,4 s
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Sincronizacin (tiempos)
No es poco comn ver valores como "3222" "2332" para describir los parmetros de la memoria de
acceso aleatorio. Esta sucesin de cuatro cifras describe la sincronizacin de la memoria (tiempo); es decir,
la secuencia de ciclos de reloj necesaria para acceder a la informacin almacenada en la RAM. Las cuatro
cifras corresponden, en orden, a los siguientes valores:
Demora de CAS o latencia de CAS (CAS significa Sealizador de Direccionamiento en Columna): es el nmero
de ciclos de reloj que transcurre entre el envo del comando de lectura y la llegada de la informacin. En
otras palabras, es el tiempo necesario para acceder a una columna.
Tiempo de precarga de RAS (conocido como tRP; RAS significa Sealizador de
Direccionamiento en Fila): es el nmero de ciclos de reloj transcurridos entre dos instrucciones de RAS, es
decir, entre dos accesos a una fila.
Demora de RAS a CAS (a veces llamada tRCD): es el nmero de ciclos de reloj correspondiente al tiempo de
acceso de una fila a una columna.
Tiempo activo de RAS (a veces denominado tRAS): es el nmero de ciclos de reloj correspondiente al tiempo
de acceso a una columna.
Las tarjetas de memoria estn equipadas con un dispositivo llamado SPD (Deteccin de Presencia en Serie),
el cual permite al BIOS averiguar los valores de ajuste nominales definidos por el fabricante. Se trata de una
EEPROM, cuya informacin puede cargarse en el BIOS si el usuario elige el ajuste "auto".
ESTRUCTURA LGICA
En cuanto a la estructura lgica de las memorias RAM, a stas se puede acceder, tanto para lectura como
para escritura, se accede a los mismos, en grupos de 8 bytes, mediante una direccin.
Podemos distinguir dos aspectos que pueden ser relevantes para los programadores:
Cmo se guardan los datos.
Cmo se guardan los ejecutables.
RESPECTO A LOS DATOS

Aunque la arquitectura de PC permite manejar la memoria en bytes individuales. Muchas operaciones
implican guardar palabras de 16 bits. De estos 2 octetos adyacentes, el de la izquierda es el ms significativo
y el de la derecha el menos. En estos casos, el byte menos significativo se guarda en la posicin ms baja y
el ms significativo a continuacin, en la posicin ms alta. Esta forma de almacenamiento se denomina de
palabras invertidas ("Backwords") o little endian.
RESPECTO A LOS EJECUTABLES

Para ejecutar un programa, ste debe ser previamente cargado en memoria. Pero en la mayora de los casos
no se trata de una carga del fichero tal cual se encuentra en el disco, sino que requiere un "acomodo"
especial. De este trabajo se encarga un programa especial (de carga), y se exige que la primera parte del
contenido de un fichero .EXE contenga precisamente la informacin sobre "como" se realizar la
acomodacin antes aludida. En el caso de Windows, los ejecutables deben contener esta informacin en
un formato especfico, denominado nuevo formato de fichero ejecutable ("New Executable file format");
una especificacin de MS para las aplicaciones que deban correr bajo sus Sistemas.
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MANUTENCIN DE LAS RAM
Cada punto de memoria se caracteriza as por una direccin que corresponde a su vez a un nmero de fila y
a un nmero de columna. Este acceso no es instantneo; el perodo de tiempo que lleva se denomina tiempo
de latencia. En consecuencia, el tiempo necesario para acceder a la informacin en la memoria es igual al
tiempo del ciclo ms el tiempo de latencia. De este modo, en el caso de la memoria DRAM, por ejemplo, el
tiempo de acceso es de 60 nanosegundos (35 ns del tiempo del ciclo ms 25 ns del tiempo de latencia). En
el ordenador, el tiempo del ciclo corresponde al opuesto de la frecuencia de reloj; por ejemplo, en un
ordenador con una frecuencia de 200 MHz, el tiempo del ciclo es de 5 ns (1/200*106).
En consecuencia, en un ordenador con alta frecuencia, que utiliza memorias con un tiempo de acceso mucho
ms prolongado que el tiempo del ciclo del procesador, se deben producir estados de espera para que se
permita el acceso a la memoria. En el caso de un ordenador con una frecuencia de 200 MHz que utiliza
memorias DRAM (y con un tiempo de acceso de 60 ns), se generan 11 estados de espera para un ciclo de
transferencia. El rendimiento del ordenador disminuye a medida que aumenta el nmero de estados de
espera, por lo que es recomendable implementar el uso de memorias ms rpidas.
ERRORES
Algunas memorias poseen mecanismos de correccin de errores, con el fin de garantizar la integridad de la
informacin que contienen. Este tipo de memoria se utiliza por lo general en sistemas que trabajan con
informacin esencial, motivo por el cual este tipo de memoria se encuentra en servidores.
CLASES DE ERROR
Podemos establecer dos tipos de errores:
ERRORES DUROS: Son debidos a averas o daos fsicos. Se presentan de forma recurrente y son los ms
fciles de diagnosticar.
ERRORES BLANDOS: Ocurren de forma muy espordica; cuando un bit cambia espontneamente de 0 a 1
o viceversa. Son los ms difciles de prever. La causa de esta anomala puede ser:
Partculas alfa (en los primeros equipos) por contaminacin con uranio y torio del material de encapsulado de las
memorias.
Rayos csmicos. Estos rayos de alta energa pueden cambiar el estado de un transistor o un condensador.
El problema es ms frecuente en la SRAM que en las DRAM. Posiblemente se agravar progresivamente con
el aumento de la densidad de integracin de los chips (componentes cada vez ms pequeos).
Defectos de suministro elctrico. En especial el ruido de alta frecuencia en la alimentacin. Se recomienda

instalar filtros de red.
Interferencias de radio frecuencia (RF) motivadas por equipos externos o elementos del propio sistema
indebidamente apantallados.
Memoria de velocidad inadecuada para el quipo en que se ha instalado (por ejemplo, memoria PC100 en un
equipo que necesite PC133).
Defectos de temporizacin. Por ejemplo, por sobrecarga "Overclocking" del sistema, o por una configuracin
defectuosa de la frecuencia de refresco en la BIOS.
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SISTEMAS DE CORRECCIN
Ya desde el principio, la existencia de errores hizo cobrar relevancia a los mecanismos capaces de detectar,
y en su caso corregir, los posibles errores que se puedan producir en los procesos de lectura/escritura. A la
fecha se emplean principalmente dos mtodos para garantizar la integridad de los datos: la paridad, y el
cdigo de correccin de errores ECC ("Error Checking and Correction").
PARIDAD
Es el mtodo ms comn y tradicional. Consiste en que por cada 8 bits (byte) de almacenamiento, se aade
1 bit adicional. A cambio de aumentar en un 12.5% el tamao de la memoria, se consigue un cierto control
sobre la integridad de los datos, ya que este bit adicional contiene informacin sobre la paridad del conjunto.
A este respecto existen dos protocolos: paridad par e impar. Su funcionamiento se esquematiza en la tabla
siguiente.
Paridad par Paridad impar
Paso 1 El bit de paridad se fija en uno (se El bit de paridad se fija en uno si los bits
activa), si los bits de datos contienen de datos contienen un nmero impar de
un nmero par de unos. Por el unos, y se desactiva si su nmero es par.
contrario, si el nmero es impar, se desactiva.
Paso 2
Los 8 bits de datos y el de paridad se Los 8 bits de datos y el de paridad se
almacenan en DRAM. almacenan en DRAM
Paso 3 Los datos son interceptados por el El proceso es anlogo al de paridad par.
circuito de paridad antes de ser La diferencia es que el dato se considera
enviados al procesador. vlido si el nmero de unos es par y
erroneo en caso contrario.
Si este circuito identifica un nmero
impar de unos, los datos
se consideran vlidos. Se
elimina el bit de paridad y se
traspasan los bits de datos al
procesador.
Si el nmero de unos es par, el dato se considera
erroneo y se genera un error de paridad.
El modelo de paridad tiene ciertas limitaciones, la principal es que puede detectar el error pero no corregirlo
(no sabe cual es el bit errneo). Adems, si hay ms de un bit incorrecto, los bits defectuosos pueden
cancelarse entre s y enmascarar el error (sin embargo, la posibilidad de que esto ocurra es remota).
Paridad artificial. Algunos fabricantes de equipos de baja calidad utilizan un chip de paridad artificial. Este
chip no almacena en realidad ningn bit extra con la paridad del dato. En su lugar generan un bit adicional
cuando el dato debe se enviado al controlador de paridad con el valor correcto. En realidad es un mtodo
de engaar al controlador de paridad envindole siempre la seal Ok
RAM con paridad falsa o "virtual": Probablemente obtendr mdulos de memoria con paridad virtual en
lugar de mdulos con paridad real si solicita RAM con paridad en una tienda de informtica. Los SIMMs con
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paridad virtual pueden distinguirse frecuentemente (pero no siempre) porque slo tienen un chip ms que
un SIMM sin paridad, y porque el chip extra es ms pequeo que el resto. Los SIMMs con paridad virtual
trabajan exactamente como la memoria sin paridad. No pueden decirle cuando se produce un error de bit
simple en RAM, algo que s hacen los SIMMs con paridad real en una placa base que implemente paridad.
Consejo: Nunca pague ms por un SIMM con paridad virtual que por uno sin paridad. En cambio, si que
puede llegar a pagar un poco ms por SIMMs con paridad real, porque en realidad est comprando un bit
ms de memoria por cada 8 bits.
ECC
Los mdulos de memoria ECC (Cdigos de Correccin de Errores), disponen de varios bits dedicados a la
correccin de errores (conocidos como bits de control). Dichos mdulos, utilizados principalmente en
servidores, permiten la deteccin y la correccin de errores.
Este sistema ECC ("Error Checking and Correction") se basa en un algoritmo ms complejo, y se utiliza en PCs
de gama alta, como servidores de Red. El sistema trabaja en conjuncin con el controlador de memoria, y
anexa a los bits de datos los bits ECC, que son almacenados junto con los de datos. Estos bits extras, junto
con la decodificacin correspondiente, sirven para realizar la comprobacin en el momento de la lectura.
Su diferencia principal con la paridad es que puede detectar el error de un bit y corregirlo, con lo que
generalmente el usuario no detecta que se ha producido un error. Dependiendo del controlador de memoria
utilizado, el sistema ECC tambin puede detectar errores de 2, 3 y 4 bits (sumamente raros), aunque en este
caso no puede corregirlos; en estos casos devuelve un error de paridad.
Tener en cuenta que la verificacin de errores (ECC o paridad) depende ms del la

placabase (tipo de controlador de memoria utilizado) que de la memoria en s. La memoria
pone el almacenamiento, pero es el controlador el que decide como se utilizar. Generalmente
para poder utilizar una memoria ECC es necesario un controlador que pueda utilizar esta
tecnologa.
En ambos casos, paridad o ECC, cuando se detecta un error se produce una excepcin no enmascarable. Lo
que sucede a continuacin depende del Sistema. En algunos casos el procesador se detiene y lanza una
rutina que deja la pantalla en blanco (o azul) y muestra el error. En otros se permite ignorar el error, guardar
el trabajo en curso y continuar. En cualquier caso, despus de uno de estos errores, es conveniente pasar
al equipo un test de memoria especializado, ms severo que el realizado por la POST de la BIOS.
En los sistemas Windows es frecuente que los errores de memoria en los momentos
de carga del Sistema generen mensajes de aviso indicando que algn fichero importante est
corrompido o falta, y debe reinstalarse el Sistema. En estos casos es imprescindible realizar un
chequeo exhaustivo de la memoria antes de realizar ningn cambio en el software
CANAL DOBLE
Algunos controladores de memoria disponen de un canal doble para la memoria. Los mdulos de memoria se
utilizan en pares con el fin de lograr un mayor ancho de banda y as poder utilizar al mximo la capacidad del
sistema. Al utilizar el Canal Doble, resulta indispensable utilizar un par de mdulos idnticos (de la misma
frecuencia y capacidad, y, preferentemente, de la misma marca).
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MEMORIAS RAM

Donde el significado de cada lnea es el siguiente:

CARACTERSTICAS DE LAS MEMORIAS.

Segn el tiempo de permanencia.

Se refiere al tiempo que permanece la informacin graba en la memoria:

Segn la forma de acceso.

Acceso aleatorio (RAM). El tiempo de escritura/lectura es independiente de la localizacin de la informacin

Segn la mnima informacin accesible.

JERARQUA DE LAS MEMORIAS.

La memoria se suele estructurar en varios niveles debido al compromiso coste-capacidadvelocidad (velocidades

COLAS DE ESPERA Y PILAS.

MEMORIAS ASOCIATIVAS (CAM).

Los registros del procesador

Las cachs interna y externa

Entre ellas podemos distinguir dos tipos de memorias RAM:

SIMM (Single Inline Memory Module), con 30 72 contactos, mdulos

DIMM (Dual Inline Memory Module), con 168 contactos.

RIMM (RAMBUS Inline Memory Module) con 184 contactos.

Funcionamiento de la memoria RAM

DRSDRAM (Rambus DRAM)

Memoria Nombre Frecuencia (RAM) Frecuencia (RAM) Velocidad

DDR200 PC1600 200 MHz 100 MHz 1,6 GB/s

DDR266 PC2100 266 MHz 133 MHz 2,1 s

DDR333 PC2700 333 MHz 166 MHz 2,7 s

DDR400 PC3200 400 MHz 200 MHz 3,2 s

DDR433 PC3500 433 MHz 217 MHz 3,5 s

DDR466 PC3700 466 MHz 233 MHz 3,7 s

DDR500 PC4000 500 MHz 250 MHz 4s

DDR533 PC4200 533 MHz 266 MHz 4,2 s

DDR538 PC4300 538 MHz 269 MHz 4,3 s

DDR550 PC4400 550 MHz 275 MHz 4,4 s

DDR2-400 PC2-3200 400 MHz 100 MHz 3,2 s

DDR2-533 PC2-4300 533 MHz 133 MHz 4,3 s

DDR2-667 PC2-5300 667 MHz 167 MHz 5,3 s

DDR2-675 PC2-5400 675 MHz 172,5 MHz 5,4 s

DDR2-800 PC2-6400 800 MHz 200 MHz 6,4 s

RESPECTO A LOS DATOS

RESPECTO A LOS EJECUTABLES

Defectos de suministro elctrico. En especial el ruido de alta frecuencia en la alimentacin. Se recomienda

Paridad par Paridad impar

Tener en cuenta que la verificacin de errores (ECC o paridad) depende ms del la

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