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I.
I. PREINFORME N1 GENERACIN Y
I.
I. MEDICIN DE ALTAS TENSIONES
I.
I. EN
GRUPO 1: Edgar Javier Ramrez ACAlejandro Aguilar Arvalo, Carlos Davis Romero,
Ortiz, David
I. John Edisson Gil Delgado
I. Laboratorio de Aislamiento
Ingeniera Elctrica
I.
Universidad Distrital
I. Francisco Jos de Caldas
I. Facultad Tecnolgica
I. Bogot D.C.
OBJETIVOS
1. Aplicar las tcnicas de alta tensin para la
generacin y medicin de altas tensiones AC.
2. Establecer los diferentes mtodos de medicin de Circuito serie resonante (Series resonant circuits)
alta tensin AC, su uso, caractersticas, etc.
El circuito resonante de pruebas de alto voltaje de la
serie sintonizada surgi como un medio para superar la
II. MARCO TERICO
resonancia accidental e indeseada a la cual el ensayo
Mtodos de generacin HVAC ms convencional es ms propenso. Aunque a la
Prueba de transformador (Testing Transformers) frecuencia de suministro, el efecto puede ser
extremadamente peligroso, ya que la aplicacin de
El transformador monofsico de frecuencia de voltaje instantneo puede ser del orden de 20 veces la
alimentacin es la forma ms comn de aparatos de tensin alta deseada. Esto ha dado lugar a algunas
prueba HVAC, esta diseados para funcionar a la misma explosiones viciosas durante las pruebas. La mayor
frecuencia que la frecuencia de trabajo normal de los posibilidad de que esto ocurra es cuando se prueba en el
objetos de prueba (es decir, 60 o 50 Hz), tambin pueden lmite mximo de corriente y voltajes relativamente
utilizarse para frecuencias ms altas con tensin nominal bajos, es decir, carga capacitiva alta.
o para frecuencias ms bajas si se reducen las tensiones Desafortunadamente, la inductancia de la mayor parte de
de acuerdo con la frecuencia para evitar la saturacin del los reguladores de suministro vara algo en su rango, de
ncleo [1,2]. modo que la resonancia no ocurre necesariamente
cuando las tensiones estn en su bajo valor de conexin,
Desde las consideraciones de clasificacin trmica, la sino ms bien de repente en el rango de voltaje ms alto
salida de kVA y el diseo fundamental del ncleo de [1,2].
hierro y bobinados no hay una diferencia muy grande
entre un transformador de potencia de prueba y uno Sistemas de medicin
monofsico. Las diferencias estn relacionadas Divisor resistivo puro
principalmente con una menor densidad de flujo dentro Comprende por el divisor de tensin ms sencillo, dos
del ncleo para evitar innecesarias corrientes de resistencias de valor equivalente alto conectadas en
magnetizacin altas que produciran armnicos ms altos serie en cuyas terminales se aplica una tensin.
en el regulador de tensin que suministra el Divisor capacitivo puro
transformador ya un bobinado de alta tensin muy En comparacin con el divisor resistivo, este divisor
compacto y bien aislado para la tensin nominal. Por lo capacitivo comprende de dos condensadores en serie
tanto, se puede comparar una unidad de prueba con valores de capacitancia bajos.
monofsica con la construccin de un transformador de
Divisor resistivo compensado
potencial utilizado para la medicin de tensin y
potencia en sistemas de transmisin de potencia.
2
Este divisor comprende de dos elementos resistivos y
dos capacitivos conectados en paralelo.
Divisor capacitivo amortiguado
En comparacin con el divisor resistivo compensado,
este divisor se configura con los elementos en serie.
III. DIVISORES DE TENSIN UTILIZADOS
Figura 2. Esquema elctrico general conectado en BT.
V ATRBT
V BT = (1)
IV. ESQUEMAS ELCTRICOS CONECTADOS R BT + R AT
A LA RAMA EN BAJA TENSIN
V BT RBT + R AT
V AT = (2)
RBT
V AT =V BTRT (3)
3
Z BT + Z AT 38.461 k+280 M
40 k9.357 M RT= =
Z BT = =39.82 k Z BT 38.461 k
40 k+ 9.357 M
RT=7281.48
Z +Z 39.82 k+280 M
RT= BT AT =
Z BT 39.82 k Teniendo en cuenta el modelo PI de la sonda de baja tensin
se obtiene
RT=7032.64
40 k998.533 k
Z BT = =38.459 k
Teniendo en cuenta el modelo PI de la sonda de baja tensin 40 k+ 998.533 k
se obtiene:
40 k7.49 M Z BT + Z AT 38.459 k+280 M
Z BT = =39.787 k RT= =
40 k+ 7.49 M Z BT 38.459 k
Z BT + Z AT 39.787 k+280 M RT=7281.1(Opcion 1)
RT= =
Z BT 39.787 k
100 k998.533 k
Z BT = =90.897 k
RT=7038.47 (Opcion1) 100 k+998.533 k
4
2. DIVISOR CAPACITIVO PURO
Z BT + Z AT 90.897 k+ 280 M DIVISOR CAPACITIVO PURO EN VACIO
RT= =
Z BT 90.897 k
V ATZ BT
V BT =
RT=3081.41(Opcion 2) Z BT + Z AT
IMPEDANCIA PREVIA PARA DRP V BT Z BT +Z AT
V AT =
El mtodo de la impedancia previa consiste en conectar en Z BT
paralelo a la rama de baja tensin un multmetro en modo
ampermetro. La mayor cantidad de corriente que circula 1 1
por el divisor se ve reflejada en terminales del multmetro, Donde Z BT = , Z AT =
siendo esta usualmente en un orden de micro amperios. jw C BT jw C AT
V AT 30 KV RT=3301(Opcion 1)
I leida = =
R AT 280 M
C AT +C BT 100 pF+205 nF
RT= =
C AT 100 pF
I leida =107.142[A ]
RT=2051(Opcion2)
Tensin en Alta: 45 KV
V BT Z BT +Z AT
I leida =160.714 [A ] V AT =
Z BT
Es importante tener en cuenta que la rama en baja Donde
tensin se desprecia, debido a que est en Z AT / 26.52 M
comparacin con la rama en alta tensin es Z BT =Z CBT / (Z EQ)
insignificante.
Z EQ=Impedancia equivalente equipos de medicion
5
Z BT + Z AT 12.773 k+26.52 M
Z CBT / 8,037 k, Opcion1 RT= =
Z BT 12.773 k
Z CBT / 12,939 k,Opcion 2
Z EQ / 7.49 M RT=2077.25 (Opcion2)
8.037 k7.49 M IMPEDANCIA PREVIA PARA DCP
Z BT = =8.028 k
8.037 k+7.49 M
Teniendo en cuenta que Ra es la resistencia del
Z BT + Z AT 8.028 k+26.52 M multmetro FLUKE 289 en modo micro
RT= = ampermetro.
Z BT 8.028 k Tensin en Alta: 15 KV
RT=3304.4 (Opcion 1) 15 KV
Z AT =
26.525 M
Z BT =
12.939 k7.49 M
=12.916 k V AT
12.939 k+7.49 M
I leida
Z BT + Z AT 12.916 k+26.52 M
RT= = I leida 565.48[A ]
Z BT 12.916 k
30 KV
Z AT =
DIVISOR CAPACITIVO PURO CON 26.525 M
OSCILOSCOPIO V AT
I leida
V BT Z BT +Z AT
V AT =
Z BT
Donde
I leida 1.130[ mA ]
Z AT / 26.52 M
Z BT =Z CBT / (Z EQ) Tensin en Alta: 45 KV
45 KV
R AT =
Z CBT / 8,037 k,/ Z EQ / 998.533 k 26.525 M
V AT
8.037 k998.533 k
Z BT = =7.972 k I leida
8.037 k+ 998.533 k
1.573 K7.499 M
Z BT = =1573.08 I leida 13.877[mA ]
1.573 K+7.499 M
Z BT + Z AT 1573.08+2.161 M
RT= = Tensin en Alta: 45 KV
Z BT 1573.08
45 KV
RT=1375.27 R AT =
2.161 M
DIVISOR CAPACITIVO AMORTIGUADO CON V AT
OSCILOSCOPIO I leida
La impedancia equivalente de la sonda utilizada para
llevar la tensin al equipo de medida y la impedancia
I leida 20.816[mA ]
interna del osciloscopio se representa como:
8
Es importante tener en cuenta que la rama en baja [1] KUFFEL E., ZAENGL W.S. y KUFFEL J. High
tensin se desprecia, debido a que est en voltage engineering: Fundamentals. Editorial Newnes,
comparacin con la rama en alta tensin es Norfolk, 2000.
insignificante. [2] SCHWAB A.J. High voltage measurement technique.
[3] SIEGERT LUIS. Alta Tensin y sistemas de
VI. RELACIONES DE TRANSFORMACIN Transmisin.
[4] http://www0.unsl.edu.ar/~eyme1/laboratorios
Divisor Resistivo Puro
R AT =280 M R AT =280 M
RBT =40 K RBT =100 K
RT en Vaco 7001 2801
RT con
7038.34 2838.34
Multmetro
RT con
Osciloscopi 7281.41 3081.41
o
VII. REFERENCIAS
VIII. RESULTADOS ESPERADOS
Lectura en BT
15000 30000 45000
Tensin en Alta
Vrms [Vrms] Vp [V] Vrms [Vrms] Vp [V] Vrms [Vrms] Vp [V]
Datos BT sin equipo de medida 2.143 3.030 4.285 6.060 6.428 9.090
Lectura en BT
15000 30000 45000
Tensin en Alta
Vrms [Vrms] Vp [V] Vrms [Vrms] Vp [V] Vrms [Vrms] Vp [V]
Datos BT sin equipo de medida 5.355 7.573 10.710 15.147 16.066 22.720
Lectura en BT
15000 30000 45000
Tensin en Alta
Vrms [Vrms] Vp [V] Vrms [Vrms] Vp [V] Vrms [Vrms] Vp [V]
Datos BT sin equipo de medida 4.544 6.426 9.088 12.853 13.632 19.279
Lectura en BT
15000 30000 45000
Tensin en Alta
Vrms [Vrms] Vp [V] Vrms [Vrms] Vp [V] Vrms [Vrms] Vp [V]
Datos BT sin equipo de medida 7.314 10.343 14.627 20.686 21.941 31.029
Lectura en BT
15000 30000 45000
Tensin en Alta
Vrms [Vrms] Vp [V] Vrms [Vrms] Vp [V] Vrms [Vrms] Vp [V]
Datos BT sin equipo de medida 5.478 7.748 10.957 15.495 16.435 23.243
Lectura en BT
15000 30000 45000
Tensin en Alta
Vrms [Vrms] Vp [V] Vrms [Vrms] Vp [V] Vrms [Vrms] Vp [V]
Datos BT sin equipo de medida 10.908 15.427 21.817 30.854 32.725 46.281
Partiendo del circuito propuesto en la figura 4. Se realiza la respectiva simulacin para cada mtodo implementado; teniendo en
cuenta el uso del equipo de medida para cada caso si as se requiere; con lo cual se obtiene:
Partiendo del circuito propuesto en la figura 4. Se realiza la respectiva simulacin para cada mtodo implementado; teniendo en
cuenta que el equipo de medida para este caso se comporta como un microampermetro. Se obtienen los siguientes resultados