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UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB

ELTA02
ELETRNICA ANALGIA II
AULA 00 APRESENTAO DO CURSO E INFORMAES
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INSTRUES INICIAIS

Normas da Graduao:

Prof. Robson Bauwelz Gonzatti 2


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Normas da Graduao:

Prof. Robson Bauwelz Gonzatti 3


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Normas da Graduao:

Prof. Robson Bauwelz Gonzatti 4


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Normas da Graduao:

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Normas da Graduao:

Prof. Robson Bauwelz Gonzatti 6


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Normas da Graduao:

Prof. Robson Bauwelz Gonzatti 8


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PLANO DE ENSINO EMENTA

Transistor de Efeito de Campo


JFET, DMOS, EMOS
Funcionamento, circuitos de polarizao e
modelos
Anlise de amplificador de pequenos sinais
Resposta em Frequncia
Filtros passa alta e passa baixa
Anlise dos transistores (BJT e FET) em
baixa e alta frequncia
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PLANO DE ENSINO EMENTA

Amplificador de potncia
Reta de carga AC, potncia de sada,
eficincia
Amplificadores Classe A, B e C
Configuraes Compostas
Mltiplos estgios
Cascode, Darlington
Amplificador Diferencial

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PLANO DE ENSINO OBJETIVOS

Conhecer os fundamentos dos


dispositivos semicondutores (FETs) e
suas principais aplicaes prticas

Conhecer os fundamentos de filtros


analgicos e resposta em frequncia dos
sistemas

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PLANO DE ENSINO OBJETIVOS

Obter conhecimento sobre sistemas mais


complexos obtidos apartir da
combinao de semicondutores
(transistores) como os amplificadores de
potncia e amplificadores multiestgios

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DATAS DE PROVAS

Prova 1 26/09/2017
Prova 2 28/11/2017
Substitutiva 05/12/2017
Vista de provas sero marcadas aps cada prova
(Regimento cap. VII)

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BIBLIOGRAFIA BSICA

Robert L. Boylestad e Louis Nashelsky.


Dispositivos eletrnicos e Teoria de
Circuitos, 8 Ed., 2004, Pearson.

Albert P. Malvino e David J. Bates. Eletrnica


Vol. 1, 8 Edio, 2016, McGraw-Hill.
Albert P. Malvino e David J. Bates. Eletrnica
Vol. 2, 8 Edio, 2016, McGraw-Hill.

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TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO


INTRODUO
Conhecidos como FETs (Field Effect
Transistor)
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Dispositivo controlado por corrente
Bipolar: conduo funo de dois
portadores (eltrons e lacunas)
FET
Dispositivo controlado por tenso
Unipolar: conduo depende somente de
eltrons (canal n) ou lacunas (canal p)

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FET X BJT

Impedncia de entrada mais elevada do que


a do BJT
Ganhos de tenso em amplificadores
menores que os com BJT
FETs so mais estveis em relao
temperatura
FETs so menores fisicamente
Muito utilizados em Circuitos Integrados
Alguns FETs devem ser manuseados com
cuidado

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