Captulo 1 Atomstica Prof.

Marco Aurlio Fregonezi 28/08/2017

Captulo 1 ATOMSTICA
1.1 ELEMENTOS QUMICOS
Qualquer material pode ser dividido ao meio diversas vezes, e esse nmero est relacionado
menor diviso que o material pode sofrer, ou seja, obteno de uma poro indivisvel da
matria, chamada de tomo, palavra que significa indivizvel (a palavra tomo significa divi-
so. Atualmente j se sabe que o tomo pode ser dividido em partes individualizadas.
O modelo atmico atual assume a existncia de um ncleo, onde est quase toda a massa,
constitudo de cargas positivas (prtons) e neutras (nutrons), rodeado de eltrons (cargas nega-
tivas). O ncleo exerce atrao eletrosttica sobre os eltrons, fazendo com que estes circulem
ao seu redor.
Quando se fala em modelo, se est falando de uma suposio, algo impossvel de ser com-
provado, mas que satisfaz aos clculos matemticos usados para explicar os fenmenos observ-
veis.
O nmero atmico, representado pela letra Z, dado pela quantidade de prtons. Em um
tomo neutro, a quantidade de eltrons igual quantidade de prtons (equilbrio de cargas). O
nmero atmico define o tomo.
H h mais de cem tipos de tomos, definidos pela quantidade de prtons (a massa at-
mica), chamados pelo nome. Cada tipo de tomo possui propriedades prprias. Quase toda a
massa do tomo est concentrada no ncleo, o tipo de tomo pode ser definido por meio de sua
massa atmica. A massa atmica dada pela soma da quantidade de prtons e da de nutrons.
Istopos so tomos de mesmo nmero atmico e massas diferentes, ou seja, com a mesma
quantidade de prtons e quantidades diferentes de nutrons.
Os tomos podem se agrupar formando molculas, que podem ser de dois tipos:
Simples: Formadas por tomos iguais.
Compostas: Formadas por tomos diferentes.
Os eltrons orbitam em torno do ncleo e possuem dois tipos de energia:
Cintica: Energia de movimento, dinmica.
Potencial: Energia de posio, esttica.
A energia potencial EP expressa o quo distante o sistema est da situao de mnima ener-
gia potencial. O nome potencial diz respeito capacidade do elemento de realizar trabalho (W).
As principais formas de energia potencial so:
Gravitacional: Promovida por uma fora gravitacional.
Elstica: Promovida por uma deformao elstica.
Eltrica: Promovida por um campo eltrico sobre uma carga eltrica.
Magntica: Promovido por uma fora magntica sobre um metal.

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A energia cintica EC expressa a relao entre a velocidade e a massa do objeto e dada

pela integral da quantidade de movimento Q em funo da velocidade.
Q mv EC Q dv EC 12 m v 2

Se a rbita circular ou esfrica, as energias cintica e potencial so constantes ao longo

do tempo. A velocidade dos eltrons tal que a fora centrfuga (radial para fora da esfera)
igual, em mdulo, fora centrpeta (atrao ao ncleo, radial pra dentro da circunferncia), de
modo que no h movimento radial, o raio (r) e a velocidade angular () so mantidos constantes
ao longo do tempo. H, somente, movimento tangencial. Em termos de coordenadas polares ou
esfricas, h, somente, variao no ngulo instantneo . A energia de um eltron pode ser de-
terminada pelo raio de sua rbita.
Se a rbita elptica ou elipside, o raio varivel, tal como a velocidade tangencial e a
velocidade angular. Quanto mais perto do ncleo (posio A), maior a energia cintica e menor
a potencial, e, quanto mais longe (posio B), maior a potencial e menor a cintica, mantendo-
se constante a energia ao longo de todo o percurso de 360o.
Em uma posio que chamaremos de A, as velocidade tangencial e angular so grandes,
bem como a fora de atrao; em outra posio que chamaremos de B, as velocidades e a atra-
o so pequenas. Tem-se, ento, um sistema oscilante, onde energia cintica e potencial so
trocadas, tal como num sistema massa-mola harmnico. Energia potencial e cintica so alterna-
dos com um determinado ngulo de defasagem. Na rbita elptica, existe o raio mdio, onde o
eltron tem a mxima probabilidade de ser encontrado, o mesmo raio do crculo de mesma rea.
So definidos, tambm, os limites de raio superior (externo) e inferior (interno), onde o eltron
tem a mnima probabilidade de ser encontrado. Como a velocidade do eltron no raio mnimo
maior do que no raio mximo, o clculo das probabilidades temporais de ocupao de cada raio
(funo estatstica) no simples e estudado em fsica quntica.
Se a elipse gira em torno do ncleo, tem-se um anel plano de probabilidades de ocupao
pelo eltron. Se esse anel gira em um eixo perpendicular, tem-se uma casca esfrica tridimensio-
nal espessa, uma nuvem eletrnica, chamada de orbital s.

rbita elptica
r giratria

r
rbita circular rbita equiva-
rbita elptica lente elpse
r(t) = cte
r(t) cte
(t) = cte giratria
(t) cte

Figura 1.1 Exemplos de orbitais.

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Figura 1.2 Exemplos de rotao de elipses.

As figuras acima so obtidas por meio do giro da elipse em torno do mesmo eixo a partir de
onde a elipse formada, gerando uma figura bidimensional. Girando-se esta figura em torno de
um eixo ortogonal, obtm-se uma figura tridimensional.

r(t)

t
Figura 1.3 Funo raio instantneo.
Um tomo pode possuir vrias camadas de eltrons, sendo a primeira a menos energtica
e a ltima a mais energtica. Qualquer entrada ou sada de eltrons dever ocorrer na ltima
camada, pois, uma vez que possui mais energia cintica, mais fcil vencer a atrao gerada pelo
ncleo do tomo. Quanto maior a energia, maior a instabilidade do eltron diante de alguma
perturbao, mais fcil retira-lo do tomo. A ltima camada (a mais energtica) recebe o nome
de faixa (de energia) de valncia. A palavra valncia, neste contexto, significa troca, intercmbio
ou manipulao de eltrons, situao onde atribudo um valor de troca para o eltron.
A energia cintica est associada velocidade tangencial (ou linear) dos eltrons. Ao au-
mentar a energia, a rbita aumenta para que a velocidade angular mdia seja preservada, pre-
servando a relao entre fora centrfuga e fora centrpeta mdias, impedindo que o eltron saia
de rbita.
Quando o eltron se desprende do tomo, quando ele deixa de sofrer a atrao do ncleo,
ele est com sua energia potencial mxima. Sua energia total (cintica + potencial) chamada de
energia de vcuo, trata-se da energia que deve ser oferecida ao eltron para que ele deixe o
tomo e vague entre os outros tomos, sem ser atrado por nenhum deles, ou seja, no vcuo.
A posio estatstica do eltron, em coordenadas polares, caso bidimensional, definida
pelo raio e pelo ngulo. O ngulo instantneo no tem relevncia no grau de aprofundamento
deste estudo, mas o raio sim. No caso tridimensional (coordenadas esfricas), h dois ngulos
envolvidos. Uma vez que, quanto maior o raio, maior a energia, falar em raio significa falar em
energia (embora a relao entre estas duas grandezas no seja linear). Nos orbitais do tipo s, tem-
se uma nuvem eletrnica; quando se fala em um raio, fala-se do seu raio mdio.
Um conjunto de raios mdios forma uma camada ou banda ou rbita ou faixa.

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Camada (ou banda ou rbita ou faixa) de valncia BV: Onde situam-se os eltrons mais
energticos (EBVs), que podero interagir com outros tomos. A fim de simplificar o texto, diver-
sas siglas so empregadas sempre que uma terminologia longa for usada com freqncia. Para
ser estvel o tomo deve possuir 8 EBVs (regra do octeto).
Todos os sistemas da natureza tendem a assumir a configurao menos energtica, um con-
ceito derivado da teoria do big bang. Por esse motivo, os tomos tendem a completar 8 EBVs.
Alguns elementos possuem a propriedade de possurem oito EBVs isoladamente; por esse
motivo eles so estveis na forma de tomos e formam gases, os chamados gases nobres. Uma
exceo teoria do octeto o hlio (He), cujo nmero atmico 2, isto , possui, apenas, dois
eltrons e se estabiliza com estes dois eltrons, tambm formando um gs.
Os elementos so organizados na Tabela Peridica dos Elementos. Ela dita peridica por-
que as propriedades dos elementos respeitam determinados perodos representados pelas colu-
nas, linhas e diagonais da tabela. Ela apresenta os elementos em ordem crescente e contnua de
Z.
Os elementos so divididos em dois grandes grupos. Cada grupo possui oito subdivises,
cada subdiviso chamada de famlia porque representa um grupo de elementos.
Grupo A: Elementos representativos 1A, 2A, 3A, 4A, 5A, 6A, 7A, 8A
Grupo B: Elementos de transio 1B, 2B, 3B, 4B, 5B, 6B, 7B, 8B

1.2 NMEROS QUNTICOS

O eltron pode ser identificado biunivocamente por quatro nmeros qunticos (provenien-
tes da fsica quntica), que fornecem o endereo exato de cada eltron:
Nmero quntico principal: n
Nmero quntico secundrio:
Nmero quntico magntico: m
Nmero quntico spin
A simbologia convencional emprega letras minsculas para os nmeros qunticos. Embora
o eltron no possua identidade, os quatro nmeros qunticos expressam o papel que o eltron
desempenha no tomo em um determinado instante. Os nmeros qunticos so valores puros,
adimensionais, e possuem valores simblicos, sem nenhuma relao direta com alguma grandeza
fsica. Os nmeros qunticos foram criados para facilitar os clculos estatsticos.
O nmero quntico principal (n) possui este nome porque representa a antiga diviso em
camadas atmicas, uma das primeiras classificaes atribudas aos eltrons, apresentada pelo
fsico dinamarqus Niels Bohr, em 1913, o modelo atmico de Bohr. Neste modelo, a distribuio
eletrnica feita por meio de diversas camadas atmicas. Este nmero indica o nvel de energia
do eltron.
As camadas atmicas formam a eletrosfera do tomo. As rbitas so fixas e os eltrons no
podem ocupar, de forma estacionria, chamadas de bandgaps ou, simplesmente, gaps.
O nmero quntico principal varia matematicamente de 1 a infinito, mas os elementos des-
cobertos at o momento permitem o valor mximo de n = 7, tendo o valor 1 a mnima energia.
Na tabela peridica, n representado pelas linhas. As rbitas recebem, como nome, letras de K a

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Q, relativas a n = 1 a 7, respectivamente. medida em que novos elementos vo sendo desco-

bertos ou sintetizados, uma nova linha para a tabela peridica poder ser escrita e o nmero
quntico principal chegar ao valor 8 (rbita R). Grande parte dos elementos de nmero atmico
elevado no so encontrados na natureza, so obtidos em laboratrio e existem, apenas, em con-
dies controladas de temperatura e de presso.

n=1
n=2
n=3
Figura 1.4 O modelo atmico de Bohr.
Nvel de energia n no sinnimo de rbita, pois, para um mesmo n, podem haver diversas
rbitas, e, em uma mesma rbita, pode existir mais de um eltron, motivo pelo qual necessrio
definir os demais nmeros qunticos.
O nmero quntico secundrio () ou azimutal representa o subnvel energtico e pode va-
riar de 0 a n-1, onde n o nmero quntico principal. Quanto maior for o nvel de energia n, maior
a quantidade de subnveis de energia . A palavra azimute significa orientao.
Dentro de um mesmo nvel de energia n, o subnvel energtico mnimo para o valor 0 e
mximo para n-1. O nmero quntico secundrio representa o tipo de orbital, a figura tridimen-
sional formada pela rbita. medida em que novos elementos forem descobertos ou sintetiza-
dos, um novo tipo de orbital pode ser verificado, para = 4. Uma forma de memorizar estas qua-
tro siglas na ordem crescente de lembrar de So Paulo (SP) e Distrito Federal (DF).
A quantidade de eltrons alojveis por um tipo de orbital sempre o dobro da quantidade
de rbitas formadas por cada tipo de orbital. O orbital do tipo s possui formato esfrico, ou seja,
possui, apenas, uma orientao no eixo tridimensional. Por ser esfrico, h quem atribua, equi-
vocadamente, a sigla s palavra spheric. O modelo atmico de Bohr previa a existncia, apenas,
deste tipo de orbital.
Nome Sigla Capacidade rbitas
Sharp s 0 2 eltrons 1
Principal p 1 6 eltrons 3
Diffuse d 2 10 eltrons 5
Fundamental f 3 14 eltrons 7
Tabela 1.1 Os tipos de orbitais.
Os orbitais do tipo d consistem de uma esfera, tal como os orbitais s, os ovoides dos orbitais
p, e um anel, formando cinco tipos diferentes, alojando at dez eltrons. As cinco rbitas do tipo
d so chamadas de dxy, dxz, dyz, dx2y2 e dz2. Os orbitais do tipo f apresentam desenhos mais
complexos.
Com exceo do orbital s, h diversas orientaes diferentes para um mesmo tipo de orbi-
tal, sendo necessrio mais um nmero quntico para determinar a orientao.

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Y

X
Z

Figura 1.5 Orbitais do tipo p.

O nmero quntico magntico (m) representa a orientao do orbital no espao. Para cada
valor de m, h um orbital diferente, ou seja, m indica quantos orbitais o subnvel l possui. O n-
mero quntico magntico varia de a +.
Os orbitais p, d e f apresentam diversos desenhos diferentes. O nmero quntico magntico
serve para especificar qual destes desenhos determina a rbita do eltron em anlise.
m Orbitais
0 (s) 0 1
1 (p) -1, 0, 1 3
2 (d) -2, -1, 0, 1, 2 5
3 (f) -3, -2, -1, 0, 1, 2, 3 7
Tabela 1.2 Os nmeros qunticos secundrio e magntico.
O nmero quntico spin representa o sentido de rotao do eltron e representado por
uma seta para cima ou para baixo, e pode variar de a +. Cada orbital pode alojar dois el-
trons. Como os orbitais s, p, d e f representam 1, 3, 5 e 7 orbitais, respectivamente, eles podem
alojar 2, 6, 10 e 14 eltrons.
l Orbitais Eltrons
0 (s) 1 2
1 (p) 3 6
2 (d) 5 10
3 (f) 7 14
Tabela 1.3 A quantidade de eltrons alojveis em cada tipo de orbital.
Em 1921, os fsicos alemes Otto Stern e Walther Gerlach mostraram a existncia do sentido
de rotao dos eltrons. A regra de Hund diz que, quando um subnvel de energia l preenchido,

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a prioridade a colocao do primeiro eltron em cada orbital; somente depois que todas as
rbitas do subnvel j possurem um eltron que o segundo eltron comear a ser colocado
nos orbitais, com sentido de rotao contrrio ao do primeiro eltron.
Quando um tomo no possui nenhuma rbita com apenas um eltron (nenhuma rbita
semi-preenchida), ele no atrado por campos magnticos e forma um material diamagntico,
caso contrrio o material chamado de paramagntico. A atrao a campos magnticos to
maior quanto maior for o nmero de rbitas semi-preenchidas nos tomos do material.
A palavra rotao no a mais adequada para retratar o sentido do nmero quntico
spin, pois d a idia do eltron tratar-se de uma partcula, quando, na verdade, possui comporta-
mento de partcula e onda ao mesmo tempo, porm, para o grau de aprofundamento deste es-
tudo, o termo rotao cabvel.
Os nmeros qunticos representam valores arbitrrios, desvinculados de grandezas fsicas
reais, cujo propsito o de simplificar a identificao dos eltrons de um tomo. Uma anlise
fsica da localizao do eltron envolve o estudo da Equao de Schrdinger.

1.3 DISTRIBUIO ELETRNICA

O diagrama de Linus Pauling apresenta a ordem crescente de preenchimento dos nveis de
energia por parte dos eltrons no tomo. Tambm de Pauling o princpio da excluso, que diz
que dois eltrons no podem ter os mesmos quatro nmeros qunticos no mesmo tomo ao
mesmo tempo.

1 s 1s
2 s p 2s 2p
3 s p d 3s 3p 3d
4 s p d f 4s 4p 4d 4f
5 s p d f 5s 5p 5d 5f
6 s p d 6s 6p 6d
7 s p 7s 7p

Figura 1.6 Diagrama de Linus Pauling.

Na figura anterior, que representa um diagrama suficiente para representar todos os ele-
mentos j descobertos, tem-se sete orbitais s, seis p, quatro d, e dois f, formando um nmero
atmico mximo de 72 + 66 + 410 + 214 = 118. O elemento de maior nmero atmico j
sintetizado o 116 em 1999 por Victor Ninov.
Os elementos do grupo A (elementos representativos) possuem de 1 a 8 EBVs; nmero que
expresso no prprio nome do grupo (1A a 8A), exceto para o He. O nmero do grupo indica a
quantidade de eltrons na ltima camada. Estes elementos apresentam a propriedade de possu-
rem, apenas, o ltimo nvel de energia incompleto (exceto para a famlia 8A, onde o ltimo nvel
de energia completo). Todos os elementos representativos possuem, na BV, um orbital do tipo
s ou um s e um p, completos ou no.

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A distribuio eletrnica dos elementos do grupo A termina nos orbitais s (2 eltrons) ou p

(6 eltrons). Os elementos dos grupos 1A e 2A, como possuem apenas 1 e 2 EBVs, preenchem
apenas o orbital s do ltimo nvel de energia. Os elementos do grupo 3A, 4A, 5A, 6A, 7A e 8A
lotam o orbital s e utilizam o orbital p do ltimo nvel de energia, ocupando 1,2,3,4,5 e 6 rbitas
do tipo p, respectivamente.
s p EBVs configurao
1A 1 ns1
2A 2 ns2
3A 3 ns2 np1
4A 4 ns2 np2
5A 5 ns2 np3
6A 6 ns2 np4
7A 7 ns2 np5
8A 8 ns2 np6
Tabela 1.4 Distribuio eletrnica para o grupo A.
Quando se fala em configurao eletrnica do tomo, na tabela anterior, falam-se da con-
figurao do maior nvel de energia, o nvel de valncia, que o nico nvel relevante na interao
entre os tomos.
A letra n representa a linha da tabela peridica (nmero quntico principal). O sentido das
setas na tabela acima indica o sentido de rotao (spin) do eltron (de forma arbitrria). O nome
do orbital formado por trs partes:
Prefixo numrico (n): Indica a linha no diagrama de Linus Pauling e na tabela peridica.
Letra: Indica o tipo de orbital ().
Sufixo numrico sobrescrito: Indica a quantidade de eltrons alojados no orbital.
Os elementos do grupo B so chamados de metais de transio. Diferentemente dos ele-
mentos representativos, estes elementos apresentam orbitais do tipo d ou f incompletos no l-
timo nvel de energia.
Elementos de transio interna: Apresenta um orbital d incompleto.
Elementos de transio externa: Apresenta um orbital f incompleto.
Os elementos de transio externa se subdividem em:
Lantandios: rbita de valncia 4f.
Actindios: rbita de valncia 5f.
A tabela peridica agrupa os elementos de acordo com suas propriedades. De uma maneira
geral, as famlias 1A, 2A e 3A representam metais e as 5A, 6A e 7A os no metais. Na figura a
seguir, os lantandios e os actindios no foram includos.
A famlia 8A representa os elementos que, sem realizar nenhuma ligao, j possuem 8
EBVs (exceto o hlio), so inertes e se apresentam na forma de gases. Dentro das famlias (3-7)A,
h no metais, metais e semi-metais. O hidrognio no pertence a nenhuma classificao.

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1A 8A
2A 3A 4A 5A 6A 7A

3B 4B 5B 6B 7B 8B 1B 2B

Gases Nobres
Metais de transio
Halognios
Metais alcalinos Outros metais Calcognios
Metais alcalinos terrosos
Outros no-metais
Semi-metais
Figura 1.7 Subdivises da tabela peridica dos elementos.
1.4 LIGAES
Quando um elemento do grupo A no possui, por um certo motivo, a quantidade normal
de EBVs, ele recebe o nome de on, um tomo excitado, instvel, que pode ser positivo, ction,
ou negativo, nion. O tomo neutro (no excitado) considerado estvel e inerte.
Os elementos dos grupos 1A,2A e 3A so chamados metais (salvo algumas excees) e, para
obter 8 EBVs, doam eltrons, tornando-se ctions. So chamados tomos doadores. mais
fcil doar um, dois ou trs EBVs do que receber sete, seis ou cinco EBVs.
Os elementos dos grupos 5A,6A e 7A so chamados de no-metais (salvo algumas excees)
e, para obter 8 EBVs, recebem eltrons, tornando-se nions. So chamados tomos aceita-
dores. mais fcil receber trs, dois ou um EBV do que doar cinco, seis ou sete EBVs.
on positivo (ction): Eltron(s) a menos no tomo.
on negativo (nion): Eltron(s) a mais no tomo.
Dentre estas as duas grandes classes de elementos, h os semicondutores (4A), que corres-
pondem ao meio termo entre os metais (1A, 2A e 3A) e os no-metais (5A, 6A e 7A), elementos
cuja determinao sobre doao ou aceitao de EBVs mais complexa. H, tambm, os gases
nobres (8A), que, de forma natural, no realizam ligaes qumicas, pois j possuem oito EBVs.
Cada eltron a mais representa uma carga negativa e cada eltron a menos (eletricamente
equivalente a um prton a mais) representa uma carga positiva.
Carga positiva (+): a existncia de um eltron a menos. O elemento com um eltron a menos
recebe o nome de ction. Um ction pode conter 1,2 ou 3 cargas positivas.
Carga negativa (-): a existncia de um eltron a mais. O elemento com um eltron a mais
recebe o nome de nion. Um nion pode conter 1,2, ou 3 cargas negativas.
Para permanecer com 8 EBVs, os tomos (neutros) transformam-se em ons, doando ou
aceitando eltrons. Um on mais forte tanto quanto for a quantidade de eltrons que ele ganhou

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ou perdeu. A fora de um on reflete a tendncia de retornar ao estado estvel, o da neutralidade.

Os elementos do grupo 8A so estveis sem ionizar-se, so inertes.
Os elementos da famlia 1A possuem maior tendncia doadora que os da famlia 2A e 3A.
Da mesma forma, os elementos da famlia 7A possuem maior tendncia aceitadora que os da
famlia 5A. Os elementos da famlia 4A so o meio termo entre doador e aceitador.
Famlia on Recebe Cargas
1A ction -1 eltrons 1 positiva
2A ction -2 eltrons 2 positivas
3A ction -3 eltrons 3 positivas
5A nion +3 eltrons 3 negativas
6A nion +2 eltrons 2 negativas
7A nion +1 eltrons 1 negativa
Tabela 1.5 Ionizaes para o grupo A.
Ction nion Caracterstica
7A 1A Forte
6A 2A Mdio
5A 3A Fraco
Tabela 1.6 Fora dos ons.
H dois tipos de ligaes:
Primrias: Tm fora de ligao entre 100 e 1000 kJ/mol.
Secundrias: Tm fora de ligao entre 0,1 e 10 kJ/mol.
As ligaes secundrias so as chamadas ligaes de Wan der Waals e no so abrangidas
neste estudo.
H trs tipos de ligaes primrias:
Inica
Covalente
Metlica
1: LIGAO INICA
Tambm chamada de ligao eletrovalente, a ligao inica ocorre entre um metal
(1A,2A,3A) e um no metal (5A,6A,7A). Os elementos do grupo A possuem a tendncia de intera-
gir com outros tomos para completar os 8 EBVs. Os metais (1A, 2A, 3A) possuem a propriedade
de doar eltrons, transformando-se em ctions. Os no-metais (5A, 6A, 7A) possuem a proprie-
dade de aceitar eltrons, transformando-se em nions. A formao de ons o motivo deste tipo
de ligao ser chamada de inica. Em outras palavras, a ligao inica envolve a transferncia
de eltrons de um tomo para outro a fim de que ambos obtenham 8 EBVs.
Neste tipo de ligao, tem-se tomos carregados positivamente e negativamente, for-
mando uma atrao eletrosttica que faz o material possuir uma elevada rigidez mecnica quanto
a flexo, mas uma baixa rigidez mecnica quanto ao cisalhamento (quebra ou trincamento).
Trata-se de uma ligao direcional, isto , tem-se uma carga positiva e uma negativa, um campo
eltrico com orientao determinada pelas cargas.

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A ligao inica consiste na doao de um ou mais eltrons por parte de um tomo das
famlias 1A, 2A ou 3A para um tomo da famlia 5A, 6A ou 7A. Deve haver equilbrio de cargas
positivas e negativas, ou seja, a quantidade de cargas positivas geradas deve ser igual quanti-
dade de cargas negativas geradas, para que o produto da reao continue neutro.
ons fortes realizam a ligao inica liberando grande energia, enquanto os fracos liberam
pouca energia; as ligaes inicas fortes so mais estveis (menos energticas) que as fracas. Para
realizar uma ligao inica com um elemento da famlia 4A preciso adicionar muita energia para
acrescentar ou remover 4 eltrons, a ligao instvel e nem sempre possvel.
A ligao inica proporciona a formao de sal e gua a partir de uma base e um cido. De
uma maneira simples, pode-se definir uma base como sendo um elemento das famlias 1A,2A ou
3A ligado ao nion OH- (hidroxila) e um cido como sendo um elemento das famlias 5A,6A ou 7A
ligado ao ction H+ (hidreto). Na realidade, tais conceitos so mais complexos e foram simplifica-
dos aqui em razo do propsito deste estudo.
Um exemplo clssico a reao de dupla troca abaixo (reao de neutralizao de uma base
e um cido):
base cido sal gua
NaOH + HCl NaCl + H2O
Geralmente, a gua formada em estado gasoso.
No NaCl tem-se os ons Na+ e Cl-, que se atraem mutuamente, fomando cristal, com alto
grau de dureza e elevado ponto de fuso. O cristal de sal NaCl possui ligao inica, que muito
forte, impedindo o movimento de EBVs, sendo, assim, bom isolante.
A ligao inica encontrada tambm nos materiais cermicos, proporcionando a eles boa
isolao eltrica, alto ponto de fuso e grande dureza.
2: LIGAO COVALENTE
A ligao covalente ocorre quando, ao invs de haver doao e aceitao de EBV, h com-
partilhamento de pares de EBV s entre dois tomos. Em uma ligao covalente, cada tomo for-
nece um EBV, cada EBV pertence, simultaneamente, aos dois tomos. Ocorre, geralmente, entre
no metais. Os elementos do grupo 4A (semicondutores) no so nem doadores nem aceitadores
de eltrons; para que fiquem com 8 EBVs, precisam realizar 4 ligaes covalentes. Polmeros de
carbono so formados por ligaes covalentes em grande nmero. o tipo de ligao mais co-
mum em materiais orgnicos.
H dois tipos de ligao covalente:
Normal ou simples: Ambos tomos necessitam de um acrscimo de EBVs.
Dativa ou coordenada: O mesmo tomo, com 8 EBVs, fornece o par de EBVs necessrios para
formar a ligao e proporcionar 8 EBVs ao outro tomo.
Na figura a seguir, so mostradas apenas as quatro ligaes covalentes de um tomo de
Silcio. Para cada tomo h quatro ligaes covalentes, de forma que cada tomo de Silcio fique
com 8 EBVs. Estas ligaes no so coplanares, mas formam um tetraedro. Os eltrons que for-
mam ligaes covalentes esto presos na ligao e no podem se mover. possvel formar liga-
es covalentes mltiplas, quanto o mesmo par de tomos compartilha mais de um par de EBVs.
Estas ligaes podem ser duplas, triplas ou qudruplas.

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C C


C C C C C C


C C

Figura 1.8 Ligao covalente simples.

:C::C::C: C C C
Figura 1.9 Ligao covalente dupla.

C C C C C
Figura 1.10 Ligao covalente tripla.
3: LIGAO METLICA
Os metais so formados por um mar de eltrons livres e de uma superfcie de ctions.
Esses eltrons livres so cargas mveis negativas e os ctions so cargas fixas positivas. As cargas
mveis, tambm chamadas de portadores de carga, espalham-se por todo o material de modo a
neutralizar, ponto a ponto, a carga total. Essa mobilidade de cargas explica a alta condutividade
dos metais. Os ctions formam um arranjo cristalino.
Na temperatura de zero kelvin, os metais possuem menos de 4 EBVs, eles possuem uma
forte tendncia a doar eltrons. Como no h tomos para os quais estes EBVs possam ser doados
na forma de ligao inica, o aumento na temperatura promove estes EBVs para uma faixa de
energia superior, eles saem de rbita e, embora continuem pertencendo ao tomo (neutralizando
o ction), eles podem ser movidos diante da injeo ou dreno de eltrons, permitindo a formao
de uma corrente eltrica.
Como a carga destes eltrons livres neutralizada pela carga do ction, o saldo total de
carga nulo, e cargas nulas so inertes diante de campos eltricos, ou seja, a corrente eltrica no
metal no promovida por campos eltricos (efeito de deriva), mas sim pelo aumento (injeo)
ou diminuio (dreno) na quantidade de eltrons em uma extremidade do fio condutor, provo-
cando uma redistribuio na concentrao destas cargas negativas a fim de tornar tal distribuio
constante espacialmente (efeito de difuso). Estes dois efeitos so especialmente importantes no
estudo dos semicondutores.
Os eltrons livres e capazes de promover uma corrente eltrica tornam o material condutor
eltrico e, geralmente, condutor trmico. Este portadores de cargas negativas apresentam pro-
priedades diferentes dos EBVs que esto presos nas ligaes entre os ctions. As cargas livres

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esto na poro mais elevada da banda de energia, uma faixa especial onde os eltrons s de des-
prendem dos seus tomos. A banda de energia onde o eltron se torna livre recebe um nome
especial.
Camada (ou banda ou faixa) de conduo BC: Regio energtica onde o movimento do el-
tron deixa de ser determinado por uma rbita (s, p, d ou f), h um movimento aleatrio (catico)
determinado por estatsticas de distribuio (Fermi-Dirac). Como estes eltrons so livres, eles
podem formar corrente eltrica. Os eltrons contidos nesta faixa so chamados de EBCs.
Nos metais, os eltrons livres so formados na ligao chamada de metlica, na qual no
existe compartilhamento de eltrons. Esses EBCs so formados facilmente de modo que, mesmo
em baixas temperaturas, quase todos os tomos geraram EBCs. No caso dos semicondutores tipo
N, os eltrons livres so gerados juntamente com as ligaes covalentes, como mostrado no
prximo captulo.

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