I.

TEMA:
CARACTERSTICAS DEL DIODO
SEMICONDUCTOR (silicio y germanio)

II. OBJETIVOS:
Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos
semiconductores

III. MARCO TERICO:

Jordy lo hace..

IV. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:

1. Una Fuente de corriente continua Variable.

2. Un Multmetro.
3. Un miliampermetro y un micro ampermetro

4. Un diodo Semiconductor de Si.

5. Un diodo Semiconductor de Ge
6. Un Voltmetro de cc.(analgico)

7. Resistencia de 100.

8. Cables cocodrilo / banano

+
 9. Jumpers

V. PROCEDIMIENTO:

1) Con ayuda del ohmmetro, medimos las resistencias directa e inversa

del diodo. Estos datos lo registramos en la tabla 1.

() ()
604 > 20

2) Armamos el siguiente circuito:

a. Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la

corriente y el voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la
tabla 2.

(. ) 0.48 0.53 0.58 0.67 0.78 0.9 1.21 1.56 1.79 2.02 2.35 2.73
(. ) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
(. ) 0.48 0.5 0.54 0.57 0.6 0.62 0.66 0.68 0.69 0.70 0.71 0.73
 b. Invertimos el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de
los instrumentos, proceder como en a), registrando los datos en la
tabla 3.

(. ) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

(. ) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
(. ) 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

3) Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo

de germanio. Registramos los datos en la tabla 4.

() ()
291 0.03

4) Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio, de manera

similar al paso 2; proceder a llenar las tablas 5 y 6.

(. ) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
(. ) 0.0 0.91 2.01 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
(. ) 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 6.0 7.0 11.0 14.0 19.0 23.0

(. ) 0.17 0.21 0.27 0.38 0.54 0.72 1.17 1.68 2.00 2.32 2.79 3.38
(. ) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
(. ) 0.16 0.19 0.23 0.29 0.37 0.45 0.62 0.8 0.9 1.1 1.15 1.37

VI. DATOS OBTENIDOS

Tabla 1

() ()
604 > 20
 Tabla 2

(. ) 0.48 0.53 0.58 0.67 0.78 0.9 1.21 1.56 1.79 2.02 2.35 2.73
(. ) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
(. ) 0.48 0.5 0.54 0.57 0.6 0.62 0.66 0.68 0.69 0.70 0.71 0.73

Tabla 3

(. ) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

(. ) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
(. ) 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

Tabla 4
() ()
291 0.03

Tabla 5

(. ) 0.17 0.21 0.27 0.38 0.54 0.72 1.17 1.68 2.00 2.32 2.79 3.38
(. ) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
(. ) 0.16 0.19 0.23 0.29 0.37 0.45 0.62 0.8 0.9 1.1 1.15 1.37

Tabla6

(. ) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
(. ) 0.0 0.91 2.01 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
(. ) 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 6.0 7.0 11.0 14.0 19.0 23.0

VII. CUESTIONARIO FINAL:

1. Construir el grfico = () con los datos de las tablas 2 y 3 (Si).

Calcular la resistencia dinmica del diodo.
Resistencia dinmica para la regin de polarizacin directa:

El centro de la rodilla de la curva para el diodo de silicio tericamente se

encuentra en 0.7V , sin embargo experimentalmente podemos ver que
se el centro de la rodilla de la curva se encuentra en 0.66V
 De la Ecuacin de Schockley:

= ( 1)

Dnde:

IS=corriente de saturacin en inversa

VD=voltaje de polarizacin en directa aplicado a travs del diodo

M=Factor de idealidad (vara entre 1 y2)

VT=Voltaje trmico

Para nuestros datos:

(. ) 0.48 0.53 0.58 0.67 0.78 0.9 1.21 1.56 1.79 2.02 2.35 2.73
(. ) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
(. ) 0.48 0.5 0.54 0.57 0.6 0.62 0.66 0.68 0.69 0.70 0.71 0.73

Graficando en Excel:

Vd vs Id
25

20
y = 6E-06e20.763x
15
Id(mA)
10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Vd(v)
Tenemos que la ecuacin de la curva es:

= 6 106 20.763

Igualando los datos con la ecuacin de Shockley

= ( 1)

Tenemos que

= 6 106

Entonces como IS<<ID

Concluimos que:

Derivando la ecuacin respecto de la polarizacin aplicada tenemos:

( )

=

Invirtiendo el resultado para definir una relacin de resistencia, se tiene:

= =

Nota:

En un sistema cerrado la temperatura comn para los componentes es de:

T = 27C+273 = 300K

Por lo tanto:

23
(1.38 10 )(300) = 25.875
= =
1.6 1019

26
Por lo tanto la resistencia dinmica para cada punto desde el

(26 )
=

Para valores de ID menores e iguales al del centro de la rodilla de la curva se

usa n=2, para valores pequeos ubicados debajo del centro de la rodilla de la
curva esta ecuacin se vuelve inapropiada.

Entonces la resistencia dinmica para cada punto de la curva (Vase el papel

milimetrado) la resistencia dinmica rD tomara los siguientes valores:

Para valores de ID ubicados en centro de la rodilla de la curva y por debajo de

ella:

a. Para ID=0.1mA

2(26 )
=
0.1
= 520

b. Para ID=0.2mA

2(26 )
=
0.2
= 260

c. Para ID=0.4mA

2(26 )
=
0.4
= 130

d. Para ID=0.8mA

2(26 )
=
0.8
= 65

d. Para ID=1.6mA

2(26 )
=
1.6
= 32.5
e. Para ID=2.5mA

2(26 )
=
2.5
= 20.8

f. Para ID=5mA

2(26 )
=
5
= 10.4

Para valores de ID ubicados por encima del centro de la rodilla de la curva

(n=1)

g. Para ID=8mA

(26 )
=
8
= 3.25

h. Para ID=10mA

(26 )
=
10
= 2.6

i. Para ID=12mA

(26 )
=
12
= 2.167

j. Para ID=15mA

(26 )
=
15
= 1.73
k. Para ID=20mA

(26 )
=
20
= 1.3

Resistencia dinmica para la regin de polarizacin inversa:

Para este caso no va haber resistencia dinmica pues como se puede observar
en los datos obtenidos:

(. ) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

(. ) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
(. ) 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0

La corriente ID es de 0A por lo cual tenemos que la resistencia es tan grande

que podemos decir que es infinito, comportndose el diodo como si fuese un
circuito abierto.

2. Construir el grfico = () con los datos de las tablas 5 y 6 (Ge).

Calcular la resistencia dinmica del diodo.

3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

En la primera tabla del diodo de silicio entendemos que en polarizacin

directa la resistencia es mucho menor a la polarizacin en inversa.
En la segunda tabla del diodo de silicio nos damos cuenta que el voltaje de
activacin en polarizacin directa es un promedio de 0.7v pero desde 0.4v
ya empieza a dejar pasar corriente.
En la tabla tres entendemos que en polarizacin inversa del diodo de silicio
el voltaje de ruptura supera los 20v.
En la cuarta tabla del diodo de germanio entendemos que en polarizacin
directa la resistencia es mucho menor a la polarizacin en inversa pero si
es ms conductible que el de silicio.
En la quinta tabla del diodo de germanio nos damos cuenta que el voltaje
de activacin en polarizacin directa es un promedio de 0.3v pero desde
0.15v ya empieza a dejar pasar corriente donde esa intensidad es llamada
de saturacin.
En la tabla tres entendemos que en polarizacin inversa del diodo de
germanio el voltaje de ruptura supera los 20v pero marca una pequea
intensidad llamada corriente inversa de saturacin.
4. Explicar los controles de operacin de la fuente DC utilizada.

Los controles de la fuente de alimentacin BK Precision 1730 son:

Tipo de corriente:
Switch On-Off:
Encendido y apagado de la fuente.
Switch High-Low :
High sirve para seleccionar el rango de intensidad de corriente alto.
El valor se lee en escapa de Amperios.
El rango Low sirve para baja corriente.
Para voltaje:
Perilla Coarse: Sirve para aumentar el valor de la diferencia de tensin en
cantidades mayores. El mover la perilla de su punto mnimo a su punto
mximo hace que pueda tener la corriente valores entre 0 y 30 Voltios.
Perilla Fine: Aumenta el valor del voltaje pero a nivel fino.
El movimiento total de la perilla puede generar que la tensin pueda tener
entre 0 y 10 voltios.
Para la corriente:
Coarse: Sirve para limitar la cantidad de amperios que pueden ser
suministrados a un circuito, su mnimo valor es 0 y su mximo valor es 5
Amperios.
5. Exponer sus conclusiones del experimento:

Con este experimento aprendimos el comportamiento del diodo de silicio

como de germanio aplicando una fuente de voltaje en polarizacin directa e
inversa.
Dndonos cuente su voltaje para su zona de activacin como de
saturacin.
Nos damos cuenta que el diodo de germanio es ms conductible que el de
silicio.
Que en voltaje de ruptura en ambos diodos supera los 20v.
Que la zona activa del diodo de sillico es u promedio de 0.7v.
Que la zona activa del diodo e silicio es un promedio de 0.3v.

VIII. BIBLIOGRAFA