UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
FACULTAD DE ING. ELECTRNICA,
ELCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

Francheska baca cayo

15190164

CURSO TEMA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
EL TRANSISTOR MONOUNION (UJT)
ELECTRNICOS

INFORME FECHAS NOTA

PREVIO REALIZACIN ENTREGA

NUMERO
27/06/2016
09 04/07/2016

GRUPO PROFESOR

2
ING. LUIS PARETTO QUISPE
LUNES DE 10 am 12pm
 Transistor (UJT).
Objetivos:

a. Verificar en forma estatica el estado operativo de un UJT.

b. Verificar y determinar las caractersticas de funcinamiento de un UJT.

Informacin bsica:
El transistor monounin: Es un tipo de transistor compuesto por una barra de silicio tipo
N o P en cuyos extremos se tienen los terminales Base 1 (B1) y Base 2 (B2). En un punto
de la barra ms prximo a B2 se incrusta un material de tipo P o N dando lugar al terminal
de emisor.

Smbolo de un Circuito equivalente de un transistor

UJT monounin tipo N

Cuando se polariza el transistor la barra acta como un divisor de tensin apareciendo

una VEB1 de 0,4 a 0,8v. Al conducir el valor de RB1 se reduce notablemente. Observa el
circuito equivalente.
Observando el circuito de polarizacin de la figura se advierte que al ir aumentando la
tensin Vee la unin E-B1 se comporta como un diodo polarizado directamente. Si la
tensin Vee es cero, con un valor determinado de Vbb, circular una corriente entre bases
que originar un potencial interno en el ctodo del diodo (Vk). Si en este caso
aumentamos la tensin Vee y se superan los 0,7v en la unin E-B1 se produce un
aumento de la corriente de emisor (IE) y una importante disminucin de RB1, por lo tanto
un aumento de VBE1. En estas condiciones se dice que el dispositivo se ha activado,
pasando por la zona de resistencia negativa hacia la de conduccin, alcanzando
previamente la VEB1 la tensin de pico (Vp).
Para desactivar el transistor hay que reducir IE, hasta que descienda por debajo de la
intensidad de valle (Iv).De lo anterior se deduce que la tensin de activacin Vp se alcanza
antes o despus dependiendo del menor o mayor valor que tengamos de tensin entre
bases VBB.

Se utiliza en circuitos de descarga en

generadores de impulso, circuitos de
bases de tiempos y circuitos de control
de ngulo de encendido de tiristores.

El encapsulado de este tipo de

transistores son los mismos que los de
unin.
Procedimiento:

DATOS PREVIOS:

= 0.655; = 4.7; = 9.1; 1 = 470; 2 = 68; = 2.2

= 20

Tabla 2: Sin disparo (P1 y P2 =0); Rbbmax.

Ie=0 A. Ve=0V.

20
= = = 2.075
1 + + 2 470 + 9.1 + 68

2 = 2 = 2.075 68 = 0.1411

1 = 1 = 20 (2.075 470) = 19.025

Valores Ve(V) Ie(mA) Vb1(V) Vb2(V) Ib1(mA)

tericos 0 0 19.025 0.1411 2.075

Tabla 3: Momento de disparo (P2=0); Rbbmin.

= = + 0.7 = 13.8

13.8
= = = 4.386
+ 2 0.655 4.7 + 68

2 = + 1

= 11 + 22 = 4701 + ( + 1)68 = 4701 + 681 + 68

68 20 68 4.386
= 1 = = 0.0366
538 538

1 = 1 = 20 0.0366 470 = 2.798

2 = 2 = 0.0366 68 = 2.4888

2 = + 1 = 4.386 + 36.6 = 40.986 = 1

13.8
= 11 1 = = = 336.700
1 40.986

Valores Ve(V) Ie(mA) Vb1(V) Vb2(V) Ib1(mA) P1 ()

tericos 13.8 4.386 2.798 2.4888 36.6mA 336.700
Conclusiones:

Se puede comprobar como el transistor proporcionara los momentos de disparo por momentos
especficos en el que variara la corriente y el voltaje emisor.
Asimismo tambin podemos ver que con la introduccin del potencimetro 1 se llegara al momento
de disparo con la variacin de este elemento.

Bibliografa:

http://www.unicrom.com/buscar.asp
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/electronic/unijun.html
http://es.slideshare.net/luznellygonzalez/exposicion-transistores
Boylestad- Fundamentos de circuitos elctrinocos.
Separatas de la clase de laboratorio y teora dispositivos electrnicos.