Instituto Politcnico Nacional

(IPN)
Escuela Superior de Ingeniera Mecnica y Elctrica
(ESIME)

Practica 4 : Transistor bipolar

Nombre: Pablo Ortega Javier.
Grupo: 5CM4
Profesor: Reyes Aquino Jos
Materia: Dispositivos
 TRANSISTOR BIPOLAR
OBJETIVOS.

1. Identificar las terminales del transistor bipolar

2. Comprobar el efecto transistor
3. Medir la corriente de fuga y su variacin con la temperatura
4. Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin base-emisor y de la unin colector-base
de un transistor bipolar de silicio de tecnologa plana
5. Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin de
emisor comn. Observar y reportar su variacin con la temperatura. Identificar las regiones
de operacin corte, saturacin activa y directa.
6. Contestar y entregar cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, graficas y
mediciones llevadas a cabo durante la realizacin de esta prctica.

MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO

- Osciloscopio de doble trazo y puntas de prueba

- Generador de seales
- Multimetro analgico o digital
- Resistencias: Cuatro de 1k y una de 100k
- Cuatro transistores de silicio NPN BC547
- Un transistor de germanio NPN AC127
- Pinza de punta, de corte y desarmador
- Cables: 6 caimn-caimn, 6 caimn-banana, 6 banana-banana
- Protoboard
- 4 puntas de prueba de osciloscopio

DESARROLLO EXPERIMENTAL

1. Identificar las terminales del transistor bipolar.

Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y si
este es NPN o PNP, sin embargo, se recomienda que siempre se consulten las hojas de
especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican cmo est ubicada las
terminales de emisor, colector y base.

En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicacin es correcta y que el

dispositivo est en buen estado.

2. Usar el multmetro en su funcin hmetro y aplicar la prueba conocida como prueba del
amplificador e identificar las terminales del transistor.
a) Use un multmetro analgico en su funcin de hmetro. Mida el efecto rectificante entre
las uniones emisor-base y colector-base (para el caso de un transistor NPN, cuando se
coloca el positivo de la fuente interna del hmetro en la base (P) y el negativo en
cualquiera de otras dos terminales deber medirse baja resistencia, al invertir esta
polaridad, la resistencia medida deber ser alta (use la misma escala del multmetro
 para la realizacin de estas pruebas). Entre las terminales de colector-emisor se
observar alta resistencia sin importar como se coloque la polaridad en las terminales
del hmetro. Con estas mediciones se comprueba la existencia de las uniones
rectificantes del transistor bipolar y el tipo de transistor NPN o PNP. Para distinguir la
terminal de colector de la de emisor, ser necesario aplicar la prueba del amplificador
o alguna otra que se proponga.
3. Otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo, es mediante el uso de
un multmetro digital que nos permita medir la beta del transistor. Esto es; elegimos en el
multmetro digital la funcin de medicin de la beta, colocamos las terminales del transistor
como creamos que estn correctas y midamos las betas, cuando el dispositivo est
correctamente colocado, la beta medida generalmente es grande (en la mayora de estos
casos mayor a 50), cuando no est bien colocado la beta que se mide es pequea (en la
mayora de estos menos a 20 y en algunos multmetros en esta situacin marca circuito
abierto).

- Comprobar el efecto transistor.

Se arm el circuito de la figura y se comprob el efecto transistor, en el cual se hace evidente la

inyeccin de portadores de la regin de emisor hasta la regin de colector, debiendo estar la
unin emisor-base polarizada directa, independientemente de la polarizacin que se presente en
la unin colector-base. Se comprob que el valor de la corriente medida en el colector,
prcticamente es igual a la que se tiene en el emisor.

IC= 0.9 A
 - Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.

Al igual que en los diodos (uniones rectificantes) se tuvo la presencia de corriente de fuga
(generadas por los portadores minoritarios), en los transistores bipolares tambin se presentan, de
tal forma que si polarizamos inversamente en cualquier par de terminales del transistor, se podrn
medir estas corrientes. Segn el par de terminales que se elija, la corriente tendr valores diferentes
aunque del mismo orden de magnitud, es importante recordar que estas corrientes son muy
pequeas comparadas con las corrientes de operacin del dispositivo y que adems para el caso
de silicio son mucho menores que para el germanio. En la expresin matemtica que se una para
la corriente de colector del transistor bipolar, se presenta el trmino ICBO=ICO, conocido como
corriente de saturacin inversa colector-base con el emisor abierto.

En la figura se propone un circuito para medir esta corriente y observar como vara con la
temperatura. Para esta medicin se us el transistor de germanio AC127.

ICBO=ICO= 0.001 A a temperatura ambiente

ICBIO=ICOI= 0.003 A a temperatura mayor que la ambiente

Para lograr que la temperatura fuera mayor a la del ambiente, se acerc un encendedor al
transistor bipolar por cinco segundos.

- Observar y medir el voltaje de ruptura en la unin base-emisor y de la unin colector-base

de un transistor bipolar de tecnologa plana

Se arm el circuito de la figura y se obtuvo la curva del diodo emisor-base, posteriormente se

desconect el emisor, se conect el colector y se obtuvo la curva del diodo colector-base. Se us
seal senoidal con voltaje pico entre 10 y 12 V y frecuencia entre 60 y 1KHz.
 VEB= 3.86 V
VCB= 3.67 V
VEC (conectado en emisor)= 0.47 V
VEC (conectado en colector)= 3.3 V

- Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin de

emisor comn. Observar la variacin con el voltaje colector-emisor.

Se arm el circuito propuesto en la figura, el cual permite obtener el comportamiento de la unin

emisor-base del transistor bipolar y se observ su variacin con el voltaje de colector-emisor.
 Valores medidos de corriente en la base para los diferentes voltajes de base-emisor

Vbe(V) medido Vbc(V) medido Vbe(V) medido

sobre la curva del sobre la curva del sobre la curva del
diodo emisor- diodo emisor- diodo emisor-
base cuando base cuando base cuando
Vce=0V Vce=1.2V Vce=5V

3.578 V 4.056 V 0.364 V

6.6.1.-Armar el circuito de la figura 6.7 y obtener una a una las curvas caractersticas de salida del
transistor bipolar en emisor-comn, para diferentes corrientes en la base.

Figura 6.7.- a) Circuito propuesto para obtener las curvas caractersticas de salida del transistor
bipolar.
b) Ejemplo de las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar ubicando las
regiones de corte, saturacin y activa directa.

Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje colector-emisor
solicitados en la tabla 6.2, elija los valores adecuados para la corriente de base, tal que la IB1
haga que el transistor bipolar trabaje en la regin de corte, los valores de IB2 y IB3 lo hagan
trabajar en la regin activa directa (de amplificacin) y la corriente IB4 lo lleve a la regin de
saturacin.
 Tabla 6.2

Medir los valores de corriente de colector Ic (mA), para cada uno de

los valores de voltaje colector-emisor abajo indicados (use la curva
Corriente que se obtiene en el osciloscopio para cada uno de los diferentes
en la base valores de la corriente de base).
( A )
Vce = Vce = Vce =
Vce = 0 Vce=8V Vce=10V Vce=12V
2V 4V 6V

IB = 0 mA 315mA 785mA 870mA 880mA 880mA 880mA

Figura 6.8.- Curva caracterstica de salida en configuracin de emisor-comn para el transistor

bipolar a dos diferentes temperaturas y considerando la corriente en la base
constante.

6.6.3.- Usando el accesorio trazador de curvas para osciloscopio, tal como se indica en la figura
6.9, obtenga la familia de curvas caractersticas de salida del transistor bipolar, dibjelas en
la figura 6.10.

Al ubicar el punto de referencia para nuestras curvas (0, 0), la primera curva corresponder a la
corriente de base cero, por lo que si elegimos incrementos de corriente de base de 10 A,
entonces la segunda curva que se observara corresponder a una corriente de base de 10 A, la
tercera a una corriente de base de 20 A, la cuarta a una corriente de base 30 A y as
sucesivamente. Usted puede elegir la corriente de base que sea adecuada a su dispositivo y que
le permita observar las seis graficas que s pueden tener con el trazador de curvas.
Figura 6.9.- Forma en que se debe usar el accesorio trazador de curvas para el osciloscopio,
para obtener la curva caracterstica de salida del transistor bipolar.

Figura 6.10.- a) Ejemplo de una familia de curvas caractersticas de salida (VI) del transistor
bipolar.
b) Familia de curvas caractersticas del transistor bipolar que se obtiene usando el
trazador de curvas.

CUESTIONARIO:

6.7.1.-Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual la unin emisor base este
polarizada directamente y la unin colector base presente polarizacin cero.
6.7.2.- Determine el valor de para las lecturas que se realizaron en el circuito de la figura 6.2.

Indica la relacin entre las corrientes de colector y emisor, su valor es algo inferior a la unidad

6.7.3.- Escriba la expresin matemtica que se usa para determinar el aumento de la corriente de
fuga en una unin rectificante cuando aumenta la temperatura, hgalo tanto para el caso del
silicio como para el germanio.

R=Los transistores presentan ciertas corrientes de fuga, debidas al efecto de los portadores
minoritarios. Una de las corrientes de fuga se designa (La letra significa intensidad de
corriente, representa la unin colector-base, y indica que el emisor est abierto.) Esta
corriente es la que atraviesa la unin colector-base en condiciones de polaridad inversa y con el
terminal del emisor abierto. Otra corriente de fuga es ( significa intensidad de corriente,
representa la unin colector-emisor, y indica que el emisor est abierto.) Esta corriente de fuga
es la ms intensa; es una forma amplificada de

Con el terminal de base abierto, toda corriente que se infiltre a travs de la unin colector-base
polarizada inversamente producir sobre la unin base-emisor el mismo efecto que una corriente
base aplicada externamente. Con el terminal de base abierto, la corriente de fuga no puede
seguir otro camino. Esta fuga la amplifica el transistor como cualquier corriente de base:

En los transistores de silicio, las corrientes de fuga son muy dbiles. Los transistores de germanio
tienen unas corrientes de fuga mucho ms intensas, lo que posiblemente se manifieste en una
resistencia inversa elevada, pero no infinita.
6.7.4.-Defina que otras corrientes de fuga pueden obtenerse entre las terminales de un transistor
bipolar e indique con que literales se conocen.

R=

1) La tensin inversa colector-base con el emisor abierto (UCBO).

Suele ser elevada (de 20 a 300 voltios) y provoca una pequea corriente de fugas (ICBO).

2) La tensin inversa colector-emisor con la base abierta (VCEO).

Tambin provoca una corriente de fugas (ICEO).

6.7.5.-Proponga un circuito que permita obtener la corriente de fuga en la unin emisor base con
el colector en corto circuito.

6.7.6.- De qu orden es el voltaje de ruptura de voltaje colector en el transistor de silicio BC547?

R=La VCES define la tensin mxima del colector, estando la base en cortocircuitada al emisor,
antes de que la anchura de la regin de transicin alcance el emisor perforando la regin de
base.

Grficamente, en la figura 1.7 se muestra la definicin de ambas tensiones. El transistor BC547 tiene
VCES=50 V, y es una de las tensiones mximas de alimentacin.

6.7.7.-A partir de la tabla 6.2 obtenga las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en
emisor comn.
6.7.8.-Proponga el circuito equivalente de parmetros h para el transistor bipolar en emisor comn
y defina cada uno de los parmetros.

R= El modelo hbrido o equivalente hbrido del transistor es un modelo circuital que combina
impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de all el nombre de hbrido.

La obtencin de los parmetros hbridos involucrados dentro del modelo se hace en base a la
teora de cuadripolos o redes de dos puertos.
La sustitucin del smbolo BJT por su modelo hbrido durante el anlisis en c.a. permite la obtencin
de ciertos valores de inters como son: La ganancia de voltaje, ganancia de corriente,
impedancia de entrada y la impedancia de salida.
Estos valores dependen de la frecuencia y el smbolo circuital por s solo no considera este
aspecto, de all la utilidad del modelo hbrido quien si lo considera
NOTA: Los parmetros h, se denominan parmetros hbridos y son componentes de un circuito
equivalente de un circuito equivalente de pequea seal que se describir en breve. Los
parmetros que relacionan las cuatro variables de denominan parmetros h debido a la
palabra hbrido. El parmetro hbrido se seleccion debido a la mezcla de variables V e I en
cada ecuacin, ocasiona un conjunto hbrido de unidades de medicin para los parmetros h
Una red de dos puertos en general, se describe por el siguiente juego de ecuaciones:
La variables involucradas dentro de la red son vi, ii, v0 e i0 y los parmetros que relacionan estas
variables son los parmetros hbridos, h.

6.7.9.-A partir de las curvas caractersticas que se obtienen en el punto 6.7.7 obtenga los
parmetros hoe, hfe para la grfica que obtuvo con la corriente de Ib3 y un Vce=4V.

R=

6.7.10.-Para la familia de curvas que obtuvo con el trazador de curvas determine el valor de la hfe
en los puntos en que Vce=4v y Vce=6v.
6.7.11.- Cuando la corriente en la base es cero, cunto debe valer la corriente de colector?

R= Cero, debido a que la corriente de colector es proporcional a la corriente de base.

6.7.12.- Usando los datos de la tabla 6.1, obtenga las curvas caractersticas de entrada del
transistor bipolar en emisor comn.

6.7.13.- Determine los parmetros hbridos hie y hre usando las grficas del punto 6.7.12, para una
corriente de base de 40A.

R=
 POLARIZACION, REGIONES DE OPERACIN Y CIRCUITOS REGULADORES CON
TRANSISTORES BIPOLARES

INTRODUCCION TEORICA

TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR

El transistor de union bipolar esta formado por 3 capas de silicio (o de germanio) de gran pureza, a
las cuales se han aadido pequeas cantidades de boro (tipo p) o de fosforo (tipo n). El limire
entre cada capa forma una union, que solo permite el flujo de corriente desde p hacia n. Las
conexiones a cada capa se efectuan evaporando aluminio sobre la superficie. El revestimiento de
dioxido de silicio protege las superficies no metalicas. Una pequea corriente que pasa a traves de
la union base-emisor genera una corriente entre 10 y 1000 veces supeior entre el conductor y el
emisor. (Las flechas muestran una corriente positiva. No deben tomarse literalmente los nombres
de las capas). El transistor de union tiene numerosas aplicaciones, que van desde los detectores
electronicos sensibles hasta los amplificadores de alta fidelidad de gran potencia. Todos ellos
dependen de esta amplificacion de corriente.

EQUIPO PROPORCIONADO POR EL LABORATORIO

Multimetro digital.

Fuente de voltaje c.d. (variable).

Material:
o 2 diodos transistores de silicio npn BC547.
o 2 resistencias de 2.2 K, 2 de 1 K, 100 K, 4.7 K, 330, 220, 100, 820 K, 880 .

1 Transistor TIP 41.

1 diodo zener.

Desarrollo de la prctica

Para el buen desarrollo experimental de esta prctica y la obtencin de los objetivos de la misma,
ser requisito indispensable que el alumno presente por escrito, en forma concisa y breve: el
anlisis, funcionamiento, operacin y comportamiento matemtico de cada uno de los circuitos
propuestos.

El profesor deber revisar que el alumno cumpla con la tarea previa marcada en el punto anterior,
as como se indica en el desarrollo de esta prctica, de no satisfacer estas indicaciones el alumno
no tendr derecho a quedarse en el rea de laboratorio y se le considera como falta de
asistencia al mismo.

1.- Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) del circuito de polarizacin con divisor de
voltaje independiente de beta para el transistor y comparar estos valores con los calculados
tericamente. Observar, medir y reportar como se modifica el punto de operacin cuando se
usan transistores de diferente beta.

Armar el circuito de polarizacin independiente de la beta, el cual se muestra en la figura 7.1,

medir los valores de voltaje y corriente que se solicitan en la tabla 7.1 y compararlos con los valores
calculados tericamente (el alumno antes de realizar esta prctica deber haber calculado los
valores de voltaje y los resultados debern anotarse en la columna correspondiente a la tabla 7.1).

Estas mediciones se realizaran con dos transistores BC547 con el fin de comparar el punto de
operacin en cada caso y comprobar si efectivamente este circuito depende o no del valor de la
beta que tenga el transistor (en los transistores bipolares aun teniendo el mismo nmero de
fabricacin, el valor de la beta no siempre estn independientes de la beta de polarizacin que
sean independientes de la beta de polarizacin que sean independientes de la beta me
polarizacin que sean independientes de la beta, como es el caso que nos atae).

1.1.-Colocar el transistor 1 (con beta 1) y realizar las mediciones indicadas, luego quitar este y
colocar el transistor 2 (con beta 2) y repetir las mediciones, llenar la tabla con estos valores.

Figura 7.1 circuito con divisor de voltaje independiente de beta.

 Valor Valor medido en Valor medido en
Parmetro a medir tericamente el laboratorio para el laboratorio para
calculado transistor 1 transistor 2

V CE (V) 11.7 v 10.24 v 8.95 v

V BE (V) .592 v 0.583v 81mv

V CB (V) 11.17 v 9.67 v 8.15 v

I B (uA) 5.85uV 6uV 1Ma

I C (mA) 1.106.mA 1.12mA 3mA

IE (ma) 1.11mA 1.106mA 2mA

BETA 189 186 178

2.0.- Observar y distinguir el comportamiento del transistor bipolar en sus tres regiones de
operacin, corte, activa directa y saturacin. Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin)
en cada una de estas regiones.

2.1.- Armar el circuito de la figura 7.2 y variar el voltaje de la fuente VBB, para llevar el transistor a las
diferentes regiones de operacin ((Corte, activa directa y saturacin), medir los valores de voltajes
y corrientes (punto de operacin) para las tres regiones de trabajo, llenar la tabla 7.2 en la que se
ha indicado los valores aproximados de las corrientes del colector que se debe tener en la regin
de corte y voltaje de colector emisor para las regiones de saturacin y activa directa.
Figura 7.2 Circuito propuesto para llevar transistor bipolar a trabajar en sus diferentes regiones de
operacin. El diodo LED se usa para observar visualmente estas regiones (el LED estar apagado
cuando el transistor este en la regin de corte, el LED presentara poca intensidad luminosa en la
regin activa directa y mayor intensidad luminosa cuando se encuentre en la regin de
saturacin.

REGION DE
V CE (V) V BE (V) V CB (V) IB (uA) IC (mA)
OPERACIN

REGION DE
15 1.74 1.25 0 0
CORTE

REGION
ACTIVA 14.9 6.73 6.25 1.766 1.77
DIRECTA

REGION DE
14.8 11.12 10.61 1.50 1.65
SATURACION

3.1.-Armar el circuito regulador de corriente con transistor bipolar que se muestra en la figura 7.3,
realizar las mediciones de voltaje y corriente a la salida necesarios para llenar la tabla 7.3, ajustar el
potencimetro de 10 k, de tal manera que cuando la carga est en corto circuito la corriente que
se lea sea de 30 mA, la variacin de la resistencia del potencimetro entre cero y 10 k, permite
que la corriente en el emisor del transistor (corriente regulada y por consecuencia en la carga
RL, vare entre 50 mA y 0.5 mA aproximadamente. Habiendo ajustado el potencimetro de 10 k
al valor necesario para que la corriente y voltaje para las diferentes resistencias de carga y
observar para que valores de la RL se mantiene la regulacin.
 Figura 7.3 Circuito regulador de corriente con transistor bipolar.

Valores de corriente y voltaje en la salida del regulador, medidos para diferentes valores de R L a
una corriente regulada de 30 mA

Valor de la
resistencia de 1000 560 220 150 100 56 10 0
la carga

voltaje(V) 12.19 11.07 6.94 4.783 3.184 1.764 0.315 0.002

corriente (mA) 12.2 20.4 32 31.9 31.9 31.8 31.6 31.5

3.2.-Armar el circuito regulador de voltaje con transistores bipolares que se muestra en la figura 7.4,
realizar las mediciones de voltaje y corriente, necesarias para llenar la tabla 7.4 ajustar el valor del
potencimetro 10 K para que el voltaje sea de 10 V, cuando la carga est en circuito abierto (R L=
infinito). La variacin de la resistencia del potencimetro entre cero y 10 K, permite que el voltaje
de salida o voltaje regulado (en RL), vare entre 6.7 y 13.72 V aproximadamente, habiendo
ajustado el valor de la resistencia del potencimetro de 10 K para que el voltaje regulado sea de
10 V, realizar los cambios de resistencia de carga y observar para que los valores de la R L se
mantiene la regulacin

DESARROLLO

Se armo el siguiente circuito:

 SIMULACION
Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 100K.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 1K.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 4.7K.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 880.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 330.

Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 220.

 Para el voltaje y la corriente en la resistencia de 100.

Para infinito.

MEDICIONES DE LA SIMULACION

Valor de la
resistencia Infinito. 100 K 4.7 K 1K 880 330 220 100
de carga.

Vs(V) 9.88V 9.88 9.88 9.87 9.87 9.86 9.86 9.83

I s(A) 0 98.83 .0021 .009 .0112 .023 .044 .098

Para el reglador de voltaje de la figura 7.4, medimos los valores de resistencia de carga mnima y
mxima se mantiene el voltaje a la salida prcticamente sin variar.
Valores de corriente y voltaje en la salida prcticamente sin variar.
Estos son los valores de corriente y voltaje en la salida del regulador de voltaje, medidos para
distintas resistencias de carga en un voltaje de salida regulado de 10 V.

Valor de la
resistencia Infinito. 100 K 4.7 K 1K 880 330 220 100
de carga.

Vs(V) 9.98 9.98 9.98 9.96 9.93 9.9 9.85 9.63

I s(mA) 0 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 1

4.0.- Reportamos los datos mediante estas graficas, y las mediciones se reportan en la tabla
anterior.

12

10

6 Vs(v)
Is(mA)
4

0
infinito 10 k 4.7k 1k 560 330 220 100
 CIRCUITO ARMADO

Variacin de la resistencia del potencimetro de entre 0 y 10 k, permite que el voltaje en la salida

o voltaje regulado (en RL), vari entre 6.7 y 13.72 V, aproximadamente.

Voltaje y corriente cuando el valor en la resistencia es de 10K.

Voltaje y corriente cuando el valor en la resistencia es de 100 .

CONCLUSIONES

Para el desarrollo de esta prctica en primer lugar fue necesario que revisramos el valor de la de
la beta de los transistores de prueba por lo que nos percatamos de que nuestros transistores
equivalentes no eran npn, sino pnp por lo que el anlisis como se indica en la introduccin terica
lo hicimos conectando inversamente las fuentes con respecto a los circuitos de la practica
(diseados para npn).
Habiendo visto lo anterior procedimos a iniciar el armado del primer circuito, el cual tena la
finalidad de mostrarnos que para esa configuracin, las betas de los transistores son
independientes. Al comparar las mediciones de la tabla 7.1 vemos que los valores tienen
variaciones importantes y considerables, estos tericamente deberan ser despreciables, sin
embargo en la prctica suceden por diversos factores como el medio, la temperatura aunada a
los posibles errores de paralaje humanos en las mediciones.
A continuacin hicimos el anlisis para el segundo circuito propuesto cuyo propsito era el llevar el
transistor a sus diferentes regiones (corte, saturacin y activa directa) para poder as medir el punto
de operacin voltaje y corriente). Y pudimos observar que para las 3 regiones la corriente de
colector era superior a la corriente de base excepto para la regin de saturacin que el efecto
era inverso. Tambin observamos que para los tres casos el voltaje registrado entre el colector y la
base era mayor al registrado entre el emisor y el colector y muy superior en los casos de la regin
activa directa y de saturacin.
Para el tercer circuito que se trataba de un regulador de corriente y al hacer variar la resistencia
de carga pudimos ver que la regulacin se mantena o por lo menos tenia variaciones muy
pequeas para los valores de 100, 5, y 10 ohm, es decir a medida de que las variaciones entre
resistir y resistor se hacan ms pequeas la regulacin se estandarizaba.
Por ltimo armamos el circuito regulador de voltaje, el cual pudimos observar que no era tan
sensible como el regulador de corriente puesto que aunque las variaciones hmicas de un resistor
a otro fueran considerables la regulacin se mantena con un error del +-3%
As que en esta prctica pudimos comprender la manera de llevar un transistor a sus diferentes
tipos de regiones, y observar su efectividad como regulador ya sea de corriente o de voltaje.