Estructura cristalina de los

materiales

Introduccin

M.C. AURORA HERNNDEZ QUINTERO

Materiales e ingeniera
Cuando el ingeniero
cambia uno de los
tres aspectos,
cualquiera de los
otros tambin se
ver alterado
 Estructuras cristalinas
La estructura cristalina no es ms que un
concepto creado para describir la forma como
estn organizados los tomos en un material.
Muchas de las propiedades de los materiales
se explican a partir de la estructura cristalina
que posea el material.

Al nmero ms pequeo de puntos de red que

representan el ordenamiento de todos los
tomos del material se le llama celda unitaria.
 Los materiales reales son tridimensionales, por lo
que las celdas unitarias que representan su
estructura cristalina tambin son tridimensionales.

Hasta el momento, solamente se han identificado

catorce tipos diferentes de celdas unitarias
agrupadas en siete sistemas cristalinos. Conocidas
como redes de Bravais.
 Los slidos pueden clasificarse por su
ordenacin:

Slidos amorfos: tienen una estructura

desordenada. Sus tomos o molculas
se colocan de manera aleatoria (Ejemplo:
el vidrio)

Slidos cristalinos: Estn constituidos

por una ordenacin tridimensional de
unidades (tomos o molculas) muy bien
definida, formando cristales.
SC BCC FCC
Parmetros de red.- describen el tamao y la forma
de la celda unitaria incluyen las dimensiones de las
arista de la celda unitaria y los ngulos entre estas.
Tabla 1. Caractersticas de los siete sistemas cristalinos
Cantidad de tomos por celda unitaria.- Cada
una de las celdas unitarias se define con una
cantidad especfica de puntos de red, en cada
punto de red se encuentra un tomo.

Tomando en cuenta estos punto de red (tomo) se

encuentra compartido por ms de una celda
unitaria. Un punto de red en un vrtice de una
celda unitaria est compartido con siete celdas
unitarias adyacentes.
Los vrtices equivalen a 1/8 de un punto, las caras a y
las posiciones centradas en el cuerpo contribuyen con un
punto completo.
Ejercicio:

Calcule la cantidad de puntos de red por celda en

los sistemas cristalinos cbicos . Si solo hay un
tomo en cada punto de red, Calcule la cantidad
de tomos por celda unitaria.

a)SC b) BCC c) FCC

Radio atmico versus parmetro de red.- Al
determinar geomtricamente la longitud de la
direccin con base a los parmetros de red, y a
continuacin incluyendo el nmero de radios
atmicos a lo largo de esta direccin se puede
determinar la relacin que se desee.
Numero de coordinacin .- cantidad de tomos que tocan a
determinado tomo, o sea la cantidad de vecinos ms
cercanos a ese tomo.

Ilustracin de los nmeros de coordinacin de celdas

unitarias a) SC b) BCC
Imperfecciones
 Introduccin.
Alguna vez te has preguntado que hace que un cristal de
rub sea rojo y otro azul? Qu hace al acero mucho
ms duro y resistencia que el hierro puro? La respuesta
es sencilla es el arreglo de los tomos o de los iones
de los materiales diseados.
Los arreglos de estructuras cristalinas siempre tienen
defectos:
1. Tienen un efecto sobre las propiedades de los
materiales
2. En muchas aplicaciones es til, sin embargo en otras se
trata de minimizar.
3. Se dividen en tres tipos: puntuales; lineales y
superficiales.
 Defectos Puntuales.
Son interrupciones localizadas en arreglos atmicos o
inicos.
Esta alteracin afecta una regin donde intervienen
varios tomos o iones en una estructura cristalina.
Se pueden introducir por ello movimiento de los
tomos o iones al aumentar la energa por el
calentamiento, por el procesamiento, por la
introduccin de impurezas o por dopado.
Hay seis tipos de defectos puntuales: vacancia; tomo
intersticial, tomo de sustitucin pequeo; tomo de
sustitucin grande; defecto de Frenkel y defecto de
Scottky.
 Tipo 1: Vacancia.
Es cuando faltan un tomo o ion en su sitio normal de la
estructura cristalina.

Recordemos que cuando faltan tomos o iones aumenta el

desorden normal o entropa del material, que a su vez, aumenta
la estabilidad termodinmica de un material cristalino.

Todos los materiales cristalinos tienen defecto de vacancia.

Se introducen a los metales y aleaciones durante a

solidificacin, a temperaturas elevadas o como consecuencia de
danos por la radicacin.

Juegan un papel importante en la determinacin de la rapidez

con la que se pueden mover los tomos o iones.
Formula para calcular vacancia.
 Tipo 2: Intersticial.
Se forma cuando se inserta un tomo o ion
adicional en la estructura cristalina, normalmente
una posicin desocupada.

Los tomos intersticiales son mucho menores que

los tomos que estn en los puntos de la red,
pero son mayores que los sitios intersticiales que
ocupa.

En consecuencia, la regin cristalina vecina esta

comprimida y distorsionada.
 Tipo 3 y 4 : Sustitucional de tomo
pequeo o tomo grande:
tomo/Ion es sustituido con un tipo distinto de
tomo o ion.

Estos tomos sustitucionales ocupan el sitio mayor de

la red: cuando son mayores se reducen los espacios
interatmicos y viceversa cuando son menores.

Estos defectos pueden introducir de forma de una

impureza, de una adicin deliberada en la
aleacin. Una vez introducidos, la cantidad de
defectos es relativamente independiente de la
temperatura.
 Tipo 5: De Frenkel.
Un par vacancia-intersticial cuando un ion salta
de un punto normal de red a un sitio intersticial,
dejando atrs una vacancia.
 Tipo 6: De Schottky.
Las vacancias se presentan en un material con
enlaces inicos donde debe faltar un nmero
estequiometrico de aniones y cationes en el
cristal si se quiere conservar la neutralidad
elctrica.
 Defectos Lineales.
Las dislocaciones son imperfecciones lineales en
un cristal que de otra manera seria perfecto.
Se suelen introducir en cristal durante la
solidificacin del material o cuando el material se
deforma permanentemente.
Aun qu en todos los materiales incluyendo
cermicos y polmeros, hay dislocaciones.
Se pueden identificar tres clases de dislocaciones:
de tornillo, borde y mixta.
 Tipo 1: De tornillo.
Se puede ilustrar haciendo un corte parcial en
un cristal perfecto torciendo ese cristal una
distancia atmica.
Si se continuara la rotacin se describira una
trayectoria espiral.
El eje o lnea respecto al cual se traza la
trayectoria, es la dislocacin de tornillo.
 Tipo 2: De borde o arista.
Se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal
perfecto abriendo el cristal y llenando en parte el corte con
un plano adicional de tomos.
La orilla inferior de este plano insertado representa la
dislocacin de borde.
El vector necesario para cerrar el circuito es el vector de
Burgers.
Al introducir la dislocacin, los tomos que estn arriba de la
lnea de dislocacin estn muy comprimidos entre s,
mientras que los de abajo estn muy distendidos.
A diferencia de una dislocacin de borde o arista, una de
tornillo no se puede visualizar como un semiplano adicional
de tomos
 Tipo 3: Mixtas.
Tienen componentes de bordes y de tornillos con una
regin de transicin entre ella.
Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin del
vector de Burgers a un cristal que contenga una
dislocacin, esta se puede mover rompiendo los enlaces
de los tomos en un plano.
El plano de cortes se desplaza un poco para establecer
enlaces con el plano parcial de tomos originales.
Ejemplo: Otra forma de visualizarlo, es imaginar cmo se
movera una onda en una alfombra si tratramos de
eliminarla aplanndola en lugar de levantar la alfombra.
 Deslizamiento.
Es el proceso por el que se mueve una dislocacin
y se hace que se deforme un material metlico.
La direccin en la que se mueve la dislocacin es
la direccin de deslizamiento.
Durante el deslizamiento, una dislocacin se
mueve desde un conjunto de entornos hasta otro
conjunto idntico de entornos.
 Defectos superficiales.
Son imperfecciones de la estructura cristalina
ubicadas en un rea del material.
Los principales defectos son la misma superficie
y las fronteras de los granos.
 La superficie del material es un defecto de
estructura porque se rompe con la simetra de los
tomos entrelazados, estos tomos tienen enlaces
qumicos no completos, lo cual los hace ms
reactivos qumicamente del resto de los tomos.

Cada tomo en la superficie ya no tiene el nmero

adecuado de coordinacin y se interrumpe el
enlazamiento atmico. Los limites de grano
representan una barrera para detener el
movimiento de dislocaciones .
 La superficie exterior tambin puede ser apera,
contener muescas diminutas y ser mucho ms
reactiva que el interior del material.
Ejemplo: la oxidacin de metales, ya que estos
presentas estructuras policristalinos los
tomos no llegan a completar sus enlaces.

Falla de apilamiento.- Se presentan en los metales

FCC, representa un error en la secuencia de
apilamiento de los planos con empaquetamiento
compacto
Limite de maclas.- es un plano a travs del cual hay
una desorientacin especial de imagen especular
de la estructura cristalina. Las maclas pueden
producirse cuando una fuerza cortante, que actan
a lo largo del limite de macla, hace que los tomos
se deslicen de su posicin.
 Problema 1
Calcule la concentracin de vacancias en cobre a
temperatura ambiente (25C).A que temperatura
ser necesario calentar el cobre (FCC) para que la
concentracin de vacancias obtenidas sea 1000
veces mayor que la concentracin a temperatura
ambiente? Suponga que se requiere 20, 000 cal
para producir un mol de vacancias en el cobre.

Datos :
Radio atmico del Cu: 1.28 Angstrm
 Problema 2
Determine la cantidad necesaria de vacancias para
que un cristal de hierro BCC tenga una densidad de
7.87 g/cm3. El parmetro de red del hierro es
2.866x10-8 cm.

Datos adicionales:
Masa atmica: 55.847 g/mol.
 Problema 3:
El litio BCC tiene un parmetro de red de
3.5089 x 10-8 cm y contiene una vacancia por
cada 200 celdas unitarias. Calcule:
a) el nmero de vacancias por centmetro cbico
b) la densidad del litio
 Problema 4

La densidad del potasio, que tiene una estructura

BCC, es 0.855 g/ cm3. Su masa atmica es 39.09
g/mol. Considerando los datos anteriores,
calcular: (a) el parmetro de red
B) el radio atmico del tomo.
 Problema 5
El radio atmico del nquel FCC es 1.243 .
Calcular: a) el parmetro de red y b) la
densidad del nquel, si se sabe que la masa
atmica del nquel es de 58.71 g/mol.
Movimientos de tomos
 Difusin.
Es el movimiento de los tomos en un material. Los
tomos se mueven de una manera predecible, tratando
de eliminar diferencias de concentracin y de producir
una composicin homognea y uniforme.

La capacidad de los tomos y de las

imperfecciones para difundirse
aumenta conforme se aumenta la
temperatura, o los tomos
incrementan su energa trmica.
Para que es necesario la difusin:
Tratamiento trmico de los materiales,
Manufactura de cermicos.
Solidificacin de los materiales.
Fabricacin de transistores y celdas solares.
Conductividad elctrica de muchos cermicos.
 Mecanismos de la difusin

El desorden que crea las vacancias (mayor

entropa) ayuda a minimizar la energa libre y , en
consecuencia, la estabilidad termodinmica de un
material .

En materiales que contienen vacancias, los

tomos se mueven o saltan de una posicin en la
red a otra , este proceso se llama auto difusin.
 Mecanismos de la Difusin
Existen 2 tipos de mecanismos de difusin:
1. Mecanismo de difusin por vacantes o sustitucional.
En la auto difusin y en la difusin de tomos sustitucionales,
un tomo deja su sitio de red y llena una vacancia cercana. Al
continuar la difusin se forma flujos de tomos y vacancias a
contra corriente a lo que se llama difusin de vacancias. La
cantidad de vacancias que aumenta con la temperatura, ayuda
a determinar el grado de auto difusin y tambin de difusin de
tomos sustitucional.
Las vacantes en los
metales son defectos
en equilibrio, y por ello
algunos estn siempre
presentes para facilitar
que tenga lugar la
difusin sustitucional
de los tomos.
 2.-Mecanismo de difusin intersticial.
Este mecanismo no requiere vacancias, en parte porque
hay mucho ms sitios intersticiales que vacancias.

Para que el mecanismo intersticial sea efectivo, el tamao

de los tomos que se difunde debe ser relativamente
pequeo comparado con el de los tomos de la matriz.
 Energa de Activacin (Q) en la difusin.
Un tomo que se difunde debe oprimir o forzar a los
tomos que lo rodean en su para para alcanzarse
nuevo sitio. Para que esto suceda , se debe
sumistrar energa.
Se requiere menos energa para forzar un
tomo intersticial a travs de los tomos que
lo rodea, las energas de activacin son
menores que para la difusin de vacancias.
Velocidad de difusin (Primera ley de Fick )
La velocidad con que se difunde los tomos , iones,
partculas u otras especies en un material se puede
medir con el flujo J.
El flujo J se define como la cantidad de tomos que
atraviesan un plano o un rea unitaria por unidad
de tiempo . La primera ley de Fick explica el flujo
neto de tomos:
D.- es la difusividad o coeficiente
de difusin (cm2/s).
dc/dx.- es el gradiente de
concentracin (tomos/cm3.cm)
Dependiendo del caso, la concentracin se puede
expresar en porcentaje de tomos, peso, molar,
fraccin molar y tomos.

El signo negativo indica que el flujo de las especies

que se difunden es de concentraciones mayores a
menores, haciendo que el signo de dc/dx sea
negativo en consecuencia, J es positivo.
Gradiente de concentracin.- El gradiente de
concentracin indica la forma en que la
composicin del material varia en funcin de la
distancia: c es la diferencia de concentracin a
travs de la distancia x.
El flujo a determinada temperatura slo es
constante si el gradiente de concentracin tambin
lo es, esto es, si la composiciones a cada lado del
plano permanecen invariables.

Sin embargo, en muchos casos reales esas

composiciones varan, a medida que los tomos se
redistribuyen y, e consecuencia, tambin cambia el
flujo.

Con frecuencia se observa que el flujo al principio

es alto y despus decrece en forma gradual, a
medida que la difusin reduce al gradiente de
concentracin.