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Simulacin de circuitos

micro/bit

Modelado funcional para Spice del C.I.


TCA785

EDICIONES TCNICAS REDE


TCNICAS
Diciembre 2001 1
Simulacin de circuitos

Modelado funcional para Spice


del C.I. TCA785
Ignacio Bravo1, Ral Pieiro, Marta Marrn1, Miguel A Sotelo1, Emilio Bueno1

Departamento de El TCA785 es un circuito integrado del C.I. para su uso mediante el simu- gn su criterio, debe estimar el gra-
Electrnica de la de control de fase desarrollado por lador Pspice [1], ste debe plantear- do de complejidad del modelo a rea-
Universidad de Alcal Siemens y posterior al TCA 780 y TCA se que tipo de modelado cubrir sus lizar en funcin del objetivo a conse-
E-mail: 780D. Debido a las caractersticas de necesidades y que inconvenientes guir. Es importante recordar que esta
{ibravo,marta,sotelo} las seales que es capaz de propor- presentar. complejidad marca el grado de fiabi-
@depeca.alcala.es cionar es ideal para controlar el dis- lidad de la posterior simulacin.
paro de los dispositivos de potencia. Necesidad de modelar
Aunque su uso es muy variado y el C.I. 785 Modelos de Comportamiento
abarca un amplio nmero de aplica- Definen un componente o cir-
ciones dentro del mundo de la elec- Debido a las limitaciones de la cuito mediante su funcin de trans-
trnica, sus caractersticas hacen de versin de evaluacin para PSpice la ferencia independientemente de su
l un candidato inmejorable para for- complejidad que introducen mode- constitucin interna; en este caso, la
mar parte del bloque de control de los muy precisos puede provocar la precisin depender de la reproduc-
un sistema de potencia; en concre- incapacidad de clculo en PSpice cin de las caractersticas del compo-
to formara el enlace entre el ncleo para analizar un circuito. En esas en nente o circuito a disear.
del bloque de control y la parte de ocasiones es necesario simplificar el Utilizando un subcircuito, se
potencia, generando las seales modelo con el objetivo de lograr una podra proponer un modelo de dis-
oportunas en funcin de unas con- simulacin completa. La simplifica- positivo ms simple que el original,
signas de entrada. cin del modelo se consigue de diver- adaptado a las condiciones del circui-
sas formas pero la ms generalizada to del que forma parte y que por
La posibilidad de simular cualquier y til es por medio del diseo me- consiguiente, dada su simplicidad,
comportamiento elctrico bajo un diante subcircuitos. no supere los limites de clculo de
soporte informtico, brinda la opor- Un subcircuito contiene todos PSPICE. Los modelos obtenidos me-
tunidad de reducir los errores de di- los componentes que en conjunto diante subcircuitos tambin pueden
seo en un porcentaje muy elevado. responden al comportamiento de un requerir tiempos de simulacin eleva-
El solo hecho de garantizar en cierta dispositivo. El contenido de estos dos o incluso imposibilitar al simula-
medida el buen funcionamiento del subcircuitos puede ser de dos tipos: dor para su anlisis, todo depende
bloque de control hace plantearse Estructurales o de Comportamiento. de la complejidad del modelo; sin
hasta qu punto es factible modelar, embargo, si lo que se pretende es
partiendo de los pocos datos que Modelos Estructurales realizar un modelado sencillo, pero
suelen facilitar los fabricantes, el Los subcircuitos estn formados ajustado al funcionamiento del dise-
comportamiento del circuito integra- por componentes definidos en PSPI- o, por necesidad se deben eliminar
do y en qu medida puede ser fiable. CE. Para este tipo de modelado es parmetros.
A este respecto y teniendo siempre necesario conocer el contenido cir- La filosofa que se ha de seguir
presente que el objetivo del disea- cuital del componente o circuito a para eliminar los parmetros innece-
dor es modelar el comportamiento modelar. El diseador es quien, se- sarios en una simulacin especfica es
total responsabilidad del diseador;
no obstante, se pueden definir dos
Figura 1. Diagrama de clases de parmetros que ayudan a
bloques del C.I. TCA785 tomar una decisin; estos tipos son:

Parmetros Observables
Son todos aquellos parmetros
que an no siendo regulados por la
accin de un circuito o conjunto de
componentes dentro de un subcir-
cuito, se pueden controlar por medio
de la observacin en el resultado de
la simulacin. Estos parmetros no
ayudan a definir a otro parmetro y
pueden por tanto, no ser necesaria-
mente implementados en el subcir-
cuito, ya que con un simple vistazo
a la simulacin se puede deducir si

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Simulacin de circuitos

un parmetro observable en concre- configurable por medio de R9 y que paso por cero. La otra seal procede
to cumple las especificaciones de junto a C10 fuerza una tensin que de un monitor de descarga que pre-
funcionamiento. evoluciona en rampa en sus extremos para al registro de sincronizacin
(vase su expresin en la ecuacin 1). para efectuar una descarga en el
Parmetros no Observables
Son todos aquellos parmetros que Ecuacin 1. Valor del
definen o intervienen de algn modo generador de corriente
en la construccin de otro parme- interno, del ngulo de
tro y rigen el comportamiento del disparo, de la tensin de
subcircuito. Esta situacin hace que pico de la seal de rampa y
normalmente sea imposible eliminar- Para obtener una seal en dien- momento oportuno. El valor de la de la relacin entre C12 y la
los. La calificacin de no observables, te de sierra es necesario descargar C10 expresin que toma la tensin de anchura del pulso
aunque no siempre ajustada a la rea- en determinados momentos; esta pico en C10 justo antes del inicio de
lidad, se produce por la necesidad de funcin es realizada por el transistor la descarga es expuesta en la ecua-
acceso a nudos y mallas internas del de descarga cuando entra en satura- cin 1.
subcircuito para poder observar uno cin por medio del registro de sincro- El comparador fija un nivel de
de estos parmetros. nizacin que determina el momento salida cada vez que la tensin en
Se puede asegurar por tanto que exacto de la descarga. Este ltimo rampa supera la tensin existente en
con el modelado mediante subcircui- registro es capaz de decidir el instan- el pin 11 (tensin de control) y es
tos se est acotando la exactitud del te de carga y descarga de C10 en vir- usado como entrada al bloque lgi-
mismo, reducindolo a una garanta tud de dos seales de sincronizacin. co generador de seales de salida. El
de comportamiento funcional de pi- Una de estas seales procede de un nivel ofrecido por el comparador en
nes hacia fuera. Por otra parte su detector de paso por cero que infor- combinacin con las seales de sali-
sencillez permite realizar simulacio- ma del instante en el que la seal de da del registro de sincronizacin ac-
nes funcionales de circuitos mucho baja frecuencia (suele ser la frecuen- tivan las seales de salida del bloque
ms complejos con las versiones de cia de red) aplicada al pin 5 hace su lgico, de tal forma que presentan
Pspice menos potentes. Todo esto su-
giere pensar que el desarrollo del
Figura 2. Diagrama de
modelo puede ser muy til en el di-
tiempos del C.I. TCA785
seo de futuros trabajos.

Descripcin funcional
del C.I. TCA785.

La informacin ms valiosa para


realizar el modelado la ofrece el
diagrama de bloques de la figura 1,
ya que con l, se puede realizar una
descripcin funcional bastante deta-
llada y en base a ella construir los ele-
mentos que formen parte del mode-
lo.
El circuito integrado est forma-
do bsicamente por un generador de
diente de sierra, un comparador, un
elemento de sincronizacin con una
seal exterior y un bloque generador
de seales de salida. La alimentacin
del integrado la realiza un converti-
dor DC/DC cuya entrada se corres-
ponde con el pin 16; adems, gene-
ra una tensin de referencia, VREF, que
se ofrece por el pin 8. El generador I
es una fuente de corriente interna

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Simulacin de circuitos

un desfase j en funcin del valor de tanto QU como QZ quedan refleja- elementales. La exactitud de cada
R9, C10 y V11 respecto del paso por dos de forma ms clara presentando uno de estos circuitos y su ajuste
cero de la seal de sincronismo (ob- su evolucin de forma grfica en el mediante, como no, simulacin, de-
srvese el valor de su expresin en la siguiente diagrama temporal de la finirn la calidad del resultado final.
ecuacin 1). figura 2, al que adems, se unen las Por otra parte y segn la definicin
El bloque lgico genera un total seales ms significativas que ayu- del fabricante, el ngulo de disparo
de seis seales pulsatorias con posi- dan a aclarar an ms los aspectos j es funcin de tres posibles variables,
bilidad de manipular el ancho del de sincronizacin del dispositivo TCA C10, R9 y V11 (vase la ecuacin 1) La
pulso en cinco de ellas. Dependien- 785. posibilidad de controlar el ngulo
do de la capacidad que se conecte al por medio de las tres variables a la
pin 12 se puede alargar, hasta un Modelado del C.I. TCA vez existe, sin embargo es obvio pen-
mximo de (180-), o acortar, has- 785 sar que interesa realizar el control de
ta un mnimo por defecto, la dura- j por medio de la variacin de una de
cin del pulso generado por las sali- El siguiente paso en el modela- ellas, dejando las otras fijas. A la va-
das Q1, Q2 y QZ (vase la ecuacin do estructural es proponer un circui- riable que ejerza el control se le exi-
1). Por el contrario, el pin 13 solo to que recoja toda la funcionalidad ge:
ofrece dos posibilidades a las salidas del C.I. real y que sea de constitucin 1. La menor sensibilidad sobre j para
/Q2 y /Q1; estas son, alargar el pul- simple (con el menor nmero posible permitir una mayor exactitud so-
so (180-) conectndolo a masa, de elementos y nudos); para tal fin se bre el control del ngulo de dispa-
dejar un mnimo ancho de pulso es- har uso del circuito presentado en ro final y enmascarar posibles
tablecido por defecto, dejndolo al la figura 3. errores introducidos por las varia-
aire. As mismo, cabe resear como Teniendo en cuenta el objetivo a bles.
un detalle de importancia el desfase conseguir, se define la funcin de 2. La mayor independencia frente a
de 180 entre las salidas Q1 y Q2 y cada bloque formando circuitos in- cambios de otras magnitudes.
por relacin, manifiesto tambin en dependientes. De esta forma se logra Para un incremento unitario de
sus imgenes negadas, /Q1 y/Q2. La reducir la complejidad del circuito a las variables, el incremento mayor de
expresin de los valores que toman un nmero de circuitos ms o menos corresponde a una variacin en C10.

Figura 3. Diagrama de
bloques para el modelado
del C.I. TCA785

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Simulacin de circuitos

Circuito de disparo Figura 4. Circuito


El circuito de disparo utilizado Monoestable
como base para su implementacin
en Pspice es el mostrado en la figu-
ra 5. Al circuito se le ha unido el
equivalente Thvenin del monoesta-
ble visto desde los puntos A y B ha-
cia la derecha. El parmetro destaca-
do en el circuito de disparo corres-
ponde al mnimo valor de tensin de
disparo (Vdisp) que produce un cam-
bio en la salida del monoestable. Tras
el anlisis del circuito, se obtiene que
Vdisp>VA+Vd. La condicin debe cum-
plirse al menos el tiempo necesario
para que el cambio de estado en la
salida asegure que V+ es mayor que
V; esto depender directamente de
Cdisp, Rx3 y la velocidad del operacio-
nal. Por otra parte la pendiente de
V disp debe ser constante y grande
para asegurar un pico de corriente
Segn esto y lo enunciado en (1) la monoestable como son el tiempo capaz de poner en directo a Da.
variable C10 se descarta por ofrecer la metaestable, TMET, el tiempo de recu-
mayor sensibilidad; por otro lado R9 peracin, TREC, y la frecuencia de tra- Circuito de disparo y monoestable
introduce errores en el ngulo de dis- bajo mxima, fMAX, se exponen en la para el subcircuito TCA785
paro debido a su dependencia de ecuacin 2. Los circuitos de disparo y monoes-
factores como la temperatura, to-
lerancia, etc y aunque presenta la Ecuacin 2. Valor del
menor sensibilidad, su dependencia tiempo metaestable, del
de terceras magnitudes incumple lo tiempo de recuperacin y
enunciado en (2) provocando su de la frecuencia mxima
descarte para ejercer el control. Fi-
nalmente, desde este punto de vis-
ta, y apoyndose en el hecho de la
gran estabilidad que se puede con-
seguir en una tensin o corriente
de control (depende del circuito
que la provoque) unido a su media-
na sensibilidad se confirma V 11
como la variable idnea. El futuro
subcircuito se construir en base a
obtener un control del ngulo por
medio de la tensin V 11, es decir, el
subcircuito no admitir cambios en
R 9 y C10 durante el tiempo de simu-
lacin de cualquier circuito en el
que est incluido.

Circuito monoestable
El circuito monoestable que se
va a implementar para Pspice es el
presentado en la figura 4. El valor de Figura 5. Circuito de
los parmetros ms destacados del disparo

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Simulacin de circuitos

table son caracterizados mediante ele- que Rx1 es igual Rx2 para cumplir la
mentos de PSpice y expuestos en un expresin de TMET y que el estado es-
solo esquema en la figura 6. La susti- table gira entorno a -1v, se deduce
tucin del diodo D1 por el interruptor que el valor de VA debe aproximarse
Sb evita introducir el tiempo de recu- a 0,5v.
peracin, ya que la descarga de Cb es El generador Ec1 sirve de enla-
instantnea y controlada, eliminando ce funcional entre el generador de
el error que introduce este tiempo en rampa y el circuito de disparo ajus-
el ngulo de disparo y dando mayo- tndose al elemento comparador
res posibilidades de respuesta frente especificado en el diagrama de blo-
a la frecuencia. ques de la figura 3. Su misin con- Figura 7. Funcin de transferen-

La vinculacin del valor de los siste en ofrecer un pulso en el mo- cia de Ec1

elementos del circuito con los as- mento en el que la tensin en el


pectos funcionales propios de C.I. nudo 51 y perteneciente al genera-
TCA785 es el paso siguiente. De dor de diente de sierra supera a la Circuito generador de diente de sie-
esta forma y sabiendo que TMET=tp, tensin de entrada V11. Su valor se rra para el subcircuito TCA785
se puede calcular el valor de C b se- define en Pspice mediante su fun- El circuito mostrado en la figu-
gn la expresin presentada en la cin de transferencia representada ra 8 es el utilizado para generar la
ecuacin 3. Rc toma un valor fijo e en la figura 7, donde se puede ob- seal de diente de sierra identificada
igual a 100W; elegida con un valor servar que tambin depende de un en el diagrama de bloques de la fi-
bajo por la conveniencia de evitar factor Q. Este factor compensa tan- gura 3. El valor del generador de co-
la influencia de ROFF (resistencia que to las variaciones de tensin de rriente, Gi toma el valor de la expre-
ofrece el interruptor cuando esta pico que puede alcanzar V rampa sin presentada en la ecuacin 1, y
abierto) sobre el valor final de TMET. como las variaciones de tiempo de que lo relaciona con la operatividad
As, de esta forma la nica variable la misma y que puede provocar, si del C.I. Por otro lado el generador Ec
pasara a ser C12 cumpliendo con lo la velocidad con que Ec1 alcance su definido mediante su funcin de
dictado por el fabricante y que ase- valor mximo es lenta, la extincin transferencia y presentada en la figu-
gura una extensin del ancho del del pulso necesario para entrar en ra 9, consigue descargar Ca cada vez
pulso con la variacin de la capaci- el estado metaestable. Su valor de- que VSYNC pase por cero. Haciendo
dad conectada al pin 12 del C.I. El pende de C a y R9, ambos argumen- que el modelo del interruptor res-
valor de la capacidad C12 ser intro- tos de entrada del subcircuito (va- ponda con VON=1v ,se define un in-
ducido como un argumento en el se la ecuacin 3). tervalo de 40ms para el cierre del
subcircuito y debe darse siempre
expresado en picofaradios.
Ecuacin 3. Expresin del El valor de VA debe ser calcula-
valor del generador Ec1 y do de forma que el diodo Da quede
del factor de compensa- en el limite entre la conduccin y el
cin Q corte cuando en el nudo 55 este pre-
sente el estado estable. Sabiendo

Figura 6. Circuito mismo, durante este tiempo el con-


monoestable y de disparo densador debe haberse descargado
para Pspice completamente. Existe tambin un
tiempo de transicin entre cierre y
apertura de 30ms en el que la resis-
tencia ofrecida por el interruptor si-
gue una ley de variacin exponencial.

Seales de entrada al subcircuito


TCA785
El subcircuito no tendr el mis-
mo nmero de entradas que el C.I.
real. Solo las entradas que ofrecen

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Simulacin de circuitos

Figura 11. Funcin de


transferencia del
generador Ec2

Figura 12. Funcin de


transferencia del
generador Einh

Figura 8. Circuito generador de diente de sierra para Pspice

funcin de transferencia. EL genera- Seales de salida


dor de control Ec3 (vase la figura El simulador PSPICE ofrece la po-
10) informa del nivel existente en la sibilidad de definir generadores por
salida del circuito monoestable al medio de una expresin matemtica.
bloque generador de salidas por Aprovechando esta cualidad se defi-
medio de dos niveles, 1v en el mo- nen seis generadores que conforman
mento que Dc est en directo y -1v el bloque generador de salidas y que
cuando es Dd el que lo est; tambin se corresponden con las seis salidas
Figura 9. Funcin de transferencia de Ec
regenera la seal de salida del mo- reales del C.I. TCA 785. Cada gene-
noestable enmascarando los defec- rador ofrece una salida que es fun-
tos y convirtindola en una seal cin de los generadores de control,
formacin para la evolucin del com- cuadrada. seales de entrada, y determinados
portamiento externo son considera- La funcin del generador de argumentos, limitando el nivel ofre-
das como tales en el subcircuito. Las control Ec2 (vase la figura 11) es dar cido a los rangos permitidos por el
entradas Vinh , VSYNC , V11 y VS ofrecen testimonio del semiciclo de red que fabricante (vase la figura 13).
los datos necesarios para una simu- est activo. En cada ciclo se pueden
lacin funcional del subcircuito. diferenciar dos niveles distintos, uno Subcircuito TCA 785
Cuando se disee un circuito en el para el positivo y otro para el nega- De todo lo anterior se deduce
que se incluya el subcircuito TCA785 tivo, cada uno de ellos sincronizar que el cdigo fuente para la creacin
los nudos definidos para las entradas por medio del bloque generador de
tomarn el valor definido en el es- salidas el pulso correspondiente al
quema general (son tratados como semiciclo activo (recordemos que la Figura 10. Funcin de
argumentos de entrada). salidas Q1 y Q2 estn desfasadas transferencia del generador
180 una de la otra). Ec3
Generadores de control Finalmente se define el genera-
Su funcin dentro del subcircui- dor de control Einh (vase la Figura
to es ofrecer la informacin necesa- 12) para habilitar o deshabilitar todas
ria para poder generar los distintos las seales de salida. La seal de en-
tipos de seales de salida del C.I. trada Vinh ser la llave para esta ope-
TCA785. Estn definidos mediante su racin.

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Simulacin de circuitos

Figura 13. Valor de los indel subcircuito es el indicado en el


generadores de salida cuadro 1.

Aplicacin del TCA


785: Simulacin de
un rectificador
trifsico
semicontrolado
mediante el uso del
C.I. TCA785.

Se pretende simular un arran-


que lento [3] del rectificador trif-
sico semicontrolado [2] mostrado en
la figura 17. Para tal fin se usa un ge-
nerador de control (V5) que produ-
ce una variacin lineal de tensin con
el tiempo. En los instantes iniciales su
valor es mximo e igual a 8.5v, al
transcurrir 200ms su valor ser de 1v.
El resultado puede observarse en la
figura 14; la forma de onda esta to-
mada en extremos de la carga; el

Figura 14. Evolucin de la


tensin en la carga durante
el arranque del sistema
Figura 16. Seal de sincronizacin, de
rampa, pulsos de disparo y control

Figura 15. Evolucin de la tensin


media en la carga durante el
arranque del sistema

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Simulacin de circuitos

Cuadro 1

ngulo de disparo va disminuyendo miento del circuito integrado U3 generados por el integrado (V(g3)-
con el tiempo lo que provoca que la (comprubese sobre el esquema); las Van).
tensin media evolucione hacia un cuatro seales son: la seal de sincro- Los pulsos de disparo solo tienen
valor mximo de forma lineal (vase nizacin que se corresponde con la aparicin en los instantes en los que
la figura 15). tensin de fase Vcn, la tensin de la tensin de rampa coincide con la
Para comprender de una forma rampa que genera internamente el tensin de control para los semiciclos
ms clara el funcionamiento del sis- integrado cada semiciclo de la seal positivos de la seal de sincroniza-
tema, la figura 16 presenta cuatro de sincronizacin; la tensin de con- cin. Al disminuir progresivamente el
seales que definen el comporta- trol V(ang) y los pulsos de disparo nivel de la tensin de control, el n-

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Simulacin de circuitos

Figura 17. Circuito Pspice


para la simulacin
transitoria de un
rectificador trifsico
semicontrolado con
generacin de seales de
control mediante el C.I.
TCA785

gulo de disparo por semiciclo de la me de la seal de rampa pero que no [2] Power Electronic Control of AC
seal de sincronizacin tambin lo afecta de manera decisiva en la fun- motors; Murphy, Turnball. Ed. Perga-
hace. Para poder simular el circuito cionalidad del circuito. mon Press, 1995
con ciertas garantas de xito en la [3] Power Electronics; Ned Mohan,
versin menos potente de Pspice Referencias Tore M. Undeland, William P. Robins.
(versin de evaluacin) es necesario Ed. Wiley, 1995
disminuir la precisin relativa de la [1] Pspice, simulacin y anlisis de [4] Rectificador trifsico semicontro-
simulacin (RELTOL=0.1); esto pro- circuitos analgicos asistida por or- lado; Ral Pieiro. Trabajo Final Ca-
voca algunas imprecisiones en los denador; E. Garca Breijo, J. Ibez rrera. Escuela Politcnica. Univ Alca-
clculos del simulador como puede Civera, L. Gil Snchez. Ed. Paraninfo l, 1997
observarse en la evolucin no unifor- 1995.

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