TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET
(23 de mayo de 2008)
Edmond Andrs Rodrguez Camargo
ea_brio1@hotmail.com
Resumen:
El siguiente escrito pretende enfocar el
tema del transistor de efecto de campo
FET, as como sus dos variaciones
principales, el JFET y el MOSFET. Adems
veremos como se fabrican stos
dispositivos y su polarizacin.
INTRODUCCIN:
Los transistores ms conocidos son los
llamados bipolares (NPN y PNP),
llamados as porque la conduccin tiene
lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son
de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones pero tienen ciertos
inconvenientes, entre los que se
encuentra su impedancia de entrada
bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan
este inconveniente en particular y que
pertenece a la familia de dispositivos en
los que existe un solo tipo de portador
de cargas, y por tanto, son unipolares. Se
llama transistor de efecto campo.
Palabras clave:
Transistor
MOSFET
JFET
I. TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO (FET)
Los transistores de efecto de campo o
FET (Field Electric Transistor) son
particularmente interesantes en
circuitos integrados y pueden ser de dos
tipos: transistor de efecto de campo de
union o JFET y transistor de efecto de
campo metal-oxido semiconductor
(MOSFET).
Son dispositivos controlados por tension
con una alta impedancia de entrada
(1012).
Ambos dispositivos se utilizan en
circuitos digitales y analogicos como
amplificador o como conmutador.
Sus caracterisitcas electricas son
similares aunque su tecnologia y
estructura fisica son totalmente
diferentes.
Ventajas del FET:
1) Son dispositivos controlados por
tension con una impedancia de
entrada muy elevada (107 a
1012).
2) Los FET generan un nivel de ruido
menor que los BJT.
3) Los FET son mas estables con la
temperatura que los BJT.
4) Los FET son mas faciles de fabricar
que los BJT pues precisan menos
pasos y permiten integrar mas
dispositivos en un C1.
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5) Los FET se comportan como
resistencias controlados por
tension para valores pequenos de
tensin drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de
los FET les permite retener carga
el tiempo suficiente para permitir
su utilizacion como elementos de
almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden
disipar una potencia mayor y
conmutar corrientes grandes.
Desventajas que limitan la utilizacion de
los FET:
formado por la unin canal puerta,
esta polarizado inversamente.
En el caso de un diodo polarizado en
sentido inverso, donde inicialmente los
huecos fluyen hacia la terminal negativa
de la batera y los electrones del material
N, fluyen hacia el terminal positivo de la
misma.
Lo anteriormente dicho se puede aplicar
al transistor FET, en donde, cuando se
aumenta VDS aumenta una regin con
empobrecimiento de cargas libres

1) Los FET presentan una respuesta

en frecuencia pobre debido a la
alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad
muy pobre, y en general son
menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden danar debido a
la electricidad estatica.
I.I. Explicacin de la combinacin de
portadores.
Puesto que hay una tensin positiva
entre el drenador y el surtidor, los
electrones fluirn desde el surtidor al
drenador (o viceversa segn la
configuracin del mismo), aunque hay
que notar que tambin fluye una
corriente despreciable entre el surtidor
(o drenador) y la puerta, ya que el diodo
Cuando seleccionamos un transistor
tendremos que conocer el tipo de
encapsulado, as como el esquema de
identificacin de los terminales.
Tambin tendremos que conocer una
serie de valores mximos de tensiones,
corrientes y potencias que no debemos
sobrepasar para no destruir el
dispositivo.
El parmetro de la potencia disipada por
el transistor es especialmente crtico con
la temperatura, de modo que esta
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potencia decrece a medida que aumenta
el valor de la temperatura, siendo a
veces necesaria la instalacin de un
radiador o aleta refrigeradora.

Todos estos valores crticos los

proporcionan los fabricantes en las hojas Figura 3: Smbolos grficos para un FET de
de caractersticas de los distintos canal N
dispositivos.

I.II. Explicacin de sus elementos o

terminales.

Un transistor de efecto campo (FET)

tpico est formado por una barrita de
material p n, llamada canal, rodeada
en parte de su longitud por un collar del
otro tipo de material que forma con el
canal una unin p-n.
Figura 4: Smbolos grficos para un FET de
canal P
I.III. Zonas de funcionamiento del
transistor de efecto de campo (FET):

En los extremos del canal se hacen ZONA HMICA o LINEAL: En esta

sendas conexiones hmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y
fuente (s-source), ms una conexin
llamada puerta (g-gate) en el collar.
Figura 2: croquis de un FET con canal N
zona el transistor se comporta
como una resistencia variable
dependiente del valor de VGS. Un
parmetro que aporta el
fabricante es la resistencia que
presenta el dispositivo para VDS=0
(rds on), y distintos valores de
VGS.
ZONA DE SATURACIN: En esta
zona es donde el transistor
amplifica y se comporta como una
fuente de corriente gobernada por
VGS
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ZONA DE CORTE: La intensidad de transistor, al aumentar VDS,
drenador es nula (ID=0). cuando la polarizacin de la
puerta es VSG= 0 vol

PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es funcin

A diferencia del transistor BJT, los
terminales drenador y surtidor del FET
pueden intercambiar sus papeles sin que
se altere apreciablemente la
caracterstica V-I (se trata de un
dispositivo simtrico).
I.IV. Ecuacin de Shockley:
tanto de la tensin de sumidero Vds
como de la puerta Vgs. Como la unin
est polarizada inversamente,
suponemos que la corriente de puerta es
nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs)
En la zona de estriccin (saturacin) en
que las caractersticas son casi rectas (en
el grfico, son horizontales, pero en
realidad tienen una pendiente positiva)
podemos escribir la respuesta del
transistor para pequeos incrementos
de Vds y Vgs en esta forma

ID=IDSS(1-
VGS/Vp)2

El parmetro rd se llama resistencia

Donde:
Vp es la tensin de puerta que
produce el corte en el transistor
FET.
IDSS es la corriente mxima de
drenador que circula por el
diferencial del sumidero del FET, y es la
inversa de la pendiente de la curva. Que
como en el grfico, dicha pendiente es
cero (en la realidad, como he dicho antes
existe algo de pendiente), entonces la rd
es infinita (muy grande).
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El parmetro gm se le denomina exista un flujo de corriente a traves de
conductancia mutua o canal. Ademas, la puerta debe tener una
transconductancia, y es igual a la tension mas negativa que la fuente para
separacin vertical entre las que la union p-n se encuentre polarizado
caractersticas que corresponden a inversamente. Ambas polarizaciones se
diferencias de valor de Vgs de 1 voltio. indican en la figura 7.

II. Caractersticas del JFET:

El JFET de canal n esta constituido por

una barra de silicio de material
semiconductor de tipo n con dos
regiones (islas) de material tipo p
situadas a ambos lados. Es un elemento
tri-terminal cuyos terminales se
denominan drenador (drain), fuente
(source) y puerta (gate). En la figura 6.a
se describe un esquema de un JFET de
canal n, en la 6.b el simbolo de este
dispositivo y en la 6.c el simbolo de un
JFET de canal P.

Figura 7: Caracteristicas de un NJFET.

Las curvas de caracteristicas electricas

Figura 6: a) JFET de canal n. b) Simbolo de un
JFET de canal n. c) Simbolo de un JFET de canal p.
La polarizacion de un JFET exige que las
uniones p-n esten inversamente
polarizadas. En un JFET de canal n, o
NJFET, la tension de drenador debe ser
mayor que la de la fuente para que
de un JFET son muy similares a las curvas
de los transistores bipolares. Sin
embargo, los JFET son dispositivos
controlados por tension a diferencia de
los bipolares que son dispositivos
controlados por corriente. Por ello, en el
JFET intervienen como parametros: ID
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(intensidad drain o drenador a source o
fuente), VGS (tension gate o puerta a
source o fuente) y VDS (tension drain o
drenador a source o fuente). Se definen
cuatro regiones basicas de operacion:
corte, lineal, saturacion y ruptura. A
continuacion se realiza una descripcion
breve de cada una de estas regiones
para el caso de un NJFET.
Regin de corte:
En esta region la intensidad entre
drenador y fuente es nula (ID=0). En este
caso, la tension entre puerta y
fuente es suficientemente negativa que
las zonas de inversion bloquean y
estrangulan el canal cortando la
corriente
entre drenador y fuente. En las hojas
tecnicas se denomina a esta tension
como de estrangulamiento o pinch-off y
se representa por VGS(off) o Vp. Por
ejemplo, el BF245A tiene una
VGS(off)=-2V.
Regin lineal:
En esta region, el JFET se comporta
como una resistencia no lineal que es
utilizada en muchas aplicaciones donde
se precise una resistencia variable
controlada por tension. El fabricante
proporciona curvas de resistencia
drenador-fuente (rds(on)) para
diferentes valores de VGS. En esta regin
el transistor JFET verifica las siguientes
relaciones:
Regin de saturacin:
En esta region, de similares
caracteristicas que un BJT enla region
lineal, el JFET tiene unas caractersticas
lineales que son utilizadas en
amplificacion. Se comporta como una
fuente de intensidad controlado por la
tensin VGS cuya ID es practicamente
independiente de la tension VDS. La
ecuacion que relaciona la ID con la VGS
se conoce como ecuacion cuadratica o
ecuacion de Schockley que viene dada
por
donde Vp es la tension de
estrangulamiento y la IDSS es la
corriente de saturacion. Esta corriente se
define como el el valor de ID cuando
VGS=0, y esta caracteristica es utilizada
con frecuencia para obtener una fuente
de corriente de valor constante (IDSS).
Esta relacion junto a las caracteristicas
del JFET permiten obtener graficamente
el punto de trabajo Q del transistor en la
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region de saturacion. La figura 8.muestra
la representacion grafica de este punto
Q y la relacion existente en ambas curvas
las cuales permiten determinar el punto
de polarizacion de un transistor
utilizando metodos graficos.
Figura 8: Curvas caracteristicas de un JFET.
Regin de ruptura.
Una tension alta en los terminales del
JFET puede producir ruptura por
avalancha a traves de la union de puerta.
Las especificaciones de los fabricantes
indican la tension de ruptura entre
drenaje y fuente con la puerta
cortocircuitada con la fuente; esta
tension se designa por BVDSS y su valor
esta comprendido entra 20 y 50 V. Las
tensiones de polarizacion nunca deben
superar estos valores para evitar que el
dispositivo se deteriore. Por ultimo,
comentar las diferencias existentes entre
un NJFET y PJFET. Las ecuaciones
desarrolladas
anteriormente para el JFET son validas
para el PJFET considerando el convenio
de signos indicados en la tabla dada a
continuacin.
III. Caracteristicas del MOSFET:
MOSFET son las siglas de Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de
campo basado en la estructura MOS.
Es el transistor ms utilizado en la
industria microelectrnica. La
practica totalidad de los circuitos
integrados de uso comercial estn
basados en transistores MOSFET.
Funcionamiento
Un transistor MOSFET consiste en un
sustrato de material semiconductor
dopado en el que, mediante tcnicas de
difusin de dopantes, se crean dos islas
de tipo opuesto separadas por un rea
sobre la cual se hace crecer una capa de
dielctrico culminada por una capa de
conductor. Los transistores MOSFET se
dividen en dos tipos fundamentales
dependiendo de cmo se haya realizado
el dopaje:
Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y
difusiones de tipo n.
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Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y y drenador dar lugar a una corriente. El
difusiones de tipo p. transistor se comporta como una
resistencia controlada por la tensin de
Las reas de difusin se denominan puerta.
fuente y drenador, y el conductor entre
ellos es la puerta. Saturacin:

El transistor MOSFET tiene tres estados Cuando la tensin entre drenador y

de funcionamiento:
Estado de corte:
Cuando la tensin de la puerta es
idntica a la del sustrato, el MOSFET est
en estado de no conduccin: ninguna
corriente fluye entre fuente y drenador
aunque se aplique una diferencia de
potencial entre ambos. Tambien se llama
mosfet a los aislados por juntura de dos
componentes.
Conduccin lineal:
Al polarizarse la puerta con una tensin
negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se
crea una regin de deplexin en la
regin que separa la fuente y el
drenador. Si esta tensin crece lo
suficiente, aparecern portadores
minoritarios (electrones en nMOS,
huecos en pMOS) en la regin de
deplexin que darn lugar a un canal de
conduccin. El transistor pasa entonces
a estado de conduccin, de modo que
una diferencia de potencial entre fuente
fuente supera cierto lmite, el canal de
conduccin bajo la puerta sufre un
estrangulamiento en las cercanas del
drenador y desaparece. La corriente
entre fuente y drenador no se
interrumpe, ya que es debida al campo
elctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de
potencial entre ambos terminales.
IV. Polarizacin de los FET:
Los circuitos basicos que se utilizan para
polarizar los BJT se pueden emplear para
los MOSFET. EL JFET tiene el
inconveniente de que la tension VGS
debe ser negativa en un NJFET (positiva
en un PJFET) que exige unos circuitos de
polarizacion caracteristicos para este
tipo de dispositivos. En este apartado
unicamente se presentan dos de los
circuitos mas utilizados: polarizacion
simple (figura 1.17), se utiliza una fuente
de tensin externa para generar una
VGS<0, y autopolarizacion (figura 1.18),
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la caida de tension en la resistencia RS Figura 10: Autopolarizacion de un NJFET. a)
debida a ID permite generar una VGS<0. Diagrama circuital. b) Ecuaciones analiticas. c)
Representacion grafica del
punto de trabajo.

Figura 9: Circuito de polarizacion simple de un

NJFET. a) Diagrama circuital. b) Ecuaciones
analiticas. c) Representacion grafica del punto
de trabajo.