Tema 3.-. Imperfecciones Cristalinas. Difusión en Sólidos

TEMA 3 ESCALAATMICA
IMPERFECCIONESCRISTALINAS.DIFUSINENSLIDOS
Indice
1. Imperfecciones cristalinas: Defectos puntuales. Defectos lineales. Defectos superficiales. Defectos

volumtricos.
2.Influenciadelosdefectosenlaspropiedadesdelosmateriales.
3.Tcnicasdeidentificacindemicroestructurasydefectos.
4. Difusinenslidos.
1.Imperfecciones cristalinas. Defectos puntuales, lineales, superficiales y
volumtricos.
En realidad no existen en la naturaleza los cristales perfectos descritos hasta ahora, pues todos los cristales
reales contienen varios tipos de defectos, desviaciones ms o menos importantes del orden cristalino.
Ya que para empezar, cualquier muestra cristalina con un tamao finito, deja de ser perfecta, pues la estricta
periodicidad del ordenamiento cristalino exigira que los cristales fueran infinitos. Por lo que los tomos que
estn en la superficie deben estar en un estado especial, pues no tienen igual nmero de vecinos que los tomos
del interior. De modo que las superficies, por s mismas, constituyen defectos
Los defectos cristalinos son muy importantes, no son una mera curiosidad, puesto que en la mayora de los casos
controlan las propiedades del material (mecnicas, elctricas, etc) por lo que ,en realidad en ocasiones, el cristal
acta como mero contenedor de defectos
Las imperfecciones de la red cristalina se clasifican segn su forma y geometra. Los grupos principales son:
A.Defectos puntuales (llamados adimensionales)
B.Defectos lineales (unidimensionales)
C.Defectos superficiales (bidimensionales)
D.Defectos volumtricos (tridimensionales)
1.Imperfeccionescristalinas.Defectospuntuales,lineales,superficialesy
volumtricos.
A.Defectospuntuales
Son aquellos que estn localizados en puntos aislados del cristal. La zona afectada por a perturbacin es un volumen
esfrico con centro en el defecto y con dimetro de slo unas pocas distancias interatmicas.
Los defectos puntuales ms frecuentes en los slidos son las vacantes y las impurezas atmicas.
i) Vacante: es el defecto puntual ms sencillo, y consiste en la formacin de un sitio atmico al desaparecer el tomo que
lo ocupaba. Puede producirse durante la solidificacin y tambin durante la deformacin plstica.
Esta ausencia atmica slo tiene explicacin si pensamos que estamos en un escenario dinmico y no esttico, es decir,
los tomos estn vibrando en sus posiciones.
volumtricos.
De modo que, an cuando la temperatura del slido sea uniforme en todo l, no todos los tomos
tendrn la misma energa cintica (ya que la temperatura es una medida del promedio de la energa
cintica de todos los tomos del slido)
As, momentneamente, algunos tomos de la superficie pueden adquirir la energa suficiente para
escapar de su posicin y pasar al entorno, para posteriormente regresar cuando pierdan el exceso de
energa (p.e con la colisin con otros tomos o molculas)
volumtricos.
Vacante Schottky
Cuando un tomo de la superficie abandona su posicin se puede colocar sobre uno de sus tomos vecinos, originndose
una vacante que puede ser ocupada por otro tomo vecino, que genera a su vez otra vacante.
La vacante finalmente acabar en el interior del material, y se le denomina vacante Schotty
Vacante Frenkel:
Se genera cuanto un tomo del interior del cristal posee una energa cintica muy alta, pudiendo abandonar su posicin
y recorrer distancias atmicas antes de que pierda su exceso de energa por friccin con los tomos del entorno.
Finalmente quede alojado en un intersticio o hueco de la red cristalina dando lugar a la formacin de un defecto vacante
intersticio tipo Frenkel
volumtricos.
1. En los metales, debido a que las estructuras son muy compactas, los intersticios son demasiado pequeos para
albergar un tomo de la propia estructura (tomo autointersticial), por lo que las vacantes Frenkel son poco
probables.
Por lo tanto, en estructuras FCC, HD y BCC, se producirn con mayor frecuencia las vacantes tipo Schottky.
2. Sin embargo, en estructuras covalentes (materiales cermicos o polimricos) menos compactas, como el
diamante, son perfectamente probables las vacantes Frenkel. Tambin las de tipo Schottky
3. En las estructuras inicas (materiales cermicos) pueden aparecer vacantes Frenkel o Schottky, dependiendo del
tipo de material, en funcin de su compacidad.
En general, un cristal contendr tanto vacantes Schottky como Frenkel, pero siempre predominarn aquellas cuya
formacin requiera menor energa, es decir, aquellas que produzcan una menor distorsin en la red.
volumtricos.
Enuncristalinico(cermico),altenerquemantenerlaneutralidadelctrica,siuncatinsemueveaunhueco
intersticialdelcristalinico,secreaunavacantecatinica enlaposicininicialdelcatin.Estepardedefectosvacante
intersticioserdetipo Frenkel.
Cuandodosionesdecargaopuestafaltanenuncristalinico,secreaunadivacante aninicacatinica quedarlugara

undefectodeSchottky.
volumtricos.
ii) Impurezas atmicas: los tomos de soluto, presentes tanto en las aleaciones metlicas como en materiales
cermicos, pueden alojarse en el interior de la estructura de otro cristal recibiendo el nombre de impurezas.
Por tanto este defecto vendr dado por la presencia de un tomo extrao en una posicin de la red que no le
corresponde.
Estas impurezas pueden ser intersticiales o sustitutivas dependiendo de la posicin que ocupen en la red. Estos
defectos generalmente no ocurren de forma natural, sino por ejemplo por irradiacin.
volumtricos.
Sustitutivas:
Cuando el tomo extrao o impureza ocupe la posicin que debera ocupar un tomo de la red cristalina inicial.
Provocando diferentes perturbaciones en la red cristalina segn el dimetro de la impureza.
volumtricos.
Intersticiales:
Cuando el tomo extrao o impureza ocupe la posicin que debera estar vaca en la estructura cristalina del metal
puro (p.e: el C en la red cristalina del Fe para formar el acero).
Estas impurezas intersticiales son las responsables de cambios muy importantes de algunas propiedades
macroscpicas como por ejemplo: la adicin de cantidades muy pequeas de estas impurezas atmicas en el silicio
puro puede afectar mucho a su conductividad elctrica para su uso en dispositivos electrnicos.
volumtricos.
Generalmente las impurezas se disponen aleatoriamente en el interior del cristal. No obstante, la presencia de
dislocaciones (defectos lineales), que estudiaremos a continuacin, pueden alterar esta distribucin, ya que, algunas de
ellas, como la dislocaciones de cua, atraen tomos de impurezas hacia ellas
Los materiales polimricos con cierto grado de cristalinidad tambin presentan defectos puntuales en sus regiones
cristalinas, pudiendo contener defectos similares a los descritos (vacantes e impurezas)
Pero adems pueden presentar defectos nuevos como los que se sitan en los extremos de las cadenas polimricas.
Estos extremos constituyen defectos porque los finales de las cadenas no son iguales a los interiores
volumtricos.
B. DEFECTOS LINEALES
Los defectos lineales se llaman dislocaciones y son defectos que dan lugar a una distorsin en la red centrada
alrededor de una lnea.
Ejercen un papel fundamental en los procesos de deformacin plstica en metales, pues facilitan el desplazamiento
de los tomos por deslizamiento en planos de alta densidad atmica a lo largo de direcciones de alta densidad
atmica.
El concepto de dislocacin fue introducido antes de que hubiese constancia experimental de su existencia, ya que eran
necesarias para explicar los comportamientos mecnicos observados. Los clculos tericos indicaban que, para
deformar un cristal metlico perfecto, eran necesarios esfuerzos muchos ms elevados de los observados
experimentalmente
Por ello se postul la existencia de algn tipo de defectos, que de algn modo, facilitaran la deformacin (algo as
como una arruga o pliegue en la red cristalina)
Hoy en da pueden observarse las dislocaciones mediante microscopia electrnica
Aunque tambin pueden observarse por microscopia ptica a travs de huellas de corrosin
Dislocaciones en la aleacin AlMgSi
volumtricos.
Un gran nmero de ellas, se forma durante la solidificacin del metal, pero se generan muchas ms durante la
deformacin del metal
Los tipos ms importantes de dislocaciones son:

1.Dislocacin de arista o de borde
2.Dislocacin helicoidal
3.Dislocacin mixta
volumtricos.
i).Dislocacin de cua o de borde:
Se crea en un cristal por la insercin de un semiplano adicional de tomos en la red de un cristal perfecto
El plano transversal sobre el que descansa el semiplano adicional se denomina plano de deslizamiento
Semiplano adicional de tomos
Plano de deslizamiento
volumtricos.
La lnea en torno a la cual se produce el mayor desajuste es considerada el centro del defecto y se
denomina lnea de dislocacin
Las dislocaciones se identifican con el signo , si la dislocacin es positiva: la lnea vertical indica la
situacin del plano extra de tomos y la horizontal el plano de deslizamiento.
La dislocacin es negativa, cuando el plano extra est en la parte inferior y se identifica por el signo
volumtricos.
Se requerira una fuerza muy elevada si pretendisemos deslizar la mitad de un cristal sobre la otra mitad, en bloque,
ya que se producira la rotura conjunta de un gran nmero de enlaces.
Lo que realmente ocurre es que en la zona de la dislocacin, las columnas de tomos rompen y cambian sus enlaces,
de modo que se van moviendo una a una.
Se necesita mucha menos energa para desplazar las columnas de tomos individualmente que de una en una. (P.e:
alfombra con arruga, movimiento avance de gusano)
Por tanto, al aplicar un esfuerzo cortante se van rompiendo los antiguos enlaces, para que puedan quedar libres, a la
vez que se van formando nuevos enlaces con el semiplano adicional
Se observa como la dislocacin se va moviendo sobre el plano de deslizamiento, perpendicular al plano adicional de
tomos.
Movimiento de dislocacin positiva: http://www.youtube.com/watch?NR=1&v=iKKxTP6xp74&feature=endscreen
Movimiento de dislocacin negativa (T): http://www.youtube.com/watch?v=OpKxyeU2dc0
Movimiento de las dislocaciones (gusano): http://www.youtube.com/watch?v=CBuX7sycXU

volumtricos.
Para cuantificar la magnitud de la perturbacin producida se define el vector de Burguers que indica la direccin,
sentido e intensidad del deslizamiento
El vector de Burguers en la dislocacin de borde o arista, es perpendicular a la lnea de dislocacin (insercin del
plano adicional de tomos) y paralelo a la direccin del movimiento.
Para definirlo se traza un circuito con pasos de tomo a tomo alrededor de la dislocacin, en el sentido de las agujas
del reloj.
Si el cristal fuera perfecto (sin dislocacin) el circuito se cerrara en el tomo donde comenz.
El vector de Burguers (b) es el vector necesario para cerrar el circuito una vez introducida la dislocacin.
volumtricos.
Los planos de deslizamiento y el vector de Burguers no pueden ser cualesquiera dentro de la estructura, mientras que
sean perpendiculares entre s. Existe una preferencia clarsima por los planos y direcciones ms compactas de la
estructura cristalina
Como ya se ha comentado, la deformacin de un metal depende del nmero de sistemas de deslizamiento, un

sistema de deslizamiento estar formado por un plano y una direccin de deslizamiento. En el caso de una red BCC
el sistema de deslizamiento ms probable ser el formado por el plano denso y la direccin densa {110} y <111>
El vector de Burguers va desde el centro de un tomo hasta el centro de un tomo vecino. Solamente si el vector de
Burguers coincide con una direccin de mximo empaquetamiento su mdulo ser igual a 2ratmico
Adems de los sistemas de deslizamiento, las dislocaciones de cua permiten explicar la existencia de lmites de
granos como resultado del apilamiento de varias dislocaciones de este tipo una encima de otra, provocando el
desalineamiento a uno y otro lado
volumtricos.
ii).Dislocacin helicoidal
Se forma a partir de un cristal perfecto al que se aplican esfuerzos cortantes (tangentes) en sentidos opuestos en
zonas del cristal separadas por un plano.
Tras la deformacin, slo alrededor de la lnea ms avanzada del plano cortante (lnea de dislocacin helicoidal)
quedar una deformacin permanente que se extender varias distancias atmicas. Ms all de ese entorno, el cristal
vuelve a ser perfecto.
A veces se utiliza el smbolo para designar una dislocacin helicoidal

volumtricos.
volumtricos.
En la dislocacin de tornillo, el desalineamiento de los tomos es paralelo a la lnea de dislocacin lo que
significa que el vector de Burgers (b) es paralelo a la lnea de dislocacin, as como paralelo al plano de
deslizamiento
http://www.youtube.com/watch?v=ef_m4RVjK_c
http://www.youtube.com/watch?v=z3MzDiyLtWc
volumtricos.
iii).Dislocacin mixta
Es la dislocacin ms habitual. Presenta componentes de las dos anteriores.
volumtricos.
C. DEFECTOS SUPERFICIALES
Los ms comunes son: las superficies de los cristales, los lmites de grano, los defectos de apilamiento y los lmite de
macla. Se pueden observar a travs de microscopio ptico.
i) Superficies de slidos:
El simple hecho de la existencia de una superficie externa en un slido cristalino ya supone un defecto superficial
puesto que un cristal ideal, perfectamente peridico, debe ser necesariamente ilimitado.
La coordinacin atmica de los tomos de la superficie, es lgicamente, menor que la de los tomos del interior del
cristal, por lo que su situacin ser menos estable. As, los tomos de la superficie presentarn mayor energa que los
del interior, poseen una energa adicional denominada energa superficial.
Esto explica el hecho de que los tomos superficiales tiendan a fijar tomos del entorno
volumtricos.
ii) Los lmites de grano separan a los granos o cristales de diferentes orientaciones cristalogrficas.
Se originan durante la solidificacin y son regiones ms favorables para la nucleacin y el crecimiento de los
precipitados.
Los materiales constituidos por multitud de pequeos cristales, cada uno con diferente orientacin se denominan
policristalinos.
Los materiales que estn constituidos por un nico bloque de cristal se denominan monocristalinos.
En los policristalinos, como la orientacin cristalina vara al azar de uno a otro grano, los tomos situados en la frontera
entre dos granos contiguos no siempre podrn acomodarse, por lo que poseern un exceso de energa constituyendo
los bordes o lmites de grano.
volumtricos.
iii) Los defectos de apilamiento
Imperfeccin superficial consecuencia del apilamiento de un plano atmico fuera de su secuencia correcta, mientras
que a cada lado del fallo, la red es perfecta.
Puede originarse durante el crecimiento de los cristales.
Por ejemplo en una red CCC cuya secuencia de apilamiento es ABC/ABCpuede verse a veces alterada a, por ejemplo,
ABC/AB/ABC
Este error en la codificacin del apilamiento se traduce en una regin muy delgada de apilamiento HC el seno de un
apilamiento CCC.
Las energas superficiales de los defectos de apilamiento suelen ser menores que las de los lmites de grano.
volumtricos.
iv) Los lmites de macla

Se definen como una regin en la que existe una imagen espejo de la estructura a travs de un plano o
un borde.
Se forman cuando un material se deforma permanentemente y tambin durante el proceso de
recristalizacin.
La energa superficial que introducen las maclas es menor que la correspondiente a los lmites de grano.
volumtricos.
D.Defectos volumtricos
i) Se forman cuando un grupo de tomos o defectos puntuales se unen para formar un vaco tridimensional o poro,
fisuras, grietas, etc.
Las grietas se propagan a travs de los bordes de grano.
Normalmente se producen durante las etapas de fabricacin.
ii) El defecto volumtrico ms comn, pues est presente en todos los cristales, lo constituyen las vibraciones trmicas.
Los tomos, como ya se ha comentado, nunca estn quietos, sino que vibran alrededor de sus posiciones de
equilibrio en la red cristalina (movimiento que no cesa ni a 0K, cero absolutoPcipio. Incertidumbre fsica cuntica)
volumtricos.
Al aumentar la temperatura aumenta la vibracin atmica. Esto hace que muchas propiedades de los
slidos, que dependen de la posicin real de los tomos, varen con la temperatura.
Las vibraciones atmicas seran defectos puntuales si no fuera porque afectan a todos los tomos de un
cristal de manera conjunta. De hecho, se piensa que ciertas perturbaciones trmicas, viajan, a modo de
olas, de un extremo a otro del cristal, considerndolas como defectos volumtricos, pues afectan a todo
el cristal.
2. Influencia de los defectos en las propiedades de los materiales
a) Propiedades mecnicas: la capacidad de deformacin de los metales est claramente marcada por la presencia de las
dislocaciones. Tambin las grietas, los bordes de grano, etc. influyen en la resistencia mecnica como se estudiar ms
adelante.
b) Propiedades elctricas: aumento de la resistividad debido a la presencia de dislocaciones, bordes de grano, tomos
en intersticios, etc, ya que dificultan el movimiento electrnico.
c) Densidad de un metal (a partir del modelo de esferas duras) puede variar en funcin de los tomos presentes en la
celdilla unidad (habr mayor o menor nmero de tomos por celdilla). Por tanto se ve afectada por la presencia de
vacantes y de tomos en intersticios
=m.n/v
m=masa del tomo ; n=n tomos por celda ; v=volumen de la celda
3. Tcnicas de identificacin de microestructuras y defectos
Algunas tcnicas para identificar las defectos que actan en el interior de los slidos son la microscopia ptica,
microscopia electrnica, microscopios de sonda de barrido y resolucin atmica.
El microscopio ptico utiliza dos o mas lentes que permiten obtener una imagen aumentada del objeto y funciona por
refraccin.
La microscopia electrnica utiliza electrones en vez de fotones (o luz visible) como hace la microscopia ptica. Esto
hace que la capacidad de aumento sea mucho mayor, debido a que la longitud de onda de los electrones (en un
microscopio electrnico habitual la longitud de onda es de 3103 nm) es mucho menor que la de los fotones visibles.
La longitud de onda de la luz visible (luz violeta) es aproximadamente 400 nm y por tanto la distancia entre los detalles
a observar debe ser menor este valor.
La distancia mnima a la cual podemos distinguir es proporcional a la longitud de onda de la radiacin. A menor
longitud de onda, mayor resolucin, puesto que la distancia entre los detalles a ver ser ms pequea.
1.MICROSCOPIA PTICA
El universo se encuentra rodeado por ondas electromagnticas de diversas longitudes. La luz es la porcin de este
espectro que estimula la retina del ojo humano permitiendo la percepcin de los colores, que son radiaciones con
diferentes longitudes de onda.
El espectro visible para el ojo humano es aquel que va desde los 380 nm de longitud de onda para el color violeta
hasta los 780 nm para el color rojo.
Fuera de estos lmites, el ojo no percibe ninguna clase de radiacin
Las tcnicas de metalografa ptica se emplean para estudiar las caractersticas y constitucin interna de los
materiales a escala micromtrica. Se puede obtener informacin sobre el tamao de los granos, los lmites de
grano, la existencia de diferentes fases, algunos defectos,
Debido a que la calidad de la superficie a observar es muy importante, en esta tcnica es necesaria la preparacin
previa de dicha superficie mediante diferentes etapas de lijado y pulido para conseguir una superficie como de
espejo y por ltimo, el ataque qumico. El ataque qumico consiste en la exposicin de la muestra, durante el tiempo
necesario, a un reactivo qumico que consiga resaltar lo que queramos observar mediante el microscopio.
Ataquequmicoporinmersin
Cuando se exponen a la luz incidente en un microscopio ptico, habr partes de la materia, bordes de grano,
defectos que no reflejen la luz tan intensamente como el resto de material granulado, apareciendo como lneas
oscuras en la micrografa.
Microscopio metalrgico a travs del sistema ptico

Mediante esta tcnica tambin se puede detectar el tamao de grano en los metales policristalinos. Esto es importante
dado que la cantidad en superficie de bordes de grano, tiene un efecto significativo en muchas propiedades de los
metales, especialmente en las propiedades mecnicas.
Un mtodo para medir el tamao de grano es el de la American Society for Testing (ASTM) (norma ASTM E112) en
el que el nmero de tamao de grano n, se define por:
N = 2 nA1
n = nA + Q
Donde N es el nmero de granos por milmetro cuadrado o pulgada cuadrada
nA es el tamao de grano aparente
Q es un factor donde se tiene en cuenta el aumento. Cuando el aumento es de 100, Q=0
Este nmero de tamao de grano ASTM (n) es inversamente proporcional al tamao del grano (a mayor n, menor
tamao de grano)
n=1 n=2 n=3 n=4
.n = 7
Noesfcildeterminareltamaoexactodelosgranospuestoqueestostamaosnosonhomogneosentodoelslido,porloque
normalmenteseutilizanotrosmtodos,comoelmtododecomparacin
Ejemplo:
Se realiza una determinacin de tamao de grano ASTM mediante una micrografa de un metal a 100X aumentos.
Cul es el nmero de tamao de grano ASTM del metal si se tienen 64 granos por milmetro cuadrada?
N = 2 n1
64 granos/pulg2 = 2 n1
Log64 = (n1) (log2)
1,806 = (n1) 0.301
(Q=0)
n=7
2. MICROSCOPIA ELECTRNICA
2.1MICROSCOPA ELECTRNICA DE BARRIDO (SEM)

Es una herramienta muy importante en la ciencia y en la ingeniera de materiales.
Se utiliza para obtener informacin sobre la morfologa y caractersticas de la superficie.
En contraposicin a la microscopa ptica, en la cual la superficie es expuesta a la luz visible, el microscopio
electrnico de barrido dirige un haz de electrones enfocado a un punto de la superficie y recoge y muestra las
seales electrnicas emitidas por la muestra.
Los electrones interactan con las protuberancias de la superficie y generan una dispersin de electrones
secundarios que producen una seal electrnica, que a su vez produce una imagen (con una profundidad de
aproximadamente 300 veces superior a la del microscopio ptico).
Las muestras a analizar suelen estar
recubiertas de oro u otros metales pesados
para lograr una mejor resolucin y
calidad de la seal, sobre todo cuando la muestra est
compuesta por un material no conductor.
http://www.youtube.com/watch?v=aW7JIqkoMnQ
Imagendeunpelohumanoroto,atravsdelamicroscopaelectrnicaSEM.
ImagenSEMdenanotubosdecarbono
2 MICROSCOPA ELECTRNICA DE TRANSMISIN (TEM)
Esta tcnica nos permite obtener informacin de la estructura interna de la muestra.
A diferencia de la microscopia ptica y de SEM la preparacin de las muestras para el anlisis de TEM es ms
complicada y hacen falta instrumentos muy especializados.
En el TEM, se produce un haz de electrones mediante un filamento de tungsteno que se encuentra en la parte
superior de un columna y se acelera hacia la parte inferior de la columna con alto voltaje.
A medida que pasan los electrones a travs de la muestra algunos se absorben y otros se dispersan cambiando de
direccin.
El espesor de la lmina debe ser lo suficientemente delgada como para permitir la transparencia al flujo
de electrones que provienen del can del microscopio, si es demasiado gruesa no permitir el paso de
los electrones debido a la absorcin y difraccin excesivas.
Despus de atravesar la muestra se enfoca y se proyecta sobre una pantalla fluorescente. Puede formarse
una imagen ya sea reuniendo a los electrones directos o a los electrones dispersos.
Si se selecciona el haz directo, la imagen resultante se denomina imagen de campo brillante, si se

seleccionan los electrones dispersos se produce una imagen de campo oscuro.
Imagen TEM de dislocaciones en la aleacin AlMgSi

3. Tcnicasdeidentificacindemicroestructurasydefectos
3 MICROSCOPIODESONDADEBARRIDOYFUERZAATMICA
El microscopio de tnel de barrido (STM) y el de fuerza atmica (AFM) son dos de los muchos instrumentos
inventados recientemente que permiten a los cientficos analizar imgenes de los materiales a escala atmica.
Tienen la capacidad de ampliar las caractersticas de la superficie a escala subnanomtrica y producir un mapa
topogrfico de la superficie atmica.
Es decir, que estas tcnicas nos permiten ver posiciones atmicas en las estructuras cristalinas, lo que no se poda
observar con las tcnicas de observacin electrnicas, y mucho menos con las pticas.
Tanto AFM como STM slo miden caractersticas de la superficie del material, ya que la interaccin se produce
nicamente con la superficie, mientras que SEM y TEM, miden propiedades de una cierta profundidad (sobre todo
en la tcnica TEM).
i) En la tcnica del STM se utiliza una punta muy afilada y conductora. Con metales como tungsteno, nquel, platino
iridio y recientemente con nanotubos de carbono.
Esta punta extremadamente fina se coloca a distancia del orden del dimetro de un tomo, a unos 10 (de 0.1 a 0.2
nm) desde la superficie de la muestra. A una distancia tan pequea, las nubes de electrones de los tomos que se
encuentran en la punta de la sonda interactan con las nubes de electrones de los tomos de la superficie de la
muestra.
Si en este punto se aplica un pequeo voltaje, a travs de la punta y la superficie, los electrones harn que la brecha
se transforme en un tnel produciendo una pequea corriente que puede detectarse y registrarse.
Es decir, que cuando la punta se acerca unos 10 a la muestra, los electrones de la muestra fluyen
hacia la punta o viceversa, segn el signo del voltaje aplicado.
Para que se produzca una corriente tnel, tanto la muestra, como la punta, han de ser conductoras o
semiconductoras. De hecho para ofrecer resultados de alta resolucin se trabaja con materiales muy
conductores, Au, Ag, Cu,
La imagen obtenida corresponde a la densidad electrnica de los estados de la superficie.
La superficie debe ser muy plana para que as nos permita medir distancias de 10 .
ii) El AFM aplica un principio similar al del STM, sin embargo en este caso la punta empleada se mueve
por repulsin atmica.
Es decir, la punta tremendamente afilada conectada a un filamento volado, se mueve por la repulsin
atmica entre el tomo de la punta y el tomo de la superficie, flexionando el filamento.
El detector mide la flexin de la punta y calcula la fuerza que acta sobre la punta.
Existen varios tipos. Entre ellos podemos destacar el mtodo de contacto (para estudiar superficies duras)
y el mtodo de no contacto para superficies blandas)
La principal ventaja del AFM frente al STM, es que el principio del AFM no se basa en un tnel de
corriente a travs de la punta, y puede por tanto aplicarse a todo tipo de materiales, incluso aquellos
que no son conductores.
Otra diferencia con el STM, es que mediante esta tcnica se pueden medir relieves.
La microscopia electrnica de alta resolucin brinda una oportunidad para la invencin de nuevos
materiales.
ImagenAFMdelgrafito.
Superficiedetomosdesilicioenlasuperficiedeunsensor.
Amplituddelaimagen0.09nm
4. Difusinenslidos
4.1. INTRODUCCIN
La difusin es el mecanismo por el cual la materia se transporta a travs de la materia.
Muchos de los procesos involucrados en la produccin y utilizacin de los materiales de ingeniera

tienen relacin con la velocidad a que los tomos se mueven en estado slido.
Es un proceso que est estrechamente relacionado con la presencia de defectos puntuales
As por ejemplo, la difusin atmica, o el transporte de tomos, es el proceso que explica algunos
procesos como el cambio de una fase slida a otra, el cambio alotrpico, la aleacin y tambin el
responsable de los distintos tipos de comportamiento durante la solidificacin de un material. Tambin
est presente en procesos como la corrosin. As como en el diseo de semiconductores
4. Difusinenslidos
Para que tenga lugar la difusin son necesarias dos condiciones:
1. Debe existir un espacio libre adyacente al tomo que se va a mover, espacio que ocupar dicho tomo.
2. El tomo debe tener suficiente energa para romper los enlaces atmicos y distorsionar la red cristalina a medida
que se mueve por la red. Esta energa se denomina energa de activacin.
A medida que aumenta la temperatura, va creciendo el nmero de tomos o molculas que podrn alcanzar este
nivel de energa
Cuando aumenta la temperatura, aumentan las vacantes y tambin la energa disponible para mover a los tomos.
Es conocido que el movimiento atmico en los gases es relativamente rpido(debido a que los enlaces entre tomos
son mucho ms dbiles), ms lento en los lquidos y en los slidos est limitado por su enlace.
Sin embargo las vibraciones trmicas de los tomos alrededor de sus posiciones de equilibrio en lugar en los slidos,
permiten que algunos de estos tomos se muevan.
4. Difusinenslidos
Por tanto, la velocidad de difusin en estado slido es baja y ms baja an en slidos sostenidos por enlaces fuertes
como el inico o el covalente
El enlace metlico es ms dbil que el inico y el covalente, por lo que es ms fcil de romper. Adems este enlace es
no direccional, es decir que no hay direcciones de enlace preferente y por tanto cada tomo atrae por igual a todos los
tomos que se encuentran a la misma distancia
El enlace covalente es direccional, adems de fuerte, y existen direcciones de enlace preferentes (marcadas por los
orbitales) por lo que se restringe el movimiento atmico
El enlace inico, aunque no es direccional, presenta el problema de que el movimiento de los iones a travs del slido
puede implicar repulsiones al enfrentarse a iones prximos del mismo signo
Por estos motivos se estudiarn los procesos de difusin en metales, ya que es ms habitual que los procesos de
difusin tengan lugar en este tipo de materiales
4. Difusinenslidos
Hay que considerar tambin que cuanto ms compacta sea una red cristalina ms difcil ser la difusin.
Tambin el nmero de coordinacin es un parmetro a tener en cuenta ya que indica el nmero de vacantes
alrededor de cada tomo.
Sin olvidar los defectos ya que si la red cristalina fuera perfecta necesitara mayor energa para romper enlaces y
permitir el movimiento atmico.
En el caso de las estructuras metlicas, los procesos de difusin se producen gracias a la presencia de defectos
puntuales (sobre todo vacantes), dislocaciones, o defectos superficiales (bordes de grano) y defectos volumtricos
Los procesos de difusin se darn ms fcilmente en aquellas zonas de mayor inestabilidad o energa, como son los
defectos.
En estas zonas la energa de activacin necesaria para que tengan lugar estos procesos de difusin vara:
Q defectos volumen > Q defectos lmite de grano > Q defectos superficie
Con todo hay que decir que aunque presenta mayor energa de activacin, el modo ms importante de difusin en un
metal es la difusin en volumen, debido a una cuestin numrica, la mayora de tomos se desplazan a travs del
volumen del material.
4. Difusinenslidos
Podemos distinguir varios tipos de difusin:
1. Autodifusin: cuando se difunden tomos del propio metal.
Puede tener un carcter aleatorio o estar favorecida por la presencia de defectos
2. Interdifusin: Cuando se difunden otro tipo de tomos diferentes al metal base.
(a) En muchas ocasiones est controlado por diferencias de concentracin atmica, de modo que tendr lugar desde
zonas de mayor concentracin atmica a zonas de menor concentracin.
Algunos ejemplos de procesos de difusin que tienen lugar por diferencia de concentracin de diferentes elementos
seran los siguientes:
4. Difusinenslidos
Laexperiencianosdemuestraquecuandoabrimosunfrascodeperfumeodecualquierotrolquidovoltil,podemos
olerlorpidamenteenunrecintocerrado.Decimosquelasmolculasdellquidodespusdeevaporarsesedifunden
porelaire.
Lomismoocurresicolocamosunterrndeazcarenunvasodeagua,lasmolculasdesacarosasedifundenportodo
elagua.
Estosyotrosejemplosnosmuestranqueparaquetengalugarelfenmenodeladifusin,ladistribucinespacialde
molculasnodebeserhomognea,debeexistirunadiferencia,ogradientedeconcentracinentredospuntosdel
medio.
Ejemplodedifusinenlquido(procesomsrpidoqueenunslido): unagotadetintaquecaeenunvasodeagua.O
tambinladisolucindeunainfusinenunvasodeagua.Sedifundenlaspartculasotomosdeunmaterialenotro
hastalahomogeneizacincompleta.
4. Difusinenslidos
Se comprueba, por tanto, que la interdifusin puede dar lugar a variaciones en la composicin qumica de un metal, tal
y como estudiaremos ms adelante.
(b) Otras veces la difusin puede ser opuesta al gradiente de concentracin, pero en este caso la fuerza impulsora de
la difusin es de origen termodinmico.
(c) Tambin puede tener lugar una difusin de tomos desde el ambiente que rodea a un slido hacia el interior de
dicho slido, cuando la concentracin de ese elemento es suficientemente elevada, y normalmente a elevadas
temperaturas. En estos casos se produce un enriquecimiento, al menos, de la superficie del metal (P.e: la oxidacin es
un enriquecimiento de oxgeno en la superficie del metal en forma de xido)
(d) Puede darse otro caso en el que la difusin se produce desde el material hacia el ambiente, favorecido por una alta
temperatura (P.e: la prdida de C en la superficie del acero, fenmeno conocido como descarburacin, que deja la
superficie del acero menos resistente)
4. Difusinenslidos
4.2. MECANISMOS DE LA DIFUSIN
Existen los siguientes mecanismos para que tenga lugar la difusin, el movimiento de los tomos en una red cristalina:
intercambio atmico, a travs de imperfecciones, sustitucional e intersticial.
1. Intercambio simple y cclico de tomos: la distorsin creada en la red sera muy grande, por lo que la energa de
activacin requerida sera muy elevada, haciendo este mecanismo poco probable
2. Difusin a travs de imperfecciones: en este caso la energa de activacin requerida es mucho menor que en
cualquier caso, puesto que en estas zonas los enlaces atmicos son ms dbiles y existen mayores espacios libres
4. Difusinenslidos
2a. Mecanismo sustitucional o por vacantes
Los tomos pueden moverse en la red cristalina de una posicin atmica a otra si tienen suficiente energa de
activacin procedente de sus vibraciones trmicas y si existen vacantes en la red hacia donde puedan desplazarse.
A mayores temperaturas, hay ms probabilidad de vacantes y ms energa trmica disponible y por tanto la
velocidad de difusin es superior.
Durante la difusin sustitucional en estado slido, los tomos deben romper sus enlaces iniciales con otros tomos y
reemplazarlos por nuevos enlaces. La presencia de vacantes facilita este proceso, por lo que puede tener lugar a
menores energas.
Para que este proceso se produzca en aleaciones es necesario que haya solubilidad de un tipo de tomo en el otro,
es decir que el tamao del tomo que difunde debe ser parecido al de los tomos de la red cristalina.
4. Difusinenslidos
2b. Mecanismo intersticial
Tiene lugar cuando los tomos se mueven de un sitio intersticial a otro intersticio vecino sin desplazar, de manera
permanente, a ninguno de los tomos de la red cristalina.
Es necesario que el tamao de los tomos que se difunden sea relativamente pequeo comparado con el de los
tomos de la matriz.
Los tomos pequeos como el H, O y C se pueden difundir intersticialmente en hierro.
Un tomo de carbono empuja a dos tomos de hierro

4. Difusinenslidos
4.3. DIFUSIN EN ESTADO ESTACIONARIO. 1 LEY DE FICK
Desde un punto de vista macroscpico la difusin es un proceso que depende del tiempo, es decir la cantidad de
elemento transportado dentro de otro depende del tiempo.
La velocidad a la que se produce el transporte de masa se denomina flujo de difusin (J), definido como la masa o n
de tomos que difunden perpendicularmente a travs de la unidad de rea de un slido, por unidad de tiempo
(expresado en Kg o tomos por metro cuadrado por segundo).
Para que exista un estado estacionario es necesario que el flujo de difusin no cambie con el tiempo, que sea
constante.
4. Difusin en slidos
Si existen diferencias de concentracin de cualquier especie el paso de las molculas se llevar a cabo desde
las regiones con mayor concentracin hacia las regiones de menor concentracin, es decir, el flujo de sustancia
ir en el sentido opuesto del gradiente de concentracin (signo negativo D)
Supongamos que la concentracin vara con la posicin al lo largo del eje X
Llamemos J a la densidad de corriente de partculas, es decir, al nmero efectivo de partculas que atraviesan
en la unidad de tiempo y de rea.
La 1 ley de Fick afirma que la densidad de corriente de partculas es proporcional al gradiente de

concentracin:
J = D dC/dx
4. Difusinenslidos
El coeficiente de difusin D, depende de muchos factores:

1. El tipo de mecanismo de la difusin : sustitucional o intersticial.
P.e: los tomos pequeos pueden difundir intersticialmente en la red cristalina de tomos de gran
tamao. O los tomos de cobre se difunden sustitucionalmente en una red del aluminio, puesto que son
casi del mismo tamao.
2. La temperatura a la que tiene lugar la difusin: a medida que aumenta la temperatura, aumenta la
velocidad de difusin ya que es ms fcil alcanzar la energa de activacin. Esta dependencia se puede
expresar por un tipo de ecuacin como la de Arrhenius:
4. Difusinenslidos
3. El tipo de estructura cristalina de la red matriz: en funcin del factor de empaquetamiento (fraccin de volumen
de la celdilla que est ocupada por tomos), es decir de los espacios interatmicos. Cunto menor sea el factor de
empaquetamiento mayor es el espacio interatmico y por tanto mayor la velocidad y factor de difusin.
4. Tipo de defectos cristalinos: la difusin tendr lugar con ms facilidad en estructuras ms abiertas (menos
ordenadas o menos estables). Por tanto ser ms rpida, es decir, el coeficiente ser mayor en los lmites de
grano que en el centro de los metales. Tambin un exceso de vacantes incrementar la velocidad de difusin.
4. Difusinenslidos
Capacidaddedifusin(m2/s)
Soluto Disolvente
500C 1000C
Carbono HierroFCC 5X1015 3X1011
Carbono HierroBCC 1012 2X109
Hierro HierroFCC 2X1023 2X1016
Hierro HierroBCC 1020 3X1014
Nquel HierroFCC 1023 2X1016

(ra=0.149nm)
Manganeso(ra=0.161nm) HierroFCC 3X1024 1016
Cobre Aluminio(ra=1.43nm) 4X1014 1010

(ra=1.28nm)
Cobre Cobre(ra=1.28nm) 1018 2X1013

(ra=1.28nm)
Plata Plata(cristalina) 1017 1012
Plata Plata(lmitedegrano) 1011

4. Difusinenslidos
4.4. DIFUSINENESTADONOESTACIONARIO.2LEYDEFICK
Lamayoradelassituacionesprcticasdedifusinenlaindustriaseproducenenestadonoestacionario.
Enunazonadeterminadadelslido,elflujodedifusinyelgradientevaranconeltiempo,generandoacumulacino
agotamientodelassustanciasquedifunden.
Esdecir,amedidaqueaumentaeltiempodedifusin,laconcentracindetomosdelsolutoencualquierpuntodel
slido (enladireccinx)tambinaumentar.
Porejemploladisolucindeungasenlasuperficiedeunslido(Tratamientotrmicoenmateriales,p.e:carburacin,
nitruracindeaceros,etc)
4. Difusinenslidos
Portantola2leydeFick establecequelavelocidaddelcambiodecomposicinesigualalcoeficiente
dedifusinmultiplicadoporlavelocidaddecambiodelgradientedeconcentracin.
dC/dt =d/dx(DdC/dx)
Estasecuacionessondifcilesdeaplicar,peronosayudanaentenderlasvariablesqueinfluyenenlos
procesosdedifusin.
4. Difusinenslidos
Unasolucinparticulardeestaecuacinparaungasquesedifundeenunslidoesdegranimportancia
enalgunosprocesosdedifusineningeniera*yseutilizapararesolveralgunosproblemasdedifusin
industrialquesedanenlaprctica.
Considreseelcasodeun gasA difundindoseen unslidoB.

4. Difusinenslidos
Considrese el caso de un gas A difundindose en un slido B
A medida que aumenta el tiempo de difusin, la concentracin de tomos
del soluto en cualquier punto del slido en la direccin x tambin aumentar
Cs = concentracin de tomos de A
en la superficie
Cx= concentracin de tomos de A
en cualquier punto del slido B a lo largo
del eje x
C0= concentracin de tomos de A que
ya tiene el slido B antes de la difusin
4. Difusinenslidos
Amedidaqueaumentaeltiempodedifusin,laconcentracindetomosdelsolutoencualquierpunto
delslidoB,enladireccinxtambinaumentar,comoseindicaparalostiempost1yt2.
SielcoeficientededifusindelgasAenelslidoB,esindependientedelaposicin,entoncesla
solucinalasegundaleydeFick,sera:

=ferr
ferr o erf: tratamiento estadstico

4. Difusinenslidos
Siendo erf una funcin matemtica llamada funcin del error(tratamiento estadstico)
4. Difusinenslidos
Ejemplo: difusin de impurezas en obleas de silicio para circuitos integrados
La difusin de impurezas en obleas de silicio para cambiar sus caractersticas de conductividad es una fase importante
en la produccin de los circuitos electrnicos integrados modernos
Es un mtodo de difusin de impurezas en discos de silicio, donde la superficie se expone al vapor de una impureza
apropiada a una temperatura de unos 1100 C en un horno
El ingeniero de diseo debe proteger la parte de la superficie de silicio no expuesta a la difusin de impurezas, para
que la impureza difusora acte en las partes seleccionadas para los cambios de conductividad
La concentracin de las impurezas difundidas en las superficies del silicio disminuye al aumentar la profundidad de la
penetracin
Cambiando el tiempo de difusin tambin cambiar la concentracin de las impurezas versus el perfil de profundidad.

Tema 3.-. Imperfecciones Cristalinas. Difusión en Sólidos

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Tema 3.-. Imperfecciones Cristalinas. Difusión en Sólidos

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TEMA 3 ESCALAATMICA

1. Imperfecciones cristalinas: Defectos puntuales. Defectos lineales. Defectos superficiales. Defectos

Cuandodosionesdecargaopuestafaltanenuncristalinico,secreaunadivacante aninicacatinica quedarlugara

Los tipos ms importantes de dislocaciones son:

i).Dislocacin de cua o de borde:

Semiplano adicional de tomos

Movimiento de dislocacin negativa (T): http://www.youtube.com/watch?v=OpKxyeU2dc0

Movimiento de las dislocaciones (gusano): http://www.youtube.com/watch?v=CBuX7sycXU

Como ya se ha comentado, la deformacin de un metal depende del nmero de sistemas de deslizamiento, un

A veces se utiliza el smbolo para designar una dislocacin helicoidal

iv) Los lmites de macla

Microscopio metalrgico a travs del sistema ptico

Donde N es el nmero de granos por milmetro cuadrado o pulgada cuadrada

nA es el tamao de grano aparente

Q es un factor donde se tiene en cuenta el aumento. Cuando el aumento es de 100, Q=0

3. Tcnicas de identificacin de microestructuras y defectos

n=1 n=2 n=3 n=4

2.1MICROSCOPA ELECTRNICA DE BARRIDO (SEM)

Las muestras a analizar suelen estar

recubiertas de oro u otros metales pesados

para lograr una mejor resolucin y

calidad de la seal, sobre todo cuando la muestra est

compuesta por un material no conductor.

2 MICROSCOPA ELECTRNICA DE TRANSMISIN (TEM)

Esta tcnica nos permite obtener informacin de la estructura interna de la muestra.

Si se selecciona el haz directo, la imagen resultante se denomina imagen de campo brillante, si se

Imagen TEM de dislocaciones en la aleacin AlMgSi

La imagen obtenida corresponde a la densidad electrnica de los estados de la superficie.

La difusin es el mecanismo por el cual la materia se transporta a travs de la materia.

Muchos de los procesos involucrados en la produccin y utilizacin de los materiales de ingeniera

Es un proceso que est estrechamente relacionado con la presencia de defectos puntuales

Podemos distinguir varios tipos de difusin:

1. Autodifusin: cuando se difunden tomos del propio metal.

Puede tener un carcter aleatorio o estar favorecida por la presencia de defectos

2. Interdifusin: Cuando se difunden otro tipo de tomos diferentes al metal base.

4.2. MECANISMOS DE LA DIFUSIN

2a. Mecanismo sustitucional o por vacantes

2b. Mecanismo intersticial

Los tomos pequeos como el H, O y C se pueden difundir intersticialmente en hierro.

Un tomo de carbono empuja a dos tomos de hierro

La 1 ley de Fick afirma que la densidad de corriente de partculas es proporcional al gradiente de

El coeficiente de difusin D, depende de muchos factores:

Carbono HierroBCC 1012 2X109

Hierro HierroFCC 2X1023 2X1016

Hierro HierroBCC 1020 3X1014

Nquel HierroFCC 1023 2X1016

Manganeso(ra=0.161nm) HierroFCC 3X1024 1016

Cobre Aluminio(ra=1.43nm) 4X1014 1010

Cobre Cobre(ra=1.28nm) 1018 2X1013

Plata Plata(cristalina) 1017 1012

Plata Plata(lmitedegrano) 1011

Considreseelcasodeun gasA difundindoseen unslidoB.

ferr o erf: tratamiento estadstico

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