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Fundamentos de

Ingeniera Electrnica

Tema 1: El diodo
semiconductor
Contenidos del Tema 1: El diodo
semiconductor
1.1.- Clasificacin electrnica de los materiales.
1.2.- Semiconductores.
1.2.1.- Semiconductores intrnsecos.
1.2.2.- Semiconductores extrnsecos.
1.3.- La unin PN.
1.3.1.- La unin PN en equilibrio: el diodo.
1.3.2.- Polarizacin directa
1.3.3.- Polarizacin inversa.
1.3.4.- Relacin corriente-voltaje.
1.4.- Teora de diodos.
1.4.1.- Caracterizacin del diodo.
1.4.2.- Tipos de diodos.
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
1.5.2.- Fuentes de alimentacin.
1.1.- Clasificacin electrnica de
los materiales.
Aislantes, conductores y semiconductores.
La mayora de los dispositivos electrnicos se fabrican mediante
el uso de materiales semiconductores junto a conductores y
aislantes.

El n de electrones en el orbital exterior (orbital de valencia) de


los tomos del material definen sus caractersticas elctricas, es
decir, si son aislantes, conductores o semiconductores.

Aislantes: tienen en el orbital de valencia entre 5 y 8 electrones (36Kr).


Semiconductores: tienen en el orbital de valencia 4 electrones (32Ge,14Si).
Configuracin electrnica del Ge (1s2 2s22p6 3s23p63d10 4s24p2)

Configuracin electrnica del Si (1s2 2s22p6 3s23p2)

Conductores: tienen en el orbital de valencia entre 1 y 3 electrones (29Cu).


1.1.- Clasificacin electrnica de
los materiales.
Semiconductores (Ge y Si).
Configuraciones electrnicas y distribucin energtica de los
orbitales.
32Ge (1s2 2s22p6 3s23p63d10 4s24p2)
2 2 6 2 2
14Si (1s 2s 2p 3s 3p )

Representacin del tomo en dos partes: ncleo ms los orbitales internos y orbital de
valencia.
1.2.- Semiconductores.
1.2.1.- Semiconductores intrnsecos o puros.
Los tomos de Si se combinan mediante enlaces covalentes para formar un
material slido, y lo hacen segn un patrn ordenado que se denomina cristal.

Cuando se forma el cristal de Si, los electrones de valencia de cada tomo dejan
de estar al mismo nivel de energa, pues se ven influenciados por las cargas del
resto de tomos del cristal. Los niveles de energa que representan cada orbital
se ensanchan formando bandas de energa.
1.2.- Semiconductores.
1.2.1.- Semiconductores intrnsecos o puros.
Cuando aumenta la temperatura, la energa trmica puede desligar un electrn
de la banda de valencia, adquiriendo la energa suficiente para pasar a un orbital
de mayor energa que se denomina banda de conduccin.
La salida del electrn deja un vaco en la banda de valencia que se denomina
hueco (h+), que se comporta como una carga positiva.

Los electrones libres tienen un corto tiempo de vida hasta que son atrapados por
un h+ vecino. A este proceso se denomina recombinacin. Cuando un electrn
libre se recombina con un hueco se emite energa en forma de calor, luz u otro
tipo de radiacin.
1.2.- Semiconductores.
1.2.2.- Semiconductores extrnsecos (dopado).
A temperatura ambiente, el nmero de pares electrn / hueco (portadores) es
muy pequeo, comportndose el semiconductor puro casi como un aislante.
Para aumentar el nmero de portadores, o aumentar la conductividad elctrica,
del semiconductor se aaden impurezas donadoras o aceptoras. Las impurezas
son tomos de otro elemento que se aaden al semiconductor puro.
Semiconductor tipo n (negativo); se aaden tomos polivalentes como el P, As o Sb.
El n de electrones aadidos es igual al de tomos o impurezas donadoras.

Semiconductor tipo p (positivo): se aaden tomos trivalentes como el Al, B o Ga. El


n de huevos aadidos es igual al de tomos o impurezas aceptoras.
1.3.- La unin PN.
1.3.1.- La unin PN en equilibrio: el diodo.
Un diodo est basado en el principio de funcionamiento de la unin PN,
que es un semiconductor donde la mitad es de tipo p y la otra mitad de
tipo n.

Al realizar la unin, los electrones de la banda de conduccin del lado n


se difunden al lado p y se recombinan con los huecos de la banda de
valencia. En la zona n quedan iones positivos y en la p iones negativos
que crean un campo elctrico que se opone al movimiento de los
electrones (equilibrio).
1.3.- La unin PN.
1.3.2.- Polarizacin directa
Cuando la unin PN se polariza en directa favorece la circulacin de la corriente
cuando la fuente de tensin aplicada V supera la barrera de potencial (Vk).
La tensin directa disminuye la barrera de potencial haciendo que las bandas de
energa del lado n suban, proporcionndole a los electrones libres del lado n la
suficiente energa para entrar en la regin p (camino A). Posteriormente, los
electrones se recombinan con los huecos de la banda de valencia del lado p.

Asimismo, como las bandas del lado n suben, los electrones prximos a la unin
de ambas zonas pueden recombinarse con los huecos de la banda de valencia
(camino B).
1.3.- La unin PN.
1.3.3.- Polarizacin inversa
Cuando la unin PN se polariza en inversa se produce un aumento de la zona
de deflexin y, por lo tanto, de la barrera de potencial. La zona de deflexin deja
de aumentar cuando la barrera de potencial se iguala a la tensin inversa.

Existe una pequea corriente debida a los portadores minoritarios que se


denomina corriente de saturacin (Is). Se debe a los pares electrn/hueco que
se generan en la unin por agitacin trmica, y que la tensin V hace que los
electrones y huevos se vayan hacia la derecha e izquierda, respectivamente.
Si V se incrementa demasiado, aumenta la velocidad/energa de los portadores
minoritarios que al chocar con los e- de los tomos del cristal pueden
desprenderlos dando lugar a nuevos portadores minoritarios. Este proceso sigue
una progresin geomtrica dando lugar a una corriente en inversa elevada
(efecto de avalancha). A esa tensin se le denomina tensin de ruptura.
1.3.- La unin PN.
1.3.4.- Relacin corriente - voltaje
La relacin terica entre el voltaje y la corriente en la unin PN
est dada por:

vD
i D I s e T 1
nV

Donde:
Is es la corriente de saturacin en polarizacin inversa. Para el Si
es del orden de 10-18 a 10-12 A.
VT se define como el voltaje trmico, que es aproximadamente de
0,026V a temperatura ambiente (T = 300K);
1n2 es el coeficiente de emisin o factor ideal. Normalmente se
toma n=1. Da cuenta de la importancia de la recombinacin de
electrones y huecos.
1.4.- Teora de diodos
1.4.1.- Caracterizacin del diodo.
A continuacin se muestra el smbolo elctrico del diodo y la curva caracterstica
que representa la corriente ID que lo atraviesa y la tensin VD entre sus
extremos: nodo (A) y ctodo (K).

Parmetros asociados con el diodo:


Corriente de saturacin (IS): corriente en inversa.
Tensin de ruptura: tensin en inversa que produce una corriente en inversa elevada.
Tensin umbral (Vk): tensin mnima necesaria para que se supere la barrera de
potencial y circule corriente directa.
Resistencia interna (RB): suma de las resistencias de los semiconductores p y n que
lo forman. RB=(Rp+Rn) < 1.
Mxima corriente continua con polarizacin directa (Imx): mxima corriente en
continua que puede circular en directa sin recalentar y destruir el diodo. Por ello, suele
conectarse una resistencia en serie con l.
Disipacin de potencia (PD): para un diodo se puede calcular igual que para una
resistencia: PD=VD.ID.
1.4.- Teora de diodos
1.4.1.- Caracterizacin del diodo.
Se suelen usar tres tipos de aproximaciones para representar la
curva caracterstica del diodo:

1 Aproximacin (diodo
ideal):

2 Aproximacin (diodo
con barrera de potencial):

3 Aproximacin (diodo
con barrera de potencial
y RB):
1.4.- Teora de diodos
1.4.1.- Caracterizacin del diodo.
La recta de carga de un diodo es un mtodo para determinar la
corriente y tensin en el mismo cuando se encuentra formando parte de
un circuito.
A los valores (IDQ,VDQ) de un diodo se le denomina punto de operacin o
de trabajo Q.

Qu ocurre con el punto Q si la tensin vTH contiene una componente


de continua VTH y otra de alterna vth?.
1.4.- Teora de diodos
1.4.2.- Tipos de diodos.
Diodo Zener: es un diodo diseado para trabajar en zona de
ruptura (en inversa), por ello, tambin se denomina diodo de
avalancha.
Se utiliza como estabilizador de tensin, ya que permite mantener
una tensin constante de Vz entre sus extremos aunque vare la
corriente (dentro de unos mrgenes de operacin).
La resistencia zener (Rz) es la inversa de la pendiente de la curva
caracterstica en la zona de ruptura, con lo que su valor es muy
pequeo y prcticamente despreciable.
Normalmente se coloca una resistencia en serie con el diodo para
limitar la corriente que circula por el diodo en inversa.
1.4.- Teora de diodos
1.4.2.- Tipos de diodos.
Diodo tnel: es un diodo considerablemente dopado de
forma que se consigue que la tensin de ruptura se
produzca a 0 V.
Este fuerte dopaje distorsiona la curva de polarizacin directa
obtenindose un fenmeno de resistencia negativa, es decir,
existe una zona donde la corriente disminuye al aumentar la
tensin.

Diodo LED: es un diodo que cuando es polarizado en


directa emite luz.
Si se utiliza conjuntamente con un fotodiodo (dispositivo que
tiene la funcin inversa que un diodo LED y que se polariza
en inversa), da lugar a un optoacoplador.

Diodo Schottky: es un diodo optimizado en cuanto a


velocidad de conmutacin.
Estos diodos utilizan un metal en un lado de la unin y un
semiconductor (generalmente tipo n) al otro lado, con lo que
no existe zona de deflexin.

Varicap: la zona de deflexin en un diodo equivale a un


condensador y, adems, su anchura depende de la
polarizacin inversa aplicada.
Es decir, se dispone de un condensador variable cuya
capacidad disminuye al aumentar la polarizacin en inversa
(condensador variable con la tensin).
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
Una aplicacin de los diodos es el diseo de circuitos rectificadores. Un rectificador es la 1
etapa de una fuente de alimentacin de continua.
En general, todos los circuitos y dispositivos electrnicos necesitan energa en forma de
tensin o corriente continua (DC). Se podran emplear bateras, pero lo ms frecuente es
obtener la energa de la red elctrica, que proporciona energa en forma de tensin en
alterna o AC.

Circuito rectificador: convierte la seal de alterna en una seal continua pulsada o


unidireccional en cuanto a la corriente que circula por la carga.
Filtro: convierte la seal rectificada VR(t) en una seal continua VDC en forma de
tensin o corriente.
Regulador de voltaje: mantiene el valor de tensin continua de salida constante e
independiente de la carga.
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
Rectificador de media onda:

1 aproximacin (diodo ideal):


1 T Vp
VR ,medio VR,DC
T
0
VR (t )dt

0,318 V p 31,8% de V p

2
1 T Vp 2
V 2
R ,ef VR2 (t )dt
Potencia til de salida ( DC) VR ,medio RL
2
T 0 4 Potencia entregada total VR ,ef RL
V p RL
2 2
4
3 aproximacin para el diodo: 2 2 40,52%
V p 4 RL
VR (t )
RL
Vin (t ) Vk 0 t T 2
RL RB
RL V p Vk V p
VR ,medio VR , DC si V p Vk , RL RB
RL RB 2
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
Rectificador de onda completa:

1 aproximacin (diodo ideal):


1 T 2 Vp
T 0
VR ,medio VR , DC V (t ) dt 0,636 V p 63,6% de V p

R

2
1 T Vp 2
V 2
R ,ef VR2 (t )dt
Potencia til de salida ( DC) VR ,medio RL
2
T 0 2 Potencia entregada total VR ,ef RL
4V p RL
2 2
8
3 aproximacin para el diodo: 81,04%
V p2 2 RL 2
VR (t )
RL
V (t ) Vk 0 t T
RL RB in
RL 2V p
VR ,medio VR , DC Vk
RL RB
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
Puente rectificador:

1 aproximacin (diodo ideal):


1 T 2 Vp
T 0
VR ,medio VR , DC V (t ) dt 0,636 V p 63,6% de V p

R

2
1 T Vp 2
Potencia til de salida ( DC) VR ,medio RL
VR2,ef VR2 (t )dt 2
T 0 2 Potencia entregada total VR ,ef RL
4V p RL
2 2
8
3 aproximacin para el diodo: 81,04%
V p2 2 RL 2
VR (t )
RL
V (t ) 2Vk 0 t T
RL 2RB in
RL 2V p
VR ,medio VR , DC 2Vk
RL 2RB
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.1.- Circuitos rectificadores.
Comparacin de los diferentes tipos de
rectificadores:

Rectificador de Rectificador de Puente


media onda onda completa rectificador

Tensin media R V p Vk R 2V p R 2V p
Vk 2Vk
(VR,media) R RB 2 R RB R 2 RB
Tensin media Vp 2V p 2V p
aproximada
Rendimiento () 40% 80% 80%
Frecuencia de la
seal de salida fin 2fin 2fin
VR(t)
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.2.- Fuentes de alimentacin.
La seal de salida de un rectificador no es una seal continua, sino que es una
seal continua pulsada o unidireccional respecto a la corriente que circula por la
carga.
Para conseguir una seal constante o continua se hace uso de un filtro, el cual
puede ser de choque o con condensador a la entrada.
Mientras el filtro de choque (LC) permite obtener una tensin continua igual al
valor medio de VR(t), el de condensador a la entrada permite obtener una
tensin igual Vp de VR(t).

La seal de salida no es perfectamente sino que presenta un rizado debido a la


descarga del condensador, el cual se aproxima como si tuviera forma senoidal.
I: corriente media de descarga a travs de RL.
f: frecuencia de la seal rectificada (depende del rectificador empleado).
C: capacidad del condensador que acta como filtro.
V pp, R
Q I T I / f V pp, R
I Vrms, R
I
2 2 2 2f C
Q CV pp fC
1.5.- Circuitos con diodos.
1.5.2.- Fuentes de alimentacin.
La tensin de salida continua debera ser independiente de la carga RL. Para
ello, se suele utilizar un diodo zener, el cual, adems produce una disminucin
del rizado.

Supongamos una fuente de tensin a cuya salida aadimos un diodo zener.


Ahora la tensin en la carga viene dada por:

VL VZ I Z RZ

Como Rz0, VL VZ. Por otro lado, dado que Rz es mucho menor que RL
(Rz||RL Rz), la tensin de rizado en la carga disminuye y se hace independiente
de RL.
RZ R
VL,rizado Vs ,rizado Z Vs ,rizado
RS RZ RS