Diapositiva 1

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Proceso de fabricación de células y paneles FVs

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Diapositiva 2

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Proceso de fabricación de células y paneles FVs

I
Tratamiento de C
arenas de cuarzo
F
40% O
A Cristalización y
II laminación del Si S
S
Transformación de T
E III obleas en células 30%
E
S Interconexión y
IV encapsulado en módulos
30% S

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Diapositiva 3

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Eficiencia de conversión VS Proceso de fabricación

COSTES
COSTES

Coste
= Optimo
η
Eficiencia
Eficienciade
deconversión
conversión Proceso
Procesode
defabricación
fabricación
ηη

Pureza
Pureza yy grado
grado de
de
critalinidad
critalinidad

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Diapositiva 4

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Evaluación de costes de fabricación

E primaria
Tdevolución = = n º años
E generada/ año

Energía
Energíaprimaria
primariagastada
gastada Energía
Energíaproducida
producidapor
por
en fabricación Tiempo
Tiempo los paneles
en fabricación los paneles

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Diapositiva 5

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Fase I: obtención del silicio
Grado
Grado
Horno
Hornodedearco
arco semiconductor
eléctrico semiconductor
eléctrico
a
p ppmma
2 p
00, , 2
SiO
SiO2+C(coque)
Grado
Grado
Silicio
Silicio 2+C(coque)
Reducción
Reducción metalúrgico
metalúrgico 11p
ppm
maa

Grado
Grado
Impurezas
Impurezasintolerables:
intolerables: solar
solar
Ti,
Ti,Zr,
Zr,V,V,Na.
Na.

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Diapositiva 6

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Fase II: cristalización y laminación del silicio
Cristalización
Cristalización

Silicio fundido a
1.400ºC con
impurezas tipo-p
Si-monocristalino
Si-
Si-monocristalino (boro) Si-multicristalino
Si-multicristalino

Crecimiento lento
Procedimiento Crecimiento rápido
Procedimientode de
crecimiento
crecimientode de
Lingotes
Lingotes cristales Láminas
cristales Láminas
(semillas)
(semillas
semillas))
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Diapositiva 7

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Fase II: Esquema de crecimiento de cristales (semillas).

Frontera
de grano
Desplazamiento

Semilla
(monocristal de Si)

Estructura Estructura
multicristalina monocristalina
Silicio
fundido

Multicritalina Células solares Monocritalina

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Diapositiva 8

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Fase II: Tiempo de vida media de portadores VS
Productividad
Calidad
Calidad

Tiempo
Tiempode
devida
vidamedia
media Maximizar
de portadores minoritarios
de portadores minoritarios
Productividad
Productividad
ττ YY
τ ×Y Baja Y
Bajo τ
Alto τ Alta Y

Lingotes Láminas
Láminas
Lingotes

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Diapositiva 9

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Fase II: Procedimientos para crecer silicio
Silso (WACKER)
Silso (WACKER)
Semix (SOLAREX)
Semix (SOLAREX)
Polix (PHOTOWAT)
Polix (PHOTOWAT)
Bridgeman (ITALSOLAR,
Bridgeman (ITALSOLAR,
CRYSTALOX)
CRYSTALOX)
SILICIO
SILICIO
H.E.M. (Heat-Exchanger
H.E.M. (Heat-Exchanger
Method ) ( CRYSTAL SIEMENS)
Method ) ( CRYSTAL SIEMENS)
MONOCRISTALINO
MONOCRISTALINO
Colada
Colada
PROCEDIMIENTO
PROCEDIMIENTO
(Cast)
(Cast) PARA
PARACRECER
CRECER Zona
Zona Método
Método
CRISTALES
CRISTALES
flotante
flotante
Czochralski
Czochralski
Czochralski
SILICIO
SILICIO
MULTICRISTALINO
MULTICRISTALINO
E.F.G. (Edge-defined Film-fed Growth) MOBIL
E.F.G.
E.F.G. ( Edge
Edge-- defined Film
Film-
-fed
fed Growth
Growth)) MOBIL

Láminas
Láminas
Cinta sobre soporte Estirado horizontal (RAFT) WACKER
yy Cinta
Cinta sobre soporte Estirado horizontal (RAFT) WACKER
sobre soporte
películas
películas
Estirado vertical (HSW) SIEMENS
Estirado vertical (HSW) SIEMENS

Película de Si por epitaxia en fase líquida

Película
Película de
de Si
Si por
por epitaxia en fase líquida

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Diapositiva 10

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Método de Zona Flotante (Si-ZF)
n Si-monocristalino
w Gran CALIDAD (τ ≅ 1ms)
n Segregación de impurezas
n Velocidad de crecimiento: 0,3-0,5
cm/min
n Tamaño de lingote: 12,5 cm ∅x100
cm longitud
n Células de alta eficiencia (23,3%)

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Diapositiva 11

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Método Czochralski (Si-CZ)
n Si-monocristalino
w Suficiente CALIDAD (τ ≅ 100µs)
n Crisol fuente de impurezas
(O2,C)
n Velocidad de crecimiento: 0,1-
0,2 cm/min
n Tamaño de lingote: 15 cm ∅ x
1 m longitud
n Células comerciales. Eficiencia
del 12 al 14%

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Diapositiva 12

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Método Czochralski (Si-CZ)

CENSOLAR
Diapositiva 13

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Método de Colada Si

(Cast)
Basija fundido Bobina de
de radiación
cuarzo de alta

n Si-multicristalino: lingotes frecuencia

n Métodos específicos de Soporte y

cada fabricante embudo de
grafito

w Fundido en moldes de
grafito (No segregación de
impurezas) Sistema de
Molde de
ventilación
n Enfriamiento desplazando grafito

verticalmente el crisol Bloques de

con respecto a la zona Si

calefactora
n Método H.E.M.: el Si se
enfría y solidifica en el
crisol
Diapositiva 14

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Método de Colada (Cast)

n Alta productividad: sencillez de proceso y equipos

n Fronteras de grano: alta probabilidad de
recombinación
w Tiempo de vida media bajo (1 a 10 µs)
n Eficiencia de conversión energética
w Células comerciales (100 cm2) 12 al 14%
w Células industriales 15,8%
w Células record de laboratorios 17,8%

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Diapositiva 15

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Corte de los lingotes en obleas
n Pulido y corte

n Procedimientos de corte

Sierra
Sierra de multihilos o
∅
∅ multihojas
interno
Diapositiva 16

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Procedimientos de corte
n Sierras de diámetro interno
w Proceso muy lento (30 obleas/hora). Baja productividad.
n Sierras multihilo
w Aumento de productividad

Sierra de Sierra
∅
∅ multihilos o
interno multihojas
Diapositiva 17

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Coste del proceso de corte: Muy costoso

n Se desperdicia casi la mitad del material cristalino

w Kerf loss = pérdidas de material por aserrado
n Consumo de energía
w Cristalización +corte (sierra con ∅ interior): obleas de
450µm
n Método CZ 930 kWh/m2
n Multicristalino 743 kWh/m2
w Con sierra multihilo (tendencia): obleas de 200 µm
n 283 kWh/m2
Diapositiva 18

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Crecimiento de láminas y películas de silicio
cristalino: Si-multicristalino

Ahorro
Ahorrode
dematerial
material Virtudes Velocidad
Velocidadde
deproducción
Virtudes producción
Rodillo
Rodillo
Centrifugación
Centrifugación
Crecimiento
Crecimientohorizontal
horizontal
Crecimiento
Crecimientovertical
vertical

Calidad
Calidad
Diapositiva 19

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Crecimiento de láminas y películas de silicio
cristalino: Si-multicristalino

Pulverizado

Silicio de partida Fundido

en crisol

Aleado con un metal

(segregado por epitaxia en fase líquida)
Diapositiva 20

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Crecimiento de láminas y películas de silicio
cristalino.

Soporte de la cinta

Soporte de grafito Autosoportada

Soporte de cerámica
Diapositiva 21

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Crecimiento de láminas y películas de silicio
cristalino.
n Método EFG (Edge-defined Film-fed Growth). MOBIL

•Si-nomocristalino
•Lámina por extrusión con matriz de grafito
Si fundido asciende por capilaridad
Se utiliza semilla cristalina
•Velocidad de producción 160 cm2/min
•Matriz poligonal de 8, 9 y 10 cm/cara

•Problemas de estabilización de la interfase

líquido-sólido: Si-multicristalino
•Múltiples defectos
Diapositiva 22

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Crecimiento de cinta sobre soporte
n Si-multicristalino
n La malla del material soporte se sumerge en el silicio fundido

Ventajas Inconvenientes
J Velocidad de crecimiento elevada L La calidad depende del
substrato
J Capas muy delgadas (50 µm)
L El substrato puede ser
J Fácil control de temperatura
contaminante

Eficiencia de conversión energética 16%

Diapositiva 23

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Crecimiento de cinta sobre soporte
n Método RAFT (Ramp Assisted Foil Technique)
n Si-multicristalino
n La malla del material soporte se sumerge en el silicio fundido
n Estirado vertical
n Soporte reutilizable (superficie recubierta con material que
facilita la separación del Si)
n Velocidad de crecimiento 10 m/min.
n Espesor 150-250 µm

Eficiencia de conversión energética 10%

Diapositiva 24

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Crecimiento de cinta sobre soporte
n Método HSW (Horizontal Supported Wed)
n Si-multicristalino
n La malla del material soporte se sumerge en el silicio
fundido
n Estirado horizontal
n Soporte fibra de carbón
Diapositiva 25

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Crecimiento de cinta sobre soporte
n Método HSW (Horizontal Supported Wed)
Ventajas
Ventajas Inconvenientes
Inconvenientes
JJMayor
Mayorsuperficie
superficiede
decontacto
contacto LLDifícil
Difícilcontrol
controldel
delespesor
espesor
entre fases
entre fases de la capa
de la capa
⇒⇒Favorece
Favorecelaladisipación
disipacióndel
del
calor
calor
⇒⇒Mayor
Mayorvelocidad
velocidadde
de
crecimiento
crecimiento

Eficiencia de conversión energética 11%

Diapositiva 26

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Crecimiento de láminas y películas de silicio cristalino.
Epitaxia en fase líquida
Epitaxia
Epitaxia
Proceso
Proceso dede crecimiento
crecimiento de
de una
una lámina
lámina delgada
delgada dede un
un
material
material cristalino
cristalino sobre
sobre otra
otra de
de igual
igual oo distinta
distinta naturaleza
naturaleza
cristalina.
cristalina.
Velocidad de
Velocidad de
crecimiento 1
crecimiento 1
µm/min Cristales Película
Películade
µm/min Cristales
iniciales de
iniciales cristales
cristales

150 cm 2/min (10 cm anchura x100 µm espesor)

150 cm 2/min (10 cm anchura x100 µm espesor)
Diapositiva 27

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Crecimiento de láminas y películas de silicio cristalino.
Epitaxia en fase líquida
Epitaxia
Epitaxia
Proceso
Proceso dede crecimiento
crecimiento de
de una
una lámina
lámina delgada
delgada dede un
un
material
material cristalino
cristalino sobre
sobre otra
otra de
de igual
igual oo distinta
distinta naturaleza
naturaleza
cristalina.
cristalina.

Substrato
Substrato(semilla
(semillacristalina)
cristalina) Fase
•Acero Faselíquida
líquida
•Acerorecubierto
recubiertodedeCSi,
CSi, Temperatura<punto
Temperatura<puntode defusión Solución
SiSiooGaP fusión Soluciónmetálica
metálicadedeSiSi
GaP(monocristalino)
(monocristalino) Enfriamiento
Enfriamientocontrolado
controlado(1ºC/min)
(1ºC/min) en Sb, Pb, In, Au
•Cerámica en Sb, Pb, In, Au
•Cerámicaconductora
conductora desde 900-950ºC (centros
(multicristalino) desde 900-950ºC (centrosdedenucleación)
nucleación)
(multicristalino)
Diapositiva 28

PRINCIPIOS DE LA ENERGÍA FOTOVOLTAICA

Tecnología fotovoltaica
Crecimiento de silicio en cinta. Resumen