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LABORATORIO N 2
CICLO : IV
SECCIN : B
ALUMNO :
1
2
Diodos Semiconductores
1. OBJETIVOS
2. FUNDAMENTO TERICO
DIODO
DIODO SEMICODUCTOR
De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensin negativa al
lado del material N y los huecos fluyen a travs del material N.
2
3
Con la polarizacin directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al chocar con los tomos generan calor
que har umentar la temperatura del semiconductor. Este aumento activa la conduccin en el diodo.
3. EQUIPOS Y MATERIALES
01
Multmetro digital.
02
Fuente de tensin
DC variable.
03
Diodos
semiconductores.
3
4
04
Resistencias.
05
Conectores.
4
5
4. PROCEDIMIENTO
5
6
0.572 V 0V
b) Realice la prueba para cada uno de los diodos indicados y complete la tabla 1
Diodo de
Polarizacin Diodo LED Diodo Zener
Germanio
6
7
Inversa 0 No prende 0
Utilizando el diodo
de silicio y luego el
de germanio
implemente el
circuito mostrado
en la figura.
Para el circuito
anterior mida los
parmetros Voltaje de la Voltaje en Voltaje en la Corriente en
DIODO Fuente el Diodo Resistencia la
elctricos que se
Resistencia
indican y complete
1N4007 12 v 16.27 v 0.6 v 11.29 mA
la tabla siguiente.
Invierta la posicin
del diodo y mida los
parmetros Voltaje de la Voltaje en Voltaje en la Corriente en
elctricos que se DIODO Fuente el Diodo Resistencia la
indican y complete la Resistencia
tabla siguiente 1N4007 12 v 11.94 v 0.2 v 0
Segn las
mediciones
No deja pasar la corriente
anteriores. Cmo
se comporta el
diodo?
Fundamente su
respuesta.
7
8
Implemente
el circuito de
medicin
mostrado,
luego
aplique una
tensin de
operacin
variable.
Conecte
ampermetro
y voltmetro DIODO DE SILICIO - 1N4007
para medir VALORES MEDIDOS
los
parmetros VDC ( V
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
elctricos en )
el diodo y
complete la VD 8.6mv 44mv 56mv 59mv 61mv 63mv 64mv 65mv 66mv 66mv 67mv
tabla. ID 0 mA 0.04 0.45 0.9 1.35 1.83 2.34 2.89 3.33 3.83 4.29
Luego
DIODO DE GERMANIO - AA118
reemplace
D1 por D2 y VALORES MEDIDOS
repita las
mediciones. VDC ( V ) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
VD 8.3mv 46.7 58.1 61.2 63.3 64.7 65.7 66.6 67.5 68.1 68.6
ID 0mA 0.05 0.46 0.87 1.41 1.87 2.34 2.8 3.33 2.83 4.28
ANEXOS
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