Este breve repaso de la historia de los materiales semiconductores no pretende implicar que ENLACE COVALENTE 3

el GaAs pronto ser el nico material apropiado en la construccin de estado slido. Se siguen Y MATERIALES
fabricando dispositivos de germanio, aunque para un nmero limitado de aplicaciones. Aun cuan- INTRNSECOS
do es un semiconductor sensible a la temperatura, tiene caractersticas que encuentran aplicacin
en un nmero limitado de reas. Dada su disponibilidad y bajos costos de fabricacin, continua-
r apareciendo en catlogos de productos. Como se seal previamente, el Si tiene el beneficio
de aos de desarrollo y es el material semiconductor lder para componentes electrnicos y cir-
cuitos integrados (CI). El GaAs es ms caro, pero a medida que los procesos de fabricacin me- USA

joran y las demandas de mayores velocidades se incrementan, comenzar a desafiar al Si como

el material semiconductor dominante.

1.3 ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRNSECOS

Para apreciar plenamente por qu Si, Ge y GaAs son los semiconductores mas utilizados por la (a)
industria electrnica, hay que entender la estructura atmica de cada uno y cmo estn enlaza-
dos los tomos entre s para formar una estructura cristalina. Todo tomo se compone de tres
partculas bsicas: electrn, protn y neutrn. En la estructura entrelazada, los neutrones y los
protones forman el ncleo; los electrones aparecen en rbitas fijas alrededor de ste. El modelo
de Bohr de los tres materiales aparece en la figura 1.3.

Capa de valencia Electrn

(Cuatro electrones de valencia) de valencia

Capas (b)

+ + FIG. 1.2
Electrones Procesador de ncleo cudruple
en rbita
Intel Core Extreme 2: (a) aparien-
Ncleo cia exterior; (b) chips internos.

Silicio Germanio

(a) (b)

Tres electrones Cinco electrones

de valencia de valencia

+ +

Galio Arsnico
(c)

FIG. 1.3
Estructura atmica del (a) silicio; (b) germanio,
y (c) galio y arsnico.

Como se indica en la figura 1.3, el silicio tiene 14 electrones en rbita, el germanio 32, el
galio 31 y el arsnico 33 (el mismo arsnico que es un agente qumico muy venenoso). En el ger-
manio y el silicio hay cuatro electrones en la capa ms externa, los cuales se conocen como elec-
trones de valencia. El galio tiene tres electrones de valencia y el arsnico cinco. Los tomos que
tienen cuatro electrones de valencia se llaman tetravalentes; los de tres se llaman trivalentes, y
los de cinco se llaman pentavalentes. El trmino valencia se utiliza para indicar que el potencial
(potencial de ionizacin) requerido para remover cualquiera de estos electrones de la estruc-
tura atmica es significativamente ms bajo que el requerido para cualquier otro electrn en la
estructura.
4 DIODOS
SEMICONDUCTORES
Si Si Si

Electrones compartidos

Si Si Si

Electrones de valencia

Si Si Si

FIG. 1.4
Enlace covalente del tomo de silicio.

En un cristal de silicio o germanio puros, los cuatro electrones de valencia de un tomo for-
man un arreglo de enlace con cuatro tomos adyacentes, como se muestra en la figura 1.4.
Este enlace de tomos, reforzado por compartir electrones, se llama enlace covalente.
Como el GaAs es un semiconductor compuesto, hay comparticin entre los dos tomos dife-
rentes, como se muestra en la figura 1.5. Cada tomo est rodeado por tomos del tipo comple-
mentario. Sigue habiendo comparticin de electrones similares en estructura a la de Ge y Si, pero
ahora el tomo de As aporta cinco electrones y el tomo de Ga tres.

As As
Ga


Ga
Ga
As

As As
Ga Ga



As

FIG. 1.5
Enlace covalente del cristal del GaAs.

Aunque el enlace covalente produce un enlace ms fuerte entre los electrones de valencia y
su tomo padre, an es posible que los electrones de valencia absorban suficiente energa cin-
tica proveniente de causas externas para romper el enlace covalente y asumir el estado libre.
El trmino libre se aplica a cualquier electrn que se haya separado de la estructura entrelazada
fija y es muy sensible a cualquier campo elctrico aplicado como el establecido por fuentes de
voltaje o por cualquier diferencia de potencial. Las causas externas incluyen efectos como energa
luminosa en forma de fotones y energa trmica (calor) del medio circundante. A temperatura am-
biente hay alrededor de 1.5  1010 portadores libres en un 1 cm3 de material de silicio intrnse-
co, es decir, 15,000,000,000 (quince mil millones) de electrones en un espacio ms reducido que
un pequeo cubo de azcar; una enorme cantidad.
El trmino intrnseco se aplica a cualquier material semiconductor que haya sido cuidado- NIVELES DE ENERGA 5
samente refinado para reducir el nmero de impurezas a un nivel muy bajo; en esencia, lo
ms puro posible que se pueda fabricar utilizando tecnologa actual.
Los electrones libres presentes en un material debido a slo causas externas se conocen co-
mo portadores intrnsecos. La tabla 1.1 compara el nmero de portadores intrnsecos por cent-
metro cbico de Ge, Si y GaAs. Es interesante sealar que el Ge tiene el mayor nmero y el
GaAs el menor; en realidad, el Ge tiene el doble que el GaAs. El nmero de portadores en la for-
ma intrnseca es importante, aunque otras caractersticas del material son ms significativas al
determinar su uso en campo. Uno de esos factores es la movilidad relativa (mn) de los portado-
res libres en el material, es decir, la capacidad de los electrones libres de moverse por todo el
material. La tabla 1.2 revela con claridad que la movilidad de los portadores libres en el GaAs
es ms de cinco veces la de los portadores libres en el Si; un factor que produce tiempos de res-
puesta con dispositivos electrnicos de GaAs que puede ser hasta cinco veces las de los mismos
dispositivos hechos de Si. Observe tambin que los portadores libres en el Ge tienen ms de dos
veces la movilidad de los electrones en el Si, lo cual es un factor que da como resultado el uso
continuo de Ge en aplicaciones de frecuencia de radio de alta velocidad.

TABLA 1.1
Portadores intrnsecos TABLA 1.2
Factor de movilidad relativa mn
Portadores intrnsecos
Semiconductor (por centmetro cbico) Semiconductor M n (cm2/Vs)

GaAs 1.7 * 106 Si 1500

Si 1.5 * 1010 Ge 3900
Ge 2.5 * 1013 GaAs 8500

Uno de los avances tecnolgicos de las ltimas dcadas ha sido la capacidad de producir ma-
teriales semiconductores de muy alta pureza. Recuerde que ste era uno de los problemas que
se enfrentaron en los inicios de la utilizacin del silicio, pues era ms fcil producir germanio
de los niveles de pureza requeridos. Actualmente, los niveles de impureza de 1 parte en 10 mil
millones son comunes, con mayores niveles alcanzables para circuitos integrados a gran escala.
Se podra cuestionar si se necesitan niveles de pureza extremadamente altos. De hecho lo son si
se considera que la adicin de una parte de impureza (del tipo apropiado) por milln en una oblea
de material de silicio puede cambiarlo de un conductor relativamente deficiente a un buen conduc-
tor de electricidad. Desde luego, tenemos que abordar un nivel de comparacin por completo nue-
vo cuando abordamos el medio semiconductor. La capacidad de cambiar las caractersticas de un
material mediante este proceso se llama impurificacin o dopado, algo que el germanio, el silicio
y el arseniuro de galio aceptan con facilidad y rapidez. El proceso de dopado se analiza en de-
talle en las secciones 1.5 y 1.6.
Una importante e interesante diferencia entre semiconductores y conductores es su reaccin
ante la aplicacin de calor. En el caso de los conductores, la resistencia se incrementa con un
aumento de calor. Esto se debe a que el nmero de portadores presentes en un conductor no se
incrementan de manera significativa con la temperatura, aunque su patrn de vibracin con res-
pecto a un lugar relativamente fijo dificulta cada vez ms el flujo continuo de portadores a tra-
vs del material. Se dice que los materiales que reaccionan de esta manera tienen un coeficien-
te de temperatura positivo. Los materiales semiconductores, sin embargo, presentan un nivel
incrementado de conductividad con la aplicacin de calor. Conforme se eleva la temperatura, un
mayor nmero de electrones de valencia absorben suficiente energa trmica para romper el en-
lace covalente y as contribuir al nmero de portadores libres. Por consiguiente:
Los materiales semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo.

1.4 NIVELES DE ENERGA

Dentro de la estructura atmica de cada tomo aislado hay niveles especficos de energa asociados
con cada capa y electrn en rbita, como se muestra en la figura 1.6. Los niveles de energa asocia-
dos con cada capa son diferentes segn el elemento de que se trate. Sin embargo, en general:
Cuanto ms alejado est un electrn del ncleo, mayor es su estado de energa y cualquier
electrn que haya abandonado a su tomo padre tiene un estado de energa mayor que todo
electrn que permanezca en la estructura atmica.
Observe en la figura 1.6a que slo puede haber niveles de energa especficos para los elec-
trones que permanecen en la estructura atmica de un tomo aislado. El resultado es una serie
 La brecha de energa tambin revela qu elementos son tiles en la construccin de disposi- MATERIALES 7
tivos emisores de luz como diodos emisores de luz (LED, por sus siglas en ingls), los cuales se EXTRNSECOS:
presentarn en breve. Cuanto ms ancha es la brecha de energa, mayor es la posibilidad de MATERIALES
que la energa se libere en forma de ondas luminosas visibles o invisibles (infrarrojas). En el caso TIPO n Y TIPO p
de conductores, el traslape de las bandas de conduccin y valencia provoca esencialmente que
toda la energa adicional absorbida por los electrones se disipe en forma de calor. Asimismo, en el
caso de Ge y Si, como la brecha de energa es tan pequea, la mayora de los electrones que absor-
ben suficiente energa para abandonar la banda de valencia terminan en la banda de conduccin y
la energa se disipa en forma de calor. Sin embargo, en el caso de GaAs la brecha es suficiente-
mente grande para producir radiacin luminosa significativa. En el caso de los LED (seccin
1.9) el nivel de dopado y los materiales seleccionados determinan el color resultante.
Antes de dejar este tema, es importante subrayar la importancia de entender las unidades uti-
lizadas para una cantidad. En la figura 1.6 las unidades de medicin son electrn volts (eV). La
unidad de medicin es apropiada porque W (energa)  QV  (derivada de la ecuacin de defi-
nicin de voltaje: V  W/Q). Si se sustituye la carga de un electrn y una diferencia de poten-
cial de un 1 volt, se produce un nivel de energa conocido como electrn volt.

1.5 MATERIALES EXTRNSECOS: MATERIALES TIPO n

Y TIPO p

Como el Si es el material ms utilizado como material base (sustrato) en la construccin de dispo-
sitivos de estado slido, el anlisis en sta y en las siguientes secciones se ocupa slo de semicon-
ductores Si. Como el Ge, el Si y el GaAs comparten un enlace covalente similar, se puede ampliar
fcilmente el anlisis para incluir el uso de otros materiales en el proceso de fabricacin.
Como ya antes se indic, las caractersticas de un material semiconductor se pueden modificar
de manera significativa con la adicin de tomos de impureza especficos al material semiconduc-
tor relativamente puro. Estas impurezas, aunque slo se agregan en 1 parte en 10 millones, pueden
alterar la estructura de las bandas lo suficiente para cambiar del todo las propiedades elctricas
del material.
Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como ma-
terial extrnseco.
Hay dos materiales extrnsecos de inmensurable importancia en la fabricacin de dispositi-
vos semiconductores: materiales tipo n y tipo p. Cada uno se describe con algn detalle en las
siguientes subsecciones.

Material tipo n
Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un nmero predeterminado de
tomos de impureza a una base de silicio. Un material tipo n se crea introduciendo elementos de im-
pureza que contienen cinco electrones de valencia (pentavelantes), como el antimonio, el arsnico
y el fsforo. El efecto de tales elementos de impureza se indica en la figura 1.7 (con antimonio

Si Si Si

Quinto electrn de
valencia de antimonio

Si Sb Si

Impureza de antimonio

Si Si Si

FIG. 1.7
Impureza de antimonio en un material tipo n.
8 DIODOS como la impureza en una base de silicio). Observe que los cuatros enlaces covalentes permane-
SEMICONDUCTORES cen. Existe, sin embargo, un quinto electrn adicional debido al tomo de impureza, el cual no
est asociado con cualquier enlace covalente particular. Este electrn restante, enlazado de ma-
nera poco firme a su tomo padre (antimonio), est en cierto modo libre para moverse dentro del
material tipo n recin formado, puesto que el tomo de impureza insertado ha donado un elec-
trn relativamente libre a la estructura.
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como tomos donadores.
Es importante tener en cuenta que aun cuando un gran nmero de portadores libres se ha es-
tablecido en el material tipo n, sigue siendo elctricamente neutro puesto que de manera ideal el
nmero de protones de carga positiva en los ncleos sigue siendo igual al de los electrones de
carga negativa libres y en rbita en la estructura.
El efecto de este proceso de dopado en la conductividad relativa se puede describir mejor uti-
lizando el diagrama de bandas de energa de la figura 1.8. Observe que un nivel de energa discre-
to (llamado nivel donador) aparece en la banda prohibida con una Eg significativamente menor que
la del material intrnseco. Los electrones libres creados por la impureza agregada se establecen
en este nivel de energa y absorben con menos dificultad una cantidad suficiente de energa tr-
mica para moverse en la banda de conduccin a temperatura ambiente. El resultado es que a tem-
peratura ambiente, hay un gran nmero de portadores (electrones) en el nivel de conduccin y
la conductividad del material se incrementa de manera significativa. A temperatura ambiente en
un material de Si intrnseco hay alrededor de un electrn libre por cada 1012 tomos. Si el nivel
de dopado es de 1 en 10 millones (107), la razn 1012/107  105 indica que la concentracin de
portadores se ha incrementado en una razn de 100,000:1.

Energa

Banda de conduccin
Eg = considerablemente menor que

en la figura 1.6(b) para semiconductores
Eg de materiales Nivel de energa de un donador
intrnsecos
Banda de valencia

FIG. 1.8
Efecto de las impurezas de un donador en la estructura de la banda de energa.

Material tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con tomos de impu-
reza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos ms utilizados para este propsito son
boro, galio e indio. El efecto de uno de estos elementos, el boro, en una base de silicio se indi-
ca en la figura 1.9.

Si Si Si
Vaco
(+ o 0)

Si B Si
Impureza
de boro
(B)
Si Si Si

FIG. 1.9
Impureza de boro en un material tipo n.
 Observe que ahora el nmero de electrones es insuficiente para completar las bandas covalen- MATERIALES 9
tes de la estructura recin formada. El vaco resultante se llama hueco y se denota con un pequeo EXTRNSECOS:
crculo o un signo ms, para indicar la ausencia de una carga positiva. Por lo tanto, el vaco resul- MATERIALES
tante aceptar con facilidad un electrn libre: TIPO n Y TIPO p

Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman tomos aceptores.
El material tipo p es elctricamente neutro por las mismas razones descritas para el material
tipo n.

Flujo de electrones contra flujo de huecos

El efecto del hueco en la conduccin se muestra en la figura 1.10. Si un electrn de valencia ad-
quiere suficiente energa cintica para romper su enlace covalente y llenar el vaco creado por
un hueco, entonces se crear un vaco o hueco en la banda covalente que cedi el electrn. Exis-
te, por consiguiente, una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la de-
recha, como se muestra en la figura 1.10. La direccin que se utilizar en este texto es la del flu-
jo convencional, la cual est indicada por la direccin del flujo de huecos.

Si Si Si Si

+
Si Si B Si

Flujo de huecos
Flujo de electrones

FIG. 1.10
Flujo de electrones contra flujo de huecos.

Portadores mayoritarios y minoritarios

En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres en Ge o Si se debe slo a los electrones
en la banda de valencia que adquirieron suficiente energa de fuentes trmicas o luminosas para
romper la banda covalente o a las impurezas que no pudieron ser eliminadas. Los vacos que
quedan en la estructura de enlace covalente representan una fuente muy limitada de huecos. En
un material tipo n, el nmero de huecos no cambia significativamente con respecto a este nivel
intrnseco. El resultado neto, por consiguiente, es que el nmero de electrones sobrepasa por mu-
cho al de huecos. Por eso:
En un material tipo n (Fig. 1.11a) el electrn se llama portador mayoritario y el hueco por-
tador minoritario.

Iones donadores Iones aceptores

+ + Portadores +
+
+
+
mayoritarios + +
+ + + +
+
+ +
+
+ + + +
+ + + Portador Portadores + +
+ + minoritario mayoritarios + +
Portador
tipo n tipo p minoritario

(a) (b)

FIG. 1.11
(a) material tipo n; (b) material tipo p.