Alumnos: Jesus Vzquez Silva.

Miguel ngel Lpez Duran

Tema: Fundamentos del
MOSFET de Potencia.
Materia: Electrnica de
Potencia.
 Fundamentos del MOSFET de potencia
Los MOSFET de potencia discreta emplean tcnicas de procesamiento de
semiconductores que son similares a las de los circuitos VLSI actuales, aunque la
geometra del dispositivo, los niveles de voltaje y corriente son significativamente
diferentes del diseo usado en los dispositivos VLSI. El MOSFET fue impulsado en
parte por las limitaciones de los transistores bipolares de la unin de energa (BJTs)
que, hasta hace poco, era el dispositivo de la opcin en aplicaciones de la
electrnica de potencia.

Estos requieren corrientes de impulsin de la base inversa ms altas para obtener

la desviacin del astro. A pesar del estado muy avanzado de fabricacin y menores
costos de los BJT, estas limitaciones han hecho que el diseo del circuito de la
unidad de base sea ms complicado y por lo tanto ms caro que el MOSFET de
potencia.

Otra limitacin de BJT es que tanto los electrones como los agujeros contribuyen a
la conduccin. La presencia de agujeros con su mayor vida til del portador hace
que la velocidad de conmutacin sea varios rdenes de magnitud ms lenta que
para un MOSFET de potencia de tamao y clasificacin de voltaje similares.
Adems, BJTs sufren de fugas trmicas. Su cada de voltaje hacia adelante
disminuye con el aumento de la temperatura causando el desvo de corriente a un
solo dispositivo cuando varios dispositivos estn en paralelo. Por el contrario, los
MOSFET de potencia son dispositivos portadores mayoritarios sin inyeccin de
portadores minoritarios. Son superiores a los BJT en aplicaciones de alta frecuencia
donde las prdidas de potencia de conmutacin son importantes. Adems, pueden
soportar la aplicacin simultnea de alta corriente y voltaje sin sufrir fallas
destructivas debido a la segunda avera. Los MOSFETs de potencia tambin
pueden ser paralelos fcilmente porque la cada de tensin directa aumenta con el
aumento de la temperatura, asegurando una distribucin uniforme de la corriente
entre todos los componentes.
Voltaje de ruptura

El voltaje de ruptura, BVDSS, es el voltaje al que el diodo derivado de polarizacin

inversa del diodo se descompone y la corriente significativa comienza a fluir entre
la fuente y el dren por el proceso de la multiplicacin del avalanche, mientras que la
puerta y la fuente son shorted juntos. Las caractersticas de corriente-tensin de un
MOSFET de potencia. BVDSS se mide normalmente a una corriente de drenaje de
250 mA. Para tensiones de drenaje por debajo de BVDSS y sin polarizacin en la
compuerta, no se forma ningn canal bajo la compuerta en la superficie y el voltaje
de drenaje es totalmente soportado por la unin p n de derivacin del cuerpo
polarizada inversamente. Dos fenmenos relacionados pueden ocurrir en
dispositivos mal diseados y procesados: punch-through y reach-through. Se
observa perforacin cuando la regin de agotamiento en el lado de la fuente de la
unin p-n de la deriva del cuerpo alcanza la regin de la fuente a voltajes de drenaje
por debajo de la tensin avalancha nominal del dispositivo. Esto proporciona una
trayectoria de corriente entre la fuente y el drenaje y causa unas caractersticas de
rotura suave.

Transconductancia

La transconductancia, gfs, es una medida de la sensibilidad de la corriente de

drenaje a los cambios en el sesgo fuente-fuente. Este parmetro se cita
normalmente para un Vgs que da una corriente de drenaje igual a aproximadamente
la mitad del valor mximo de valoracin de corriente y para un VDS que asegura el
funcionamiento en la regin de corriente constante. La transconductancia est
influenciada por el ancho de la puerta, que aumenta en proporcin al rea activa a
medida que aumenta la densidad celular.

Threshold Voltage (Tensin Umbral)

La tensin umbral, Vth, se define como la mnima polarizacin necesaria para formar
un canal conductor entre la fuente y las regiones de drenaje. Se mide generalmente
A una corriente de drenaje-fuente de 250 A. Los valores comunes son 2-4 V para
dispositivos de alto voltaje con xidos de puerta ms gruesos, y 1-2 V para
dispositivos de baja tensin, compatibles con xidos de puerta ms delgados. Con
los MOSFET de potencia hay cada vez mayor uso en electrnica porttil e
inalmbrica, comunicaciones en las que la energa de la batera es primordial, la
tendencia es hacia valores ms bajos de RDS (encendido) y Vth.

Diode Forward Voltage (Voltaje Directo del Diodo)

El voltaje directo del diodo, VF, es el mximo voltaje necesario para garantizar una
corriente de drenador en un determinado valor de la fuente. Los dispositivos de
canal p tienen un VF ms alto a la mayor resistencia de contacto entre metal y p-
silicio en comparacin con el silicio de tipo n. Valores mximos de 1.6V para
dispositivos de alto voltaje (> 100 V) y 1,0 V para dispositivos de baja tensin (<100
V) son comunes.

Power Disipation (Disipacin de Potencia)

La mxima disipacin de potencia posible est dada por Pd donde:

Tjmax = Temperatura mxima aceptable de la unin p-n en el dispositivo

(normalmente 1500 C o 1750 C)

RthJC= Impedancia trmica de conexin del dispositivo.

Caractersticas dinmicas

Cuando el MOSFET se utiliza como un interruptor, su funcin bsica es controlar la

corriente de drenaje por el voltaje de puerta. El rendimiento de conmutacin de un
dispositivo est determinado por el tiempo necesario para establecer los cambios
de voltaje a travs de capacitancias. RG es la resistencia distribuida de la puerta y
es aproximadamente inversamente proporcional al rea activa. LS y LD son
inductancias de fuente y de drenaje de plomo
Nueva Hampshire. Los valores tpicos de las capacitancias de entrada (Ciss), salida
(Coss) y transferencia inversa (Crss) dados en las hojas de datos son utilizados por
los diseadores de circuitos como punto de partida para determinar los valores de
los componentes del circuito. Las hojas de datos definen las capacitancias del
circuito equivalente como:

= + ,

= +

La capacidad de puerta a drenaje, CGD, es funcin no lineal de la tensin y es un

parmetro importante porque proporciona retroalimentacin entre la salida y la
entrada del circuito. CGD tambin se llama capacitancia de Miller porque causa la
capacitancia de entrada dinmica para ser mayor que la suma de las capacitancias
estticas.

El retardo de encendido, td (encendido), es el tiempo que tarda en cargar la

capacitancia de entrada del dispositivo antes de que la conduccin de la corriente
de drenaje pueda comenzar. Del mismo modo, el retardo de apagado, td (off), es el
tiempo tomado para descargar la capacitancia despus de que est apagado.

Gate Charge (Carga de Compuerta)

Aunque los valores de la capacitancia de entrada son tiles, no proporcionan

resultados precisos comparando la conmutacin de dos dispositivos de diferentes
fabricantes. Los efectos del tamao del dispositivo y la transconductancia hacen
tales comparaciones ms difciles. Un parmetro ms til desde el punto de vista
del diseo de circuito es la carga de la puerta en lugar de la capacidad.

Cuando la puerta est conectada a la tensin de alimentacin, VGS comienza a

aumentar hasta que llega a Vth, momento en el que la corriente de drenaje empieza
a fluir y CGS comienza a cargarse. Durante el periodo t1 a t2, CGS contina
cargando, la tensin de puerta contina aumentando y la corriente de drenaje sube
proporcionalmente. En el tiempo t2, CGS est completamente cargada y la corriente
de drenaje alcanza la corriente predeterminada ID y permanece constante mientras
el voltaje de drenaje comienza a caer.

El tiempo de carga para la capacitancia de Miller es mayor que el de la puerta a la

capacitancia de fuente CGS debido al cambio rpido de voltaje de drenaje entre t2
y t3 (corriente = CDv / dt). Una vez que ambas de las capacitancias CGS y CGD
estn completamente cargadas, la tensin de puerta (VGS) comienza a aumentar
de nuevo hasta que la tensin de alimentacin en el instante t4. La carga de la
puerta (QGS + QGD) correspondiente al tiempo t3 es la carga mnima necesaria
para encender el dispositivo. Buena prctica de diseo de circuitos dicta el uso de
un voltaje de puerta ms alto que el mnimo necesario, por lo tanto la carga de la
puerta utilizada en los clculos es QG correspondiente a t4.

La ventaja de usar la carga de puerta es que el diseador puede calcular fcilmente

la cantidad de corriente requerida para encender el dispositivo en una longitud de
tiempo porque Q = CV e I = C Dv / dt, el Q = Tiempo x corriente. Por ejemplo, un
dispositivo con una carga de 20nC se puede encender en 20sec si 1ma es
suministrada a la puerta o puede encenderse 20nsec si la corriente de puerta se
aumenta a 1A. Estos simples clculos no seran posibles sin los valores de la
capacitancia de entrada.

(dv/dt) Capability (Capacidad de cambio en el voltaje)

La recuperacin de diodos mximos se define como la tasa mxima de aumento de

la tensin drenaje fuente permitida, es decir, capacidad dv / dt. Si esto se excede la
tensin a travs de las terminales de la puerta-fuente pueden llegar a ser ms altos
que el voltaje de umbral del dispositivo, forzando el dispositivo a la conduccin
actual, y bajo ciertas condiciones puede producirse un fallo catastrfico. Existen dos
posibles mecanismos mediante los cuales un dv / dt inducido en el apagado puede
tener lugar. La Figura 14 muestra el modelo de circuito equivalente de un MOSFET
de potencia, incluyendo el parsito BJT. El primer mecanismo de activacin inducida
por dv / dt se activa a travs de la accin de retroalimentacin de la capacidad
puerta-drenaje, CGD. Cuando aparece una rampa de tensin a travs del terminal
de drenaje y fuente del dispositivo una corriente I1 fluye a travs de la resistencia
de puerta RG, por medio de la capacitancia puerta-drenaje, CGD. RG es la
resistencia total de la compuerta en el circuito y la cada de tensin a travs de ella
est dada por:

Cuando la tensin de puerta VGS excede la tensin de umbral del dispositivo Vth,
el dispositivo es forzado a conduccin. La capacidad dv / dt para este mecanismo
se establece as por

Est claro que el bajo Vth los dispositivos son ms propensos a dv / dt. Tambin la
impedancia de puerta del circuito se elige cuidadosamente para evitar este efecto.
El segundo mecanismo para el encendido de dv / dt en MOSFET es a travs del
parsito BJT. La capacitancia asociada con el regin de agotamiento del diodo que
se extiende por la regin de deriva se denomina CDB y aparece entre La base del
BJT y el drenaje del MOSFET. Esta capacitancia da lugar a una corriente I2 para
fluir a travs de la resistencia de base RB cuando aparece una rampa de tensin a
travs de los terminales de drenaje-fuente. Con analoga al primer mecanismo, la
capacidad dv / dt de este mecanismo es:

Si el voltaje que se desarrolla a travs de RB es mayor que aproximadamente 0.7

V, entonces la unin base-emisor est polarizada hacia delante y el BJT parasitario
es encendida bajo las condiciones de alta (dv / dt) y los grandes valores de RB, el
voltaje de ruptura de El MOSFET se limitar a la de la base abierta tensin de
ruptura del BJT. Si el voltaje de drenaje aplicado es mayor que el de la base abierta
tensin de ruptura, entonces el MOSFET entra en la avalancha y puede ser
destruido si la corriente no est limitada externamente. Por tanto, la capacidad
creciente (dv / dt) Reduciendo la resistencia de la base RB, aumentando Doping de
la regin del cuerpo y reduciendo la corriente de distancia I2 tiene que fluir
lateralmente antes de que se recoge por la metalizacin de la fuente. Como en El
primer modo, la capacidad de dv / dt relacionados con BJT empeora a temperaturas
ms elevadas porque RB aumenta y VBE disminuye con el aumento temperatura.