LABORATORIO N 2

EL TRANSITOR COMO INTERRUPTOR Y AMPLIFICADOR

CARRERA : TECNOLOGA MECNICA ELCTRICA.

CICLO : III

SECCIN : B

DOCENTE : ING. BENITES JARA, PEDRO PABLO.

CURSO : ELECTRNICA ANALGICA Y DIGITAL

ALUMNO (S) :

FECHA DE ENTREGA : 02/10/17

2017-II
EL TRANSITOR COMO INTERRUPTOR Y AMPLIFICADOR

I. OBJETIVOS
 Identificar los tipos de transistores NPN y PNP, utilizando el probador
de diodos del multmetro.

Identificar los elementos que conforman un transistor, emisor, base y

colector, usando el manual ECG u hojas tcnicas del fabricante y el
probador de diodos del multmetro.

Calcular y medir los voltajes de operacin de VDC que se encuentran en

un circuito con transistores.
Comprobar el funcionamiento del transistor como interruptor.

Aplicar una carga inductiva a la salida del transistor.

Aplicar el transistor como interfase de potencia.

Mostrar cmo funciona un amplificador de emisor comn tpico y medir la

ganancia de voltaje con carga.

Determinar el corrimiento de fase entre las seales de entrada y salida de un

amplificador de emisor comn.

Medir la ganancia de un amplificador de emisor comn con condensador de

desacoplo en el emisor.
 II. FUNDAMENTO TERICO

2.1. TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar
una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente se encuentra
prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, aunque
casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Fig. 01. El Transistor

El Transistor es un dispositivo pequeo que aprovecha las propiedades

semiconductoras y cristalinas del germanio o del silicio y que sirve para ampliar las
oscilaciones elctricas. El transistor sirve como amplificador y tambin como interruptor.
Los elementos del transistor son: BASE COLECTOR EMISOR, pueden ser del tipo PNP o
NPN.

Una de las aplicaciones ms importantes que se da al transistor, es la de interruptor, ya

 que permite controlar circuitos y dispositivos, puede servir como elemento de proteccin
y de control.
El transistor conectado con un rel permite controlar cargas de gran corriente.

En un circuito como se muestra en la siguiente figura:

Tenemos un interruptor en posicin 1, abierto: Ideal: IB = 0

IC = 0 CORTE (el transistor no conduce)
Recta de Carga:

Interruptor en posicin 2:
 Los Transistores son amplificadores ideales, cuando se aplica una seal de C.A.
en los terminales de entrada, en los terminales de salida aparece una
reproduccin amplificada de la misma seal.
En el circuito de emisor comn que se muestra en la figura, se transmite la seal
del circuito de base emisor y sale del circuito colector emisor. De esta manera
el elemento emisor del
transistor es comn tanto al circuito de entrada como al de salida.

El emisor comn suministra ganancias tanto de corriente como de voltaje. La

seal de salida presenta una inversin de fase de 180 respecto a la seal de
entrada.

Entonces, el emisor es comn tanto a la seal de entrada como a la salida en un

circuito de emisor comn. A este tipo de circuitos tambin se le conoce como
circuito de emisor a tierra. El amplificador de emisor comn puede alcanzar
ganancias de voltaje y corriente medianas a altas.

2.2. TIPOS DE TRANSISTOR

TRANSISTOR PUNTUAL

Llamado tambin "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor

capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter
Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor
conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan,
muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La
corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector,
de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano),
frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con
el transistor de unin debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.
 TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR

El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar
junction transistor) se fabrica sobre un monocristal de
material semiconductor como el germanio, el silicio o el arseniuro de galio,
cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor elctrico y las
de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy
controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones
PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se
obtienen contaminando el sustrato con tomos de
elementos donantes de electrones, como el arsnico o el fsforo; mientras
que las zonas P (donde se generan portadores de carga Positiva o
huecos) se logran contaminando con tomos aceptadores de electrones,
como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN,
donde la letra intermedia siempre corresponde a la regin de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo
general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se
establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una
puerta..
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que
controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de
entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante

una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el
que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa
Metal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y
est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

FOTOTRANSISTOR

Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en

frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de
corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).
III. EQUIPOS Y MATERIALES.