DIODOS DE POTENCIAS

Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los

diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y
ctodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben

ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En
sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de
nodo con una pequea intensidad de fugas.
El diodo responde a la ecuacin:

La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensin inversa mxima

VD: tensin de codo.

A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las

cuales podemos agrupar de la siguiente forma:

Caractersticas estticas:
o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
o Parmetros en conduccin.
o Modelo esttico.
Caractersticas dinmicas:
o Tiempo de recuperacin inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutacin.
o Tiempo de recuperacin directo.
Potencias:
o Potencia mxima disipable.
o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.
Caractersticas trmicas.
Proteccin contra sobreintensidades.
Caractersticas estticas

Parmetros en bloqueo

Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada

por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por
avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en
picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser
soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante
10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo
en estado de bloqueo.
Parmetros en conduccin

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad

de impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada
cada 20 ms, con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada
temperatura de la cpsula (normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de
intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se
encuentra en el estado de conduccin.

Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se

representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar,
para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que
necesitemos.

Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando

modelos ms complejos para programas de simulacin como PSPICE.
 Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso
pueden venir ya en las libreras del programa.

Caractersticas dinmicas

Tiempo de recuperacin inverso

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta

instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF,
la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios
con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea I F. Si mediante la
aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con
cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la
corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de
movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante
un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta
despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los
portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga
espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada)
en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable
mientras van desapareciedo el exceso de portadores.
 o ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el
paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
o tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo
de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de
la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se
suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el
10 % de ste.
o trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

o Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el

rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
o di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
o Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un

tringulo:

De donde:

Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los
dos siguientes casos:
 o Para ta = tb trr = 2ta
o Para ta = trr tb = 0

En el primer caso obtenemos:

Y en el segundo caso:

Influencia del trr en la conmutacin

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :

o Se limita la frecuencia de funcionamiento.

o Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin
inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin

rpida.

Factores de los que depende trr :

o A mayor IRRM menor trr.

o Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo
mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser t rr.
 Tiempo de recuperacin directo

tfr (tiempo de recuperacin

directo): es el tiempo que
transcurre entre el instante
en que la tensin nodo-
ctodo se hace positiva y el
instante en que dicha tensin
se estabiliza en el valor VF.

Este tiempo es bastante

menor que el de
recuperacin inversa y no
suele producir prdidas de potencia apreciables.

Disipacin de potencia

Potencia mxima disipable (Pmx)

Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos

confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada
sta potencia de trabajo.

Potencia media disipada (PAV)

Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en

estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de
fugas.

Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta :

y como :

Es la intensidad media nominal

Es la intensidad eficaz al cuadrado

Nos queda finalmente:

Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que

indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida.

Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media
con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la
intensidad eficaz dividida entre la intensidad media).

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)

Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.

Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM)

Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.

Caractersticas terminas

Temperatura de la unin (Tjmx)

Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la

unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.

En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating

temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que
el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas
comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo.

Temperatura de almacenamiento (Tstg)

Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica

ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta
temperatura.

Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc)

Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo.

En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:

Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx

Siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable.

Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd)

Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta

refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar
por otro medio (como mica aislante, etc).
Proteccin contra intensidades

Principales causas de sobreintensidades

La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un

cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden
aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de
condensadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc.

Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la

unin, que es incapaz de evacuar las calorias generadas, pasando de forma casi
instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica).

rganos de proteccin

Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco
numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles,
del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos.

Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn
compuestos y tienen sus caractersticas indicadas en funcin de la potencia que
pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz
de corriente, sino incluso con su I2t y su tensin.

Parmetro I2t

La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de

tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios.

Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el
fusible el que se destruya y no el diodo.