Laboratorio N 01: Caracteristica I-V Del Diodo de Union 14/02/2017 1

UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA
INGENIERIA ELECTRNICA
LABORATORIO ELECTRONICA I
PRE-INFORME N 1
CARACTERISTICAS I-V DEL DIODO DE UNION

SERGIO ANDRES CORTES RODRIGUEZ

20152139438

que permiten sintonizar la banda prohibida de estos

nanomateriales, lo que servira, incluso, para disear nuevos
I. OBJETIVOS dispositivos electrnicos y optoelectrnicos ms eficientes,
General: flexibles y econmicos. Por eso, la sintonizacin de la banda
prohibida de los nanomateriales bidimensionales es, para los
Entender el funcionamiento del diodo cientficos, una cuestin abierta y perseguida.
Especficos:

Identificar la diferencia entre los diodos (SI-Ge) III. ELEMENTOS MATERIALES Y EQUIPOS
Comprender el fenmeno de la polarizacin directa e
inversa Protoboard
Conocer la importancia de los Materiales Simulador PROTEUS
semiconductores 2 Resistores de 1k y 1M
Diodos de silcio y germanio
Multmetro
II. MARCO TEORICO Fuentes de voltaje
Conectores
Avances cientficos en materiales semiconductores
bidimensionales para la generacin de nuevos dispositivos Caracteritica Diodo Silicio
optoelectrnicos
Un equipo de investigacin del Instituto de Ciencia de los Id=Is(e^(vd/nvt))
Materiales de la Universitat de Valncia (ICMUV) ha Id=Corriente del diodo
encontrado un mtodo eficiente para potenciar la flourescencia Is= Corriente de saturacin (1x10^-8A)
de un nanomaterial semiconductor bidimensional obtenido a Vd= Voltaje del diodo
partir de seleniuro de indio (InSe). El estudio, publicado n= coeficiente de emicion 2
recientemente en la revista Nano Letters, abre la puerta al Vt=Voltaje trmico = 25.85Mv A 300K
diseo de nuevos dispositivos fotnicos y optoelectrnicos,
elementos fundamentales de las tecnologas ligadas a la Caracteritica Diodo Germanio
telecomunicacin y a la energa.
Los materiales semiconductores, como el silicio, son la Voltaje de tensin de ruptura (Peak repetitive reverse
materia prima que ha permitido desarrollar todos los voltage): 75 V
dispositivos electrnicos y optoelectrnicos actuales. Gracias a
n= coeficiente de emicion 1
estos existen diodos, transistores, chips, clulas solares, LEDs,
lseres, clulas fotoelctricas o fotodetectores. Is=corriente de saturacin (2x10^-8A)
La caracterstica ms importante de los semiconductores que
los hace tan relevantes desde el punto de vista tecnolgico es Corriente mxima promedio (Maximum average
el requerimiento de una energa mnima para poder excitar un forward current): 50 mA
electrn por encima de la llamada banda prohibida, que es Corriente mxima pico (Peak Forward Current): 150
donde se hace posible la conduccin de electricidad. Cuando mA
las dimensiones de los semiconductores se reducen a la escala
nanomtrica pasan a gobernar las reglas del mundo cuntico,
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IV. DATOS CALCULADOS DIDODO DE GERMANIO

Figura #01: Circuito 1

DIODO DE SILICIO

SIMULACION PROTEUS
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V. REFERENCIAS

[1] disponible en la
Web:http://www.uv.es/uvweb/instituto-ciencia-materiales-
icmuv/es/instituto-universitario-ciencia-materiales-icmuv/avances-
cientificos-materiales-semiconductores-bidimensionales-generacion-
nuevos-dispositivos-optoelectronicos-
1285918028224/Novetat.html?id=1285966168362

[2] diponible en la
Web: http://unicrom.com/diodo-semiconductor/

[3] diponible en la
Web:http://www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_
3.htm