TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module
IGBT-modules FS75R12KS4

VorlufigeDaten
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter PreliminaryData
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25C VCES  1200  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 70C, Tvj max = 150C IC nom 75 A
 
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25C, Tvj max = 150C IC 100 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  150  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25C, Tvj max = 150 Ptot  500  W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
 VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung IC = 75 A, VGE = 15 V Tvj = 25C 3,20 3,70 V
VCE sat
Collector-emittersaturationvoltage IC = 75 A, VGE = 15 V Tvj = 125C 3,85 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 3,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C VGEth 4,5 5,5 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG  0,80  C
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25C RGint  5,0 
Internalgateresistor
Eingangskapazitt
f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  5,10  nF
Inputcapacitance
Rckwirkungskapazitt
f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,32  nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES   5,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES   400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzgerungszeit,induktiveLast IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25C 0,12 s
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = 15 V Tvj = 125C  0,13  s
RGon = 7,5
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25C 0,05 s
tr
Risetime,inductiveload VGE = 15 V Tvj = 125C  0,06  s
RGon = 7,5
Abschaltverzgerungszeit,induktiveLast IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25C 0,31 s
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = 15 V Tvj = 125C  0,36  s
RGoff = 7,5
Fallzeit,induktiveLast IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25C 0,02 s
tf
Falltime,inductiveload VGE = 15 V Tvj = 125C  0,03  s
RGoff = 7,5
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25C mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = 15 V Tvj = 125C Eon  9,00  mJ
RGon = 7,5
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25C mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = 15 V Tvj = 125C Eoff  3,80  mJ
RGoff = 7,5
Kurzschluverhalten VGE 15 V, VCC = 900 V
ISC  
SCdata VCEmax = VCES -LsCE di/dt tP 10 s, Tvj = 125C 450 A
Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
proIGBT/perIGBT RthJC   0,25 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  125 C
Temperatureunderswitchingconditions

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS75R12KS4
VorlufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
 IF  75  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  150  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C It  2450  As
It-value

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 75 A, VGE = 0 V Tvj = 25C 2,00 2,40 V
VF
Forwardvoltage IF = 75 A, VGE = 0 V Tvj = 125C 1,70 V
Rckstromspitze IF = 75 A, - diF/dt = 1800 A/s (Tvj=125C) Tvj = 25C 65,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125C IRM  95,0  A
VGE = -15 V
Sperrverzgerungsladung IF = 75 A, - diF/dt = 1800 A/s (Tvj=125C) Tvj = 25C 5,25 C
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125C Qr  14,0  C
VGE = -15 V
AbschaltenergieproPuls IF = 75 A, - diF/dt = 1800 A/s (Tvj=125C) Tvj = 25C 1,80 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125C Erec  4,50  mJ
VGE = -15 V
Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
proDiode/perdiode RthJC   0,43 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  125 C
Temperatureunderswitchingconditions

Modul/Module
Isolations-Prfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL  2,5  kV
Isolationtestvoltage
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
  AI203  
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink 10,0
   mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Luftstrecke Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink 7,5
   mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
VergleichszahlderKriechwegbildung
 CTI  > 225  
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proModul/permodule
RthCH  0,009 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)
Modulstreuinduktivitt
 LsCE  28  nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlsse-
Chip TC=25C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'  1,80  m
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
 Tstg -40  125 C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM5-Montagegem.gltigerApplikationsschrift
M 3,00 - 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
 G  300  g
Weight

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS75R12KS4
VorlufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=125C

150 150
Tvj = 25C VGE = 20 V
Tvj = 125C VGE = 15 V
VGE = 12 V
125 125 VGE = 10 V
VGE = 9 V
VGE = 8 V

100 100
IC [A]

IC [A]
75 75

50 50

25 25

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
VCE [V] VCE [V]

bertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=15V,RGon=7.5,RGoff=7.5,VCE=600V

150 27
Tvj = 25C Eon, Tvj = 125C
Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C
24
125
21

100 18

15
E [mJ]
IC [A]

75
12

50 9

6
25
3

0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 0 25 50 75 100 125 150
VGE [V] IC [A]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS75R12KS4
VorlufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWrmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=15V,IC=75A,VCE=600V

35 1
Eon, Tvj = 125C ZthJC : IGBT
Eoff, Tvj = 125C
30

25

20

ZthJC [K/W]
E [mJ]

0,1

15

10

5 i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,02796 0,08463 0,11028 0,02713
i[s]: 0,002 0,03 0,066 1,655

0 0,01
0,0 10,0 20,0 30,0 40,0 50,0 60,0 70,0 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [] t [s]

SichererRckwrts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=15V,RGoff=7.5,Tvj=125C
180 150
IC, Modul Tvj = 25C
IC, Chip Tvj = 125C

150 125

120 100
IC [A]

IF [A]

90 75

60 50

30 25

0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VCE [V] VF [V]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS75R12KS4
VorlufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=7.5,VCE=600V IF=75A,VCE=600V

8 6
Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 125C

7
5

4
5
E [mJ]

E [mJ]
4 3

3
2

1
1

0 0
0 25 50 75 100 125 150 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
IF [A] RG []

TransienterWrmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)

1
ZthJC : Diode
ZthJC [K/W]

0,1

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,06653 0,1748 0,1802 0,00848
i[s]: 0,0015 0,0327 0,0561 0,3872

0,01
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]

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5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
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VorlufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehuseabmessungen/packageoutlines

In fin e o n

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VorlufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfrtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfrIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstndigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfrdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.

IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglicheGewhrleistungbernehmen.Eine
solcheGewhrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfrdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsbernommen.DieAngabenindengltigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.

SolltenSievonunsProduktinformationenbentigen,dieberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfrSiezustndigenVertriebsbroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FrInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.

AufgrunddertechnischenAnforderungenknnteunserProduktgesundheitsgefhrdendeSubstanzenenthalten.BeiRckfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfrSiezustndigenVertriebsbroinVerbindung.

SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefhrdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfrdieseFlle
-diegemeinsameDurchfhrungeinesRisiko-undQualittsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualittssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinfhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhngigmachen.

Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.

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