Contacto Metal-Semiconductor

La importante sobre este tema de contactos de metal semiconductor es debido a que los
dispositivos electrnicos que se basan en semiconductores estn unidos a sus terminales
externos.

Podemos encontrar dos tipos de contacto de uni metal semiconductor en funcin de las
caractersticas de la interfaz:

contaco Schottky.

Contacto Ohmico.

El contacto schottky presenta un comportamiento rectificarte, actuando de una forma similar a

las uniones p-n, mientras que el contacto hmico o no rectificantes se caracteriza por presentar
un comportamiento lineal (sellado hmico porque cumple con la ley de ohm) y una resistencia
despreciable en comparacin con el resto del dispositivo, de forma que la existencia de este
contacto no interfiere en las caractersticas elctricas del dispositivo.

La distincin entre los dos casos antes mencionados depende de las configuraciones relativas de
las bandas de energa del metal y semiconductor.

Antes de llegar a las definiciones de contacto hmico y schottky se mostraran unos conceptos que
se relacionan con sus definiciones.

Afinidad electrnica:
Viene dada por la distancia entre el nivel de vacio 0 y el fondo de la banda de conduccin y se
designa por .

Esta adfinidad electronica esta definida den la figura 2 a ; es la energia que se necesita adquirir un
electron de conduccion para ser emitido del semidonductor.

Funcion de trabajo:
Es la diferencia de energias de un electron justamente fuera del solido y la y la que tiene en el
nivel de fermi. Es igual a la cantidad 0 = como se observa en la figura 1, donde 0
indica el nivel de energia justamnete fuera del metal y es l a funcion de trabajo medida en
electrovolts. El simbolo representa la diferenciade potencial equivalente en voltss y es
denominado tambien, con frecuencia, funcion de trabajo.
Imagen 1 la funcin de trabajo de un metal

A continuacin de muestra unos valores de funcin de trabajo de algunos metales con unidades
de electrovolts.

Contacto Schotkky

Contacto rectificarte entre un metal y un semiconductor de tipo n .

Se necesitara el concepto de afinidad electrnica del semiconductor.

Imagen 2 contacto rectificante metal-semiconductor

Como se mencionaba antes el concepto de la afinidad electrnica y la energa que necesita
adquirir un electrn de conduccin para ser emitido de semiconductor.

Hay que suponer que la funcin de trabajo del metal es mayor que la afinidad electrnica del
semiconductor, > , como se observa en la figura 2, que se representa lo dos metales
aislados entre s. Debe notarse particularmente que en semiconductor hay abundante cantidad de
electrones libre que ocupan estados relativamente altas con relacin al nivel de fermi del metal
.

Cuando los dos metales se ponen en contacto los electrones donor en la vecindad de la superficie
del contacto disminuye de energa al ir ocupando los niveles ms bajos disponibles en el metal.

Contacto hmico entre un metal y un semiconductor tipo n

Se obtiene un contacto hmico o no rectificarte si la afinidad del semiconductor de tipo n es
mayor que la funcin de trabajo del metal, como se puede ver en la imagen 3 . el diagrama indica
claramente que hay muchos mestales vacantes en la banda de conduccin del semiconductor a
energas muy por debajo de nivel de fermi del metal .

>

Cuando se establece el contacto entre los dos materiales, los electrones se mueven del metal al
semiconductor, fijndose al principio en los donadores ionizados y luego ocupando muchos de los
estados vacios de la banda de conduccin. La emigracin de los electrones da origen a una
diferencia de potencial entre el metal y el semiconductor que confina los electrones que han
pasado al semiconductor es una estrecha capa adyacente al metal. La concentracin de electrones
en esta regin es suficiente para distorsionar las bandas de energa de tal forma y en tal extensin
que el nivel de fermi se desplaza hacia arriba hasta alcanzar la banda de conduccin del
semiconductor como lo indica la figura 3b como resultado de estas modificaciones del esquema
de bandas de energa. Las bandas de conduccin de los dos materiales a alturas similares sobre el
eje de energa y el transporte de electrones atreves de la superficie metal- semiconductor se
verifica sin impedimento en ambos sentidos.

Idealmente, la resistencia de un contacto de este tipo debera ser la suma de las resistencias de la
masa del metal y la del semiconductor. De hecho la superficie de contacto supone cierto valor
aadido a la resistencia total, pero de una forma lineal u hmica.
Imagen 3Contacto hmico entre semiconductor y un metal

Contactos entre semiconductor de tipo p y metales.

Los principios que acabamos de indicar se aplican tambin a semiconductores de tipo p

con algunas modificaciones obvias.

Se obtiene un contacto rectificarte si la afinidad del material de tipo p es mayor que la del
metal

Un contacto hmico si la afinidad del material tipo p es menor que la del metal.

Ahora tomando las diferencias de la funciones de trabajo del metal y la del semicondutor se
obtienen

Imagen 4 union metal semiconductor tipo-N

Como se observa la imagen 4 un este la altura de la barrera despus de el contacto para esto
modelo es dada

Donde recordemos que el x es la afinidad del electrn. La altura de la barrera es

independiente de la densidad de dopaje del semiconductor.

0 = : es el potencial de contacto