Introduccion A La Electronica de Potencia

INTRODUCCION A LA ELECTRONICA DE POTENCIA.
INSTITUTO TECNOLGICO DE
CHIHUAHUA
INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA
Materia:
ELECTRNICA DE POTENCIA.
Alumno:
FERNANDO ANTONIO BUENROSTRO CHVEZ.
12060405
Fecha: 10/07/2017
FERNANDO BUENROSTRO. 1
1 ANTECEDENTES HISTRICOS, DESCRIPCIN DE LOS DISPOSITIVOS

QUE SE UTILIZABAN ANTES DE 1970 Y QU ELEMENTOS LOS
FUERON REEMPLAZANDO
La historia de la electrnica de potencia se inicia en 1900 con la introduccin del rectificador
de arco de mercurio. Despus se introdujeron en forma gradual el rectificador de tanque
metlico, el de tubo al vaco controlado por rejilla, el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn.
Estos dispositivos se aplicaban para el control de potencia hasta 1950.
La primera revolucin electrnica comenz 1948, con la invencin del transistor de silicio
en los Bell Telephone Laboratories, por Barden, Brattain y Schockley. La microelectrnica
moderna ha evolucionado a travs de los aos a partir de los semiconductores de silicio. El
siguiente adelanto, en 1956, tambin fue logrado en los Bell Laboratories, o sea la invencin
del transistor de disparo PNPN, que se defini como tiristor, o rectificador controlado de
silicio (SCR). La segunda revolucin electrnica comenz en 1958, con el desarrollo del
tiristor comercial, por la General Electric Company.
La revolucin en electrnica de potencia nos est permitiendo conformar y controlar
grandes cantidades de potencia con una eficiencia siempre creciente.
Dispositivos Semiconductores de Potencia

A partir de 1970 se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia
que entraron al comercio. Sin embargo, los dispositivos de carburo de silicio todava estn
en desarrollo, y la mayor parte de los dispositivos se fabrican con silicio.
Con la aparicin del transistor empieza, en 1948, la era de los semiconductores, que en muy
pocos aos revoluciona completamente todos los dominios de la electrnica. Los
minsculos dispositivos a base de germanio, silicio y arseniuro de galio, no solo reemplazan
con ventaja a las vlvulas o tubos de vaco o de gas, sino que adems vienen a abrir nuevas
aplicaciones a nuestra tcnica.
El tiristor resulta ser algo ms que un simple sustituyente mejorado del tiratrn. Sus
caractersticas permiten usarlo de las formas ms diversas y siempre con un mximo de
fiabilidad y de precisin.
Cronologa
Comienza con la introduccin del rectificador de mercurio en 1900. Luego el rectificador de
tanque de metal, el rectificador de tubo de vaco, el ignitron, phanotron y el thyratron,
utilizados hasta1950.
1947: Invento del transistor de silicio en los laboratorios BELL (Bardeen, Brattain y
Schockley).
1956: Invento del transistor disparable definido como un tiristor o rectificador
controlado de silicio (SCR). Laboratorios BELL.
1958: Desarrollo comercial del tiristor por la compaa General Electric.
Dcada de los 70s: Circuitos Integrados (CI).
- Miniaturizacin.
- Menor tamao y peso.
- Menor costo.
- Menor consumo.
- Ms fiabilidad
1975: Nacen los Microprocesadores (p).
2 DESCRIPCIN GENERAL DE LAS VLVULAS ELECTRNICAS COMO EL

TIRATRN, FANATRN, INGNITRN. DESCRIPCIN, OPERACIN Y
CONSTRUCCIN
Tiratrn
Consiste en una vlvula termoinica similar a un trodo pero llena de un gas, utilizado para
controlar grandes corrientes. Es un trodo que contiene gas inerte o vapor de mercurio a
baja presin, tal como si a un diodo gaseoso se le dotara de una rejilla de control encargada
de determinar el momento en el cual se produce el arco debido a su influencia sobre el paso
de los iones y electrones hacia los electrodos de la vlvula.
ESTRUCTURA: El tiratrn est formado por una ampolla de vidrio que

contiene en su interior una mezcla de gases inertes y que posee
adems tres electrodos; ctodo nodo y rejilla de control.
El calentamiento del ctodo puede ser de forma directa o indirecta al
igual que en el trodo. El ctodo est rodeado por una pantalla
metlica, la cual hace imposible el surgimiento de un campo elctrico
entre el nodo y el ctodo adems de la rejilla. La terminal del nodo
se halla, por lo general, en la parte superior de la ampolla. Las
terminales del ctodo y la rejilla estn dispuestas en el casquillo de la
parte inferior de la vlvula.
FUNCIONAMIENTO: A diferencia del trodo de

vaco, la variacin del potencial de rejilla en el
tiratrn no influye en la corriente andica, sino
que desplaza el momento de encendido del
aparato, o sea, el momento de formacin del
arco. De acuerdo al potencial que posea la rejilla
con respecto al ctodo existir una mayor o
menor repulsin de electrones que determinar
el comienzo del proceso de ignicin. Sin
embargo, despus de alcanzar el voltaje de
ruptura o disparo, la rejilla atrae los iones del
plasma de modo que su accin queda neutralizada y no tiene ningn efecto ulterior sobre
la corriente entre ctodo y nodo. Por otra parte cuando se desea extinguir el arco, basta
con disminuir la diferencia de potencial entre nodo y ctodo por debajo del voltaje de
mantenimiento del dispositivo gaseoso. Los tiratrones comerciales pueden ser de rejilla
negativa o positiva y ello depende de la polaridad del voltaje que necesita el electrodo de
control para iniciar o prevenir la conduccin, lo cual est relacionado con su estructura fsica
para cada tipo de dispositivo.
Los tiratrones de rejilla negativa necesitan un voltaje negativo en este electrodo para
prevenir el inicio de la conduccin debido al tamao del agujero. En tal caso, si el voltaje de
rejilla a ctodo es positivo, el dispositivo conducir desde cero Volt y no habr control del
punto de encendido. As, para 200 V en la placa del tiratrn con respecto al ctodo, se debe
variar la rejilla desde un valor muy negativo hasta -4 V para que se produzca el encendido.
Las caractersticas de una vlvula de este tipo varan con los cambios de temperatura y por
lo tanto, cuando este parmetro aumenta hay una mayor cantidad de portadores y la rejilla
necesita un voltaje menos positivo para que ocurra el disparo. Por otra parte, los tiratrones
de rejilla positiva trabajan a una temperatura ms elevada, por lo que requieren un voltaje
menos positivo para iniciar la conduccin, ya que sus agujeros de la rejilla son pequeos.
Caracterstica crtica: Generalmente, para describir adecuadamente el funcionamiento de
un tiratrn, se construye la llamada caracterstica crtica de la vlvula. Esta curva permite
colocar en un mismo semiplano y en funcin del tiempo, los valores del voltaje de placa y
de rejilla, con los que se produce el disparo o encendido.
UTILIZACIN: El tiratrn se emplea, por ejemplo, para el control y regulacin de motores de

corriente continua, para el control de luminosidad de lmparas fluorescentes, rectificadores
regulables, convertidores de corriente continua en corriente alterna, circuitos automticos
de regulacin, etc.
Fanatrn
Se llama fanatrn a una vlvula termoinica parecida a un diodo de vaco que est llena
de gas. Se utiliza para la rectificacin de corriente alterna de gran intensidad, lo que en un
dispositivo de vaco es muy difcil debido al nmero limitado de electrones que puede
producir un ctodo termoinico.
Vlvula gaseosa de dos electrodos constituida por un recipiente de vidrio o de acero que
contiene un ctodo termoinico y un nodo de grafito confinados en un gas a baja presin
o en vapor de mercurio.
FUNCIONAMIENTO: En el trayecto hacia el nodo, los electrones emitidos por el ctodo de

estas vlvulas chocan contra los tomos del gas, lo cual genera iones positivos y electrones
libres. Estos electrones se dirigen hacia el nodo del tubo. Los iones positivos emigran hacia
el ctodo. Ello favorece an ms la emisin de cargas negativas. Por tanto se obtienen
corrientes de nodo mucho ms intensas que mediante el empleo de vlvulas de vaco. Por
esta razn los fanotrones resultan particularmente adecuados para rectificacin industrial
de corrientes alternas. Se fabrican fanotrones capaces de proporcionar intensidades
comprendidas entre 0,1 y 100 A y, a la vez, soportar tensiones inversas de pico superiores
a 15 kV. Con el fin de limitar la corriente a un valor que no dae la vlvula, los fanatrones
deben trabajar siempre en serie, con una resistencia limitadora adecuada.
Ignitrn
El ignitrn es un dispositivo de tres electrodos, con una cpsula que puede ser metlica o
de vidrio. Su nombre es derivado de ignicin, pues es el mtodo que se utiliza para la
ruptura del arco y ponerlo en funcionamiento. Este dispositivo no cuenta con un
equivalente a estado slido debido a las grandes corrientes que puede manejar, por lo que
en la actualidad se siguen fabricando.
ESTRUCTURA: El ignitrn cuenta con un nodo, elemento que

puede ser de grafito o metlico, colocado encima del ctodo.
Posee adems un ctodo, consistente en una charca de mercurio,
en la cual se encuentra sumergida la punta del tercer electrodo
llamado ignitor, el cual puede ser de carburo de silicio o grafito
recubierto con carburo de boro. Todos estos electrodos se encuentran dentro de una
ampolla de vidrio o metlica, con terminales al exterior y aislados elctricamente entre s.
En algunos casos, la ampolla suele poseer conexiones para el enfriamiento mediante algn
fluido.
FUNCIONAMIENTO: La emisin se produce al aplicar un pulso de voltaje positivo al ignitor

y originarse un gradiente de potencial de aproximadamente un milln de volt por
centmetro a travs de los puntos de unin, los cuales realmente no estn "mojados" por el
mercurio. Este elevado gradiente es suficiente para hacer saltar el arco, extraer los
electrones del mercurio y formar en la superficie del mismo pequeos crteres. Si el
potencial del nodo es positivo, el arco desarrollado entre el ignitor y el mercurio, se
traslada hacia el nodo para iniciar la corriente electrnica. La ionizacin de vapores de
mercurio se produce cuando salta el arco y el plasma resultante llena el espacio entre los
electrodos, mantenindose la corriente entre ctodo y nodo hasta que la misma se
interrumpa o cambie de sentido. De esta forma, el tiratrn nicamente permite el paso de
la corriente en un slo sentido.
UTILIZACIN: Debido a que los ignitrones son capaces de soportar grandes corrientes sin
sufrir daos, tienen una amplia aplicacin en aquellos casos en que los dispositivos
semiconductores no podran trabajar. Entre sus usos fundamentales estn las mquinas de
soldar, para cortocircuitos de emergencias, para rectificadores de mltiples usos, etc.
Con respecto a otras vlvulas similares, el ignitrn tiene ciertas ventajas como son: tamao
reducido, pequea cada de tensin y gran rendimiento.
3 CLASIFICACIN DE LOS TIRISTORES O SEMICONDUCTORES DE

POTENCIA; NOMBRE, SMBOLO, CARACTERSTICAS DE V-I,
CONSTRUCCIN, ESTRUCTURA INTERNA Y APLICACIONES
Dependiendo de la construccin fsica y el comportamiento en el encendido y el apagado,

se pueden clasificar los tiristores, en forma amplia, en 13 categoras:
Tiristores Controlados Por Fase (SCR).

Esta clase de tiristores suele funcionar a la frecuencia de lnea, y se
apagan por conmutacin natural. Un tiristor inicia la conduccin en
sentido directo, cuando se aplica un pulso de disparo de corriente de la
compuerta al ctodo, y se llega y se mantiene con rapidez a la
conduccin total, con una cada pequea de voltaje en sentido directo.
No puede hacer que su corriente regrese a cero mediante una seal en
su compuerta; en lugar de ello, se basa en el comportamiento natural
del circuito para que la corriente llegue a cero. El tiempo de apagado
tq es del orden de 50 a 100 s. Es ms adecuado para aplicaciones con
conmutacin de baja velocidad, y tambin se llama tiristor convertidor. Es bsicamente un
dispositivo controlado hecho de silicio, tambin se le llama rectificador controlado de silicio
(SCR).
El voltaje VT en estado de encendido vara, desde unos 1.15V para 600V hasta 2.5V para
dispositivos de 4000V, y para un tiristor de 1200V, 5500A, ese voltaje suele ser 1.25V.
Es un dispositivo de tres terminales usado para controlar corrientes ms bien altas para una
carga.
Un SCR acta a semejanza de un interruptor. Cuando
esta encendido (ON), hay una trayectoria de flujo de corriente
de baja resistencia del nodo al ctodo, acta entonces como
un interruptor cerrado. Cuando est apagado (OFF), no puede
haber flujo de corriente del nodo al ctodo. Por tanto, acta
como un interruptor abierto. Dado que es un dispositivo de
estado slido, la accin de conmutacin de un SCR es muy
rpida.
El flujo de corriente promedio para una carga puede ser controlado colocando un SCR
en serie con la carga. La alimentacin de voltaje es comnmente una fuente de 60-Hz de
CA, pero puede ser de CD en circuitos especiales.
Debido a su bajo costo, alta eficiencia, robustez y especificacin de alto voltaje y
corriente, se usan mucho en los convertidores de cd-ca, con un suministro de 50 a 60 Hz, y
en aplicaciones econmicas, donde la capacidad de apagado no es un factor importante.
Se usan en casi todas las transmisiones de CD en alto voltaje (HVDC) y en un gran porcentaje
de aplicaciones industriales.
Tiristores Bidireccionales Controlados Por Fase (BCT, De Bidirectional Phase-Controlled

Thyristors).
BCT es un concepto nuevo para control de fase con alta potencia.
Combina la ventaja de tener dos tiristores en un encapsulado,
permitiendo disear equipos ms compactos, simplificando el sistema
de enfriamiento y aumentando la fiabilidad del sistema. Los BCT
permiten a los diseadores cumplir con mayores demandas de tamao,
integracin, fiabilidad y costo del producto final. Son adecuados como
compensadores estticos de volt-amperes reactivos (VAR),
interruptores estticos, arrancadores suaves y controles de motor.
La especificacin mxima de voltaje puede ser hasta de 6.5kV a 1.8kA, y
la especificacin mxima de corriente puede ser hasta 3kA a 1.8kV.
El comportamiento elctrico de un BCT corresponde a la de dos tiristores en
antiparalelo, integrados en una oblea de silicio. Cada mitad de tiristor funciona como el
tiristor de oblea completa correspondiente, con respecto a sus propiedades estticas y
dinmicas. La oblea del BCT tiene regiones andicas y catdicas en cada cara. Los tiristores
A y B se identifican en la oblea con las letras A y B, respectivamente.
ENCENDIDO Y APAGADO: Un BCT tiene dos compuertas, una para encender e iniciar el flujo
de la corriente en sentido directo, y una para corriente en sentido inverso. Este tiristor
enciende con un pulso de corriente a una de sus compuertas. Se desactiva si la corriente
andica baja el valor de la corriente de detencin, por el comportamiento natural del
voltaje o la corriente.
Tiristores De Conmutacin Rpida

Se usan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad, con
conmutacin forzada (por ejemplo, inversores resonantes).
Tienen un tiempo corto de apagado, por lo general de 5 a 50 s,
dependiendo del intervalo de voltaje. La cada de voltaje en
estado encendido vara, aproximadamente en funcin inversa del
tiempo de encendido Tq. A esta clase de tiristor tambin se le llama tiristor inversor.
Estos tiristores tienen alta tasa dv/dt, normalmente de 1000V/s, y tasa di/dt de
1000A/s. El apagado rpido y la alta di/dt son muy importantes para reducir el tamao y
el peso de los componentes de conmutacin o del circuito reactivo. El voltaje en estado
encendido, de un tiristor de 1800 V-2,200 A suele ser de 1.7V. Los tiristores inversores, con
posibilidades muy limitadas de bloqueo en sentido inverso, normalmente de 10V, y que
tienen un tiempo de apagado muy corto, de 3 a 5 s, se llaman tiristores asimtricos
(ASCRS).
Rectificadores Controlados De Silicio Fotovoltaicos (LASCR, Light-Activated Silicon-

Controlled Rectifer)
Enciende por radiacin directa, con luz, de la oblea de silicio. Los pares electrn-hueco
que crea la radiacin producen la corriente de disparo, bajo la influencia del campo
elctrico. La estructura de la compuerta se disea para proporcionar la sensibilidad
suficiente para hacer la activacin con fuentes luminosas normales (por ejemplo un LED), y
para obtener grandes capacidades de las tasas di/dt y dv/dt.
Los LASCR se usan en aplicaciones de alto voltaje y gran corriente, por ejemplo HVDC,
transmisin y compensacin de potencia o VAR reactivos. Un
LASCR ofrece un aislamiento elctrico completo entre la fuente
luminosa de activacin y el dispositivo de conmutacin de un
convertidor de potencia, que flota en un potencial hasta de unos
pocos kilovolts. La especificacin de voltaje de un LASCR podra
llegar a 4kV a 1500A , con potencia de luz de activacin menor de
mW. La di/dt normal es 250A/ms y la dv/dt podra ser hasta de
2000V/s.
Tiristores De Triodo Bidireccional (TRIAC).

Puede conducir en ambas direcciones, y se usa
normalmente para control de fase (por ejemplo,
en controladores de ca). Se puede considerar
como dos SCR conectados en antiparalelo con
una conexin de compuerta comn.
Como un triac es un dispositivo
bidireccional, no se puede decir que sus
terminales sean nodo y ctodo. Si la terminal
MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1,
el TRIAC se puede encender aplicando una seal positiva entre la compuerta G y la terminal
MT1. Si la terminal MT2 es negativa respecto a la terminar MT1 se enciende aplicando
una seal negativa entre la compuerta G y la terminal MT1. No es necesario tener las dos
polaridades de seal de compuerta, pues un TRIAC se puede encender con una seal de
compuerta que puede ser positiva o negativa.
Tiristores De Conduccin En Sentido Inverso (RCT, De Reverse-Conducting Thyristor)

En muchos circuitos de convertidor e inversor se conecta un diodo
antiparalelo a travs de un SCR para permitir un flujo de corriente en sentido
inverso, causada por la carga inductiva, y para mejorar los requisitos del
apagado del circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo en
sentido inverso del SCR en 1 o 2 V bajo condiciones en estado estable. Sin
embargo bajo condiciones transitorias el voltaje puede subir hasta 30V
debido a voltaje inducido en la inductancia parsita del circuito, en el interior
del dispositivo.
Un RCT es un compromiso entre las caractersticas del dispositivo y los requisitos del
circuito; se puede considerar como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado. Al RCT
tambin se le llama ASCR, o tiristor asimtrico. El voltaje de bloqueo en sentido directo
vara de 400 a 2000 V, y la especificacin de corriente va hasta 500A. El voltaje tpico de
bloqueo en sentido inverso es de 30 a 40V. Como la relacin de corriente en sentido directo
a travs del tiristor, entre la corriente en sentido inverso de un diodo est fija para
determinado dispositivo, sus aplicaciones se limitan a diseo de circuitos especficos.
Tiristores Apagados Por Compuerta (GTO).

Como un SCR, un GTO se puede encender aplicando una seal positiva a la
compuerta. Sin embargo, el GTO puede abrirse con una seal negativa de
compuerta. Un GTO es un dispositivo que no retiene, y se puede construir
con especificaciones de corriente y voltaje parecidas a las de un SCR. Un
GTO se enciende aplicando un pulso positivo corto, y se apaga con un pulso
negativo corto a su compuerta.
Al igual que un tiristor, un GTO es un dispositivo con retencin, pero tambin es un
dispositivo que es posible apagar. En comparacin con un tiristor convencional, tiene una
carga n+ adicional cerca del nodo, que forma un circuito apagado entre la compuerta y el
ctodo, en paralelo con la compuerta de encendido.
Si pasa un gran pulso de corriente del ctodo a la compuerta, para apartar del ctodo
suficientes portadores de carga, esto es, del emisor al transmisor npn Q1, el transmisor pnp
Q2 se puede sacar de la accin regenerativa.
ENCENDIDO. El GTO tiene una estructura muy digital, sin compuerta regenerativa. En
consecuencia se requiere un pulso grande inicial de disparo, para activarlo. La rapidez de
aumento de la tasa de corriente de la compuerta diG/dt , afecta las prdidas por
conduccin del dispositivo. La duracin del pulso de IGM no debe ser menor que la mitad
del mnimo de tiempo que aparezca en las especificaciones. Se requiere mayor periodo si
la tasa di/dt de la corriente del nodo es baja, para poder mantener a IGM hasta que se
establezca un valor suficiente de la corriente andica.
Una vez que el GTO se activa, debe continuar la corriente en sentido directo en la
compuerta durante todo el periodo de conduccin, para asegurar que el dispositivo
permanezca en conduccin.
APAGADO. El proceso de apagado implica extraccin de la carga de la compuerta, el
periodo de avalancha en la compuerta y la disminucin de corriente andica. El GTO tiene
una larga cola de corriente de apagado, al final del apagado, y el siguiente encendido debe
esperar a que se haya disipado la carga residual del nodo, por el proceso de
recombinacin.
Como un GTO requiere una gran corriente de apagado, en el caso normal se usa un
capacitor con carga para proporcionar la corriente necesaria en la compuerta para el
apagado. El inductor limita la tasa di/dt de apagado de la corriente de compuerta, por el
circuito formado con R1, R2, SW1 y L. Se debe seleccionar el voltaje de suministro al circuito
de la compuerta, VGS, para alcanzar el valor requerido del VGQ. Los valores R1 y R2 tambin
deben minimizarse.
Un GTO tiene poca ganancia, normalmente seis, durante su apagado, y requiere un pulso
de corriente relativamente grande, para apagarlo. Tiene mayor voltaje en estado
encendido que el de un SCR. Este voltaje, en un GTO de 1200V, 550 A, suele ser 3.4V.
Los GTO se usan principalmente en los convertidores de fuente de voltaje, donde se
requiere un diodo en antiparalelo de recuperacin rpida a travs de cada GTO. As, los
GTO no necesitan, normalmente, tener capacidades de voltaje inverso. A esos GTO se les
llama GTO asimtricos.
Tiristores Controlados Por Fet (FET-CTH, De Fet-Controlled Thyristor).

Combina en paralelo a un MOSFET y un tiristor. Si se aplica el voltaje
suficiente a la compuerta del MOSFET, normalmente 3V, se genera
internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene alta
velocidad de conmutacin, altas tasas di/dt dv/dt.
Este dispositivo puede encenderse como los tiristores
convencionales, pero no puede apagarse mediante control de
compuerta. Esto tiene aplicaciones cuando se debe usar disparo
ptico para dar aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de
control, y el dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia.
Tiristores De Apagado Por Mos (MTO, De Mos Turn-Off)

El MTO fue desarrollado por Sillicon Power Company (SPCO). Es una combinacin de
un GTO y un MOSFET, que juntos superan las limitaciones de capacidad de apagado del
GTO. El MTO proporciona la misma funcionalidad que el GTO, pero usa un control de
compuerta que debe suministrar solo el voltaje de nivel
de seal necesario para encender y apagar los
transmisores MOS.
Su estructura es parecido a la de un GTO, y
conserva las ventajas del GTO del alto voltaje (hasta
10kV) y gran corriente (hasta 4000 A). Los MTO se
pueden usar en aplicaciones de gran potencia, desde 1 a
20MVA.
ENCENDIDO. Enciende aplicando un pulso de corriente a la compuerta de encendido. Este

pulso enciende el transistor npn Q1, que entonces a su vez enciende al transistor pnp Q2 y
retiene al MTO.
APAGADO. Se aplica un pulso de voltaje en la compuerta del MOSFET. Al encenderse el

MOSFET, se pone en corto el emisor y la base del transistor npn Q1, deteniendo as el
proceso de retencin. Un MTO se apaga con mucha ms rapidez que un GTO, y casi se
eliminarn las prdidas asociadas con el tiempo de almacenamiento. Tambin, el MTO
tiene una mayor tasa dv/dt y requiere componentes amortiguadores mucho menores. El
MTO tiene una larga cola de corriente de apagado al final del apagado, y al siguiente
encendido debe esperar hasta que disipe la carga residual en el nodo, por el proceso de
recombinacin.
Tiristores De Apagado (Control) Por Emisor (ETO, De Emitter Turn-Off).

ETO es un dispositivo hbrido de MOS y GTO en el que se combinan las ventajas del
GTO y del MOSFET. Un ETO tiene dos compuertas: una normal, para encenderlo, y una con
MOSFET en serie, para apagarlo. Se han demostrado ETO de alta potencia, con
especificaciones de corriente hasta de 4kA y de un voltaje de hasta 6kV.
ENCENDIDO. Se enciende aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2. Con un voltaje

positivo en la compuerta 2 el ctodo QE de MOSFET se enciende y apaga la compuerta QG
del MOSFET. Una inyeccin de corriente a la compuerta GTO (a travs de la compuerta 1)
enciendo el ETO, debido a la existencia del GTO.
APAGADO. Cuando se aplica una seal de apagado, con un voltaje negativo, al ctodo QE
del MOSFET, se apaga y toda la corriente se desva del ctodo (emisor n del transmisor npn
del GTO) hacia la base a travs de la compuerta QG del MOSFET. Esto detiene el proceso
de retencin regenerativo y el resultado es una apagado rpido. En forma parecida a la de
un GTO, el ETO tiene una larga cola de corriente al final del apagado, y debe esperar el
siguiente encendido hasta que se haya disipado la carga residual en el lado del nodo, por
el proceso de recombinacin.
Tiristores Conmutados Por Compuerta Integrada (IGCT, De Integrated Gate-Commutated

Thyristors).
En el IGCT se integran un tiristor conmutado por compuerta (GCT) y un activador en
compuerta en tarjeta de circuito impreso multicapa. El CGT es un GTO de conmutacin
permanente con un pulso de corriente de compuerta muy rpido y grande, tan grande como
la corriente normal especificada, que toma toda la corriente del ctodo y la lleva a la
compuerta aproximadamente en 1 s, para asegurar un apagado rpido.
ENCENDIDO. Se enciende aplicando la corriente de encendido a su compuerta.
APAGADO. Se apaga con una tarjeta de circuito impreso multicapa de compuerta que aplica
un pulso de apagado de subida rpida; por ejemplo, una corriente de compuerta de
compuerta de 4k A/s, solo con ul voltaje de 20V de compuerta a ctodo. Con esta variacin
de la corriente de compuerta, el transistor npn del lado del ctodo se apaga en su totalidad
en menos de aproximadamente 1 s, y de hecho el transistor pnp del lado del nodo se deja
con una base abierta, y se apaga en forma casi inmediata. Debido a la muy corta duracin
del pulso, se reduce mucho la energa de encendido de compuerta y se reduce al mnimo el
consumo de la misma.
Tiristores Controlados Por Mos (MCT, De Mos-Controlled Thyristor).

En un MCT se combinan las propiedades de un tiristor regenerativo
de cuatro capas, y una estructura de compuerta de MOS. Como el
IGBT, combina las ventajas de las estructuras bipolares de unin con
las de efecto de campo, y es una mejora con respecto a un tiristor
con un par de MOSFET que lo enciendan y apaguen. Aunque hay
varios dispositivos en la familia del MCT con combinaciones distintas
de estructuras de canal y compuerta, el MCT de canal p menciona
mucho en las publicaciones. La estructura NPNP se puede
representar con un transistor NPN Q1, y un transistor PNP Q2. La
estructura de compuerta de MOS se puede representar con un MOSFET M1 de canal p y
un MOSFET M2 de canal n.
Debido a que la estructura es NPNP, y no es la estructura PNPN de un SCR normal, el nodo
sirve como terminal de referencia, con respecto a la cual se aplican todas las seales de
compuerta.
ENCENDIDO. Cuando un MCT de canal p est en estado de bloqueo en sentido directo se

puede encender aplicando a su compuerta un pulso negativo con respecto al nodo.
Cuando un MCT de canal n est en estado de bloqueo en sentido directo, se puede
encender aplicando a su compuerta un pulso positivo con respecto al ctodo. Un MCT
permanece en estado encendido hasta que se intervienen las corrientes por l, o se aplica
un pulso de apagado a su compuerta.
APAGADO. Cuando un MCT de canal p est en estado de encendido, se puede apagar

aplicando a su compuerta un pulso positivo con respecto al nodo. Cuando un MCT de
canal n est en estado encendido, se puede apagar aplicando a su compuerta un pulso
negativo con respecto al ctodo.
Un MCT tiene:
- Una baja cada de voltaje en sentido directo durante la conduccin;
- Un corto tiempo de encendido, normalmente de 0.4 s, y un corto tiempo de
apagado, tpicamente de 1.25 s si el MCT es de 500V , 300 A;
- Bajas prdidas por conmutacin;
- Baja capacidad de voltaje de bloqueo inverso, y
- Alta impedancia de entrada a la compuerta, lo cual simplifica mucho los circuitos de

encendido.
Puede funcionar bien en paralelo para conmutar grandes corrientes, con pocas
desviaciones de las especificaciones por dispositivo. No puede encenderse con facilidad
desde un transformador de pulsos, si se requiere una polarizacin continua para evitar
ambigedades de estado.
El MCT tiene potencial de ser el tiristor casi definitivo de apagado con pocas prdidas
en estado encendido y de conmutacin, y tiene una gran velocidad de conmutacin para
aplicaciones en convertidores de alta potencia.
Tiristores De Induccin Esttica (SITH, De Static).

El SITH llamado tambin diodo controlado-limado (FCD, de
filed-controlled diode) fue introducido por Teszner en la
dcada de 1960. Un SITH es un dispositivo de portadores
minoritarios. En consecuencia, tiene baja resistencia o
cada de voltaje en estado activo. Tiene grandes
velocidades de conmutacin y mayores capacidades de las
tasas dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden
de 1 a 6 s. La especificacin de voltaje puede llegar a 2500
V y la de corriente se limita a 500 A. .
ENCENDIDO. En el caso normal, un SITH se enciendo aplicando en la compuerta un voltaje

positivo con respecto al ctodo. El SITH se enciende con rapidez, siempre que la corriente
y el voltaje de encendido sean suficientes. Al principio, se enciende el diodo PiN de
compuerta a ctodo e inyecta electrones de la regin N+, que pasan al canal y modulan as
la resistividad del canal. El voltaje positivo en la compuerta reduce la barrera de potencial
en el canal, que en forma gradual se vuelve conductora.
APAGADO. Un SITH se apaga aplicando a la compuerta un voltaje negativo con respecto al

ctodo. Si a la compuerta se le aplica un voltaje negativo de valor suficiente, se forma una
capa de agotamiento en torno a la compuerta p+. Se crea en el canal una barrera de
potencial, que lo ms angosto y elimina en l el exceso de portadores. Si el voltaje de
compuerta es lo suficientemente grande, la capa de agotamiento termina por estrechar
totalmente el canal. A pesar de que no hay corriente de electrones, la corriente de huecos
contina pasando, debido al exceso de portadores que queda en la base, que decaen en
forma lenta.
4 DEFINICIN DE LOS PARMETROS ELCTRICOS DE LOS

DISPOSITIVOS.
Parmetros Generales
VDRM = Tensin de pico mxima repetitiva en el estado bloqueado en el sentido directo que
soporta el tiristor.
VRRM = Tensin de pico mxima repetitiva en el sentido bloqueado que soporta el tirisitor.
IT = Corriente eficaz maxima permanente para una conduccin durante una alternancia
(180).
Io = Corriente media mxima permanente para una conduccin durante una alternancia
(180). Io est generalmente unida a IT por la relacin: Io = 2x IT/3,14().
ITSM = Corriente de pico mxima de sobrecarga accidental. Esta intensidad est definida por
una conduccin de una alternancia (10 ms). El componente debe haber recuperado el
equilibrio trmico antes de ser sometido a una nueva sobreintensidad.
IFGM o IGM = Intensidad de puerta directa mxima. Magnitud definida para una duracin de
impulso mxima.
PGFS o PGM = Potencia de pico de puerta. Magnitud definida por una duracin de impulso
mxima; es superior a PGAV.
PGAV = Potencia media disipable por la puerta. Es la potencia media mxima que puede
disipar la puerta en el caso de una seal de control continua.
VGM = Tensin mxima de puerta.
Tstg = Margen de temperaturas de almacenamiento.
TJ = Margen de temperaturas de trabajo de la unin.
= Velocidad de incremento mxima de la intensidad del nodo.
Parmetros Elctricos
IDRM = Intensidad de nodo de fuga mxima repetitiva en el estado bloqueado.
IRRM = Intensidad de nodo de fuga mxima repetitiva en el sentido de bloqueo.
IGT = Intensidad de cebado (llamada tambin de disparo) de puerta.
VGT = Tensin de cebado (o de disparo) de puerta.
IL = Intensidad de enganche, definida para un valor de IG*IL es siempre superior a IH.
IH = Intensidad de mantenimiento, definida para un valor de IT.
VTM = Tensin nodo-ctodo mxima en el estado conductor o disparado, definida para IT =
ITM.
= Velocidad de incremento mxima de la tensin de nodo-ctodo en el estado
bloqueado.
Parmetros De Conmutacin:
Tgt = Tiempo de puesta en conduccin del tiristor.
Tq = Tiempo de bloqueo del tiristor.
Parmetros Especficos Para el TRIAC

IDRM = IRRM para el triac.
IGT, VGT e IL estn definidos para los cuatro cuadrantes de trabajo del triac.
Vcd = Es el valor promedio del voltaje de salida o de carga.
Icd = Es el valor promedio de la corriente de salida (de carga).
Pcd = Es la salida de potencia en corriente directa, es directamente proporcional al valor
promedio de voltaje por el valor promedio de la corriente:
Pcd = VcdIcd
Vrms = Es el valor medio cuadrtico (rms) del voltaje de salida.
Irms = Es el valor medio cuadrtico (rms) de la corriente de salida.
Pca = Es la potencia de salida y corriente alterna la cual es directamente proporcional al valor
medio rms de voltaje por el valor medio rms de la corriente:
Pca = Vrms Irms
F.F = Es el factor de forma, el cual es una medida de la forma de voltaje de salida, y est
dada por:

F.F =

R.F = Es el valor de la componente ondulatoria, el cual es una medida del contenido de la
componente ondulatoria y est dada por:

R.F =

T.U.F = Es el factor de utilizacin del transformador y est determinada por:

T.U.F =

P.I.V = Es el voltaje de bloqueo de pico inverso el cual es igual al voltaje de entrada.
F.D = Es el factor de desplazamiento y se encuentra dado por:
F.D = Cos
P.F = Es el factor de potencia de entrada y se determina por:
5 VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA

Los dispositivos semiconductores de potencia permite realizar puentes convertidores
electrnicos, eficientes que mejoran las prestaciones estticas y dinmicas de los procesos
de conversin de energa elctrica, originando procesos ms eficientes debido a la
capacidad de conmutar grandes bloques de energa con mnimas prdidas.
La conmutacin de altos bloques de energa trae consigo la introduccin de contaminacin
armnica en tensin y corriente sobre las lneas de alimentacin, problemas de resonancia,
interferencia electromagntica, fallas de aislacin, entre otras.
Estos problemas pueden solucionarse mediante filtros pasivos y/o activos o mejorando las
estrategia de conmutacin de los puentes electrnico.
Ventajas
- Mayor fiabilidad y vida ms larga.
- Ausencia de vibraciones.
- Mejores caractersticas elctricas
- Respuesta rpida.
- Mejora en la estabilidad.
- Precisin.
- Costo y tamao.
- Mantenimiento reducido al no existir partes mecnicas que sufren desgaste.
- No se producen arcos elctricos al no existir desgaste de contactos, ni ruido
electromagntico, etc.
Desventajas
- Menor robustez elctrica, es decir, son de capacidad reducida para soportar
sobretensiones y sobreintensidades.
- Algunos circuitos son caros.
- Los semiconductores son ms delicados que los componentes electromecnicos
ante situaciones de sobrecarga, esto exige un diseo cuidadoso de los circuitos y el
empleo de protecciones adecuadas.
6 CIRCUITOS DE APLICACIN POR SU FORMA DE CONVERTIR LA

ENERGA ELCTRICA. EJEMPLOS.
Para el control o el acondicionamiento de la potencia elctrica, es necesaria la conversin

de potencia elctrica de una a otra forma, y que las caractersticas de conmutacin de los
dispositivos de potencia permitan esas conversiones. Los convertidores estticos de
potencia hacen esas funciones de conversiones de potencia. Se puede considerar que un
convertidor es una matriz de conmutacin. Los circuitos electrnicos de potencia se
pueden clasificar en seis tipos:
Rectificadores de diodo.
Un circuito rectificador de diodo convierte el voltaje de ca en voltaje fijo de cd. El voltaje
de entrada vi al rectificador podra ser tanto monofsico como trifsico.
Convertidores de CA-CD.
Un convertidor monofsico con dos tiristores conmutados naturales. El valor promedio del
voltaje de salida vo se puede controlar variando el tiempo de conduccin de los tiristores, o
al ngulo de retardo de disparo. La entrada podra ser una fuente monofsica o trifsica.
Estos convertidores se llaman tambin rectificadores controlados.
Convertidores de CA-CA.
Se usan para obtener un voltaje variable de ca, vo, con una fuente fija de ca y un convertidor
monofsico con un TRIAC. El voltaje de salida se controla variando el tiempo de conduccin
de un TRIAC, o el ngulo de retardo de disparo de . Estas clases de convertidores de voltaje
tambin se llaman controladores de voltaje ca.
Convertidor de CD-CD.
Se llama tambin recortador de picos, o regulador de conmutacin. El voltaje promedio de
salida vo se controla haciendo variar el tiempo de conduccin t del transistor Q1. Si T es el
periodo de recorte, entonces t1 = . A se le llama ciclo de trabajo del recortador.
Convertidores de CD-CA.
Se le llama tambin inversor. Si los transistores M1 y M2 conducen durante medio periodo,
y M3 y M4 conducen durante la otra mitad, el voltaje de salida es alterno. El valor del voltaje
se puede controlar variando el tiempo de conduccin de los transistores.
Interruptores estticos.
Ya que los dispositivos de potencia se pueden hacer trabajar como interruptores estticos
o contactores, el suministro a ellos podra ser de ca o de cd, y los dispositivos se llaman
interruptores estticos de ca o interruptores de cd.
Con frecuencia se pueden conectar en cascada varias etapas de conversin, para producir
la salida que se desee. Los suministros 1 abastecen el suministro normal de ca a la carga
a travs de la derivacin esttica. El convertidor de ca-cd carga la batera de reserva desde
las llegadas 2. El convertidor de cd a ca suministra la energa de emergencia a la carga a
travs de un transformador desacoplador. Las lneas primarias 1 y 2 se suelen conectar a la
misma fuente de cd.
7 CONSTRUCCIN DE DIAGRAMAS A BLOQUE EXPLICANDO QUE

ELEMENTOS FORMAN UN SISTEMA O EQUIPO ELECTRNICO.
ELEMENTOS QUE CONFORMAN A UN EQUIPO ELECTRONICO (BLOQUES)
8 EXPLICAR LA OPERACIN DEL GTO Y DEL IGBT Y CIRCUITOS DE

APLICACIN.
El GTO (Gate Turn-Off Switch)
Es un tiristor con posibilidades de ser bloqueado mediante un impulso de corriente
negativa en la puerta, sin necesidad de la resistencia limitadora de nodo descrita para el
SCS. Esta posibilidad se basa en una geomtrica de la zona de puerta tal que la influencia
de esta sobre el resto de la pastilla es mayor que en el tiristor convencional. Para ello se
ramifica el ctodo por gran parte de la zona de puerta mediante una tcnica de
interdigitacin de manera que la polarizacin negativa de la puerta extrae ms fcilmente
los portadores que saturan la unin de control casando el proceso regulativo que mantiene
el estado de conduccin.
El GTO ya se construy en la dcada en de los sesenta, pero no se conseguieron
componentes tiles comercialmente hasta los setenta.
En conduccin tiene ms cada de tensin que el tiristor convencional (2,5 V frente a 1,5
V). El mecanismo de disparo es muy parecido al del tiristor. No obstante, el fabricante suele
recomendar mantener cierto nivel de corriente positiva en la puerta durante todo el
periodo de conduccin para asegurar que toda el rea de la pastilla se halla en conduccin.
El tiempo de disparo es del orden de 4 s. El tiempo de bloqueo es de unos 8 s,
necesitndose extraer por puerta de intensidad de un quinto de la que circula por nodo,
aproximadamente. Esta relacin depende de la familia usada y de la propia intensidad de
nodo. Como es necesario prever que sta sobrepase el valor nominal del componente por
si hubiera que efectuar el bloqueo durante una sobrecarga, el circuito desexcitador de
puerta no resulta pequeo. A pesar de ello, el hecho de no necesitar componentes para el
bloqueo, hace del GTO un componente apreciado en convertidores de gran potencia donde
se busque la seguridad de funcionamiento, como es el caso de las locomotoras elctricas.
Lo mismo que el tiristor convencional, puede realizarse en variante asimtrica con
conduccin libre en sentido inverso. La anulacin del diodo P1N1 se efecta de forma
similar al tiristor, es decir, introduciendo una zona de alto dopado N1+, que adems puede
ser distribuida en pequeas islas. El GTO asimtrico puede mejorar algunas caractersticas
de conduccin directa y bloqueo, pero los fabricantes no suelen caracterizar el diodo
interno antiparalelo. Por tanto, debe emplearse normalmente con un diodo antiparalelo o
en serie externo.
Conviene considerar que aunque el GTO no necesita componentes auxiliares para
provocar el bloqueo, como en el caso del tiristor, si necesita una red acicaladora que
permita derivar la corriente de nodo sin provocar sobretensiones que destruirn el
componente. En circuitos de gran potencia como los que se construyen con GTO, solo la
tercera red suele usarse, pues permite controlar la tensin mxima y la derivada de tensin
en el semiconductor (du/dt = IA/C). Cuando la carga es muy inductiva, el lmite de la
frecuencia de conmutacin puede estar marcado por la potencia que es razonable disipar
en la red protectora, ms que por los tiempos de disparo y bloqueo del GTO. Esta
observacin es vlida para cualquier semiconductor de potencia empleado en un circuito;
por tanto, es necesario tener en cuenta que la frecuencia mxima de conmutacin de un
circuito electrnico de potencia est condicionado por la rapidez del semiconductor
disponible y por la propia topologa y funcionamiento del circuito. As, los FET disponibles
hoy, enormemente rpidos, han obligado a investigar sobre circuitos resonantes (que
conmutan con intensidad baja, disminuyendo las prdidas de conmutacin) para poder
elevar la frecuencia de las fuentes conmutadas por encima de los 100 kHz.
En la figura se representan variaciones de las intensidades y tensiones de nodo y de

puerta durante el proceso de bloqueo. Durante el intervalo t1 la regin de puerta se vaca
de portadores, comenzando a disminuir la intensidad de nodo al final del mismo. Se llama
tiempo de almacenamiento. La intensidad negativa de puerta crece lentamente (en
trminos relativos) debido a la inductancia parsita en el control.
El intervalo t2 o tiempo de cada es el que transcurre desde que la intensidad de nodo
disminuye al 90% de su valor inicial hasta la entrada en funcionamiento efectivo del
acicalador. Este retraso se debe a la inductancia parsita Lp asociada a los conductores y
componentes de dicha red y al tiempo de recuperacin directa del diodo. Debe minimizarse,
pues la disipacin instantnea es alta debido a la coexistencia de intensidad de nodo y
tensin nodo-ctodo elevada durante el mismo. Para ello hay que reducir las longitudes
de las interconexiones y emplear un diodo rpido y un condensador con baja inductancia
serie.
El intervalo t3 est determinado por los valores de la intensidad de nodo a bloquear y de
C. No debe ser inferior a cierto valor para que la disipacin instantnea en la pastilla no
alcance el valor destructivo. Durante el mismo circula un resto de intensidad andica por la
capacidad parasita nodo-ctodo del GTO no mostrada en el circuito.
IGBT
Durante muchos aos se ha buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo
sufrientemente veloz y que pudiese manejar grandes cargas pero han surgido nuevas ideas
con la unin de un MOSFET como dispositivo de disparo y un BJT de dispositivo de potencia

y de esta forma se lleg a la invencin del IGBT.
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor es decir,
transistor bipolar de puerta de salida.
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del
BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta
impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. Al igual que el MOSFET
de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el BJT.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrnico que
generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin
en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la
ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy
dbil en la puerta.
El IGBT de la figura es una conexin
integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito
de excitacin del IGBT es como el del
MOSFET, mientras que las caractersticas de
conduccin son como las del BJT. El IGBT es
adecuado para velocidades de conmutacin
de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en
muchas aplicaciones.
Es un componente de tres terminales que se
denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR
(C) y EMISOR (E).
CURVA CARACTERSTICA:
COMO FUNCIONA: Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto

significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate,
el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde
el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo TON en el que la seal
en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada
positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG
que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud
aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de
lo cual la corriente de drain ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante).
Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin
embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja.
EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate.
La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro
segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un
valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el
gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente ID se autolimita.
El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como
de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.
BIBLIOGRAFA
Muhammad H. Rashid, Electrnica de Potencia, tercera ed., Prentice Hall.

Henri Lilen, Tiristores y Triacs, Circuiteca de electrnica, Marcombo Boisareu
Editores.
Electrotecnia con fundamentos de electrnica industrial. V. Kitaev
Electrnica industrial.
http://books.google.com.cu
http://definicion.dictionarist.com/ignitrn
http://es.wikipedia.org/wiki/Fanotr%C3%B3n
http://books.google.com.cu
http://definicion.dictionarist.com/tiratrn
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_2.Intr
o_EP.pdf
http://ccpot.galeon.com/enlaces1737117.html
http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/omar/Omar.htm
proton.ucting.udg.mx/~cruval/scr.doc
http://www.itescam.edu.mx/principal/sylabus/fpdb/recursos/r90570.PDF

Introduccion A La Electronica de Potencia

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INTRODUCCION A LA ELECTRONICA DE POTENCIA.

INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

FERNANDO ANTONIO BUENROSTRO CHVEZ.

1 ANTECEDENTES HISTRICOS, DESCRIPCIN DE LOS DISPOSITIVOS

Dispositivos Semiconductores de Potencia

2 DESCRIPCIN GENERAL DE LAS VLVULAS ELECTRNICAS COMO EL

ESTRUCTURA: El tiratrn est formado por una ampolla de vidrio que

FUNCIONAMIENTO: A diferencia del trodo de

UTILIZACIN: El tiratrn se emplea, por ejemplo, para el control y regulacin de motores de

FUNCIONAMIENTO: En el trayecto hacia el nodo, los electrones emitidos por el ctodo de

ESTRUCTURA: El ignitrn cuenta con un nodo, elemento que

FUNCIONAMIENTO: La emisin se produce al aplicar un pulso de voltaje positivo al ignitor

3 CLASIFICACIN DE LOS TIRISTORES O SEMICONDUCTORES DE

Dependiendo de la construccin fsica y el comportamiento en el encendido y el apagado,

Tiristores Controlados Por Fase (SCR).

Tiristores Bidireccionales Controlados Por Fase (BCT, De Bidirectional Phase-Controlled

Tiristores De Conmutacin Rpida

Rectificadores Controlados De Silicio Fotovoltaicos (LASCR, Light-Activated Silicon-

Tiristores De Triodo Bidireccional (TRIAC).

Tiristores De Conduccin En Sentido Inverso (RCT, De Reverse-Conducting Thyristor)

Tiristores Apagados Por Compuerta (GTO).

Tiristores Controlados Por Fet (FET-CTH, De Fet-Controlled Thyristor).

Tiristores De Apagado Por Mos (MTO, De Mos Turn-Off)

ENCENDIDO. Enciende aplicando un pulso de corriente a la compuerta de encendido. Este

APAGADO. Se aplica un pulso de voltaje en la compuerta del MOSFET. Al encenderse el

Tiristores De Apagado (Control) Por Emisor (ETO, De Emitter Turn-Off).

ENCENDIDO. Se enciende aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2. Con un voltaje

Tiristores Conmutados Por Compuerta Integrada (IGCT, De Integrated Gate-Commutated

ENCENDIDO. Se enciende aplicando la corriente de encendido a su compuerta.

Tiristores Controlados Por Mos (MCT, De Mos-Controlled Thyristor).

ENCENDIDO. Cuando un MCT de canal p est en estado de bloqueo en sentido directo se

APAGADO. Cuando un MCT de canal p est en estado de encendido, se puede apagar

- Alta impedancia de entrada a la compuerta, lo cual simplifica mucho los circuitos de

Tiristores De Induccin Esttica (SITH, De Static).

ENCENDIDO. En el caso normal, un SITH se enciendo aplicando en la compuerta un voltaje

APAGADO. Un SITH se apaga aplicando a la compuerta un voltaje negativo con respecto al

4 DEFINICIN DE LOS PARMETROS ELCTRICOS DE LOS

= Velocidad de incremento mxima de la intensidad del nodo.

= Velocidad de incremento mxima de la tensin de nodo-ctodo en el estado

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En la figura se representan variaciones de las intensidades y tensiones de nodo y de

con la unin de un MOSFET como dispositivo de disparo y un BJT de dispositivo de potencia

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