ARMADA DEL ECUADOR

ESCUELA DE CAPACITACIN Y PERFECCIONAMIENTO

Guayaquil
DE : ALFG-ARM Vctor Alfonso Jaramillo Uchuari
PARA : CPCB-SU Hernn Crespo Posso
ASUNTO : Tipos de transmisores

Transmisor TWT
Es un dispositivo electrnico usado para amplificar seales de radio
frecuencia (RF) mediante un montaje electrnico llamado amplificador de tubo
de onda progresiva (TWTA).
Los TWT pueden ser de banda estrecha o de banda ancha, siendo estos
ltimos los ms comunes, llegando hasta una octava. El rango de frecuencias
se encuentra comprendido entre los 300 MHz hasta los 50 GHz. La ganancia
de tensin del tubo puede llegar hasta los 70 decibelios.
El dispositivo consta de un tubo de vaco alargado con un can
electrnico(ctodo emisor de electrones). En el can, los electrones viajan
desde el ctodo caliente hacia el nodo (efecto Edison). Alrededor del tubo,
un campo magntico de contencin concentra los electrones en un haz. El haz
llega al centro de un circuito de RF (siendo una cavidad acoplada o espiral),
que se extiende desde la entrada de RF hasta la salida de RF. El haz pasa
luego al terminal colector. Un acoplador direccional, que puede ser una gua de
onda o una bobina electromagntica (EM), es alimentado con la seal de baja
potencia que se va a amplificar. El acoplador direccional se coloca cerca del
emisor, induciendo corriente en la hlice.

Magnetrn
Es un dispositivo que transforma la energa elctrica en energa
electromagntica en forma de microondas. Fue desarrollado hacia el final de
los aos 30 con el fin de alimentar al radar mediante una fuente radioelctrica
potente (varios cientos de vatios) y con una longitud de onda centimtrica, por
lo tanto unas frecuencias elevadas para la poca de 300 MHz a 3 GHz (ondas
decimtricas) y ms all de 3 GHz (ondas centimtricas).
Los osciladores de tubos utilizados anteriormente eran incapaces de
proporcionar tanta potencia (lo que supona un alcance insuficiente de los
radares), a frecuencias tan elevadas (de donde una discriminacin angular
dbil).
Bsicamente consiste en un cilindro metlico, en el que hay dispuestas de
forma radial una serie de oquedades o cavidades resonadoras, que se
comunican con una cavidad central mayor, en cuyo eje existe un filamento
metlico de titanio. Esta vlvula fue desarrollada originalmente a partir de la
vlvula Klystron, en la Universidad de Birmingham (Inglaterra) por el profesor
M.L. Oliphant, en el otoo de 1939. La idea bsica es utilizar la vlvula para
producir seales de potencias elevadas en la gama de microondas para los
sistemas de radar que todava no estaban suficientemente desarrollados. El
cilindro se comporta como nodo y el filamento central como ctodo. El
filamento, conectado al polo negativo de una fuente de corriente continua, se
pone incandescente y emite electrones por efecto termoinico. El cilindro se
conecta al polo positivo y atraer a los electrones. Todo este conjunto se
encuentra dispuesto entre los polos de un potente electroimn.

Transmisor de CW
La forma ms simple de transmisor es el oscilador que muestra la figura. El
oscilador genera una seal portadora con la frecuencia deseada. La frecuencia
aqu est determinada por un cristal. La informacin que se transmite se
expresa en una forma especial de cdigo que utiliza puntos y rayas para
representar las letras del alfabeto y los nmeros. La informacin transmitida de
esta manera se conoce como transmisin de onda continua (CW, continuous
wave). En el emisor se utiliza una llave conveniente, que es un interruptor
operado en forma manual para encender y apagar el oscilador a fin de producir
los puntos y rayas. El oscilador produce un breve pulso de energa de RF para
un punto y un pulso de RF ms prolongado para una raya. Aun cuando un
transmisor tan simple como ste puede tener una potencia de 1 W o menos, a
la frecuencia correcta y con una buena antena es capaz de enviar seales a la
mitad del alance mundial (en HF).

Transmisor de Estado Slido

La electrnica de estado slido se ocupa de aquellos circuitos o dispositivos
construidos totalmente de materiales slidos y en los que los electrones, u
otros portadores de carga, estn confinados enteramente dentro del material
slido. El trmino se utiliza a menudo para contrastar con las tecnologas
anteriores de vaco y dispositivos de tubo de descarga de gas y tambin se ha
convenido en excluir del trmino estado slido a los dispositivos
electromecnicos (rels, interruptores, discos duros y otros dispositivos con
partes mviles). Aunque estado slido puede incluir slidos monocristalinos,
policristalinos y amorfos referidos a conductores elctricos, aislantes y
semiconductores, el material de construccin ms a menudo utilizado es un
semiconductor cristalino. Los dispositivos de estado slido comunes incluyen
transistores, microprocesadores y chips de memoria RAM. Un tipo
especializado de RAM llamada memoria flash utilizada en las memorias USB y,
ms recientemente, en las unidades de estado slido para sustituir a los discos
duros magnticos de rotacin mecnica. Dentro del dispositivo tiene lugar una
cantidad considerable de accin electromagntica y de mecnica cuntica. La
denominacin se impuso en la dcada de 1950 y en la de 1960, durante la
transicin desde la tecnologa del tubo de vaco hacia los diodos y transistores
semiconductores. Ms recientemente, el circuito integrado (IC), el diodo emisor
de luz (LED) y la pantalla de cristal lquido (LCD) han evolucionado como otros
ejemplos de dispositivos de estado slido.
En un componente de estado slido, la corriente est confinada a elementos
slidos y compuestos diseados especficamente para conmutarla y
amplificarla. El flujo de corriente se puede entender de dos formas: como carga
negativa de electrones y como deficiencias de electrones cargadas
positivamente, denominadas huecos.