UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES

Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto

Laboratorio de Tcnicas Digitales y Analgicas

Prctica 2- Transistor BJT
2124574
Grupo L1

Escuela de Ingenieras Elctrica, Electrnica y Telecomunicaciones E3T, Universidad Industrial de Santander

Bucaramanga, Colombia

Resumen Esta prctica de laboratorio fue dividida en Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin
dos partes, tanto en la primera como en la segunda se base-emisor y de la unin colector-base de un
trabaj con el mismo circuito, que inclua un transistor transistor bipolar de silicio.
BJT. En la primera parte se registraron datos de tensin
Obtener las curvas caractersticas de entrada del
con el propsito de estudiar e identificar los distintos
modos de operacin, mientras que en la segunda se transistor bipolar en configuracin de emisor
observaron una serie de graficas en el osciloscopio que comn. Observar su variacin con el voltaje de
involucraban la medicin algunos tiempos en seales del colector-emisor.
circuito, esto a fin de estudiar los tiempos de respuesta
del transistor.
III. MARCO TERICO
I. INTRODUCCIN
Transistor

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor
que cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. Para ser utilizado como
amplificador, el punto de trabajo debe situarse
aproximadamente en el centro de la recta de carga debido a
que si se desplaza a la zona de saturacin la intensidad de
colector se hace mxima y deja de responder a los
incrementos de intensidad de base y si se desplaza a la zona
de corte la intensidad de colector se hace cero y el transistor
no conduce. Entre el corte y la saturacin, el transistor
funciona como amplificador, ya que, a cada intensidad de
base (del orden de microamperios) corresponde una
intensidad de colector amplificada (del orden de
miliamperios).
II. OBJETIVOS
Identificar las terminales del transistor bipolar.
Comprobar el efecto transistor.
Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms
electrodos. Los tres electrodos principales son emisor,
colector y base. La conduccin entre estos electrodos se
realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el
silicio son los materiales ms frecuentemente utilizados
para la fabricacin de los elementos semiconductores. Los
transistores pueden efectuar prcticamente todas las
funciones de los antiguos tubos electrnicos, incluyendo la
ampliacin y la rectificacin.
Elementos de un transistor o transistores:
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas
que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo
p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al
primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo
transistor PNP.
EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o
electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los
tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.

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BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Fuente DC

Su labor es la equivalente a la REJILLA ctodo en los tubos Multmetro digital
de vaco o "lmparas" electrnicas. Generador de seales
Osciloscopio
COLECTOR, que capta los portadores de corriente
Protoboard
emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la
Transistor BJT-NPN
PLACA en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.
Resistencias.
Transistores Bipolares de unin, BJT. ( PNP o NPN )

- BJT, de transistor bipolar de unin (del ingls, Bipolar V. ANALISIS DE

Junction Transistor).
CARACTERISTICAS DEL
El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los TRANSISTOR.
electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el
material polarizado de forma opuesta.

Regiones operativas del transistor Caracterizacin del transistor.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando: A) Regiones de Operacin.
Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = Para la caracterizacin del transistor se us el montaje de
0) circuito mostrado a continuacin:
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (Como
no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver
Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = corriente

mxima, (Ic = Ie = I mxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje

de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas
en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm.

Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin

de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una
Figura 1. Circuito empleado en la prctica.
regin intermedia, la regin activa. En esta regin la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente de un
amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias A continuacin se muestran las tablas con los resultados de
que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin las mediciones hechas en la prctica. Las tablas tambin
es la ms importante si lo que se desea es utilizar el incluyen los parmetros establecidos en el circuito en
transistor como un amplificador. cuanto a tensiones y valores de resistencia se refiere.

IV. ELEMENTOS USADOS EN LA

PRCTICA

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Rb [] Rc [] hfe Rb [] Rc [] hfe
99200 987 1,75 99200 987 1,75
Vbb [V] Vrb [V] Ib [uA] Vbb [V] Vrb [V] Ib [uA]
2,05 1,5 15,1209677 1,1 0,5 5,04032258
Vce [V] Vrc [V] Ic [mA] Vce [V] Vrc [V] Ic [mA]
0,1 0,86 0,87132725 0,1 0,3 0,30395137
0,19 2,1 2,12765957 0,2 0,74 0,74974671
0,29 2,2 2,2289767 0,31 0,76 0,77001013
0,4 2,21 2,23910841 0,4 0,76 0,77001013
0,51 2,21 2,23910841 0,5 0,76 0,77001013
0,6 2,21 2,23910841 0,6 0,76 0,77001013
0,69 2,22 2,24924012 0,7 0,76 0,77001013
0,82 2,22 2,24924012 0,81 0,76 0,77001013
0,91 2,22 2,24924012 0,89 0,76 0,77001013
1,01 2,23 2,25937183 0,99 0,76 0,77001013
2,02 2,25 2,27963526 1,99 0,77 0,78014184
2,99 2,25 2,27963526 2,98 0,77 0,78014184
3,99 2,26 2,28976697 4,01 0,77 0,78014184
4,99 2,28 2,3100304 4,99 0,77 0,78014184
Tabla 1. Resultados obtenidos con Vbb = 2,05 V. Tabla 3. Resultados obtenidos con Vbb= 1,1 V

Rb [] Rc [] hfe A continuacin se muestra la grfica de las tres tablas de

datos:
99200 987 1,75
Vbb [V] Vrb [V] Ib [uA]
3,66 3 30,2419355
Vce [V] Vrc [V] Ic [mA]
0,1 1,426 1,44478217
0,2 4,47 4,52887538
0,29 4,7 4,76190476
0,39 4,71 4,77203647
0,49 4,72 4,78216819
0,61 4,72 4,78216819
0,7 4,73 4,7922999
0,8 4,73 4,7922999
0,89 4,73 4,7922999
1 4,74 4,80243161
Figura 2. Zonas de operacin del transistor. La lnea amarilla
1,99 4,78 4,84295846 corresponde a la corriente de colector de la tabla 2, la azul
3 4,8 4,86322188 corresponde a la de la tabla 1 y la roja a la de la tabla 3.
4 4,85 4,91388045
Para empezar con el anlisis de las tablas mostradas y la
4,99 4,88 4,94427558
grfica de las mismas, es necesario entender que en este
Tabla 2. Resultados obtenidos con Vbb = 3 V
caso la aplicacin que se le da al transistor, es que funcione
como resistencia variable entre su colector y emisor. La

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variacin de dicha resistencia se da en funcin de la seal entrada y el punto en que la seal de salida toma el 10% de
elctrica que entra a la base. su valor nominal.

Puede decirse que las regiones de operacin del transistor

van directamente ligadas a su principio de funcionamiento,
es decir, a la polarizacin directa o inversa que haya en los
dos diodos a los que este est asociado (Uno entre base y
emisor y el otro entra base y colector).

La regin de corte se da cuando hay polarizacin inversa

tanto entre base y colector, como entre base y emisor, es
decir que no fluye corriente o que el transistor se comporta
como un circuito abierto. En la grfica podra asociarse a
una corriente de colector casi nula.

La regin activa normal se presenta cuando el diodo base

Figura 3. Tiempo de retardo.
emisor se encuentra en polarizacin directa y el base
colector se encuentra en polarizacin inversa. Tiempo de subida (tr): tiempo que transcurre desde que la
seal alcanza el 10% del valor mximo, hasta el 90% del
La regin de saturacin se da cuando los dos diodos ya
mismo valor.
mencionados se encuentran al tiempo en polarizacin
directa. Fluir la mxima corriente por el colector. En la
figura dos la regin se saturacin a la zona que se observa
antes de que las corrientes Ic, empiecen a estabilizarse.

Si se observan las grficas de la figura 2 obtenidas de las

tablas, se nota que en la regin activa del transistor para los
tres casos se cumple que la corriente Ic no es cero (pese a
que esta polarizado en inversa); que la corriente de la base
siempre es menor a la del colector; y que estas dos
corrientes son proporcionales, a mayor corriente en la base,
mayor corriente en el colector.

Lo que se evidencia en la grfica es el comportamiento

Figura 4. Tiempo de subida.
resistivo variable del transistor que es controlado por la
seal de entrada al emisor. En este caso esa seal de entrada Tiempo de almacenamiento (ts): Intervalo en el que la
fue modificada en los tres casos variando el voltaje Vbb a tensin de entrada comienza el descenso y el punto
fin de cambiar la corriente en la base y ver su respectivo correspondiente al 90% de la forma de onda descendente de
efecto en la corriente del colector, esta ltima que como se la corriente del colector..
observa en la grfica, no es totalmente independiente de la
tensin entre colector y emisor puesto que aumenta, aunque
no mucho, cuando Vce crece.

B) Tiempos de respuesta
Los tiempos de conmutacin identificados en la prctica al
aplicar una onda rectangular al transistor son los que se
muestran a continuacin:

Tiempo de retardo (td): Intervalo de tiempo

correspondiente al instante de aplicacin de la seal de

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Figura 5. Tiempo de almacenamiento. Figura 7.

Tiempo de cada (tf): Tiempo que transcurre desde que la

seal pasa de un valor del 90% del valor mximo, hasta un
10% del mismo valor.

Figura 8.

Figura 6. Tiempo de bajada.

Tiempo de conexin o encendido (Ton=td+tr): Tiempo de

retardo ms tiempo de subida. Tiempo total para pasar de
corte a saturacin.

Tiempo de desconexin o apagado (Toff =ts+tf): Es la suma

de los tiempos de almacenamiento ts ms el de cada tf. Es
el tiempo total para pasar de saturacin a corte.

Tiempo total de conmutacin ( Tt=ton+toff).

Figura 9.
Los tiempos de encendido y apagado limitan la frecuencia
mxima a la cual puede conmutar el transistor.
1 1
= =
+

Tiempo de retardo de propagacin: El tiempo que tarda un

interruptor a transistor en responder a una seal de entrada.

Otras observaciones realizadas usando el osciloscopio

fueron las siguientes.

Figura 10.

VI. CONCLUSIONES

El transistor NPN puede identificarse con su

esquema grafico ya que en este tipo, la corriente
siempre sale por el emisor.
En esta aplicacin del transistor la corriente Ic es
proporcional a la corriente Ib.

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Las grficas corresponden a la operacin del

transistor en su regin activa.
Los tiempos de respuesta del transistor se asocian
a los tiempos que este toma para pasar de una
regin de operacin a otra.

VII. REFERENCIAS

El Transistor Bipolar, referencia digital disponible

en:
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans
_bipolar.htm
El transistor como conmutador, referencia digital
disponible en:
http://dea.unsj.edu.ar/elo1/Transistor%20como%2
0conmutador-ELO%20I.pdf

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