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La luz blanca del sol est formada por la unin de los colores del arco iris, cada
uno con su correspondiente longitud de onda. Los colores van del violeta (380 nm)
hasta el rojo (770 nm) el detalle de la distribucin espectral aproximada de la zona
marcada como visible.
En el espectro aparecen colores, el color azul est formado por fotones cuya
longitud de onda est comprendida entre 450 nm y 500 nm; el verde por fotones
cuya longitud de onda est entre 500 nm y 570 nm; el rojo entre 610 nm y 830 nm,
etc.; es conveniente saber que los fotones azules son ms energticos que los rojos.
La radiacin emitida por el Sol en todas las direcciones es, en parte, interceptada
por la Tierra, de forma que puede definirse una magnitud llamada constante solar,
GSC, como la energa por unidad de tiempo y unidad de superficie perpendicular a
la direccin de propagacin de la radiacin, para la distancia media entre el Sol y la
Tierra. El valor de la constante solar puede estimarse suponiendo el Sol como un
cuerpo negro a una temperatura de 5.762 K; se obtiene as un valor de la constante
solar de 1.359 W/m2. La determinacin experimental mediante el uso de satlites
permite aceptar un valor de 1.353 W/m2.
La hiptesis avanzada de EPIA/Greenpeace muestra que en 2030 los sistemas FV
podran generar aproximadamente 2.600 TWh de electricidad en todo el mundo.
Esto significa que se producira en el mundo suficiente energa solar para
suministrar ms de la mitad de las necesidades de electricidad actuales de la UE, o
para reemplazar 450 plantas de combustin de carbn (de un tamao medio de 750
MW).
La capacidad instalada global de los sistemas de energa solar podra llegar a los
1.800 GW en 2030. Aproximadamente el 73% de esta capacidad estara en el
mercado conectado a la red, principalmente en pases industrializados. Suponiendo
que el consumo medio por hogar de 2,5 miembros fuera de 3.800 kWh, el nmero
total de personas que generaran entonces su electricidad a partir de un sistema
solar conectado a la red llegara a 1.280 millones. Aunque en la actualidad los
mercados clave se encuentran situados principalmente en el mundo industrializado,
un cambio global hara que el nuevo mundo en vas de desarrollo adquiriera una
cuota significativa en 2030.
Tecnologas para aprovechar la energa solar
fotovoltaica
El tomo
La constitucin del tomo, refirindose al aspecto elctrico, consta de un
determinado nmero de protones con carga positiva en el ncleo y una cantidad
igual de electrones, con carga negativa, girando en diferentes rbitas en el espacio,
que reciben el nombre de envoltura.
Los tomos inestables, que son los que no tienen llena su rbita perifrica ni
tampoco 8 electrones en ella, tienen una gran propensin a convertirse en estables,
bien desprendiendo los electrones de valencia o bien absorbiendo del exterior
electrones libres hasta completar la ltima rbita; en cada caso realizarn lo que
menos energa suponga.
Los cuerpos aislantes son los que no permiten el paso e intercambio de electrones
perifricos, siendo sus tomos normalmente estables.
Cada tomo del semiconductor est rodeado por otros 4. Cada uno de estos ltimos
aporta al central uno de sus electrones, formando 4 enlaces covalentes de pares de
electrones que son compartidos por 2 tomos contiguos; de esta forma, el tomo se
hace estable, pues se comporta como si tuviese 8 electrones perifricos.
Semiconductores extrnsecos
Debido a la estructura reticular del germanio y el silicio, cuyos tomos forman el
centro de un cubo en el que existen otros 4 tomos en cuatro de sus vrtices, y a la
comparticin de electrones por medio de los enlaces covalentes, estos dos cuerpos
simples forman una red atmica muy estable y, por lo tanto, aislante, en la que cada
uno de sus tomos posee 8 electrones de valencia; no obstante, los enlaces
covalentes se debilitan y pueden perder electrones en funcin de la temperatura
que reine en la estructura cristalina.
El efecto fotovoltaico
En estas condiciones, si incide luz y los fotones comunican energa a los electrones
del semiconductor, algunos de estos electrones pueden atravesar la barrera de
potencial, siendo expulsados fuera del semiconductor a travs de un circuito
exterior: se produce una corriente elctrica. Los electrones, tras recorrer el circuito
externo vuelven a entrar en el semiconductor por la cara opuesta.
Auger
En los procesos Auger, cuando se genera un par, la energa se toma de un electrn
(o de un hueco) ms energtico que se termaliza; cuando se recombina, la energa
se cede a un electrn que aumenta su energa dentro de la banda; de nuevo es un
mecanismo de prdidas, sin embargo, a diferencia de SRH que depende de la
calidad del material con el que se fabrican las clulas, este mecanismo de prdidas
es de tipo bsico, no puede ser evitado, es inherente al semiconductor.
Superficial
Los procesos generacin-recombinacin superficiales son similares a los SRH
diferencindose en que la estadstica que gobierna estos procesos viene
determinada por la distribucin especfica de centros de recombinacin en la
superficie del semiconductor. Esta estadstica es diferente de la que existe en el
interior del semiconductor ya que, en estas superficies, por ejemplo, el
semiconductor simplemente acaba. Se trata de fenmenos a los que se atribuye
carcter superficial, es decir, que ocurren en una regin del espacio (superficie) que
matemticamente puede considerarse mucho ms pequea que el resto de
dimensiones involucradas en el problema (volumen). Los procesos de g-r
superficiales se cuantifican por medio del parmetro llamado velocidad de
recombinacin superficial.
Malla de metalizacin
Cuando la clula se expone al sol, la luz genera (g) pares electrn-hueco. Cada uno
de estos pares constituye un potencial electrn circulando por el circuito exterior.
Asociado a este proceso de generacin tenemos los procesos de recombinacin
(r).
Nanotecnologa
Cientficos de la universidad californiana de Berkeley trabajan en el desarrollo de
clulas solares fotovoltaicas que combinan la nanotecnologa con el plstico y que
podran abaratar considerablemente los actuales precios de fabricacin.
Las nuevas clulas estn realizadas en un material plstico barato y flexible, y
pueden ser superpuestas como una capa sobre cualquier superficie para convertirla
en fuente de electricidad. Cuando esta tecnologa est plenamente desarrollada,
incluso podran colocarse sobre la ropa para suministrar energa a pequeos
aparatos porttiles, como el mvil o la agenda electrnica. An estn en los inicios
de la investigacin.
Clulas fotoelectroqumicas
Recientemente se ha desarrollado una clula solar fotoelectroqumica (conocida
como clula de Gratzel) basada en semiconductores nanoestructurados
sensitivizados con colorante, es transparente y regenerativa (dye-sensitized solar
cell), utiliza materiales de pureza medio- baja y un proceso de construccin simple,
con una eficiencia de conversin de luz a electricidad de entre 7% y 12%. Se ha
desarrollado un complejo monomrico de rutenio con respuesta mejorada a la luz
roja que produce una eficiencia de 10,4%. La gran eficiencia de corriente, la
estabilidad y el bajo coste, hacen plausibles las aplicaciones de esta clula.
Silicio policristalino
Las clulas policristalinas se fabrican de forma similar a las monocristalinas. La
principal diferencia es que se utiliza un silicio de bajo coste. Generalmente redunda
en una reduccin en la eficiencia, pero los fabricantes defienden que el precio por
kW es menor.
La superficie de las clulas policristalinas tiene un patrn aleatorio de cristalizacin
en lugar del color homogneo de las clulas monocristalinas.
Silicio ribbon
Las clulas fotovoltaicas tipo ribbon se realizan mediante el estiramiento de silicio
fundido en lugar de la utilizacin de un lingote. El principio de funcionamiento es el
mismo que en el caso de las clulas monocristalinas y policristalinas.
El recubrimiento antireflectivo utilizado en la mayora de las clulas ribbon tiene una
apariencia prismtica multicolor.
Silicio amorfo
En comparacin con el band gap del silicio cristalino de 1,1 eV, el silicio amorfo
ofrece un band gap variable de 1,1-1,75 eV, controlado por la composicin de la
aleacin de silicio.
Adicionalmente, el silicio amorfo ofrece un coeficiente de absortividad mayor que el
cristalino en el espectro visible. De esta forma, el espesor de silicio amorfo puede
ser menor de 1 ]m.
Microsilicio
Esta tecnologa espera mejorar los rendimientos y costes del silicio amorfo. Se
espera que pronto sea un competidor del resto de materiales thin film. La alta
eficiencia del microsilicio y su baja degradacin debido a la luz, hacen que las
empresas industriales estn dedicando recursos a la investigacin en esta
tecnologa.
Dixido de titanio
Capas impregnadas de dixido de titanio se utilizan para generar voltaje en lugar
del material semiconductor que se utiliza en la mayora de las clulas fotovoltaicas.
Debido a que el titanio resulta relativamente barato, ofrecen un gran potencial de
reduccin de costes.
Concentracin fotovoltaica